CN109300643B - 线圈部件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够减少在从层叠方向观察时与引出导体重叠的线圈导体层的细化、断裂的线圈部件及其制造方法。该线圈部件具备：第一线圈导体层，卷绕在平面上；引出导体，从第一线圈导体层的外周端在与第一线圈导体层同一平面上被引出；绝缘层，层叠于第一线圈导体层以及引出导体；以及第二线圈导体层，层叠于绝缘层，并卷绕在平面上，在从层叠方向观察时，第一线圈导体层与第二线圈导体层以同心状重叠，在引出导体的与第一线圈导体层连接的连接部分设置有延伸为在从层叠方向观察时与第二线圈导体层重叠的线圈延伸部。
Description
技术领域
本发明涉及线圈部件及其制造方法。
背景技术
以往，作为线圈部件，有日本特开2015－133523号公报(专利文献1)所记载的部件。该线圈部件具有螺旋状的第一线圈导体层、层叠在第一线圈导体层上的绝缘层、以及层叠在绝缘层上的螺旋状的第二线圈导体层。从第一线圈导体层的外周端向径向外侧引出引出导体，引出导体与电极连接。在从层叠方向观察时，第一线圈导体层与第二线圈导体层重叠。在从层叠方向观察时，引出导体与第二线圈导体层交叉。在从层叠方向观察时，第二线圈导体层与引出导体的与第一线圈导体层连接的连接部分重叠。
专利文献1：日本特开2015－133523号公报
近年来，期望线圈部件的小型低高化，发现了在上述以往那样的线圈部件的小型低高化中产生新的问题。
具体而言，由于小型低高化，导致线圈导体层内的布线间隔、第一线圈导体层与第二线圈导体层之间的距离变小，所以在通过光刻法制造第二线圈导体层时，不能够忽略来自第二线圈导体层的下层的反射光(曝光)。另外，由于小型低高化导致线圈导体层的线宽度、膜厚本身也变小，有曝光不良所引起的细化对特性带来较大影响或产生断开的情况。
发明内容
因此，本发明的课题在于提供能够减少在从层叠方向观察时与引出导体重叠的线圈导体层的细化、断裂的线圈部件及其制造方法。
为了解决上述课题，作为本发明的一方式的线圈部件具备：
第一线圈导体层，卷绕在平面上；
引出导体，从上述第一线圈导体层的外周端在与上述第一线圈导体层同一平面上被引出；
绝缘层，层叠于上述第一线圈导体层以及上述引出导体；以及
第二线圈导体层，层叠于上述绝缘层，并卷绕在平面上，
在从层叠方向观察时，上述第一线圈导体层与上述第二线圈导体层以同心状重叠，
在上述引出导体的与上述第一线圈导体层连接的连接部分设置有线圈延伸部，该线圈延伸部延伸为从上述层叠方向观察时与上述第二线圈导体层重叠。
根据上述线圈部件，由于在引出导体的与第一线圈导体层连接的连接部分设置有线圈延伸部，所以在从层叠方向观察时，线圈延伸部与第二线圈导体层中与引出导体的连接部分重叠的部分的邻接部分重叠。因此，在通过光刻法制造第二线圈导体层的情况下，能够减少在第二线圈导体层中与引出导体的连接部分重叠的部分的邻接部分产生细化、断裂。
另外，在线圈部件的一实施方式中，具有：
第一虚拟导体层，在上述第一线圈导体层的外侧卷绕在与上述第一线圈导体层同一平面上，并且不与上述第一线圈导体层电连接；以及
第二虚拟导体层，在上述第二线圈导体层的外侧卷绕在与上述第二线圈导体层同一平面上，并且不与上述第二线圈导体层电连接，
在从上述层叠方向观察时，上述第一虚拟导体层与上述第二虚拟导体层以同心状重叠，
在上述引出导体的上述层叠方向观察时与上述第二虚拟导体层交叉的交叉部分设置有延伸为与上述第二虚拟导体层重叠的虚拟延伸部。
根据上述实施方式，在通过光刻法制造第二虚拟导体层的情况下，能够减少在第二虚拟导体层中与引出导体的交叉部分重叠的部分的邻接部分产生细化、断裂。
另外，在线圈部件的一实施方式中，具备：
第一线圈导体层，卷绕在平面上；
引出导体，从上述第一线圈导体层的外周端在与上述第一线圈导体层同一平面上被引出；
绝缘层，层叠于上述第一线圈导体层以及上述引出导体；
第二线圈导体层，层叠于上述绝缘层，并卷绕在平面上；
第一虚拟导体层，在上述第一线圈导体层的外侧卷绕在与上述第一线圈导体层同一平面上，并且不与上述第一线圈导体层电连接；以及
第二虚拟导体层，在上述第二线圈导体层的外侧卷绕在与上述第二线圈导体层同一平面上，并且不与上述第二线圈导体层电连接，
在从层叠方向观察时，上述第一线圈导体层与上述第二线圈导体层以同心状重叠，
在从上述层叠方向观察时，上述第一虚拟导体层与上述第二虚拟导体层以同心状重叠，
在上述引出导体的从上述层叠方向观察时与上述第二虚拟导体层交叉的交叉部分设置有延伸为与上述第二虚拟导体层重叠的虚拟延伸部。
根据上述实施方式，在通过光刻法制造第二虚拟导体层的情况下，能够减少在第二虚拟导体层中与引出导体的交叉部分重叠的部分的邻接部分产生细化、断裂。
另外，在线圈部件的一实施方式中，
具有与上述引出导体连接的电极，
上述引出导体具有从上述第一线圈导体层的外周端延伸到上述电极的引出部，在从上述层叠方向观察时，上述引出部与上述第一线圈导体层的外周端正交。
根据上述实施方式，在从层叠方向观察时，引出导体与第一线圈导体层的外周端正交，所以在通过光刻法制造第二线圈导体层的情况下，能够进一步减少在第二线圈导体层中与引出导体的连接部分重叠的部分的邻接部分产生细化、断裂。
另外，在线圈部件的一实施方式中，上述第一线圈导体层的厚度在5μm以上15μm以下。
根据上述实施方式，第一线圈导体层的厚度在5μm以上15μm以下，虽然第一线圈导体层的厚度会较厚，但由于设置了线圈延伸部，所以能够减少在第二线圈导体层产生细化、断裂。
另外，在线圈部件的一实施方式中，上述第二线圈导体层的长宽比在1以上2.5以下。
根据上述实施方式，由于第二线圈导体层的长宽比在1以上2.5以下，所以虽然通过光刻法来制造第二线圈导体层，但由于设置了线圈延伸部，所以能够减少在第二线圈导体层产生细化、断裂。
另外，作为本发明的一方式的线圈部件的制造方法具备：
设置卷绕在平面上的第一线圈导体层和从上述第一线圈导体层的外周端在与上述第一线圈导体层同一平面上向外侧引出的引出导体，并在上述引出导体的与上述第一线圈导体层连接的连接部分设置沿着上述第一线圈导体层的卷绕形状延伸的线圈延伸部的工序；
在上述第一线圈导体层以及上述引出导体层叠绝缘层的工序；
在上述绝缘层设置光致抗蚀剂的工序；
对在从层叠方向观察时与上述第一线圈导体层以及上述线圈延伸部重叠的位置进行遮光之后对上述光致抗蚀剂进行曝光的工序；
去除通过上述掩膜而未被曝光的部分的工序；以及
在去除了上述光致抗蚀剂的部分设置第二线圈导体层的工序。
根据上述线圈部件的制造方法，在从层叠方向观察时，第二线圈导体层与第一线圈导体层以及线圈延伸部重叠。换句话说，在从层叠方向观察时，线圈延伸部与第二线圈导体层中与引出导体的连接部分重叠的部分的邻接部分重叠。因此，在通过光刻法制造第二线圈导体层的情况下，能够减少在第二线圈导体层中与引出导体的连接部分重叠的部分的邻接部分产生细化、断裂。
根据本发明的线圈部件及其制造方法，能够减少产生在从层叠方向观察时与引出导体重叠的线圈导体层的细化、断裂。
附图说明
图1是表示本发明的线圈部件的第一实施方式的剖视图。
图2A是线圈部件的一部分的分解俯视图。
图2B是线圈部件的一部分的分解俯视图。
图2C是线圈部件的一部分的分解俯视图。
图3是第一引出导体的从层叠方向观察到的放大图。
图4A是说明线圈部件的制造方法的说明图。
图4B是说明线圈部件的制造方法的说明图。
图4C是说明线圈部件的制造方法的说明图。
图4D是说明线圈部件的制造方法的说明图。
图4E是说明线圈部件的制造方法的说明图。
图4F是说明线圈部件的制造方法的说明图。
图5A是说明线圈部件的比较例的制造方法的说明图。
图5B是说明线圈部件的比较例的制造方法的说明图。
图5C是说明线圈部件的比较例的制造方法的说明图。
图5D是说明线圈部件的比较例的制造方法的说明图。
图6是表示本发明的线圈部件的第二实施方式的从层叠方向观察到的放大图。
图7A是表示本发明的线圈部件的第三实施方式的分解俯视图。
图7B是表示本发明的线圈部件的第三实施方式的分解俯视图。
图8是说明线圈部件的比较例的说明图。
附图标记说明
1、1B…线圈部件，10…基体，11…绝缘层，11a…第一绝缘层，11b…第二绝缘层，11c…第三绝缘层，21…第一线圈导体层，21a…外周端，22…第二线圈导体层，22a…外周端，25…第一连接导体，26…第二连接导体，30、30A、30B…第一引出导体，31…连接部分，32…线圈延伸部，33…引出部，38…交叉部分，39…虚拟延伸部，41～44…第一连接电极～第四连接电极，71…供电膜，72…光致抗蚀剂，72a…开口部，73…掩膜，91…第一虚拟导体层，92…第二虚拟导体层。
具体实施方式
以下，根据图示的实施方式对作为本发明的一方式的线圈部件进行详细说明。
(第一实施方式)
图1是表示线圈部件的第一实施方式的剖视图。图2A、图2B以及图2C是线圈部件的一部分的分解俯视图。如图1和图2A～图2C所示，线圈部件1具有基体10、设置在基体10的内部的第一线圈导体层21以及第二线圈导体层22、与第一线圈导体层21及第二线圈导体层22电连接的连接电极41～44以及外部电极51～54(外部电极51、53未图示)。
线圈部件1经由电极41～44、52、54与未图示的电路基板的布线电连接。线圈部件1例如作为共模扼流线圈使用，用于个人计算机、DVD播放器、数码相机、TV、移动电话、汽车电子、医疗用及工业用设备等电子设备。
基体10包含多个绝缘层11，多个绝缘层11层叠在层叠方向A。绝缘层11例如由以树脂、铁素体、玻璃等为主成分的绝缘性材料构成。其中，基体10有通过烧制等使得多个绝缘层11之间的界面不清晰的情况。基体10形成为大致长方体形状。在图1中，将层叠方向A设为上下方向。图2A～图2C从上层向下层依次示出。层叠方向A仅示出工序上的顺序，作为线圈部件1的上下也可以相反(外部电极51～54处于上侧的结构)。
在基体10的下表面配置有第一基板61，在基体10的上表面设置有第二基板62。第二基板62经由粘合剂65粘贴于基体10的上表面。第一基板61、第二基板62例如是铁素体基板。其中，第一基板61、第二基板62所使用的铁素体材料既可以是磁性体也可以是非磁性体。另外，第一基板61、第二基板62也可以是氧化铝、玻璃等铁素体以外的材料。
电极41～44、52、54例如由Ag、Cu、Au或者以它们为主成分的合金等导电性材料构成。电极包含第一连接电极41～第四连接电极44和第一～第四外部电极52、54。第一连接电极41～第四连接电极44分别沿着层叠方向A埋入基体10的角部。第一～第四外部电极52、54从基体10的下表面设置到侧面。第一连接电极41与第一外部电极连接，第二连接电极42与第二外部电极52连接，第三连接电极43与第三外部电极连接，第四连接电极44与第四外部电极54连接。
第一线圈导体层21和第二线圈导体层22例如由与电极41～44、52、54相同的导电性材料构成。第一线圈导体层21、第二线圈导体层22分别是卷绕在平面上的平面螺旋形状。第一线圈导体层21、第二线圈导体层22的卷绕数在一匝以上，但也可以小于一匝。第一线圈导体层21、第二线圈导体层22分别设置在不同的绝缘层11，并排列在层叠方向A。第一线圈导体层21配置在第二线圈导体层22的下侧。
在与第一线圈导体层21同一平面上(同一绝缘层11上)设置有第一引出导体30。第一引出导体30从第一线圈导体层21的外周端21a向外侧被引出，并与第一连接电极41连接。外周端21a是指第一线圈导体层21的从螺旋形状脱离的部分，第一引出导体30是指外周端21a以后的部分。第一引出导体30与第一线圈导体层21一体地形成。
第一线圈导体层21的内周端与在基体10内沿着层叠方向A设置的第一连接导体25连接。第一连接导体25与设置在第二线圈导体层22的上侧的绝缘层11上的第三引出导体36连接，第三引出导体36与第二连接电极42连接。这样，第一线圈导体层21与第一连接电极41及第二连接电极42连接。
在与第二线圈导体层22同一平面上(同一绝缘层11上)设置有第二引出导体35。第二引出导体35从第二线圈导体层22的外周端22a向外侧被引出，并与第三连接电极43连接。
第二线圈导体层22的内周端与在基体10内沿着层叠方向A设置的第二连接导体26连接。第二连接导体26与设置在第二线圈导体层22的上侧的绝缘层11上的第四引出导体37连接，第四引出导体37与第四连接电极44连接。这样，第二线圈导体层22与第三连接电极43及第四连接电极44连接。
第二线圈导体层22层叠于层叠在第一线圈导体层21及第一引出导体30上的绝缘层11。在从层叠方向A观察时，第一线圈导体层21和第二线圈导体层22以同心状重叠。此外，在本说明书中，“重叠”是指第一线圈导体层21的螺旋形状与第二线圈导体层22的螺旋形状实际上重叠，可以有由于形状本身的不同、略微的偏移而一部分不重叠的部分。
图3是从层叠方向观察第一引出导体30的附近的放大图。在图3中，以影线示出第一引出导体30、第一线圈导体层21以及第一连接电极41，并以虚线示出比它们靠上层的第二线圈导体层22。虽然将第二线圈导体层22的线宽度描绘得比第一线圈导体层21的宽度宽，但实际上是相同的宽度。这里，线宽度是指在从层叠方向观察时，第一线圈导体层21、第二线圈导体层22的与延伸的方向正交的尺寸。此外，第一线圈导体层21的线宽度与第二线圈导体层22的线宽度也可以不同。
如图3所示，第一引出导体30具有引出部33和线圈延伸部32。引出部33从第一线圈导体层21的外周端21a延伸到第一连接电极41。引出部33包含与第一线圈导体层21连接的连接部分31。线圈延伸部32与连接部分31连接。图3中，连接部分31是指从外周端21a到分支为两股处为止的之间的部分。线圈延伸部32从连接部分31延伸。
线圈延伸部32在从层叠方向A观察时单向延伸为与第二线圈导体层22重叠。线圈延伸部32的长度比引出部33的长度短。这里，长度是指布线长度，也就是指线圈延伸部32、引出部33的延伸方向上的长度。此外，线圈延伸部32的长度与引出部33的长度也可以不同。
接下来，对上述线圈部件1的制造方法进行说明。对图3的X－X剖面的制造方法进行说明。图3的X－X剖面是指第一引出导体30的连接部分31以后的部分、线圈延伸部32以及第一线圈导体层21的与延伸方向正交的方向的剖面。
如图4A所示，在第一绝缘层11a上设置第一线圈导体层21和第一引出导体30。第一引出导体30包含引出部33和线圈延伸部32。然后，在第一线圈导体层21和第一引出导体30层叠第二绝缘层11b。此时，在第二绝缘层11b的上表面，由于第一线圈导体层21、线圈延伸部32以及引出部33与第一绝缘层11a的阶梯差而产生凹凸。在第二绝缘层11b的上表面，第一线圈导体层21、线圈延伸部32以及引出部33的上方成为凸面。
然后，如图4B所示，在第二绝缘层11b的上表面设置供电膜71，并在供电膜71上设置光致抗蚀剂72。
然后，如图4C所示，配置掩膜73，以对从层叠方向观察时与第一线圈导体层21以及线圈延伸部32重叠的位置进行遮光。换句话说，掩膜73与第二绝缘层11b的上表面的凸面重叠。光致抗蚀剂72是负性抗蚀剂。此外，掩膜73配置于未图示的曝光机。掩膜对曝光机的配置既可以在线圈部件1的制造过程中进行，也可以在制造前预先配置。
然后，对光致抗蚀剂72进行曝光。曝光所使用的光如虚线的箭头所示在光致抗蚀剂72内前进。此时，虽然光在第二绝缘层11b的凸面与凹面之间的斜面反射，但光是向与掩膜73之下的区域相反的方向反射。这样，光不进入掩膜73之下的区域。
然后，如图4D所示，通过显影去除通过掩膜73未进行曝光的部分，在光致抗蚀剂72形成开口部72a。这里，由于在第二绝缘层11b的斜面反射的光不进入掩膜73之下的区域，所以开口部72a的宽度与掩膜73的宽度相同。
然后，如图4E所示，在去除了光致抗蚀剂72的部分(开口部72a)设置第二线圈导体层22。通过对供电膜71进行通电，利用电镀来形成第二线圈导体层22。然后，如图4F所示，去除光致抗蚀剂72以及供电膜71，并在第二线圈导体层22层叠第三绝缘层11c。
然后，如图1所示，在第一基板61上形成如上述那样形成的基体10，并在基体10上形成第二基板62。虽然省略了引出导体36、37、连接电极41～44等的形成，但对这些使用公知的方法即可。然后，设置外部电极51～54，制造线圈部件1。
这里，使用图5A～图5D对具有以往那样的第一引出导体300的线圈部件的比较例的制造方法进行说明。第一引出导体300不包含本发明的线圈延伸部32。此外，与图4A～图4F相同的附图标记具有相同的构成，所以省略其说明。
如图5A所示，在第二绝缘层11b的上表面，第一线圈导体层21以及第一引出导体300的引出部33的上方成为凸面。由于在第一线圈导体层21与引出部33之间没有线圈延伸部32，所以在第二绝缘层11b的上表面，第一线圈导体层21与引出部33之间的上方成为凹面。掩膜73被配置为与第一线圈导体层21的上方的凸面以及第一线圈导体层21与引出部33之间的上方的凹面重叠。然后，若对光致抗蚀剂72进行曝光，则光在第二绝缘层11b的凸面与凹面之间的斜面反射，并进入与凹面的上方重叠的掩膜73之下的区域。
然后，如图5B所示，通过显影去除由于掩膜73而未被曝光的部分，在光致抗蚀剂72形成开口部72a。这里，由于在第二绝缘层11b的斜面反射的光进入凹面的上方的掩膜73之下的区域，所以开口部72a的宽度比掩膜73的宽度窄。
然后，如图5C所示，在去除了光致抗蚀剂72的部分(开口部72a)设置第二线圈导体层22，如图5D所示，去除光致抗蚀剂72以及供电膜71，并在第二线圈导体层22层叠第三绝缘层11c。
因此，位于第一线圈导体层21与引出部33之间的上方的第二线圈导体层22的宽度变小，产生该第二线圈导体层22的细化。换句话说，参考图3，在第二线圈导体层22中与第一引出导体300的连接部分31重叠的部分的邻接部分产生细化、断裂。此外，若开口部72a在光致抗蚀剂72进一步变窄，则产生第二线圈导体层22的断裂。
根据上述实施方式的线圈部件1及其制造方法，如图3所示，在从层叠方向A观察时，线圈延伸部32与第二线圈导体层22中在从层叠方向A观察时与第一引出导体30的连接部分31重叠的部分的邻接部分重叠。由此，在通过光刻法制造第二线圈导体层22的情况下，如图4D所示，位于线圈延伸部32的上方的开口部72a的宽度不会变窄，如图4E所示，位于线圈延伸部32的上方的第二线圈导体层22的宽度不会变小。
因此，能够减少在第二线圈导体层22中与连接部分31重叠的部分的邻接部分，也就是第二线圈导体层22中与线圈延伸部32重叠的部分产生细化、断裂。
根据上述线圈部件1，优选第一线圈导体层21的层叠方向的厚度在5μm以上15μm以下。这里，通过使第一线圈导体层21的厚度在5μm以上，容易产生比较例那样的第二绝缘层11b的上表面的凹凸(阶梯差)所带来的问题。即，减少由于线圈延伸部32产生第二线圈导体层22的细化、断裂的效果更显著。另一方面，通过使第一线圈导体层21的厚度在15μm以下，而不超出制造上的极限。另外，第二线圈导体层22的厚度优选在5μm以上15μm以下。其中，“厚度”是指线圈导体层的层厚，是沿着层叠方向A的方向的厚度。
根据上述线圈部件1，优选第二线圈导体层22的长宽比在1以上2.5以下。长宽比是指(第二线圈导体层22的厚度)/(第二线圈导体层22的线宽度)。在线圈部件1中，为了减少曝光所引起的第二线圈导体层22的细化、断裂的产生，能够通过光刻法形成这样的长宽比较高的第二线圈导体层22。优选第一线圈导体层21的长宽比在1以上2.5以下。
(第二实施方式)
图6是表示本发明的线圈部件的第二实施方式的从层叠方向观察到的放大图。第二实施方式的第一引出导体的形状与第一实施方式不同。下面对该不同的构成进行说明。其它构成是与第一实施方式相同的构成，标注与第一实施方式相同的附图标记并省略其说明。
如图6所示，在第二实施方式的线圈部件中，在从层叠方向观察时，第一引出导体30A的引出部33与第一线圈导体层21的外周端21a正交。由此，在通过光刻法制造第二线圈导体层22的情况下，即使曝光所使用的光在引出部33的上方的第二绝缘层的斜面反射，也不会进入用于形成第二线圈导体层22的掩膜之下的区域。由此，能够使得用于形成第二线圈导体层22的光致抗蚀剂的开口部的宽度为正常的宽度。因此，能够进一步减少在第二线圈导体层22中与第一引出导体30A的连接部分31重叠的部分的邻接部分产生细化、断裂。
(第三实施方式)
图7A和图7B是表示本发明的线圈部件的第三实施方式的分解俯视图。第三实施方式的第一引出导体、第一虚拟导体层以及第二虚拟导体层的构成与第一实施方式不同。下面对该不同的构成进行说明。其它构成是与第一实施方式相同的构成，标注与第一实施方式相同的附图标记并省略其说明。
如图7A和图7B所示，第三实施方式的线圈部件1B包含第一虚拟导体层91以及第二虚拟导体层92。图7A和图7B从上层向下层依次示出。通过设置第一虚拟导体层91及第二虚拟导体层92，绝缘层11的体积减少，能够缓和基体10的内部应力。
第一虚拟导体层91在第一线圈导体层21的外侧设置在与第一线圈导体层21同一平面上。第一虚拟导体层91与第一线圈导体层21一起层叠于第二绝缘层11b。第一虚拟导体层91不与第一线圈导体层21电连接。换句话说，第一虚拟导体层91在与第一线圈导体层21以及第一引出导体30B之间具有缝隙。
第二虚拟导体层92在第二线圈导体层22的外侧设置在与第二线圈导体层22同一平面上。第二虚拟导体层92与第二线圈导体层22一起层叠于第三绝缘层11c。第二虚拟导体层92不与第二线圈导体层22电连接。换句话说，第二虚拟导体层92在与第二线圈导体层22以及第二引出导体35之间具有缝隙。
第一虚拟导体层91、第二虚拟导体层92分别是卷绕在平面上的平面螺旋形状。第一虚拟导体层91、第二虚拟导体层92的卷绕数在一匝以上，但也可以小于一匝。在从层叠方向观察时，第一虚拟导体层91与第二虚拟导体层92以同心状重叠。
在第一引出导体30B的引出部33设置有线圈延伸部32和虚拟延伸部39。引出部33以及线圈延伸部32是与第一实施方式相同的构成。引出部33包含从层叠方向观察时与第二虚拟导体层92交叉的交叉部分38。虚拟延伸部39与交叉部分38连接，在从层叠方向观察时延伸为与第二虚拟导体层92重叠。虚拟延伸部39夹着引出部33向两个方向延伸。虚拟延伸部39的长度比线圈延伸部32的长度短。
根据上述线圈部件1B，在通过光刻法制造第二虚拟导体层92的情况下，能够减少在第二虚拟导体层92中与第一引出导体30B的交叉部分38重叠的部分的邻接部分，也就是第二虚拟导体层92中在从层叠方向观察时与虚拟延伸部39重叠的部分产生细化、断裂。
总之，与第一实施方式的说明相同，在通过光刻法制造第二虚拟导体层92的情况下，即使曝光所使用的光在引出部33的上方的第二绝缘层的斜面反射，也会被虚拟延伸部39的上方的第二绝缘层的斜面遮住，而不会进入用于形成虚拟延伸部39的上方的第二虚拟导体层92的掩膜之下的区域。由此，能够使得用于形成第二虚拟导体层92的光致抗蚀剂的开口部的宽度为正常的宽度。因此，能够减少在第二虚拟导体层92中与第一引出导体30B的交叉部分38重叠的部分的邻接部分产生细化、断裂。
与此相对，使用图8对具有以往那样的第一引出导体300的线圈部件的比较例进行说明。第一引出导体300不包含本发明的线圈延伸部32以及虚拟延伸部39。此外，与图7A和图7B相同的附图标记具有相同的构成，所以省略其说明。如图8的B部分所示，由于第一引出导体300不包含虚拟延伸部39，所以在第二虚拟导体层92中与第一引出导体300交叉的部分的邻接部分产生细化。
这里，对在虚拟导体层产生细化、断裂的情况下的问题点进行说明。虚拟导体层以相对地减少线圈部件1内的线膨胀系数较高的部分(绝缘层11)的区域并缓和由于热量产生的内部应力为目的进行配置，但若在虚拟导体层产生局部性的细化、断裂则产生应力的不平衡，有可能导致可靠性的降低。
此外，本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够变更设计。例如，也可以对第一实施方式～第三实施方式各自的特征点进行各种组合。
在上述实施方式中，第一线圈导体层和第二线圈导体层分别构成了不同的电感，但也可以将第一线圈导体层与第二线圈导体层连接来构成同一个电感。此时，外部电极的数目为两个(两个端子)。并且，作为线圈部件，例如能够作为高频电路的阻抗匹配用线圈(匹配线圈)使用。
在上述实施方式中，线圈部件的用途例如也可以使用于调谐电路、滤波电路、整流平滑电路等。
在上述实施方式中，设置了双层的线圈导体层，但也可以设置三层以上的线圈导体层。此时，对于在层叠方向相邻的双层的线圈导体层，通过在下层的线圈导体层的引出导体设置线圈延伸部，能够减少上层侧的线圈导体层产生细化、断裂。此外，此时也可以构成为设置虚拟导体层，并设置虚拟延伸部。
在上述第三实施方式中，设置了线圈延伸部和虚拟延伸部，但也可以构成为不设置线圈延伸部而仅设置虚拟延伸部。由此，能够减少虚拟导体层产生细化、断裂。
Claims (16)
1.一种线圈部件，具备：
第一线圈导体层，卷绕在平面上；
引出导体，从所述第一线圈导体层的外周端在与所述第一线圈导体层同一平面上被引出；
绝缘层，层叠于所述第一线圈导体层以及所述引出导体；以及
第二线圈导体层，层叠于所述绝缘层，并卷绕在平面上，
在从层叠方向观察时，所述第一线圈导体层与所述第二线圈导体层以同心状重叠，
在所述引出导体的与所述第一线圈导体层连接的连接部分设置有线圈延伸部，该线圈延伸部延伸为从所述层叠方向观察时与所述第二线圈导体层重叠，
在所述第一线圈导体层以及所述线圈延伸部的上方的所述绝缘层的上表面成为凸面，所述第二线圈导体层的一部分层叠于所述绝缘层的所述凸面，
所述线圈部件具有与所述引出导体连接的电极，
所述引出导体具有从所述第一线圈导体层的外周端延伸到所述电极的引出部，
所述线圈延伸部的长度比所述引出部的长度短。
2.根据权利要求1所述的线圈部件，其中，
在从所述层叠方向观察时，所述引出部与所述第一线圈导体层的外周端正交。
3.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，
所述第一线圈导体层的厚度在5μm以上15μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，
所述第二线圈导体层的长宽比在1以上2.5以下，
所述长宽比是所述第二线圈导体层的厚度/所述第二线圈导体层的线宽度。
5.根据权利要求3所述的线圈部件，其中，
所述第二线圈导体层的长宽比在1以上2.5以下，
所述长宽比是所述第二线圈导体层的厚度/所述第二线圈导体层的线宽度。
6.一种线圈部件，具备：
第一线圈导体层，卷绕在平面上；
引出导体，从所述第一线圈导体层的外周端在与所述第一线圈导体层同一平面上被引出；
绝缘层，层叠于所述第一线圈导体层以及所述引出导体；以及
第二线圈导体层，层叠于所述绝缘层，并卷绕在平面上，
在从层叠方向观察时，所述第一线圈导体层与所述第二线圈导体层以同心状重叠，
在所述引出导体的与所述第一线圈导体层连接的连接部分设置有线圈延伸部，该线圈延伸部延伸为从所述层叠方向观察时与所述第二线圈导体层重叠，
所述线圈部件具有：
第一虚拟导体层，在所述第一线圈导体层的外侧卷绕在与所述第一线圈导体层同一平面上，并且不与所述第一线圈导体层电连接；以及
第二虚拟导体层，在所述第二线圈导体层的外侧卷绕在与所述第二线圈导体层同一平面上，并且不与所述第二线圈导体层电连接，
在从所述层叠方向观察时，所述第一虚拟导体层与所述第二虚拟导体层以同心状重叠，
在所述引出导体的从所述层叠方向观察时与所述第二虚拟导体层交叉的交叉部分设置有延伸为与所述第二虚拟导体层重叠的虚拟延伸部。
7.根据权利要求6所述的线圈部件，其中，
所述线圈部件具有与所述引出导体连接的电极，
所述引出导体具有从所述第一线圈导体层的外周端延伸到所述电极的引出部，在从所述层叠方向观察时，所述引出部与所述第一线圈导体层的外周端正交。
8.根据权利要求6或7所述的线圈部件，其中，
所述第一线圈导体层的厚度在5μm以上15μm以下。
9.根据权利要求6或7所述的线圈部件，其中，
所述第二线圈导体层的长宽比在1以上2.5以下，
所述长宽比是所述第二线圈导体层的厚度/所述第二线圈导体层的线宽度。
10.根据权利要求8所述的线圈部件，其中，
所述第二线圈导体层的长宽比在1以上2.5以下，
所述长宽比是所述第二线圈导体层的厚度/所述第二线圈导体层的线宽度。
11.一种线圈部件，具备：
第一线圈导体层，卷绕在平面上；
引出导体，从所述第一线圈导体层的外周端在与所述第一线圈导体层同一平面上被引出；
绝缘层，层叠于所述第一线圈导体层以及所述引出导体；
第二线圈导体层，层叠于所述绝缘层，并卷绕在平面上；
第一虚拟导体层，在所述第一线圈导体层的外侧卷绕在与所述第一线圈导体层同一平面上，并且不与所述第一线圈导体层电连接；以及
第二虚拟导体层，在所述第二线圈导体层的外侧卷绕在与所述第二线圈导体层同一平面上，并且不与所述第二线圈导体层电连接，
在从层叠方向观察时，所述第一线圈导体层与所述第二线圈导体层以同心状重叠，
在从所述层叠方向观察时，所述第一虚拟导体层与所述第二虚拟导体层以同心状重叠，
在所述引出导体的从所述层叠方向观察时与所述第二虚拟导体层交叉的交叉部分设置有延伸为与所述第二虚拟导体层重叠的虚拟延伸部。
12.根据权利要求11所述的线圈部件，其中，
所述线圈部件具有与所述引出导体连接的电极，
所述引出导体具有从所述第一线圈导体层的外周端延伸到所述电极的引出部，在从所述层叠方向观察时，所述引出部与所述第一线圈导体层的外周端正交。
13.根据权利要求11或12所述的线圈部件，其中，
所述第一线圈导体层的厚度在5μm以上15μm以下。
14.根据权利要求11或12所述的线圈部件，其中，
所述第二线圈导体层的长宽比在1以上2.5以下，
所述长宽比是所述第二线圈导体层的厚度/所述第二线圈导体层的线宽度。
15.根据权利要求13所述的线圈部件，其中，
所述第二线圈导体层的长宽比在1以上2.5以下，
所述长宽比是所述第二线圈导体层的厚度/所述第二线圈导体层的线宽度。
16.一种线圈部件的制造方法，具备：
设置卷绕在平面上的第一线圈导体层和从所述第一线圈导体层的外周端在与所述第一线圈导体层同一平面上向外侧引出的引出导体，并在所述引出导体的与所述第一线圈导体层连接的连接部分设置沿着所述第一线圈导体层的卷绕形状延伸的线圈延伸部的工序；
在所述第一线圈导体层以及所述引出导体层叠绝缘层的工序；
在所述绝缘层设置光致抗蚀剂的工序；
对在从层叠方向观察时通过在与所述第一线圈导体层以及所述线圈延伸部重叠的位置配置掩膜进行遮光之后对所述光致抗蚀剂进行曝光的工序；
去除通过所述掩膜而未被曝光的部分的工序；以及
在去除了所述光致抗蚀剂的部分设置第二线圈导体层的工序。
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