CN109300497B

CN109300497B - 动态随机存取存储器及其电源管理方法

Info

Publication number: CN109300497B
Application number: CN201711430840.1A
Authority: CN
Inventors: 李忠勋; 刘献文
Original assignee: Nanya Technology Corp
Current assignee: Nanya Technology Corp
Priority date: 2017-07-24
Filing date: 2017-12-26
Publication date: 2020-10-02
Anticipated expiration: 2037-12-26
Also published as: CN109300497A; US10141043B1; TWI635490B; TW201909178A

Abstract

本公开提供一种动态随机存取存储器(DRAM)及其电源管理方法。该DRAM包括多个存储库、一电源、一控制元件。所述存储库各包括多个次阵列。该控制元件经配置以获得一信息。该信息涉及所述次阵列中被操作的次阵列的数量。该控制元件基于该信息产生一决定，该决定是输出多少量的电能，其中该电源基于该控制元件的该决定输出一结果量的电能。本公开的技术方案可以提高电源使用效率。

Description

动态随机存取存储器及其电源管理方法

技术领域

本公开涉及一动态随机存取存储器及其方法，尤其是指一种动态随机存取存储器的电源管理方法。

背景技术

半导体存储器装置，例如动态随机存取存储器(DRAM)，将数据存储在存储器单元中的一阵列内。存储器单元通常以行和列排列。一列中的存储器单元连接在一起成为一字元线，而一行中的存储器单元连接在一起成为一位元线。DRAM也包含许多需要多于一个电压的电路以用于操作。电荷泵安置于DRAM之中，从外部电压供应可以产生和稳定DRAM的内部供应电压。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。该DRAM包括多个存储库、一电源、一控制元件。所述存储库各包括多个次阵列。该控制元件经配置以获得一信息。该信息涉及所述次阵列中被操作的次阵列的数量。该控制元件基于该资产生一决定，该决定是输出多少量的电能，其中该电源基于该控制元件的该决定输出一结果量的电能。

在一些实施例中，当一数量比大于一比例范围的一最高端点时，该控制元件决定输出一第一电能，以及当该数量比小于该比例范围的一最低端点时，决定输出小于该第一电能的一第二电能。该数量比为所述次阵列中被操作的次阵列的数量比上所述次阵列的数量的比例。

在一些实施例中，当该数量比小于该比例范围的该最高端点且大于该比例范围的该最低端点时，该控制元件决定输出大于该第二电能及小于该第一电能的一第三电能。

在一些实施例中，该电源包括多个彼此独立的电荷泵。当该控制元件决定输出该第一电能时，该控制元件增加所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量。

在一些实施例中，该电源包括多个彼此独立的电荷泵。当该控制元件决定输出该第二电能时，该控制元件减少在所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量。

在一些实施例中，该控制元件接收多个位址，其中所述位址中的每个位址指示哪个次阵列被操作。该控制元件经配置以基于所述位址获得该信息。

在一些实施例中，该DRAM还包括一计数器。该计数器经配置以计数在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的一数量，其中该控制元件，基于从该计数器取得的在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的该数量，获得该信息。

在一些实施例中，该DRAM包括一分配元件。该分配元件，经配置以依一分配方式，分配该结果量的电能至在所述存储库中包括被操作的次阵列的存储库，该分配方式包括分配至该包括被操作次阵列的存储库的电能的量正相关于被操作的次阵列的数量。

在一些实施例中，该控制元件包括一表，该表经配置以记录所述位址，以及该分配元件基于记录于该表中的所述位址分配该结果量的电能。

在一些实施例中，该控制元件包括一组合逻辑。

在一些实施例中，当所述电荷泵中的每一者被使能时，该每一者输出一相同量的电能。

本公开的另一实施例提供一种动态随机存取存储器的电源管理方法。该电源管理方法包括提供多个存储库，所述存储库各包括多个次阵列；获得一信息，该信息涉及在所述次阵列中被操作的次阵列的数量；基于该信息产生一决定，其中该决定是输出多少量的电能；以及基于该决定，输出一结果量的电能。

在一些实施例中，基于该信息产生该决定包括：当一数量比大于一比例范围的一最高端点时，决定输出一第一电能，以及当该数量比小于该比例范围的一最低端点时，决定输出小于该第一电能的一第二电能，其中该数量比为所述次阵列中被操作的次阵列的数量比上所述次阵列的数量的比例。

在一些实施例中，基于该信息产生该决定包括：当该数量比小于该比例范围的该最高端点且大于该比例范围的该最低端点时，决定输出大于该第二电能及小于该第一电能的一第三电能。

在一些实施例中，该电源管理的方法还包括提供多个电荷泵，其中当该数量比大于该比例范围的该最高端点时，决定输出该第一电能包括：增加所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量。

在一些实施例中，该电源管理的方法，还包括提供多个电荷泵。当该数量比小于该比例范围的该最低端点时，决定输出小于该第一电能的该第二电能包括：减少在所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量。

在一些实施例中，该电源管理的方法，还包括：接收多个位址，所述位址中的每个位址指示哪个次阵列被操作，其中该获得该信息包括：基于所述位址获得该信息。

在一些实施例中，该电源管理的方法还包括：计数在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的一数量，其中该基于所述位址获得该信息包括：基于在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的该数量，获得该信息。

在一些实施例中，该电源管理的方法，还包括依一分配方式，分配该结果量的电能至在所述存储库中包括被操作的次阵列的存储库，该分配方式包括分配至该包括被操作次阵列的存储库的电能的量正相关于被操作的次阵列的数量。

在一些实施例中，该电源管理的方法，还包括记录所述位址，以及其中该依该分配方式，分配该结果量的电能至在所述存储库中包括被操作的次阵列的存储库包括：基于记录于该表中的所述位址分配该结果量的电能。

在本公开的实施例中，DRAM的一控制元件能够获得关于被操作的次阵列的数量的一信息。除此之外，该控制元件基于该信息决定输出多少量的电能，如此，借着DRAM的电源所输出的电能是可调整的，因此可以被管理。于是，DRAM可提供一电源管理的功能，且电能的使用上相对有效率。特别是当DRAM的被操作的次阵列的数量相对较低时，电源可以输出一相对较低的电能。电能的使用上相对有效率。

相比之下，在比较性的DRAM中，该DRAM的使能元件无法获得关于被操作的次阵列的数量的一信息。再者，使能元件不能基于该信息来决定要输出多少量的电能。因此，由该DRAM中所有的电荷泵所输出的电能是不可调整的，所以不能被管理。结果，DRAM不能提供电源管理的功能，且电能的使用上相对低效。特别是在次阵列中的一个或多个次阵列不操作的情况下，DRAM的电源仍输出与在所有的次阵列都操作的情况下相同的电能。亦即，该电源输出比存储器所需要还多的电能，电能的使用上相对低效。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

附图说明

参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。

图1为包括一使能元件的一比较性的动态随机存取存储器(DRAM)的示意图。

图2为图1所示的该比较DRAM的一操作示意图。

图3为图1所示的该比较DRAM的另一操作示意图。

图4为图1所示的该比较DRAM的又另一操作示意图。

图5为根据本公开的一些实施例，包括一控制元件的动态随机存取存储器(DRAM)示意图。

图6为根据本公开的一些实施例，如图5所示的DRAM的操作示意图。

图7为根据本公开的一些实施例，如图5所示的DRAM的另一操作示意图。

图8为根据本公开的一些实施例，如图5所示的DRAM的又另一操作示意图。

图9为根据本公开的一些实施例，如图5所示的DRAM的又再另一操作示意图。

图10是根据本公开的一些实施例，一操作一DRAM的方法流程图。

图11为根据本公开的一些实施例，如图10所示方法的操作流程图。

图12为根据本公开的一些实施例，还包括一分配元件的一动态随机存取存储器(DRAM)的示意图。

图13为根据本公开的一些实施例，一操作一DRAM的方法流程图。

附图标记说明：

10 DRAM

12 使能元件

14 电源

16 存储器

140 第一电荷泵

142 第二电荷泵

144 第三电荷泵

160 第一存储库

162 第一次阵列

164 第二次阵列

170 第二存储库

172 第三次阵列

174 第四次阵列

EN 使能信号

20 DRAM

22 控制元件

24 电源

240 第一电荷泵

242 第二电荷泵

244 第三电荷泵

ADDR1 位址

ADDR2 位址

ADDR3 位址

/EN 禁能信号

30 方法

31 操作

32 操作

34 操作

36 操作

320 操作

322 操作

324 操作

326 操作

328 操作

40 DRAM

42 控制元件

44 分配元件

420 表

50 方法

52 操作

54 操作

56 操作

具体实施方式

本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。

“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用“在实施例中”一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。

为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该技艺中的技术人士已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的优选实施例详述如下。然而，除了实施方式之外，本公开亦可广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于实施方式的内容，而是由权利要求定义。

图1为包括一使能元件12的一比较性的动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory，DRAM)10的示意图。参照图1，DRAM 10除了使能元件12，还包括一电源14和一存储器16。

存储器16用以存储数据。存储器16包括第一存储库(bank)160以及第二存储库170，其中第一数据库160及第二数据库170都可视为多个存储器单元中的一阵列。第一存储库160包括第一次阵列162以及第二次阵列164。第一次阵列162和第二次阵列164各包括一条或多条字元线。第二存储库170包括第三次阵列172以及第四次阵列174。第三次阵列172和第四次阵列174各包括一条或多条字元线。

电源14经配置以提供存储器16足以让存储器16在使能时操作的电能。电源14包括彼此独立的第一电荷泵140、第二电荷泵142以及第三电荷泵144。在一些实施例中，当第一电荷泵140、一第二电荷泵142以及一第三电荷泵144每一者被使能时，第一电荷泵140、一第二电荷泵142以及一第三电荷泵144每一者输出相同量的电能。然而，本公开并不限于此。

使能元件12仅能以相同的方式操作所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142以及第三电荷泵144。换言之，使能元件12无法以不同方式个别地操作第一电荷泵140、第二电荷泵142以及第三电荷泵144。例如，当使能元件12使能所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142以及第三电荷泵144时，所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142以及第三电荷泵144皆被使能，无任一禁能。这种缺点可能是受限于使能元件12的简单设计而引起。

更详细地说，使能元件12无法获得一信息，该信息涉及在第一次阵列160、第二次阵列162、第三次阵列170以及第四次阵列172中被操作的次阵列的数量。再者，使能元件12无法基于该信息决定输出多少量的电能。因而，使能元件12迫以相同方式操作所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142以及第三电荷泵144。如此，由所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142以及第三电荷泵144输出的电能是不能调整的，所以电能无法被管理。结果，DRAM 10不能提供一电源管理功能，电能的使用上相对低效。

特别是当在第一次阵列160、第二次阵列162、第三次阵列170和第四次阵列172中的一个或多个不被操作的情况下，电源14仍输出与所有的第一次阵列160、第二次阵列162、第三次阵列170和第四次阵列172都被操作时的相同电能，这部分参照图2至图4，将详细描述。亦即，电源14输出大于存储器16所需的电能。电能的使用上相对低效。

图2为图1所示的比较DRAM 10的一操作示意图。参照图2，使能元件12因应于存储器16一操作事件，例如借着提供使能信号EN至第一电荷泵140、第二电荷泵142和第三电荷泵144，使能所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142和第三电荷泵144。如此，所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142和第三电荷泵144皆被使能而合并一起输出(提供)存储器16的电能。

图3为图1所示的比较DRAM 10另一操作示意图。参照图3，使能元件12因应于存储器16一操作事件，尽管第四次阵列174不被操作，但仍使能所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142以及第三电荷泵144。使能元件12使电源14输出如图2实施例中所输出的相同电能。电源14输出比存储器16需要更大的电能。电能的使用上相对低效。

图4为图1所示的该比较DRAM 10的又另一操作示意图。参照图4，使能元件12因应于存储器16一操作事件，尽管第三次阵列172和第四次阵列174不被操作，但仍使能所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142和第三电荷泵144。使能元件12使电源14输出如图2实施例中所输出的相同电能。电源14输出比存储器16需要更大的电能。电能的使用上相对低效。

图5为根据本公开的一些实施例，包括一控制元件22的动态随机存取存储器(DRAM)20示意图。参照图5，DRAM 20类似于图1中所示的DRAM10，差别在于DRAM 20包括控制元件22，以及DRAM 20包括包含一第一电荷泵240、一第二电荷泵242和一第三电荷泵244的一电源24。

控制元件22经配置以获得一信息，该信息涉及第一次阵列162、第二次阵列164、第三次阵列172和第四次阵列174中的被操作的次阵列的数量。此外，控制元件22基于该信息产生一决定，该决定是输出多少量的电能，其细节将描述如下。更详细地说，控制元件22能以不同的方式，个别地操作第一电荷泵240、第二电荷泵242和第三电荷泵244。例如，当禁能第三电荷泵244时，控制元件22可使能第一电荷泵240和第二电荷泵242。如此，由电源24所输出的电能的量是可调整的，所以电能可以被管理。于是，DRAM 20可提供电源管理的功能，且电能的使用上相对是有效率的。在本实施例中，控制元件22是位于DRAM 20内中的一元件；然而，本公开并不限于此。在另一个实施例中，控制元件22是位于DRAM 20外部的DRAM控制器上的一处理器。在一些实施例中，控制元件22是一组合逻辑。

基于控制元件22的决定，电源24经配置以输出一结果量的电能。例如，如图6所示，第一电荷泵240、第二电荷泵42和第三电荷泵244合并一起输出一第一电能。

抑或是，第一电荷泵240独自输出小于第一电能的一第二电能，而第二电荷泵242或第三电荷泵244没有输出电能。又或者是，第一电荷泵240和第二电荷泵242合并一起输出小于第一电能且大于第二电能的一第三电能，而第三电荷泵244没有输出电能，如图7和图8所示。在一实施例中，第一电荷泵240、第二电荷泵242和第三电荷泵244彼此独立。

图6为根据本公开的一些实施例，如图5所示的DRAM 20的操作示意图。参照图6，第一次阵列162、第二次阵列164、第三次阵列172、第四次阵列174被操作。控制元件22获得一信息，该信息涉及被操作的次阵列的数量，且该信息反映该被操作的次阵列的数量是4。控制元件22，基于反映被操作的次阵列的数量是4的该信息，决定输出相对高电能的第一电能。结果，控制元件22借着使能所有第一电荷泵240、第二电荷泵242和第三电荷泵244，以增加被使能电荷泵的数量。第一电荷泵240、第二电荷泵242和第三电荷泵244合并一起输出至(提供)存储器16一结果量的电能，例如第一电能。控制元件22决定输出第一电能所基于的被操作的次阵列的数量的4仅作为范例。同样地，经配置以输出第一电能的被使能电荷泵的数量的3也仅作为范例。本公开并不限于此。上述声明旨在表示当被操作的次阵列的数量相对较多时，由电源24所输出的电能则相对较多。

在一实施例中，控制元件22经配置以接收一位址，该位址指出被操作的存储库的被操作的次阵列。该位址指示哪个存储库的哪个次阵列被操作。在图6的实施例中，控制元件22分别接收第一次阵列162、第二次阵列164、第三次阵列172和第四次阵列174的位址ADDR1、ADDR2、ADDR3、ADDR4。位址ADDR1位于第一次阵列162上，其指示第一存储库160的第一次阵列162将被操作；位址ADDR2位于第二次阵列164上，其指示第一存储库160的第二次阵列164将被操作，依此类推。在一个实施例中，控制元件22包括用以记录被操作的次阵列的位址的一表，其经配置以例如记录位址ADDR1、ADDR2、ADDR3、ADDR4。

不但如此，控制元件22基于该位址，获得关于被操作的次阵列的数量的该信息。更详细地，在一实施例中，控制元件22包括计数器(未示出)。计数器经配置以计数被操作的次阵列的位址的数量。例如，在本实施例中，由于计数器接收到四个不同次阵列162、164、172和174的四个位址ADDR1、ADDR2、ADDR3和ADDR4，所以计数数量为4。如此，控制元件22基于来自该计数器的该计数数量获得该信息。

此外，控制元件22基于一数量比与由一最高端点和一最低端点所定义的一比率范围之间的比较，来决定输出多少量的电能，其中该数量比为被操作的次阵列的数量比上次阵列的总数的比例。例如，为了易于讨论，在接下来的讨论中，假设最低端点大约是0.25，而最高端点大约是1。

在本实施例中，控制元件22判断出一数量比为(4/4)，其等于最高端点1，其中该数量比的分母表示次阵列的总数，且该数量比的分子则表示被操作的次阵列的数量。因此，控制元件22决定输出相对较高电能的一第一电能。

图7为根据本公开的一些实施例，如图5所示的DRAM 20的另一操作示意图。遵循图6中的实施例中所述的假设。参照图7，第四次阵列174不被操作，而第一次阵列162、第二次阵列164和第三次阵列172被操作。控制元件22获得一信息，该信息涉及被操作次阵列的数量，且该信息反映被操作的次阵列的数量是3。基于反映出被操作的次阵列的数量是3的该信息，控制元件22决定输出作为中等电能的一第三电能。结果，控制元件22禁能第三电荷泵244，但使能第一电荷泵240和第二电荷泵242。第一电荷泵240和第二电荷泵242合并一起输出(提供)存储器阵列16该结果量的电能，也就是第三电能。

在一实施例中，控制元件22分别接收第一次阵列162、第二次阵列164和第三次阵列172的位址ADDR1、ADDR2和ADDR3。由于控制元件22没有接收到位于第四次阵列174上的位址ADDR4，所以控制元件22判断出第四次阵列174不被操作。由于控制元件22接收到位址ADDR1、ADDR2和ADDR3(这反映会有三个次阵列162、164和174被存取)，计数器的计数数量为3。结果，控制元件22基于计数数量的3获得该信息。控制元件22判定出数量比为(3/4)，其小于最高端点1且大于最低端点0.25，因此控制元件22决定输出中等电能的第三电能。

图8为根据本公开的一些实施例，如图5所示的DRAM的又另一操作示意图。仍然遵循在图6的实施例中所述的假设。参照图8，第三次阵列172和第四次阵列174不被操作，而第一次阵列162和第二次阵列164被操作。控制元件22获得一信息，该信息涉及被操作的次阵列的数量，且该信息反映被操作的次阵列的数量是2。基于反映出被操作的次阵列的数量是2的该信息，控制元件22决定输出如图7的实施例中所输出相同电能的第三电能。于是，控制元件22，通过禁能第三电荷泵244但使能第一电荷泵240和第二电荷泵242，保持等量的被使能电荷泵，如图7的实施例中。第一电荷泵240和第二电荷泵242合并一起输出(提供)存储器阵列16该结果量的电能，亦即第三电能。

在一实施例中，控制元件22分别接收第一次阵列162和第二次阵列164的位址ADDR1和ADDR2。由于控制元件22没有接收到位于第四次阵列174上的位址ADDR4和位于第三次阵列172上的位址ADDR3，所以控制元件22判断出第四次阵列174和第三次阵列172不被操作。由于控制元件22接收到位址ADDR1和ADDR2(这反映会有两个被存取的次阵列162和164)，计数器的计数数量为2。于是，控制元件22基于计数数量的2获得该信息。控制元件22判断出数量比为(2/4)，其小于最高端点1且大于最低端点0.25，因此控制元件22决定输出第三电能。

图9为根据本公开的一些实施例，如图5所示的DRAM 20的又再另一操作示意图。依循在图6的实施例中所述的假设。参照图9，在第二次阵列164、第三次阵列172和第四次阵列174不被操作，但第一次阵列162被操作。控制元件22获得一信息，该信息涉及被操作的次阵列的数量，且该信息反映被操作的次阵列的数量是1。基于反映出被操作的次阵列的数量是2的该信息，控制元件22决定输出第二电能。结果，控制元件22，通过禁能第二电荷泵242和第三电荷泵244及使能第一电荷泵240，减少被使能电荷泵的数量。只有第一电荷泵240独自输出(提供)存储器阵列16结果量的电能，即第二电能。

在一个实施例中，控制元件22接收第一次阵列162的位址ADDR1。由于控制元件22没有接收到位于第四次阵列174上的位址ADDR4、位于第三次阵列172上的位址ADDR3和位于第二次阵列164上的位址ADDR2，所以控制元件22判断出第四次阵列174、第三次阵列172和第二次阵列164不操作。由于控制元件22接收位址ADDR1(这反映会有一个次阵列162要被存取)，所以计数器的计数数量为1。如此，控制元件22基于计数数量的1获得该信息。控制元件22判定出数量比为(1/4)，其等于最低端点0.25，因此控制元件22决定输出第二电能。

从图6至图9的实施例，由于控制元件22能够获得一信息，该信息涉及被操作的次阵列的数量，且基于该信息决定输出多少量的电能，所以借着电源24所输出的电能是可调整的，因此可以被管理。于是，DRAM 20可提供一电源管理的功能，且电能的使用上相对有效率。特别是当被操作的次阵列的数量相对较低时，电源24可以输出相对较低的电能。电能的使用上相对有效率。

图10是根据本公开的一些实施例，操作DRAM的一方法30的流程图。参照图10，方法30包括操作31、32、34和36。方法30开始于操作31，于其中提供多个存储库，所述存储库各包括多个次阵列。存储库用以存储数据。方法30继续于操作32，于其中获得一信息，该信息涉及被操作的次阵列的数量。方法30接着到操作34，于其中基于该信息产生一决定，该决定是输出多少量的电能。当被操作的次阵列的数量相对较高时，所输出的电能则相对较大，反之亦然。继续操作34，在操作36中，基于该决定输出一结果量的电能。借着使用本公开的方法30，当被操作的次阵列的数量相对较低时，输出相对低的电能，电能的使用上相对有效率。

图11为根据本公开的一些实施例，如图10所示方法30的操作32流程图。参照图11，操作32包括操作320、322、324、326和328。操作32开始于操作320，于其中判断一数量比是否大于或等于一比例范围的一最高端点，其中该数量比是所述次阵列中被操作的次阵列的数量比上所述次阵列的数量的一比例。如果是肯定的话，则操作32进行到操作322，于其中决定输出一相对较高电能的第一电能。如果是否定的话，则操作32进行至操作324。

在操作324中，判断该数量比是否小于或等于该比例范围的一最低端点。如果是肯定的话，则操作32进行到操作326。在操作326中，决定输出小于该第一电能的一第二电能。如果是否定的话，则操作324进行到操作328，并于其中决定输出大于第二电能且小于第一电能的一第三电能。

图12为根据本公开的一些实施例，还包括一分配元件44的一动态随机存取存储器(DRAM)40的示意图。参照图12，DRAM 40类似于参照图5中所示出的DRAM 20，差别在于DRAM40包括分配元件44，以及包括表420的控制元件42。如前所述，表420用以记录所接收的位址。此外，表420反映出每个存储库中的被操作的次阵列的数量。例如，参照图7，与图7的实施例相关联的表420，如以下表1所示。

表1

基于表420，分配元件44用以分配结果量的电能至存储库160和存储库170。更详细地，参照图2，在存储库160中被操作的次阵列的数量大于在存储库170中的数量。据此，分配元件44分配比第二存储库170更多的电能至第一存储库160。总而言之，依这样的分配方式，分配元件44分配结果量的电能至存储库。分配至存储库的电能的量正相关于被操作的次阵列的数量。

图13为根据本公开的一些实施例，操作DRAM的一方法50流程图。参照图13，方法50类似于参照图10所示出的方法30，差别在于方法50包括操作52、54和56。在操作52中，接收多个位址。每个位址指示哪个存储库的哪个次阵列被操作。在操作54中，基于该位址，获得一信息，该信息涉及被操作的次阵列的数量。在操作56中，结果量的电能依照一分配方式被分配至存储库，该分配方式包括分配至存储库的电能的量正相关于被操作的次阵列的数量。

在本公开中，控制元件22经配置以获得一信息，该信息涉及被操作的次阵列的数量，且基于该信息决定输出多少量的电能。如此，由电源24输出的电能是可调整的，因此可以被管理。结果，DRAM 20可提供一电源管理的功能，且电能的使用上相对有效率。特别是当该被操作的次阵列的数量相对较低时，电源24可以输出一相对较低的电能。电能的使用上相对有效率。

相比之下，在比较性的DRAM10中，使能元件12不能获得一信息，该信息涉及被操作的次阵列的数量。再者，使能元件12不能基于该信息来决定要输出多少量的电能。所以，由所有的第一电荷泵140、第二电荷泵142和第三电荷泵144输出的电能是不可调整的，因此不能被管理。结果，DRAM 10不能提供电源管理的功能，且电能的使用上相对低效。特别是在第一次阵列160、第二次阵列162、第三次阵列170和第四次阵列172中的一个或多个不操作的情况下，电源14仍输出与在所有的第一次阵列160、第二次阵列162、第三次阵列170和第四次阵列172操作的情况下相同的电能。亦即，电源14输出比存储器16需要的更多的电能。电能的使用上相对低效。

本公开的一实施例提供一种DRAM。该DRAM包括多个存储库、一电源、一控制元件。所述存储库各包括多个次阵列。该控制元件经配置以获得一信息。该信息涉及所述次阵列中被操作的次阵列的数量。该控制元件基于该信息产生一决定，该决定是输出多少量的电能，其中该电源基于该控制元件的该决定输出一结果量的电能。

本公开的另一实施例提供一种动态随机存取存储器的电源管理方法。该电源管理方法包括提供多个存储库，所述存储库各包括多个次阵列；获得一信息，该信息涉及在所述次阵列中被操作的次阵列的数量；基于该信息，产生一决定，其中该决定是输出多少量的电能；以及基于该决定，输出一结果量的电能。

虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的构思与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多工艺，并且以其他工艺或其组合替代上述的许多工艺。

再者，本公开的范围并不受限于说明书中所述的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法与步骤的特定实施例。该技艺的技术人士可自本公开的公开内容理解可根据本公开而使用与本文所述的对应实施例具有相同功能或是达到实质相同结果的现存或是未来发展的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤。据此，这些工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤是包含于本公开的权利要求内。

Claims

1.一种动态随机存取存储器，包括：

多个存储库，所述存储库各包括多个次阵列；

一电源，包括多个彼此独立的电荷泵，当所述电荷泵中的每一者被使能时，该每一者输出一相同量的电能；以及

一控制元件，经配置以获得一信息，该信息涉及所述次阵列中被操作的次阵列的数量，且该控制元件基于该信息产生一决定，该决定是输出多少量的电能，其中该电源基于该控制元件的该决定输出一结果量的电能；

当一数量比大于一比例范围的一最高端点时，该控制元件决定输出一第一电能，增加所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量；当该数量比小于该比例范围的一最低端点时，决定输出小于该第一电能的一第二电能，减少所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量；当该数量比小于该比例范围的该最高端点且大于该比例范围的该最低端点时，该控制元件决定输出大于该第二电能及小于该第一电能的一第三电能；其中该数量比为所述次阵列中被操作的次阵列的数量比上所述次阵列的数量的比例。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该控制元件接收多个位址，所述位址中的每个位址指示哪个次阵列被操作，该控制元件经配置以基于所述位址获得该信息。

3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，还包括：

一计数器，经配置以计数在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的一数量，该控制元件基于从该计数器取得的在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的该数量获得该信息。

4.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，还包括：

一分配元件，经配置以依一分配方式，分配该结果量的电能至在所述存储库中包括被操作的次阵列的存储库，该分配方式包括分配至该包括被操作次阵列的存储库的电能的量正相关于被操作的次阵列的数量。

5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器，其中该控制元件包括一表，该表经配置以记录所述位址，该分配元件基于记录于该表中的所述位址分配该结果量的电能。

6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该控制元件包括一组合逻辑。

7.一种动态随机存取存储器的电源管理方法，包括：

提供多个存储库，所述存储库各包括多个次阵列；

提供多个电荷泵；

获得一信息，该信息涉及在所述次阵列中被操作的次阵列的数量；

基于该信息，产生一决定，其中该决定是输出多少量的电能；以及

基于该决定，输出一结果量的电能；

其中该基于该信息，产生该决定包括：

当一数量比大于一比例范围的一最高端点时，决定输出一第一电能，增加所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量；当该数量比小于该比例范围的一最低端点时，决定输出小于该第一电能的一第二电能，减少在所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量；当该数量比小于该比例范围的该最高端点且大于该比例范围的该最低端点时，决定输出大于该第二电能及小于该第一电能的一第三电能；

其中该数量比为所述次阵列中被操作的次阵列的数量比上所述次阵列的数量的比例。

8.如权利要求7所述的电源管理方法，还包括：

接收多个位址，所述位址中的每个位址指示哪个次阵列被操作，其中该获得该信息包括：

基于所述位址获得该信息。

9.如权利要求8所述的电源管理方法，还包括：

计数在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的一数量，其中该基于所述位址获得该信息包括：

基于在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的该数量，获得该信息。

10.如权利要求8所述的电源管理方法，还包括：

依一分配方式，分配该结果量的电能至在所述存储库中包括被操作的次阵列的存储库，该分配方式包括分配至该包括被操作次阵列的存储库的电能的量正相关于被操作的次阵列的数量。

11.如权利要求10所述的电源管理方法，还包括：

记录所述位址，以及

其中该依该分配方式，分配该结果量的电能至在所述存储库中包括被操作的次阵列的存储库包括：

基于记录的所述位址分配该结果量的电能。