CN109298867B - 芯片离线烧录方法、装置、系统及计算机可读存储介质 - Google Patents

芯片离线烧录方法、装置、系统及计算机可读存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种芯片离线烧录方法、装置、系统及计算机可读存储介质,其中,从烧录端角度实施的芯片离线烧录方法包括以下步骤:获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的;分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。本发明能够同时烧录多个待烧录芯片,实现对待烧录芯片的高速异步烧录,进而缩短了芯片烧录时间,提高了芯片烧录效率。

Description

芯片离线烧录方法、装置、系统及计算机可读存储介质
技术领域
本发明涉及芯片烧录技术领域,特别是涉及一种芯片离线烧录方法、装置、系统及计算机可读存储介质。
背景技术
随着科技的进步,电子产品也日益丰富,其中具有控制逻辑产品大都由程序完成,而离线烧录是这类电子产品生产的重要一环。传统的人工烧录是在芯片贴片后使用JTAG等方式进行程序烧录,由于烧录耗时长、操作复杂等因素,渐渐的被离线烧录所替代,离线烧录是在芯片贴片之前,将预先打包好的程序按一定的规则烧录至芯片,自动化的离线烧录不仅节约了人工成本,还大大提高了生产效率,广泛应用于各个行业。
在实现过程中,发明人发现传统技术中至少存在如下问题:传统的对芯片离线烧录大都只能同时烧录一片,烧录时间长,烧录效率低。
发明内容
基于此,有必要针对传统的对芯片离线烧录大都只能同时烧录一片,烧录时间长,烧录效率低的问题,提供一种芯片离线烧录方法、装置、系统及计算机可读存储介质。
为了实现上述目的,本发明实施例提供了一种芯片离线烧录方法,包括以下步骤:
获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的;
分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。
在其中一个实施例中,在获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道的步骤之前还包括步骤:
接收分区烧录指令;分区烧录指令包含分区信息;分区信息包括离线烧录数据的分区起始地址和分区有效数据长度;
分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片的步骤包括:
以分区起始地址为当前烧录起始位置,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片的当前分区中;
在烧录至当前分区的数据长度大于或等于分区有效数据长度时,跳转至下一分区烧录离线烧录数据。
在其中一个实施例中,在获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道的步骤之前还包括步骤:
接收跳过坏块烧录指令;
分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片的步骤包括:
检测到待烧录芯片存在坏块时,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、跳过坏块烧录至待烧录芯片。
在其中一个实施例中,在获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道的步骤之前还包括步骤:
接收母片烧录指令;
分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片的步骤包括:
根据母片烧录指令,获取母片烧录数据;
将获取到的母片烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
在其中一个实施例中,还包括步骤:
分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片步骤之后包括:
读取待烧录芯片的已烧录数据,并获取离线烧录数据中、与已烧录数据尺寸相同的原烧录数据;
在已烧录数据与原烧录数据的烧录数值相同时,反馈校验成功信息。
在其中一个实施例中,分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至放置在烧录夹具上的待烧录芯片的步骤包括:
在检测到离线烧录数据为压缩数据时,解压离线烧录数据,得到解压后的烧录数据;
将解压后的烧录数据通过异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
在其中一个实施例中,还包括步骤:
在接收到擦除指令时,根据擦除指令,擦除烧录至待烧录芯片的当前块的离线烧录数据。
另一方面,本发明实施例还提供了一种芯片离线烧录方法,包括以下步骤:
根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端;
将离线烧录数据写入循环缓冲区;循环缓冲区用于烧录端提取离线烧录数据。
在其中一个实施例中,烧录请求包括芯片类型信息和烧录芯片数量信息;
建立各异步烧录控制通道的步骤包括:
根据烧录芯片数量信息,创建对应烧录端的各芯片接口实例;
对各芯片接口实例分别配置对应芯片类型信息的时序参数,得到各异步烧录控制通道。
在其中一个实施例中,还包括步骤:
根据接收到的分区烧录模式调用请求,生成分区烧录指令,并将分区烧录指令传输给烧录端;
分区烧录指令用于指示烧录端依据分区烧录模式,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
在其中一个实施例中,还包括步骤:
根据接收到的跳过坏块烧录模式调用请求,生成跳过坏块烧录指令,并将跳过坏块烧录指令传输给烧录端;
跳过坏块烧录指令用于指示烧录端依据跳过坏块烧录模式,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
在其中一个实施例中,还包括步骤:
根据接收到的母片烧录模式调用请求,生成母片烧录指令,并将母片烧录指令传输给烧录端;
母片烧录指令用于指示烧录端依据母片烧录模式,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
在其中一个实施例中,还包括步骤:
将离线烧录数据写入循环缓冲区的步骤包括:
在循环缓冲区的大小大于离线烧录数据的大小时,生成直接调取数据指令,并将生成的直接调取数据指令传输给烧录端;直接调取数据指令用于指示烧录端直接调取离线烧录数据。
在其中一个实施例中,将离线烧录数据写入循环缓冲区的步骤包括:
检测到烧录夹具与待烧录芯片之间的连接正确时,将离线烧录数据按照预设数据块写入循环缓冲区;其中,烧录夹具为连接烧录端、用于承载待烧录芯片的夹具。
在其中一个实施例中,将离线烧录数据写入循环缓冲区的步骤之前包括:
将接收到的离线烧录数据进行固定存储。
在其中一个实施例中,还包括步骤:在检测到离线烧录数据烧录至待烧录芯片出现异常时,将擦除指令传输给烧录端。
另一方面,本发明实施例还提供了一种芯片离线烧录装置,包括:
烧录准备单元,用于获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的;
数据烧录单元,用于分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。
另一方面,本发明实施例还提供了一种芯片离线烧录装置,包括:
通道配置单元,用于根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端;
数据缓存单元,用于将离线烧录数据写入循环缓冲区;循环缓冲区用于烧录端提取离线烧录数据。
另一方面,本发明实施例还提供了一种芯片离线烧录系统,包括连接终端的第一处理器,以及连接各待烧录芯片的第二处理器;第二处理器连接第一处理器;
上述的第一处理器和第二处理器能够执行上述芯片离线烧录方法的步骤。
另一方面,本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被控制器执行时实现上述任一项芯片离线烧录方法的步骤。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果:
基于主控端(第一处理器)配置的各异步烧录控制通道,烧录端(第二处理器)获取离线烧录数据及各异步烧录控制通道,可分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。其中,异步烧录控制通道可根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的。采用本发明各实施例能够同时烧录多个待烧录芯片,实现对待烧录芯片的高速异步烧录,进而缩短了芯片烧录时间,提高了芯片烧录效率。
附图说明
图1为一个实施例中芯片离线烧录方法的应用环境图;
图2为一个实施例中从烧录端角度实施的芯片离线烧录方法的第一流程示意图;
图3为一个实施例中从烧录端角度实施的擦除烧录数据步骤的流程示意图;
图4为一个实施例中从烧录端角度实施的芯片离线烧录方法的第二流程示意图;
图5为一个实施例中从烧录端角度实施的芯片离线烧录方法的第三流程示意图;
图6为一个实施例中从烧录端角度实施的芯片离线烧录方法的第四流程示意图;
图7为一个实施例中从主控端角度实施的芯片离线烧录方法的第一流程示意图;
图8为一个实施例中从主控端角度实施的异步烧录控制通道建立步骤的流程示意图;
图9为一个实施例中从主控端角度实施的芯片离线烧录方法的第二流程示意图;
图10为一个实施例中从主控端角度实施的芯片离线烧录方法的第三流程示意图;
图11为一个实施例中从主控端角度实施的芯片离线烧录方法的第四流程示意图;
图12为一个实施例中芯片离线烧录方法的流程示意图;
图13为一个实施例中从烧录端角度实施的芯片离线烧录装置的结构示意图;
图14为一个实施例中从主控端角度实施的芯片离线烧录装置的结构示意图;
图15为一个实施例中从芯片离线烧录系统的第一结构示意图;
图16为一个实施例中从芯片离线烧录系统的第二结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明提供的芯片离线烧录方法,可以应用于如图1所示的应用环境中,其中,主控端102连接烧录端104,烧录端连接各待烧录芯片106。主控端102可以是具有信号处理和信号传输等功能的处理器;烧录端104可以是具有数据烧录等功能的处理器。各待烧录芯片的组合可以是相同芯片类型的待烧录芯片组合,也可以是不同芯片类型的待烧录芯片组合。
在一个实施例中,如图2所示,提供了一种芯片离线烧录方法,以该方法应用于图1中的烧录端104为例进行说明,包括以下步骤:
步骤S210,获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的。
其中,离线烧录数据指的是以离线烧录的方式,烧录至芯片的烧录数据。离线烧录数据可以是离线烧录文件(程序代码)。异步烧录控制通道指的是能够异步传输数据的烧录通道。根据异步烧录控制通道上的时序参数可实现对待烧录芯片的数据烧录。
具体地,在将待烧录芯片放置在烧录夹具上,需要对待烧录芯片进行数据烧录时,烧录端可获取到离线烧录数据以及各异步烧录控制通道。
步骤S220,分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。
其中,待烧录芯片可以是NAND Flash(NAND存储器)、Nor Flash(NOR存储器)、串行flash(串行flash存储器)或EMMC(Embedded Multi Media Card,一种嵌入式存储器)等非易失存储器,也可以是CPLD(Complex Programmable Logic Device,复杂可编程逻辑器件)或MCU(Microcontroller Unit,单片机)等内置ROM(只读存储器)的器件。
具体地,烧录端可将离线烧录数据分别通过各异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片,实现同时烧录多片待烧录芯片,以及多路异步的烧录。
在一个具体地实施例中,步骤S220之后包括:
步骤S310,读取待烧录芯片的已烧录数据,并获取离线烧录数据中、与已烧录数据尺寸相同的原烧录数据。
步骤S320,在已烧录数据与原烧录数据的烧录数值相同时,反馈校验成功信息。
其中,已烧录数据指的是已烧录至待烧录芯片的烧录数据。
为了保证芯片烧录的正确性,防止意外烧录失败后的芯片贴在电路板上后,程序运行出现错误等的情况。在对待烧录芯片烧录完成后,可通过校验待烧录芯片的已烧录数据和原烧录数据,来提高芯片烧录的正确性。具体地,烧录端可读取待烧录芯片的已烧录数据,并获取离线烧录数据中、与已烧录数据的数据量(尺寸)相同的原烧录数据。烧录端通过比对已烧录数据与原烧录数据的数值,在已烧录数据与原烧录数据的烧录数值相同时,反馈校验成功信息。
优选的,启动校验后,首先判断是否需要按分区校验,按分区校验的可以避免对一些冗余区间进行校验,如果不按分区校验,而是对整个芯片校验,则只需要将数据有效长度设置成芯片的容量大小即可。其中,校验过程与烧录过程基本是相反的,烧录端读取待烧录芯片的已烧录数据,同时,读取循环缓冲区中同等大小的原烧录数据,将已烧录数据和原烧录数据进行数值比较,进而得到烧录的校验结果。
在一个具体的实施例中,步骤S220包括:
在检测到离线烧录数据为压缩数据时,解压离线烧录数据,得到解压后的烧录数据;
将解压后的烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
其中,压缩数据指的是对数据压缩处理后得到的数据。
具体地,烧录端获取到的离线烧录数据可以是一种压缩数据。若检测到离线烧录数据为压缩数据时,可通过对该离线烧录数据进行解压处理,得到解压后的烧录数据,并将解压后的烧录数据通过异步烧录控制通道烧录指待烧录芯片。通过在烧录端解压属于压缩数据的离线烧录数据,可进一步提高烧录效率。
进一步的,对于大容量的存储器,例如手机内的EMMC存储芯片,烧录文件往往都很大,就算按极限速率并且按分区的方式烧录,烧录一片的时间也较长。若将离线烧录数据进行压缩,可减少端到端的数据交互传输,在烧录端再将离线烧录数据解压并烧录到待烧录芯片。由于烧录端通常采用的是可编程逻辑阵列,其解压速率快,因此,通过烧录端解压数据可提高烧录效率,减少烧录时间。
例如,在终端载入离线烧录数据时,可对离线烧录数据按照预设压缩规则进行压缩,并在烧录端对获取到的经过压缩的离线烧录数据进行解压,可进一步提高芯片烧录效率。
在一个具体地实施例中,还包括步骤:
在接收到擦除指令时,根据擦除指令,擦除烧录至待烧录芯片的当前块的离线烧录数据。
其中,擦除指令指的是擦除烧录数据的指令。块指的是数据块;当前块指的是当前的数据块。
具体地,烧录端在接收到擦除指令时,可根据接收到的擦除指令,擦除烧录至待烧录芯片的当前块的离线烧录数据,并重新获取当前块的离线烧录数据通过异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。例如,烧录端根据擦除指令,回退离线烧录数据,重新烧录出现异常的地址空间,进而实现芯片烧录过程,如果遇到烧录失败,可快速回退,重新进行烧录。
需要说明的是,待烧录芯片的烧录方式可先按块擦除,再按页烧录,数据块往往由多个数据页组成。由于烧录文件的大部分数据缓冲在循环缓冲区中,在烧录过程中,如果烧录出现异常,可快速对该块的数据擦除,并回退到当前块的首页进行重新烧录。
在一个具体的实施例中,对于同类型的待烧录芯片,由于不同厂商的生产工艺不同,生产出来的芯片接口的电气特性也不一致。为了能够更逼近芯片的极限速率,每类芯片都应提取时序配置参数,在更换同类型不同厂家烧录的芯片时,从数据库导入芯片对应的时序参数,并在线更新相关的配置寄存器,而对于更换不同类型的芯片时,通过重新加载烧录端的方式对烧录软件的时序控制部分的逻辑进行重构,并且重新配置相关的时序寄存器。每次重构都需要清空循环缓冲区的数据。由于每个芯片接口实例的配置都是独立的,进而可同时不同类型的芯片进行多路烧录,烧录速率逼近芯片极限,极大的缩减了烧录时间,提高了烧录效率。
上述实施例中,基于主控端(第一处理器)配置的各异步烧录控制通道,烧录端(第二处理器)获取离线烧录数据及各异步烧录控制通道,可分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。其中,异步烧录控制通道可根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的。采用本发明各实施例能够同时烧录多个待烧录芯片,实现对待烧录芯片的高速异步烧录,进而缩短了芯片烧录时间,提高了芯片烧录效率。
在一个实施例中,如图4所示,提供了一种芯片离线烧录方法,以该方法应用于图1中的烧录端104为例进行说明,包括以下步骤:
步骤S410,接收分区烧录指令;分区烧录指令包含分区信息;分区信息包括离线烧录数据的分区起始地址和分区有效数据长度。
其中,分区烧录指令指的是将离线烧录数据按照芯片分区进行烧录的指令。分区起始地址指的是芯片分区的起始地址。分区有效数据长度指的是芯片分区的数据长度。
具体地,需要选择分区烧录模式进行芯片烧录时,可在主控端将生成的分区烧录指令传输给烧录端,进而烧录端接收分区烧录指令。
步骤S420,获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的。
其中,上述步骤S420的具体内容过程可参考上文内容,此处不再赘述。
步骤S430,以分区起始地址为当前烧录起始位置,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片的当前分区中。
具体地,烧录端根据接收到的分区烧录指令,以分区起始地址为当前烧录起始位置,将离线烧录数据通过异步烧录控制通道烧录至待烧录芯片的当前分区中。
步骤S440,在烧录至当前分区的数据长度大于或等于分区有效数据长度时,跳转至下一分区烧录离线烧录数据。
具体地,烧录端在烧录至当前分区的数据长度大于或等于分区有效数据长度时,跳转至下一分区烧录离线烧录数据。通过对待烧录芯片进行分区烧录,进而提高了芯片烧录的效率。
优选的,主控端在启动烧录之前,可从离线烧录数据中获取待烧录芯片的分区信息。其中,分区信息可包括烧录文件分区的起始地址、结束地址和分区有效数据长度。主控端可将包含分区信息的分区烧录指令传输给烧录端,进而烧录端从分区的起始地址开始烧录,当烧录的数据长度大于分区有效数据长度时,结束该分区的烧录,跳转的下一个分区进行烧录。在烧录过程需要跳过坏块时,烧录的数据长度不包含坏块的部分,进而烧录端直接跳转到分区的结束地址,从下一分区开始烧录。通常分区的实际有效数据较小,进而通过分区烧录可有效提高芯片烧录效率。
在一个实施例中,如图5所示,提供了一种芯片离线烧录方法,以该方法应用于图1中的烧录端104为例进行说明,包括以下步骤:
步骤S510,接收跳过坏块烧录指令。
其中,跳过坏块烧录指令指的是能够跳过坏块进行烧录的指令。
具体地,需要选择跳过坏块烧录模式进行芯片烧录时,可在主控端将生成的跳过坏块烧录指令传输给烧录端,进而烧录端接收跳过坏块烧录指令。
步骤S520,获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的。
其中,上述步骤S520的具体内容过程可参考上文内容,此处不再赘述。
步骤S530,检测到待烧录芯片存在坏块时,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、跳过坏块烧录至待烧录芯片。
其中,坏块指的是存在异常的数据块。
具体地,烧录端检测到待烧录芯片存在坏块时,可将离线烧录数据通过异步烧录控制通道、跳过坏块烧录至待烧录芯片,即从待烧录芯片的下一个有效块进行烧录。
例如,待烧录芯片为NAND Flash芯片,在NAND Flash芯片存在坏块时,烧录过程需要跳过坏块,烧录的数据长度应不包含坏块的部分,当烧录的数据长度大于有效数据长度时,跳过该坏块烧录。进而可避免将数据烧录至坏块中,使得待烧录芯片运行时出现异常。
在一个实施例中,如图6所示,提供了一种芯片离线烧录方法,以该方法应用于图1中的烧录端104为例进行说明,包括以下步骤:
步骤S610,接收母片烧录指令。
其中,母片烧录指令指的是能够以母片烧录的方式对芯片进行烧录的指令。
具体地,需要选择母片烧录模式进行芯片烧录时,可在主控端将生成的母片烧录指令传输给烧录端,进而烧录端接收母片烧录指令。
步骤S620,获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的。
其中,上述步骤S520的具体内容过程可参考上文内容,此处不再赘述。
步骤S630,根据母片烧录指令,获取母片烧录数据。
其中,可将一块已烧录了烧录数据的待烧录芯片作为母片,母片烧录数据可以是该母片的烧录数据。
具体地,烧录端根据接收到的母片烧录指令,可获取对应母片的母片烧录数据。
步骤S640,将获取到的母片烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
具体地,烧录端可通过异步烧录控制通道,将获取到的母片烧录数据烧录至待烧录芯片。
例如,需要进行母片烧录时,可将一块正常运行的芯片作为母片,使用烧录工具先将母片内的烧录数据全盘拷贝出来,存储到外部的非易失存储器中,并按照烧录的流程实施批量的离线烧录。进而减小制作烧录数据文件的工作量,采用母片烧录的方式可实现对待烧录芯片的批量烧录,提高了芯片烧录的效率。
需要说明的是,母片烧录不能使用分区烧录和跳过坏块烧录的方式烧录,只能将数据拷贝出来,再进行数据烧录。
在一个实施例中,如图7所示,提供了一种芯片离线烧录方法,以该方法应用于图1中的主控端102为例进行说明,包括以下步骤:
步骤S710,根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端。
其中,烧录请求可以是终端生成的。终端可以是计算机。烧录请求可包括建立异步烧录控制通道的参数信息。
具体地,主控端在接收到终端发送的烧录请求时,可根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端,使得烧录端可通过获取到的各异步烧录控制通道进行数据烧录。
步骤S720,将离线烧录数据写入循环缓冲区;所述循环缓冲区用于所述烧录端提取所述离线烧录数据。
其中,循环缓冲区可以是先进先出的缓冲区。循环缓冲区可用来缓存离线烧录数据,使得烧录端从循环缓冲区中获取该离线烧录数据。
具体地,主控端可将获取到的离线烧录数据通过循环缓冲区缓存。例如主控端可获取终端传输的离线烧录数据,并将该离线烧录数据存储在DDR(Double Data Rate,双倍速率同步动态随机存储器)的循环缓冲区中。
在一个具体的实施例中,烧录请求包括芯片类型信息和烧录芯片数量信息;如图8所示,建立各异步烧录控制通道的步骤包括:
步骤S810,根据烧录芯片数量信息,创建对应烧录端的各芯片接口实例。
其中,烧录芯片数量信息指的是待烧录芯片的数据信息。芯片接口实例指的是软件上的一个具体对象,芯片接口实例可用来与待烧录芯片的烧录交互。
具体地,主控端可根据烧录芯片数量信息,对烧录端创建各芯片接口实例。
步骤S820,对各芯片接口实例分别配置对应芯片类型信息的时序参数,得到各异步烧录控制通道。
其中,芯片类型信息指的是待烧录芯片的类型信息。时序参数可用来指示烧录端根据逻辑时间控制将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。
具体地,主控端可对各芯片接口实例分别配置对于芯片类型信息的时序参数,进而得到各异步烧录控制通道。
例如,主控端在接收到包含芯片类型信息和烧录芯片数量信息的烧录请求时,可根据芯片类型信息选择不同的镜像对烧录端进行加载,根据烧录芯片数量信息创建对应的芯片接口实例,并对每个芯片接口实例配置相关的时序参数,进而得到各异步烧录控制通道。需要说明的是,时序参数根据待烧录芯片的类型而定,不同类别的芯片,时序参数差异很大,同类型的不同厂商的芯片,时序参数的数值也可能不一样。
在一个具体的实施例中,还包括步骤:
在检测到离线烧录数据烧录至待烧录芯片出现异常时,将擦除指令传输给烧录端。
具体地,主控端在检测到离线烧录数据烧录至待烧录芯片出现异常时,将擦除指令传输给烧录端,使得烧录端根据擦除指令,擦除待烧录芯片的当前块数据,并快速回退到当前块的首页进行重新烧录。
在其中一个实施例中,将离线烧录数据写入循环缓冲区的步骤包括:
在循环缓冲区的大小大于离线烧录数据的大小时,生成直接调取数据指令,并将生成的直接调取数据指令传输给烧录端;直接调取数据指令用于指示烧录端直接调取离线烧录数据。
具体地,若循环缓冲区的大小大于离线烧录数据的大小,可以缓存上一次离线烧录数据的全部数据,则烧写第一次之后,可跳过从外部将离线烧录数据载入到循环缓冲区的步骤,烧录端可根据直接调取数据指令从循环缓冲区中获取数据,进而免去了对外部数据传输的IO(In/Out,输入输出口)操作。缩短了烧录时间,进一步提升烧录的效率。
需要说明的是,若DDR中的循环缓冲区小于烧录文件的大小,则每次烧录都要从外部非易失存储器中读取文件到DDR中,同时PL也可直接从DDR的循环缓冲区中获取数据。
在一个具体的实施例中,将离线烧录数据写入循环缓冲区的步骤包括:
检测到烧录夹具与待烧录芯片之间的连接正确时,将离线烧录数据按照预设数据块写入循环缓冲区;其中,烧录夹具为连接烧录端、用于承载待烧录芯片的夹具。
其中,烧录夹具可用来放置待烧录芯片,使得待烧录芯片连接在烧录夹具上,便于烧录端将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。优选的,烧录夹具可以放置一个待烧录芯片,也可以放置多个待烧录芯片。
具体地,主控端在接收离线烧录数据完成后,自检烧录夹具的状态是否正确,芯片是否在位并正确连接。主控端在检测到烧录夹具与待烧录芯片之间的连接正确时,将离线烧录数据按照预设数据块缓存。进而确保芯片正常烧录。
在一个具体的实施例中,将离线烧录数据写入循环缓冲区的步骤之前包括:
将接收到的离线烧录数据进行固定存储。
具体的,主控端在接收离线烧录数据完成后,可将接收到的离线烧录数据进行固定存储。例如可将离线烧录数据存储到外部的非易失存储器中。
基于上述实施例,通过主控端配置的各异步烧录控制通道,使得烧录端可获取离线烧录数据及各异步烧录控制通道,实现将离线烧录数据通过异步烧录控制通道烧录至待烧录芯片。进而能够同时烧录多个待烧录芯片,烧录速率能逼近芯片极限,实现对待烧录芯片的高速异步烧录,进而缩短了芯片烧录时间,提高了芯片烧录效率。
在一个实施例中,如图9所示,提供了一种芯片离线烧录方法,以该方法应用于图1中的主控端102为例进行说明,包括以下步骤:
步骤S912,根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端。
步骤S914,将离线烧录数据写入循环缓冲区;所述循环缓冲区用于所述烧录端提取所述离线烧录数据。
其中,上述步骤S912和步骤S914的具体内容过程可参考上文内容,此处不再赘述。
步骤S916,根据接收到的分区烧录模式调用请求,生成分区烧录指令,并将分区烧录指令传输给烧录端;分区烧录指令用于指示烧录端依据分区烧录模式,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
其中,分区烧录模式调用请求指的是调用分区烧录模式的请求消息。分区烧录模式调用请求可以是终端生成的。
具体地,主控端可根据接收到的分区烧录模式调用请求,生成分区烧录指令,并将分区烧录指令传输给烧录端,使得烧录端根据分区烧录指令,对待烧录芯片进行分区烧录。由于分区的实际有效数据较小,进而通过分区烧录可有效提高芯片烧录效率。
在一个实施例中,如图10所示,提供了一种芯片离线烧录方法,以该方法应用于图1中的主控端102为例进行说明,包括以下步骤:
步骤S922,根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端。
步骤S924,将离线烧录数据写入循环缓冲区;所述循环缓冲区用于所述烧录端提取所述离线烧录数据。
其中,上述步骤S922和步骤S924的具体内容过程可参考上文内容,此处不再赘述。
步骤S926,根据接收到的跳过坏块烧录模式调用请求,生成跳过坏块烧录指令,并将跳过坏块烧录指令传输给烧录端;跳过坏块烧录指令用于指示烧录端依据跳过坏块烧录模式,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
其中,跳过坏块烧录模式调用请求指的是调用跳过坏块烧录模式的请求消息。跳过坏块烧录模式调用请求可以是终端生成的。
具体地,主控端可根据接收到的跳过坏块烧录模式调用请求,生成跳过坏块烧录指令,并将跳过坏块烧录指令传输给烧录端,使得烧录端根据跳过坏块烧录指令,对待烧录芯片进行跳过坏块烧录。进而可避免将数据烧录至坏块中,使得待烧录芯片运行时出现异常。
在一个实施例中,如图11所示,提供了一种芯片离线烧录方法,以该方法应用于图1中的主控端102为例进行说明,包括以下步骤:
步骤S932,根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端。
步骤S934,将离线烧录数据写入循环缓冲区;所述循环缓冲区用于所述烧录端提取所述离线烧录数据。
其中,上述步骤S932和步骤S934的具体内容过程可参考上文内容,此处不再赘述。
步骤S936,根据接收到的母片烧录模式调用请求,生成母片烧录指令,并将母片烧录指令传输给烧录端;母片烧录指令用于指示烧录端依据母片烧录模式,将离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
其中,母片烧录模式调用请求指的是调用母片烧录模式的请求消息。母片烧录模式调用请求可以是终端生成的。
具体地,主控端可根据接收到的母片烧录模式调用请求,生成母片烧录指令,并将母片烧录指令传输给烧录端,使得烧录端根据母片烧录指令,对待烧录芯片进行母片烧录模式烧录。采用母片烧录的方式可实现对待烧录芯片的批量烧录,提高了芯片烧录的效率。
在一个实施例中,如图12所示,提供了一种芯片离线烧录方法,芯片离线烧录的具体流程为:
主控端接收到包含芯片类型信息和烧录芯片数量信息的烧录请求时,可根据烧录芯片数量信息,创建对应烧录端的各芯片接口实例;根据芯片类型信息,配置各芯片接口实例的时序参数,得到各异步烧录控制通道。在终端载入离线烧录数据并启动自动离线烧录后,主控端从终端获取离线烧录数据,将接收的离线烧录数据存储到固定存储器中;主控端依据数据块、将离线烧录数据读取到缓存存储器的循环缓冲区中,并向烧录端发送烧录指令。烧录端依据直接访问存储的方式获取离线烧录数据,并将离线烧录数据缓存到FIFO中。烧录端判断离线烧录数据是否为压缩数据,在检测到离线烧录数据为压缩数据时,对离线烧录数据进行解压,并将解压后的数据依据相应的时序参数通过异步烧录控制通道烧录到待烧录芯片;在检测到离线烧录数据为非压缩数据时,将离线烧录数据依据相应的时序参数通过异步烧录控制通道烧录到待烧录芯片。进而可同时烧录多个芯片,烧录速率能逼近芯片极限,提高了离线烧录的效率。
在一个实施例中,如图13所示,提供了一种从烧录端角度实施的芯片离线烧录装置,包括:
烧录准备单元12,用于获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的。
数据烧录单元14,用于分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。
在一个实施例中,如图14所示,提供了一种从主控端角度实施的芯片离线烧录装置,包括:
通道配置单元22,用于根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端;
数据缓存单元24,用于将离线烧录数据写入循环缓冲区;循环缓冲区用于烧录端提取离线烧录数据。
关于芯片离线烧录装置的具体限定可以参见上文中对于芯片离线烧录方法的限定,在此不再赘述。上述芯片离线烧录装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中,也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中,以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中,如图15所示,提供了一种芯片离线烧录系统,包括连接终端的第一处理器32,以及连接各待烧录芯片36的第二处理器34;第二处理器34连接第一处理器32;
上述的第一处理器32可用于执行以下步骤:
获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的;
分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。
上述的第二处理器34可用于执行以下步骤:
根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端;
将离线烧录数据写入循环缓冲区;循环缓冲区用于烧录端提取离线烧录数据。
需要说明的是,第一处理器指示为主控端,第二处理器指示为烧录端。第一处理器和第二处理器可以是集成在一块芯片上的器件。第一处理器和第二处理器也可以是相互独立的芯片器件。
在一个实施例中,如图16所示,第一处理器为ARM(Advanced RISC Machine,RISC微处理器)41;第二处理器为可编程逻辑阵列43。
进一步的,还包括分别连接第一处理器的固定存储器47、缓存存储器49;第二处理器连接缓存存储器49;
固定存储器47用于固定存储离线烧录数据;缓存存储器49用于将离线烧录数据写入循环缓冲区。
进一步的,第一处理器可通过第一通信接口连接第二处理器;第二处理器通过第二通信接口连接缓存存储器49;
第一通信总线接口为AXI_GP接口(一种通用的AXI总线接口);第二通信总线接口为AXI_HP接口(一种通用的AXI总线接口)。
具体地,第一处理器可通过AXI_GP接口发送烧录指令到第二处理器,第二处理器可通过AXI_HP接口以直接存储访问的方式从缓存存储器中获取离线烧录数据,通过AXI_HP接口传输数据,可有效提高数据传输速率。
优选的,固定存储器47为非易失存储器;缓存存储器49为DDR存储器。
具体地,非易失存储器可以为SD卡(Secure Digital Memory Card,安全数码卡)、U盘或硬盘等大容量存储器。
上述实施例中,基于第一处理器配置的各异步烧录控制通道,第二处理器获取离线烧录数据及各异步烧录控制通道,可分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。采用本发明各实施例能够同时烧录多个待烧录芯片,实现对待烧录芯片的高速异步烧录,通过离线烧录数据的缓冲区设计和AXI接口设计可以满足对多个待烧录芯片的高速异步烧录的容量和带宽需求,且支持对离线烧录数据压缩烧录,进而缩短了芯片烧录时间,提高了芯片烧录效率。
在一个实施例中,提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现以下步骤:
获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道;异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的;
分别通过各异步烧录控制通道,将离线烧录数据烧录至待烧录芯片。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行时实现以下步骤:
根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各异步烧录控制通道配置给烧录端;
将离线烧录数据写入循环缓冲区;循环缓冲区用于烧录端提取离线烧录数据。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各除法运算方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限,RAM以多种形式可得,诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (17)

1.一种芯片离线烧录方法,其特征在于,包括以下步骤:
接收母片烧录指令,并根据所述母片烧录指令,获取母片烧录数据作为离线烧录数据;
获取各异步烧录控制通道;所述异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的;对于同类型不同厂家烧录的芯片,通过从数据库导入芯片对应的时序参数,并在线更新相关的配置寄存器;对于不同类型的芯片,通过重新加载烧录端对烧录软件的时序控制部分的逻辑进行重构,并重新配置相关的时序寄存器,因此每个芯片接口实例的配置相对独立;
分别通过各异步烧录控制通道的时序参数,将获取到的所述离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道烧录至待烧录芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,在获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道的步骤之前还包括步骤:
接收分区烧录指令;所述分区烧录指令包含分区信息;所述分区信息包括所述离线烧录数据的分区起始地址和分区有效数据长度;
分别通过各所述异步烧录控制通道的时序参数,将所述离线烧录数据烧录至待烧录芯片的步骤包括:
以所述分区起始地址为当前烧录起始位置,将所述离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至所述待烧录芯片的当前分区中;
在烧录至所述当前分区的数据长度大于或等于所述分区有效数据长度时,跳转至下一分区烧录所述离线烧录数据。
3.根据权利要求1所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,在获取离线烧录数据以及各异步烧录控制通道的步骤之前还包括步骤:
接收跳过坏块烧录指令;
分别通过各所述异步烧录控制通道的时序参数,将所述离线烧录数据烧录至待烧录芯片的步骤包括:
检测到所述待烧录芯片存在坏块时,将所述离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、跳过所述坏块烧录至所述待烧录芯片。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,分别通过各异步烧录控制通道的时序参数,将所述离线烧录数据烧录至待烧录芯片步骤之后包括:
读取所述待烧录芯片的已烧录数据,并获取所述离线烧录数据中、与所述已烧录数据尺寸相同的原烧录数据;
在所述已烧录数据与所述原烧录数据的烧录数值相同时,反馈校验成功信息。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,分别通过各异步烧录控制通道的时序参数,将所述离线烧录数据烧录至放置在烧录夹具上的待烧录芯片的步骤包括:
在检测到所述离线烧录数据为压缩数据时,解压所述离线烧录数据,得到解压后的烧录数据;
将所述解压后的烧录数据通过所述异步烧录控制通道、烧录至所述待烧录芯片。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,还包括步骤:
在接收到擦除指令时,根据所述擦除指令,擦除烧录至所述待烧录芯片的当前块的离线烧录数据。
7.一种芯片离线烧录方法,其特征在于,包括以下步骤:
根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各所述异步烧录控制通道配置给烧录端;所述烧录请求包括芯片类型信息和烧录芯片数量信息;
将离线烧录数据写入循环缓冲区;所述循环缓冲区用于所述烧录端提取所述离线烧录数据;
根据接收到的母片烧录模式调用请求,生成母片烧录指令,并将所述母片烧录指令传输给所述烧录端;
所述母片烧录指令用于指示所述烧录端依据母片烧录模式,将所述离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片;
建立各异步烧录控制通道的步骤包括:
根据所述烧录芯片数量信息,创建对应所述烧录端的各芯片接口实例;对于同类型不同厂家烧录的芯片,通过从数据库导入芯片对应的时序参数,并在线更新相关的配置寄存器;对于不同类型的芯片,通过重新加载烧录端对烧录软件的时序控制部分的逻辑进行重构,并重新配置相关的时序寄存器,因此每个芯片接口实例的配置相对独立;
对各所述芯片接口实例分别配置对应所述芯片类型信息的时序参数,得到各所述异步烧录控制通道。
8.根据权利要求7所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,还包括步骤:
根据接收到的分区烧录模式调用请求,生成分区烧录指令,并将所述分区烧录指令传输给所述烧录端;
所述分区烧录指令用于指示所述烧录端依据分区烧录模式,将所述离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
9.根据权利要求7所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,还包括步骤:
根据接收到的跳过坏块烧录模式调用请求,生成跳过坏块烧录指令,并将所述跳过坏块烧录指令传输给所述烧录端;
所述跳过坏块烧录指令用于指示所述烧录端依据跳过坏块烧录模式,将所述离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片。
10.根据权利要求7至9任意一项所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,将离线烧录数据写入循环缓冲区的步骤包括:
在所述循环缓冲区的大小大于所述离线烧录数据的大小时,生成直接调取数据指令,并将生成的所述直接调取数据指令传输给所述烧录端;所述直接调取数据指令用于指示所述烧录端直接调取所述离线烧录数据。
11.根据权利要求7至9任意一项所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,将离线烧录数据写入循环缓冲区的步骤包括:
检测到烧录夹具与待烧录芯片之间的连接正确时,将所述离线烧录数据按照预设数据块写入所述循环缓冲区;其中,所述烧录夹具为连接所述烧录端、用于承载所述待烧录芯片的夹具。
12.根据权利要求7至9任意一项所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,将离线烧录数据写入循环缓冲区的步骤之前包括:
将接收到的所述离线烧录数据进行固定存储。
13.根据权利要求7至9任意一项所述的芯片离线烧录方法,其特征在于,还包括步骤:
在检测到所述离线烧录数据烧录至待烧录芯片出现异常时,将擦除指令传输给所述烧录端。
14.一种芯片离线烧录装置,其特征在于,包括:
烧录准备单元,用于接收母片烧录指令,并根据所述母片烧录指令,获取母片烧录数据作为离线烧录数据;获取各异步烧录控制通道;所述异步烧录控制通道为根据芯片类型信息、为芯片接口实例配置相应的时序参数得到的;对于同类型不同厂家烧录的芯片,通过从数据库导入芯片对应的时序参数,并在线更新相关的配置寄存器;对于不同类型的芯片,通过重新加载烧录端对烧录软件的时序控制部分的逻辑进行重构,并重新配置相关的时序寄存器,因此每个芯片接口实例的配置相对独立;
数据烧录单元,用于分别通过各异步烧录控制通道的时序参数,将获取到的所述离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道烧录至待烧录芯片。
15.一种芯片离线烧录装置,其特征在于,包括:
通道配置单元,用于根据烧录请求,建立各异步烧录控制通道,并将各所述异步烧录控制通道配置给烧录端;所述烧录请求包括芯片类型信息和烧录芯片数量信息;
数据缓存单元,用于将离线烧录数据写入循环缓冲区;所述循环缓冲区用于所述烧录端提取所述离线烧录数据;根据接收到的母片烧录模式调用请求,生成母片烧录指令,并将所述母片烧录指令传输给所述烧录端;所述母片烧录指令用于指示所述烧录端依据母片烧录模式,将所述离线烧录数据通过对应的异步烧录控制通道、烧录至待烧录芯片;
所述通道配置单元,还用于根据所述烧录芯片数量信息,创建对应所述烧录端的各芯片接口实例;对于同类型不同厂家烧录的芯片,通过从数据库导入芯片对应的时序参数,并在线更新相关的配置寄存器;对于不同类型的芯片,通过重新加载烧录端对烧录软件的时序控制部分的逻辑进行重构,并重新配置相关的时序寄存器,因此每个芯片接口实例的配置相对独立;
对各所述芯片接口实例分别配置对应所述芯片类型信息的时序参数,得到各所述异步烧录控制通道。
16.一种芯片离线烧录系统,其特征在于,包括连接终端的第一处理器,以及连接各待烧录芯片的第二处理器;所述第二处理器连接所述第一处理器;
所述第一处理器用于执行所述权利要求1至6任意一项所述的芯片离线烧录方法的步骤;
所述第二处理器用于执行所述权利要求7至13任意一项所述的芯片离线烧录方法的步骤。
17.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被控制器执行时实现权利要求1至13中任一项所述芯片离线烧录方法的步骤。
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