CN109285896A - 一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种太阳能电池，包括n型硅基体，所述n型硅基体表面设有轻掺杂层，所述轻掺杂层表面设有钝化介质层，所述钝化介质层表面设有多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜上设有金属接触电极。该电池对n型硅基体进行轻掺杂并有效控制轻掺杂的浓度，能够有效地减小金属接触区域对超薄钝化介质层的损伤，能更能够发挥好其电学性能。还公开了上述太阳能电池的制备方法，该方法通过在硅基体表面上进行轻掺杂后，进一步设置钝化介质层和多晶硅薄膜，并对多晶硅薄膜进行了高温退火以实现晶化处理，提升了多晶硅薄膜的性能。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
为了获得高转换效率的晶体硅太阳能电池，需要对晶体硅基体表面进行良好的钝化，以将少数载流子的表面复合速率尽可能控制至最小，从而获得较高的开路电压、短路电流和填充因子。硅表面钝化的常用手段主要是利用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等单层或多层介质膜结构通过将硅基体表面的悬挂键浓度降低来抑制表面复合速率。但是为了将电流引出，金属接触电极需要穿过钝化介质膜并且与硅基体的表面接触，此时钝化介质膜不可以避免地被部分破坏，造成少数载流子在金属接触区域的复合，降低了电池的开路电压。因此，在不影响电池的电流输出的条件下将金属接触面积降低至最小是提高晶体硅太阳能电池转换效率的手段之一。
近几年来，钝化接触结构和工艺已经应用于晶体硅太阳电池领域，其基本方法是将钝化介质层与金属接触电极分开，具体而言，在硅基体的背面生长超薄氧化层，并在该超薄氧化层上制备掺杂的多晶硅薄膜作为金属接触电极结构的缓冲层，此时利用隧道效应电子可以穿过超薄氧化层而进入掺杂的多晶硅薄膜，然后被金属接触电极收集到外电路。然而通常在大规模工业生产过程中，首先通过丝网印刷方式印刷银浆料或银铝浆料，然后通过高温烧结的方法来实现金属接触电极结构。在高温烧结过程中，金属浆料时会穿透多晶硅薄膜对介于硅基体与多晶硅薄膜之间的氧化层具有破坏作用，从而影响钝化效果，最终造成开路电压降低。
专利文献CN205564789U、CN205564790U、CN205564764U等中公开的技术方案均是在未掺杂的硅基体上制备金属接触电极，然而在印刷烧结金属后，实测的开路电压(电极开路电压，Terminal Voc)比虚拟开路电压(结电压，Implied Voc)低5mV～10mV，而且太阳能电池的转换效率也受到影响。
另外，专利文献CN107644925A中的技术方案只是针对p型硅基体，进行正面掺杂来获得钝化接触电池，并且掺杂元素只是磷(P)，另外该专利文献中的技术方案存在两个技术缺陷。第一，专利文献CN107644925A中的技术方案并没有注意到掺杂的浓度问题，然而本发明人经过研究发现，如果掺杂浓度过高，例如达到1.0E20atoms/cm3后，氧化层的隧穿钝化效果就完全被破坏，不能实现钝化接触结构所带来的有益效果，最终得到的具有钝化接触结构的太阳能电池的性能比常规的不具有钝化接触结构的太阳能电池还要差。第二，该专利文献也没有提出多晶硅薄膜的掺杂步骤，以及生长后的多晶硅薄膜需要高温处理以实现晶化处理，没有这两个步骤也不能够实现钝化接触所带来的有益效果。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供一种太阳能电池，该电池对n型硅基体进行轻掺杂并有效控制轻掺杂的浓度，能够有效地减小金属接触区域对超薄钝化介质层的损伤，能更能够发挥好其电学性能。
本发明的第二个目的还在于提供上述太阳能电池的制备方法，该方法通过在硅基体表面上进行轻掺杂后，进一步设置钝化介质层和多晶硅薄膜，并对多晶硅薄膜进行了高温退火以实现晶化处理，提升了多晶硅薄膜的性能。
本发明的上述第一个目的是通过以下技术方案来实现的：一种太阳能电池，包括n型硅基体，在所述n型硅基体表面设有轻掺杂层，在所述轻掺杂层表面设有钝化介质层，在所述钝化介质层表面设有多晶硅薄膜，在所述多晶硅薄膜上设有金属接触电极。
采用上述方式形成的具有轻掺杂钝化接触结构的太阳能电池，对钝化介质层(超薄钝化介质层)下方硅基体进行轻掺杂，能够有效阻止金属接触电极如Ag的入侵，有效地减小金属接触对钝化结构的损伤，提升了电池的虚拟填充因子PFF，也降低了金属复合速率，从而有利于提升钝化接触电池的开路电压和填充因子。
同时，该n型硅基体轻掺杂钝化接触电池对超薄钝化介质层下方硅基体进行轻掺杂，即使高温烧结有可能导致金属对超薄钝化介质层损伤，也不会对电池的开路电压、填充因子及转换效率造成太大的影响。
优选地，所述轻掺杂层具有均匀的掺杂浓度。
进一步地，所述轻掺杂层中的掺杂元素的浓度为1.0E17atoms/cm3～2.0E19atoms/cm3，优选地，掺杂的深度为0.1～2μm。
本发明对n型硅基体表面的掺杂必须是轻掺杂，表面浓度必须低于2.0E19atoms/cm3。如果掺杂浓度过高，例如达到1.0E20atoms/cm3后，氧化层的隧穿钝化效果就全被破坏，整个所谓的钝化接触结构也不能实现。
优选地，所述轻掺杂层中的掺杂元素为磷或硼，且所述多晶硅薄膜为掺杂多晶硅薄膜，所述轻掺杂层中的掺杂元素与所述多晶硅薄膜中的掺杂元素相同。
优选地，所述钝化介质层为氧化硅、氧化铝、氧化钛和氮氧化硅中一种单层膜或几种的叠层膜，优选地，所述钝化介质层的厚度为0.5nm～2.5nm。
优选地，所述掺杂多晶硅薄膜为磷掺杂多晶硅薄膜或硼掺杂多晶硅薄膜，且所述掺杂多晶硅薄膜的掺杂浓度为1.0E20atoms/cm3～2.0E21atoms/cm3，所述掺杂多晶硅薄膜的厚度为5nm～500nm。
进一步地，在所述多晶硅薄膜上还设有表面钝化介质层，且所述金属接触电极设于所述表面钝化介质层上。
所述钝化介质层优选为氮化硅层。
在表面钝化介质层的沉积过程中，可以进一步钝化多晶硅薄膜和硅基体，提高整个钝化接触的性能。
本发明中形成的上述钝化接触结构可以设于n型硅基体的正面，或者设于n型硅基体的背面。
该钝化接触指的即是在n型硅基体表面设有轻掺杂层，所述轻掺杂层表面设有超薄钝化介质层，所述超薄钝化介质层表面设有掺杂多晶硅薄膜，以及进一步的，所述掺杂多晶硅薄膜上还设有表面钝化介质层等钝化接触。
本发明的上述第二个目的是通过以下技术方案来实现的：上述太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
S1：选取n型硅基体，清洗后在n型硅基体表面制备轻掺杂层；
S2：在轻掺杂层表面制备钝化介质层；
S3：在钝化介质层的表面上制备多晶硅薄膜；
S4：在多晶硅薄膜表面进行掺杂及850～1100℃高温退火，形成掺杂多晶硅薄膜；
S5：去除退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化层；
S6：在掺杂多晶硅薄膜上设置金属接触电极。
进一步地，步骤S6中还包括在掺杂多晶硅薄膜上增设表面钝化介质层，所述金属接触电极设在所述表面钝化介质层上。
具体的，可以采用离子注入的方式对n型硅基体进行轻掺杂，具体过程如下：
(1)选取n型硅片，清洗，在清洗后对n型硅基体进行离子注入；
(2)清洗后，在硅片的表面上制备钝化介质层；
(3)在钝化介质层的表面上沉积多晶硅薄膜；
(4)在多晶硅薄膜表面进行掺杂及退火，形成掺杂多晶硅薄膜；
(5)去除退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化层；
(5’)在掺杂多晶硅薄膜表面沉积表面钝化介质层；
(6)在表面钝化介质层上设置金属接触电极。
进一步的，可以采用离子注入的方式对n型硅基体进行轻掺杂，然后退火激活注入原子实现掺杂，具体过程如下：
一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)选取n型硅片，清洗，在清洗后对n型硅基体进行离子注入，然后退火激活注入原子实现掺杂；
(2)去除表面的氧化层后，在硅片的表面上制备钝化介质层；
(3)在钝化介质层的表面上沉积多晶硅薄膜；
(4)在多晶硅薄膜表面进行掺杂及退火，形成掺杂多晶硅薄膜；
(5)去除退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化层；
(5’)在掺杂多晶硅薄膜表面沉积表面钝化介质层；
(6)在表面钝化介质层上设置金属接触电极。
这些掺杂原子必须都需要高温退火热处理后才能实现所谓的真实掺杂，而步骤(1)中离子注入后，先进行一次退火后，这时该掺杂层才实现真的掺杂(而前一个离子注入后没有立即退火，并没有实现真正的掺杂)，而后续还需要对多晶硅的掺杂进行退火热处理，这样对之前轻掺杂的掺杂原子进行重新再分布，实现更低的表面浓度及更深的结深，这样的效果会更好。
即本发明需要对离子注入后的掺杂原子进行高温退火才能真正实现掺杂，如步骤(1)中离子注入之后可以立即高温退火实现掺杂，也可以在后续的多晶硅薄膜掺杂后，一起高温退火，同时实现步骤(1)中的轻掺杂和步骤(4)中的多晶硅薄膜的掺杂，同时高温退火时，会形成氧化层，在进行下一步骤之前，需要去除。
优选的，步骤(2)采用低温炉管氧化工艺、硝酸氧化工艺、臭氧氧化工艺、ALD、CVD(如PECVD、LPCVD)在清洗后硅片的表面上制备超薄钝化介质层。
优选的，步骤(3)中在超薄钝化介质层的表面上采用低压化学气相沉积法(LPCVD)或等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积多晶硅薄膜层。
优选的，步骤(5)中采用HF等化学溶液将退火后在多晶硅薄膜层表面生长的氧化层除去。
优选的，步骤(5’)中采用管式或板式等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在多晶硅薄膜层表面沉积表面钝化介质层(推荐为氮化硅层)。
优选的，步骤(6)中采用丝网印刷方式在多晶硅薄膜或表面钝化介质层上设置金属接触电极。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：
(1)本发明中的n型硅基体轻掺杂层能够有效地降低了金属接触对超薄钝化介质层的损伤，减少了金属复合速率，同时也一定程度上降低了n型硅基体的整体电阻，因此可以提高开路电压、填充因子及转换效率；
(2)本发明中的钝化接触结构本身就能够提供优越的场钝化及表面钝化，而且载流子可以被选择性地隧穿过氧化层达到金属电极，因而具有较高的开路电压、填充因子和转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是实施例1中的太阳能电池的结构示意图；
图2是实施例2-5中的太阳能电池的结构示意图；
图3是实施例2、4-5中的太阳能电池的制备流程图；
图4是实施例2中硅基体不同区域的磷掺杂ECV曲线；
图5是实施例3中的太阳能电池的制备流程图；
图中的附图标记分别表示：
1 为n型硅基体；
2 为轻掺杂层；
3 为钝化介质层；
4 为多晶硅薄膜；
5 为金属接触电极；
6 为表面钝化介质层。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，本实施例提供的太阳能电池，包括n型硅基体1，n型硅基体1表面设有轻掺杂层2，轻掺杂层2表面设有钝化介质层3，钝化介质层3表面设有多晶硅薄膜4，多晶硅薄膜4上设有金属接触电极5。
轻掺杂层2具有均匀的掺杂浓度，其可以为整个面进行同一浓度掺杂。
轻掺杂层2中掺杂元素的浓度为1.0E17atoms/cm3～2.0E19atoms/cm3，掺杂的深度为0.1～2μm。
轻掺杂层2中掺杂元素为磷，且与多晶硅薄膜4中的掺杂元素相同。
钝化介质层3为超薄二氧化硅薄膜，其厚度为1.5nm。
多晶硅薄膜4为磷掺杂多晶硅薄膜，其厚度为100nm，掺杂浓度为1.0E20atoms/cm3～2.0E21atoms/cm3。
钝化接触设于n型硅基体1的背面。
上述太阳能电池的制备方法，该方法是基于低压化学沉积(LPCVD)制备一层超薄钝化介质层(SiO2)，硅基体的轻掺杂和其上面的多晶硅薄膜层掺杂进行离子注入磷(P)。
该太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
A、对n型硅片进行清洗后，利用离子注入进行注入磷(P)，掺杂剂量为1E15atoms/cm2；
B、低压化学沉积(LPCVD)钝化介质层：采用低压化学沉积(LPCVD)设备中原位生长1.5nm的超薄钝化介质层(SiO2)；
C、制备多晶硅薄膜：在低压化学沉积(LPCVD)生长超薄钝化介质层之后，在同一设备中，在温度为620℃生长一层100nm多晶硅薄膜；
D、多晶硅掺杂：采用离子注入机进行磷(P)注入，掺杂剂量为4E15atoms/cm2；
E、退火：利用850℃温度对掺杂磷(P)进行激活，形成掺杂多晶硅薄膜，同时此高温也实现了对LPCVD生长的多晶硅薄膜进行了晶化热处理，进一步提升该薄膜的性能；
F、氧化层去除：通过HF化学溶液将退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化除去；
G、制备电极：采用丝网印刷的方式实现金属接触，金属被印刷在掺杂多晶硅薄膜上。
实施例2
如图2所示，本实施例提供的太阳能电池，包括n型硅基体1，n型硅基体1表面设有轻掺杂层2，轻掺杂层2表面设有钝化介质层3，钝化介质层3表面设有多晶硅薄膜4，多晶硅薄膜4上设有表面钝化介质层6，表面钝化介质层6上设有金属接触电极5。
轻掺杂层2具有均匀的掺杂浓度。
轻掺杂层2中掺杂元素的浓度为1.0E17atoms/cm3～2.0E19atoms/cm3，掺杂的深度为0.1～2μm。
轻掺杂层2中掺杂元素为磷，且与多晶硅薄膜4中的掺杂元素相同。
钝化介质层3为超薄二氧化硅薄膜，其厚度为1.5nm。
多晶硅薄膜4为磷掺杂多晶硅薄膜，其厚度为100nm，掺杂浓度为1.0E20atoms/cm3～2.0E21atoms/cm3。
钝化接触设于n型硅基体1的背面。
上述太阳能电池的制备方法，该方法是基于低压化学沉积(LPCVD)制备一层超薄钝化介质层(SiO2)，硅基体的轻掺杂和其上面的多晶硅薄膜层掺杂进行离子注入磷(P)。
如图3所示，该太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
A、对n型硅片进行清洗后，利用离子注入进行注入磷(P)，掺杂剂量为1E15atoms/cm2；
B、低压化学沉积(LPCVD)钝化介质层：采用低压化学沉积(LPCVD)设备中原位生长1.5nm的超薄钝化介质层(SiO2)；
C、制备多晶硅薄膜：在低压化学沉积(LPCVD)生长超薄钝化介质层之后，在同一设备中，在温度为620℃生长一层100nm多晶硅薄膜；
D、多晶硅掺杂：采用离子注入机进行磷(P)注入，掺杂剂量为4E15atoms/cm2；
E、退火：利用850℃温度对掺杂磷(P)进行激活，同时此高温也实现了对LPCVD生长的多晶硅薄膜进行了晶化热处理，进一步提升该薄膜的性能，不同区域的ECV曲线如图4。从图4中对比基体是否进行轻掺杂的两个样品，可以看出，基体轻掺杂的样品具有较低的表面浓度和较深的结深；
F、氧化层去除：通过HF化学溶液将退火后在多晶硅表面生长的氧化除去；
G、制备表面钝化介质层(氮化硅)：通过板式等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在多晶硅薄膜上再生长一层80nm表面钝化介质层(氮化硅)；
H、制备电极：采用丝网印刷的方式实现金属接触，金属都被印刷在表面钝化介质层(氮化硅)上。
实施例3
如图2所示，本实施例提供的太阳能电池的结构同实施例2。
本实施例提供的太阳能电池的制备方法，该方法是基于化学氧化制备一层超薄氧化层(SiO2)，其下方的n型硅基体的轻掺杂是通过磷注入后退火实现的(该步骤退火后，实现对基体的真正掺杂，而在后续的多晶硅掺杂的进一步退火，可以对轻掺杂基体的掺杂曲线进行重新分布，实现更低的表面浓度及更深的结深，这样的效果会更好)，整个工艺步骤需要分别对n型硅基体和多晶硅掺杂进行分别退火。
如图5所示，该太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
A、对n型硅片进行清洗后，利用离子注入机进行注入，磷(P)掺杂剂量为1E15atoms/cm2；
B、退火：利用900℃温度对掺杂磷(P)进行炉管退火激活，得轻掺杂层；
C、低温炉管生长钝化介质层：除去上述的退火过程生长的氧化层后，采用化学品硝酸氧化生长一层1.0nm的二氧化硅；
D、制备多晶硅薄膜：在630℃等离子增强化学气相沉积法(PECVD)设备中沉积一层70nm多晶硅薄膜；
E、多晶硅掺杂：采用离子注入机进行磷(P)注入，掺杂剂量为3E15atoms/cm2；
F、退火：利用875℃温度对掺杂磷(P)进行激活，形成掺杂多晶硅薄膜，同时此高温也实现了对LPCVD生长的多晶硅薄膜进行了晶化热处理，进一步提升该薄膜的性能；
G、氧化层去除：通过HF化学溶液将退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化除去；
H、制备氮化硅：通过管式等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在掺杂多晶硅薄膜上再生长一层70nm氮化硅层；
I、制备电极：采用丝网印刷的方式实现金属接触，金属都被印刷在氮化硅层上。
通过对比实验，发现基体轻掺杂的钝化接触太阳能电池具有开压、填充因子和转化效率高的优势，具体如表1。
表1普通钝化接触与本发明基体轻掺杂的钝化接触的各项参数对比
| 电池结构 | 开路电压Voc(mV) | 填充因子FF(％) | 转换效率Eff.(％) |
| 普通的钝化接触 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| 基体轻掺杂的钝化接触 | 1.900 | 0.27 | 0.14 |
实施例4
如图2所示，本实施例提供的太阳能电池的结构同实施例2。
与实施例2不同的是：
钝化介质层为超薄氮氧化硅，其厚度为1.8nm。
多晶硅薄膜的厚度为120nm。
n型硅基体的硼注入剂量为5E14atoms/cm2，多晶硅薄膜的硼掺杂剂量为3E15atoms/cm2。
钝化接触设于n型硅基体1的正面。
本实施例提供的太阳能电池的制备方法，该方法是基于低压化学沉积(LPCVD)制备一层超薄氮氧化硅(SiOxN1-x)，n型硅基体的轻掺杂和其上面的多晶硅薄膜层掺杂进行离子注入硼(B)。
如图3所示，该太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
A、对n型硅片进行清洗后，利用离子注入机进行注入，硼(B)掺杂剂量为5E14atoms/cm2；
B、低压化学沉积(LPCVD)氧化层：采用低压化学沉积(LPCVD)设备中原位生长1.8nm的超薄氮氧化硅(SiOxN1-x)；
C、制备多晶硅薄膜：在低压化学沉积(LPCVD)生长钝化介质层之后，在同一设备中，在温度为610℃生长一层120nm多晶硅薄膜；
D、多晶硅掺杂：采用离子注入机进行硼(B)注入，掺杂剂量为3E15atoms/cm2；
E、退火：利用1050℃温度对掺杂硼(B)进行激活，形成掺杂多晶硅薄膜，同时此高温也实现了对LPCVD生长的多晶硅薄膜进行晶化热处理，进一步提升该薄膜的性能；
F、氧化层去除：通过HF化学溶液将退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化除去；
G、制备氮化硅：通过管式等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在掺杂多晶硅薄膜上再生长一层80nm氮化硅层；
H、制备电极：采用丝网印刷的方式实现金属接触，金属都被印刷在氮化硅层上。
实施例5
如图2所示，本实施例提供的太阳能电池的结构同实施例2。
与实施例2不同的是：
钝化介质层为超薄二氧化硅(SiO2)和氧化钛(TiO2)的叠层膜，其厚度为1.0nm。
多晶硅薄膜的厚度为120nm。
n型硅基体的硼注入剂量为8E14atoms/cm2，多晶硅薄膜的硼掺杂剂量为4E15atoms/cm2。
本实施例提供的太阳能电池的制备方法，该方法是基于原子沉积(ALD)制备一层超薄二氧化硅(SiO2)和氧化钛(TiO2)的叠层膜，n型硅基体的区域选择性掺杂和其上面的多晶硅薄膜层掺杂进行离子注入硼(B)。
如图3所示，该太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
A、对n型硅片进行清洗后，利用离子注入机一次性进行注入，硼(B)掺杂剂量为8E14atoms/cm2；
B、原子沉积(ALD)钝化介质层：采用原子沉积(ALD)设备中原位生长一层1.0nm的二氧化硅(SiO2)和氧化钛(TiO2)叠层的钝化介质层；
C、制备多晶硅薄膜：在低压化学沉积(LPCVD)生长钝化介质层之后，在同一设备中，在温度为610℃生长一层120nm多晶硅薄膜；
D、硼掺杂：首先对整个面的多晶硅注入4E15atoms/cm2的杂质硼(B)；
E、退火：利用1000℃温度对掺杂硼(B)进行激活，得掺杂多晶硅薄膜，同时此高温也实现了对LPCVD生长的多晶硅薄膜进行了晶化热处理，进一步提升该薄膜的性能；
F、氧化层去除：通过HF化学溶液将退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化除去；
G、制备氮化硅：通过管式等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在掺杂多晶硅薄膜上再生长一层40nm氮化硅层；
H、制备电极：采用丝网印刷的方式实现金属接触，金属都被印刷在氮化硅层上。
以上列举具体实施例对本发明进行说明。需要指出的是，以上实施例只用于对本发明做进一步说明，不代表本发明的保护范围，其他人根据本发明的提示做出的非本质的修改和调整，仍属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种太阳能电池，包括n型硅基体(1)，其特征是：在所述n型硅基体(1)表面设有轻掺杂层(2)，在所述轻掺杂层(2)表面设有钝化介质层(3)，在所述钝化介质层(3)表面设有多晶硅薄膜(4)，在所述多晶硅薄膜(4)上设有金属接触电极(5)。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征是：所述轻掺杂层(2)具有均匀的掺杂浓度。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征是：所述轻掺杂层(2)中的掺杂元素的浓度为1.0E17atoms/cm3～2.0E19atoms/cm3，优选地，掺杂的深度为0.1～2μm。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征是：所述轻掺杂层(2)中的掺杂元素为磷或硼，且所述多晶硅薄膜(4)为掺杂多晶硅薄膜，所述轻掺杂层(2)中的掺杂元素与所述多晶硅薄膜(4)中的掺杂元素相同。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征是：所述钝化介质层(3)为氧化硅、氧化铝、氧化钛和氮氧化硅中一种单层膜或几种的叠层膜，优选地，所述钝化介质层(3)的厚度为0.5nm～2.5nm。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征是：所述掺杂多晶硅薄膜为磷掺杂多晶硅薄膜或硼掺杂多晶硅薄膜，且所述掺杂多晶硅薄膜的掺杂浓度为1.0E20atoms/cm3～2.0E21atoms/cm3，所述掺杂多晶硅薄膜的厚度为5nm～500nm。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征是：在所述多晶硅薄膜(4)上还设有表面钝化介质层(6)，且所述金属接触电极(5)设于所述表面钝化介质层(6)上。
8.权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
S1：选取n型硅基体(1)，清洗后在n型硅基体(1)表面制备轻掺杂层(2)；
S2：在轻掺杂层(2)表面制备钝化介质层(3)；
S3：在钝化介质层(3)的表面上制备多晶硅薄膜(4)；
S4：在多晶硅薄膜(4)表面进行掺杂及850～1100℃高温退火，形成掺杂多晶硅薄膜；
S5：去除退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化层；
S6：在掺杂多晶硅薄膜上设置金属接触电极(5)。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法，其特征是步骤S6中还包括在掺杂多晶硅薄膜上增设表面钝化介质层(6)，所述金属接触电极(5)设在所述表面钝化介质层(6)上。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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Effective date of registration: 20201127 Address after: 322005 No.165 Tongze Road, Yiting Town, Yiwu City, Jinhua City, Zhejiang Province Patentee after: Yiwu Jingao Solar Energy Technology Co., Ltd Address before: 225131, Jianhua Road, Yangzhou Economic Development Zone, Jiangsu, Yangzhou 1, China Patentee before: JA SOLAR TECHNOLOGY YANGZHOU Co.,Ltd. |
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