CN109273615A

CN109273615A - 一种有机发光器件

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Publication number: CN109273615A
Application number: CN201811053614.0A
Authority: CN
Inventors: 刘喜庆; 蔡辉
Original assignee: Changchun Haipurunsi Technology Co Ltd
Current assignee: Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Priority date: 2018-09-11
Filing date: 2018-09-11
Publication date: 2019-01-25
Anticipated expiration: 2038-09-11
Also published as: CN109273615B

Abstract

本发明提供了一种有机发光器件，涉及有机光电技术领域。本发明提供的一种有机发光器件，空穴传输层包含由式(1)表示的第一化合物，电子传输层包含由式(2)表示的第二化合物。一方面，芴类基团是三维立体的空间结构，使化合物不易结晶；螺二芴基团被叔丁基取代，增加了化合物的溶解性，而且此结构具有延展性的共轭体系，具有更好的载流子传输性能；一方面，三嗪基团与芴类基团结合，连续的π共轭体系使得结构具有高的电子迁移率。通过将第一化合物和第二化合物进行组合，从而平衡电子与空穴的传输速率，提高激子在发光层的生成率和利用率，从而降低了器件的开启电压，提高了器件的发光效率和使用寿命。

Description

一种有机发光器件

技术领域

本发明涉及有机光电技术领域，具体涉及一种有机发光器件。

背景技术

近年来，有机发光二极管(OLED:Organic Light Emitting Diode)作为一种新型和有前途的显示技术逐渐进入人们的视野。它与传统的显示技术相比，在电压特性、发光亮度、发光效率、器件重量、响应速度以及观赏视角等方面具有显著优势，并因其低成本潜力，拥有广阔市场前景。

通常，OLED具有层状或层压结构。例如，典型的OLED具有阳极/有机发光层/阴极多层结构。OLED还可具有各种其它结构，例如阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极多层结构或阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极多层结构。

但是传统的OLED显示器件多存在发光效率和使用寿命的问题，主要有如下几个原因：一方面取决于所用有机发光材料的发光性能，及各层组合材料之间的匹配度；一方面取决于激子利用率，由于在有机光电材料中空穴和电子的传输速度不同，常规器件结构很容易出现载流子注入不平衡的问题，导致电子和空穴复合效率低和复合区域的偏移，从而导致有机电致发光器件的发光效率低下、寿命低。

随着市场对OLED器件要求的进一步提高，寻求更高发光效率、更长寿命、更低成本的OLED器件成为发展的趋势，所以开发出一种性能更加优异的有机发光器件，成为一种亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供了一种可实现更高发光效率和低驱动电压的有机发光器件。

本发明提供一种有机发光器件，包括

相互面对的阳极和阴极，

位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，

位于所述阳极和所述发光层之间的空穴传输层，

位于所述阴极和所述发光层之间的电子传输层，

其中，所述空穴传输层包含由式(1)表示的第一化合物，和/或

所述电子传输层包含由式(2)表示的第二化合物：

式中，Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；

式中，Ar₅、Ar₆、Ar₇独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，且至少一个选自如下基团：

其中，R₁、R₂独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的杂芳基中的一种；R₃选自氢原子、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的一种。

优选的，所述第二化合物中Ar₅、Ar₆相同，选自如下基团：

其中，R₁、R₂独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基中的一种；R₃选自氢原子、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或吡啶基。

优选的，所述第二化合物中Ar₇选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。

优选的，所述第一化合物中Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种，其中的取代基为C1～C10的烷基。

优选的，所述第一化合物中Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种，其中的取代基为C1～C10的烷基。

再优选的，所述第一化合物选自如下所示结构中的任意一种：

再优选的，所述第二化合物选自如下所示结构中的任意一种：

本发明的有益效果：

本发明提供的一种有机发光器件，空穴传输层包含由式(1)表示的第一化合物，和所述电子传输层包含由式(2)表示的第二化合物。

本发明的第一化合物是螺二芴类化合物。一方面，螺二芴基团是三维立体的空间结构，可以有效的防止分子间的聚集，使化合物不易结晶；一方面，芳胺与螺二芴的结合增加了结构的分子量，从而获得高的玻璃化温度；另一方面，螺二芴基团被叔丁基取代，增加了化合物的溶解性，而且此结构具有延展性的共轭体系，具有更好的载流子传输性能。

本发明的第二化合物是三嗪类化合物，此化合物带有特定的芴类结构。一方面，三嗪基团尤其是1,3,5-三嗪基团结构较稳定，耐酸碱及耐高温，具有高的玻璃化温度；三嗪基团作为典型的强吸电子基团，以其为中心结构的化合物具有高的电子迁移率和较低的能级。一方面，芴类基团不仅可以有效的防止分子间的聚集，还具有易修饰、强刚性的优点从而增加化合物的稳定性；另一方面，三嗪基团与芴类基团结合形成的一种含芴类结构的三嗪化合物，尤其是二者之间由苯环或联苯环连接，增加了共轭体系，拥有可伸展的三维结构，连续的π共轭体系带来较好的电子流动性，从而具有高的电子迁移率；并且，二者的结合使得载流子传输平衡。

本发明所述的有机发光器件通过将第一化合物和第二化合物进行组合，从而平衡电子与空穴的传输速率，提高激子在发光层的生成率和利用率，避免了载流子在发光层的不平衡，避免电子传输层与发光层界面的热积聚导致的器件寿命恶化，从而降低了器件的开启电压，提高了器件的发光效率和使用寿命。

本发明所述的有机发光器件使用的化合物原料易得，合成简单，易操作。

附图说明

图1是有机发光器件截面图。

其中，

1，基板；

2，阳极；

3，空穴注入层；

4，穴传输层；

5，发光层；

6，电子传输层；

7，电子注入层；

8，阴极。

具体实施方式

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。

本发明所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。

本发明所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。

本发明所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、吡咯基、吡啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，但不限于此。

本发明所述取代的烷基、取代的烷氧基、取代的芳基、取代的芳胺基、取代的杂芳基中，所述取代基独立地选自氘、C1-C10烷基、氰基、硝基、C6～C24芳基或C3～C20杂芳基。

参考图1，根据实施方式的有机发光器件包括彼此面对的阳极2和阴极8以及在阳极2和阴极8之间的空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7。

阳极2可以由具有较大功函数的导体制成以辅助空穴注入，并可以是例如金属，金属氧化物和/或导电聚合物。阳极2可以是金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌等；金属和氧化物的组合如氧化锌和铝；导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩)，但不限于此。

阴极8可以由具有较小功函数的导体制成以辅助电子注入，并且可以是例如金属，金属氧化物和/或导电聚合物。阴极8可以是金属或其合金，如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡等；多层结构材料如LiF/Al、LiO₂/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF₂/Ca，但不限于此。

空穴传输层4和阳极2之间的空穴注入层3可以改善用作阳极的ITO和用作空穴传输层4的有机材料之间的界面特性，并可以通过在不平坦的ITO的表面涂层而涂覆在ITO上来使ITO的表面平滑。例如，空穴注入层3可以选择具有ITO的功函数能级和空穴传输层4的HOMO能级的中值的材料，特别是具有合适导电性的材料，以便调节作为阳极的ITO的功函数能级和空穴传输层4的HOMO能级的差。结合本发明，空穴注入层3的材料可以是N4,N4'-联苯基-N4,N4'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯基-4,4'-二胺，但不限于此。

电子注入层7堆叠于电子传输层6上，使得电子由阴极注入，因而提高了功率效率，并可以包含通常使用的材料，而没有特别限制，例如，如LiF、Liq、NaCl、CsF、Li2O、BaO等的材料。

发光层5是发射光的有机层，并且在采用掺杂体系时，包括主体和掺杂剂。本发明中，主体主要促进电子和空穴的再结合，并在发光层中保持激子，而掺杂剂从由再结合获得的激子有效地发射光。发光层可以包含已知的主体和掺杂剂。当发光层包括主体和掺杂剂时，基于100wt％的发光层，掺杂剂的量通常可以为约0.01wt％至约15wt％，而没有限制。发光层可以具有约20nm至约70nm的厚度。

已知的主体可以是例如Alq₃，CBP(4,4'-N,N'-二咔唑-联苯)，PVK(聚(N-乙烯基咔唑))，9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)，TCTA，TPBI(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)，TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)，mCP，OXD-7等，但并不限于此。

掺杂剂可以是荧光掺杂剂和磷光掺杂剂中的至少一种。磷光掺杂剂可以是包括Ir、Pt、Os、Re、Ti、Zr、Hf或两种或更多种的组合的有机金属络合物。已知的蓝色掺杂剂的实例可以是F₂Irpic、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃、三联芴(芴)(ter-fluorene(fluorene))，4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)，DPVBi等。已知的红色掺杂剂的实例可以包括PtOEP、Ir(piq)₃、BtpIr等。已知的绿色掺杂剂的实例可以包括Ir(ppy)₃(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)₂(acac)、Ir(mpyp)₃等。以上仅是部分举例，不限于此。

空穴传输层4是使空穴从阳极2传输到发光层5中的层，包含由式(1)表示的第一化合物：

优选的，所述第二化合物中Ar₅、Ar₆相同，选自如下基团：

再优选，所述第二化合物选自如下所示结构中的任意一种：

本发明所述式(1)的第一化合物，可以通过以下合称路线合成：

上述合成是以一溴代物和氨基取代的化合物为起始原料，经由一系列C-C偶联得到目标产物(1)，推荐使用Suzuki偶联反应。氮气保护下，以四三苯基膦钯为催化剂，碳酸钾为碱，四氢呋喃为溶剂，回流进行反应，得到的中间体A与中间体B再分别与二溴取代物反应，最后得到芳胺化合物。若中间体A、中间体B或中间体C有售卖的，可直接购买使用。

本发明所述的式(2)的第二化合物，可以通过以下合称路线合成：

上述合成是以2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪为起始原料，经由一系列C-C偶联得到目标产物(2)，推荐使用Suzuki偶联反应，氮气保护下，以四三苯基膦钯为催化剂，碳酸钾为碱，四氢呋喃为溶剂，回流进行反应。

本发明所述的器件结构最优选如图1所示：基板1/阳极2/空穴注入层3/空穴传输层4/发光层5/电子传输层6/电子注入层7/阴极8。制造有以下相同构造的有机电致发光器件：ITO/NPB-DPA/所述的式(1)的第一化合物/AND：DPVBi(2wt％)/所述的一种氮杂咔唑类化合物/所述的式(2)的第二化合物/LiF/Al。

本发明所述有机电致发光器件可广泛应用于面板显示、照明OLED、柔性OLED、电子纸、有机感光体或有机薄膜晶体管等领域。

实施例1：化合物1的合成

化合物1的合成

将三叔丁基膦(4.4mL的1.0M的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(52.6g，549mmol)添加至化合物a(107.3g，183mmol)和二苯胺(62.0g，367mmol)在脱气甲苯(1L)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到化合物1(111.5g，产率为80％)。

质谱m/z：762.43(计算值：762.40)。理论元素含量(％)C₅₇H₅₀N₂：C,89.72；H,6.60；N,3.67实测元素含量(％)：C,89.74；H,6.61；N,3.65。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例2：化合物8的合成

中间体C的制备

将三叔丁基膦(4.4mL的1.0M的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至化合物a(107.3g，183mmol)和中间体A(57.2g，183mmol)在脱气甲苯(1L)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到中间体C(115.0g，产率为80％)。

质谱m/z：786.90(计算值：786.92)。理论元素含量(％)C₅₃H₅₆BrN：C,80.89；H,7.17；Br,10.15；N,1.78实测元素含量(％)：C,80.88；H,7.17；Br,10.17；N,1.78。上述结果证实获得产物为目标产品。

化合物8的制备

将三叔丁基膦(4.4mL的1.0M的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至中间体C(143.8g，183mmol)和中间体B(60.0g，187mmol)在脱气甲苯(1L)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到化合物8(140.9g，产率为70％)。

质谱m/z：1027.43(计算值：1027.42)。理论元素含量(％)C₇₇H₇₄N₂：C,90.01；H,7.26；N,2.73实测元素含量(％)：C,90.03；H,7.25；N,2.72。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例3：化合物13的合成

将实施例2中的中间体A换成等摩尔的中间体A-2，其他步骤均与实施例2的合成相同，得到目标产物化合物13。质谱m/z：1031.26(计算值：1031.37)。理论元素含量(％)C₇₈H₆₆N₂：C,90.83；H,6.45；N,2.72实测元素含量(％)：C,90.86；H,6.44；N,2.71。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例4：化合物15的合成

将实施例1中的二苯胺换成等摩尔的中间体A-3，其他步骤均与实施例1的合成相同，得到目标产物化合物15。质谱m/z：1147.56(计算值：1147.53)。理论元素含量(％)C₈₇H₇₄N₂：C,91.06；H,6.50；N,2.44实测元素含量(％)：C,91.08；H,6.51；N,2.41。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例5：化合物A1的合成

中间体a1-1的合成

取2-(3,5-二氯苯)吡啶(9.5g，42.4mmol)加入到三口瓶中，加入THF 100mL，氮气保护，-78℃搅拌30分钟，然后加入正丁基锂(2.5M)21mL，反应1小时，再加入硼酸三异丙酯14g，低温反应1小时，逐渐恢复室温。后处理过程，体系中加入2M盐酸使溶液PH值为4-5，静置分液，水层用乙酸乙酯萃取，合并有机层，旋干，得中间体a1-1(8.2g，产率80％)。

质谱m/z：242.86(计算值：242.83)。理论元素含量(％)C₁₁H₁₁B₂NO₄：C,54.41；H,4.57；B,8.90；N,5.77；O,26.35实测元素含量(％)：C,54.41；H,4.58；B,8.92；N,5.76；O,26.33。上述结果证实获得产物为目标产品。

中间体a1-2的合成

将四三苯基膦钯(2.1g，1.83mmol)和碳酸钾(75.7g，549mmol)添加至中间体a1-1(44.3g，183mmol)和2-溴-9,9-二甲基芴(50.3g，185mmol)在脱气四氢呋喃(500mL)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热4小时。趁热抽滤，得到大量固体，用溶剂溶解固体，之后浓缩，经由硅胶柱层析得到中间体a1-2(50.1g，理论值70％)。

质谱m/z：391.25(计算值：391.27)。理论元素含量(％)C₂₆H₂₂BNO₂：C,79.81；H,5.67；B,2.76；N,3.58；O,8.18实测元素含量(％)：C,79.82；H,5.65；B,2.76；N,3.58；O,8.19。上述结果证实获得产物为目标产品。

化合物A1的合成

将四三苯基膦钯(2.1g，1.83mmol)和碳酸钾(75.7g，549mmol)添加至中间体a1-2(150g，384mmol)和2,4-二溴-6-苯基-1,3,5-三嗪(41.3g，183mmol)在脱气四氢呋喃(500mL)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热4小时。趁热抽滤，得到大量固体，用溶剂溶解固体，之后浓缩，经由硅胶柱层析得到化合物A1(92.9g，理论值60％)。

质谱m/z：848.05(计算值：848.04)。理论元素含量(％)C₆₁H₄₅N₅：C,86.39；H,5.35；N,8.26实测元素含量(％)：C,86.37；H,5.37；N,8.26。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例6：化合物A13的合成

将实施例5中的2-溴-9,9-二甲基芴换成等摩尔的2-溴-9,9-螺二芴，其他步骤均与实施例5的合成相同，得到目标产物化合物A13。质谱m/z：1092.26(计算值：1092.29)。理论元素含量(％)C₈₁H₄₉N₅：C,89.07；H,4.52；N,6.41实测元素含量(％)：C,89.08；H,4.51；N,6.41。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例7：化合物A27的合成

将实施例5中的2-溴-9,9-二甲基芴换成等摩尔的2-溴-9,9-二苯基芴，2-(3,5-二氯苯)吡啶换成等摩尔的3-(3,5-二氯苯)吡啶，其他步骤均与实施例5的合成相同，得到目标产物化合物A27。质谱m/z：1096.26(计算值：1096.32)。理论元素含量(％)C₈₁H₅₃N₅：C,88.74；H,4.87；N,6.39实测元素含量(％)：C,88.76；H,4.86；N,6.38。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例8：化合物A51的合成

将实施例5中的2,4-二溴-6-苯基-1,3,5-三嗪换成等摩尔的化合物b，其他步骤均与实施例5的合成相同，得到目标产物化合物A51。质谱m/z：964.26(计算值：964.20)。理论元素含量(％)C₇₀H₅₃N₅：C,87.20；H,5.54；N,7.26实测元素含量(％)：C,87.21；H,5.56；N,7.23。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例9：化合物A55的合成

将实施例5中的2,4-二溴-6-苯基-1,3,5-三嗪换成等摩尔的化合物d，其他步骤均与实施例5的合成相同，得到目标产物化合物A55。质谱m/z：938.06(计算值：938.12)。理论元素含量(％)C₆₇H₄₇N₅O：C,85.78；H,5.05；N,7.47；O,1.71实测元素含量(％)：C,85.76；H,5.04；N,7.47；O,1.73。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例10：化合物A83的合成

将实施例5中的2,4-二溴-6-苯基-1,3,5-三嗪换成等摩尔的化合物e，2-溴-9,9-二甲基芴换成等摩尔的2-溴-9,9-螺二芴，2-(3,5-二氯苯)吡啶换成等摩尔的3-(3,5-二氯苯)吡啶，其他步骤均与实施例5的合成相同，得到目标产物化合物A83。质谱m/z：938.06(计算值：938.12)。理论元素含量(％)C₆₇H₄₇N₅O：C,85.78；H,5.05；N,7.47；O,1.71实测元素含量(％)：C,85.76；H,5.04；N,7.47；O,1.73。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例11：化合物A85的合成

将四三苯基膦钯(2.1g，1.83mmol)和碳酸钾(75.7g，549mmol)添加至中间体a1-2(71.5g，183mmol)和2-氯-4-(联苯-4-基)-6-苯基-1,3,5-三嗪(63.6g，185mmol)在脱气四氢呋喃(500mL)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热4小时。趁热抽滤，得到大量固体，用溶剂溶解固体，之后浓缩，经由硅胶柱层析得到化合物A85(71.8g，理论值60％)。

质谱m/z：654.85(计算值：654.80)。理论元素含量(％)C₄₇H₃₄N₄：C,86.21；H,5.23；N,8.56实测元素含量(％)：C,86.21；H,5.24；N,8.55。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例12：化合物A93的合成

中间体a2-2的合成

将四三苯基膦钯(2.1g，1.83mmol)和碳酸钾(75.7g，549mmol)添加至中间体a1-1(44.3g，183mmol)和2-溴-9,9-螺二芴(73.1g，185mmol)在脱气四氢呋喃(500mL)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热4小时。趁热抽滤，得到大量固体，用溶剂溶解固体，之后浓缩，经由硅胶柱层析得到中间体a2-2(65.7g，理论值70％)。

质谱m/z：513.25(计算值：513.39)。理论元素含量(％)C₃₆H₂₄BNO₂：C,84.22；H,4.71；B,2.11；N,2.73；O,6.23实测元素含量(％)：C,84.22；H,4.71；B,2.11；N,2.74；O,6.22。上述结果证实获得产物为目标产品。

化合物A93的合成

将四三苯基膦钯(2.1g，1.83mmol)和碳酸钾(75.7g，549mmol)添加至中间体a2-2(150g，384mmol)和2,4-二溴-6-苯基-1,3,5-三嗪(41.3g，183mmol)在脱气四氢呋喃(500mL)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热4小时。趁热抽滤，得到大量固体，用溶剂溶解固体，之后浓缩，经由硅胶柱层析得到化合物A93(85.2g，理论值60％)。

质谱m/z：776.95(计算值：776.92)。理论元素含量(％)C₅₇H₃₆N₄：C,88.12；H,4.67；N,7.21实测元素含量(％)：C,88.12；H,4.66；N,7.22。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例13：化合物A101的合成

将实施例5中的2,4-二溴-6-苯基-1,3,5-三嗪换成等摩尔的化合物f，2-(3,5-二氯苯)吡啶换成等摩尔的3-(3,5-二氯苯)吡啶，其他步骤均与实施例5的合成相同，得到目标产物化合物A101。质谱m/z：743.86(计算值：743.89)。理论元素含量(％)C₅₃H₃₇N₅：C,85.57；H,5.01；N,9.41实测元素含量(％)：C,85.59；H,5.00；N,9.41。上述结果证实获得产物为目标产品。

比较例1

将透明阳极电极ITO基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后将处理后的ITO基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层60nm的NPB-DPA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的NPB作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq₃作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Al作为阴极，厚度为200nm。

应用实施例1：

将透明阳极电极ITO基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后将处理后的ITO基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层60nm的NPB-DPA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的所述第一化合物1作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，之后蒸镀30nm的Alq₃作为电子传输层，蒸镀速率为0.05nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Al作为阴极，厚度为200nm。

应用实施例2：

将透明阳极电极ITO基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后将处理后的ITO基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层60nm的NPB-DPA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的所述第一化合物1作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，之后蒸镀30nm的所述第二化合物A1作为电子传输层，蒸镀速率为0.05nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Al作为阴极，厚度为200nm。

应用实施例2-18中的空穴传输层与电子传输层如表1列举情况进行组合替换，其他与应用实施例2的制作相同。

测量根据比较例1、应用实施例1-18的每种有机发光二极管的驱动电压及发光效率，具体数值见表1。

表1

以上结果表明，使用本发明化合物的有机发光器件与比较例1相比，表现出高效率、低驱动电压的优点，是性能良好的有机发光器件。

显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims

1.一种有机发光器件，包括

相互面对的阳极和阴极，

位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，

位于所述阳极和所述发光层之间的空穴传输层，

位于所述阴极和所述发光层之间的电子传输层，

其中，所述空穴传输层包含由式(1)表示的第一化合物，和/或

所述电子传输层包含由式(2)表示的第二化合物：

2.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述第二化合物中Ar₅、Ar₆相同，选自如下基团：

3.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述第二化合物中Ar₇选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述第一化合物中Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种，其中的取代基为C1～C10的烷基。

5.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述第一化合物中Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种，其中的取代基为C1～C10的烷基。

6.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述第一化合物选自如下所示结构中的任意一种：

7.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述第二化合物选自如下所示结构中的任意一种：