CN109273466A - 一种三维图像传感器及其制备方法 - Google Patents
一种三维图像传感器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109273466A CN109273466A CN201811023396.6A CN201811023396A CN109273466A CN 109273466 A CN109273466 A CN 109273466A CN 201811023396 A CN201811023396 A CN 201811023396A CN 109273466 A CN109273466 A CN 109273466A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- embedded electrode
- layer
- soi wafer
- metal
- imaging sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 claims description 4
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明属于半导体技术领域，具体为一种三维图像传感器及其制备方法。本发明的图像传感器包括：CMOS反相信号处理器芯片，其具有第一SOI晶圆；形成在第一SOI晶圆上CMOS反相信号处理器；第一金属互连布线层和第一钝化层；形成在第一金属互连线上、第一钝化层中的第一嵌入式电极。光电二极管芯片，其具有第二SOI晶圆；形成在第二SOI晶圆上的光电二极管；第二金属互连布线层和第二钝化层；形成在第二金属互连线上、第二钝化层中的第二嵌入式电极。第一嵌入式电极和第二嵌入式电极相互对应键合。本发明可同时实现高分辨率和高帧率的目标，解决了TSV或微凸块尺寸较大、像素共享的问题，具有像素并行信号处理功能。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种三维图像传感器及其制备方法。
背景技术
传统的图像传感器芯片中的光电探测器使用像素方式排列阵列，信号处理器被光电探测器的列共享。当来自像素的信号被每列的信号处理器按照顺序传送和处理，实现列并行处理。随着图像分辨率和帧速率需求的增加，这种传感器架构难以实现短时间内完成信号处理。
现有的像素并行图像传感器是将信号处理器集成在每个像素中，通过像素实现并行架构。虽然空间分辨率高，但像素中的信号处理器的尺寸较大，限制了应用。另外，现有的3D堆叠图像传感器使用通过硅通孔（TSV）和微凸块技术， 但其直径尺寸为5微米或更大，大于像素尺寸，使得TSV或微凸块由多个像素共享，像素并行信号处理没有完全实现。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供同时具有高分辨率和高帧率的三维图像传感器及其制备方法。
本发明提供的三维CMOS图像传感器制备方法，包括以下步骤：
CMOS反相信号处理器芯片形成步骤，提供第一SOI晶圆；在所述第一SOI晶圆上形成CMOS反相信号处理器；形成第一金属互连布线层和第一钝化层；在所述第一金属互连线上形成第一嵌入式电极；
光电二极管芯片形成步骤，提供第二SOI晶圆；在所述第二SOI晶圆上形成光电二极管；形成第二金属互连布线层和第二钝化层；在所述第二金属互连线上形成第二嵌入式电极；
表面等离子体激活步骤，切割所述CMOS反相信号处理器芯片和所述光电二极管芯片并进行表面等离子体激活处理；以及
键合步骤，使所述CMOS反相信号处理器芯片的第一嵌入式电极和所述光电二极管芯片的第二嵌入式电极相互对应完成键合。
本发明的三维CMOS图像传感器制备方法中，优选为，所述光电二极管芯片的第二SOI晶圆被减薄至35μm。
本发明的三维CMOS图像传感器制备方法中，优选为，在所述键合步骤中，所述第一嵌入式电极中的至少一个裸露在外，未与所述第二嵌入式电极互连。
本发明的三维CMOS图像传感器制备方法中，优选为，所述裸露在外的第一嵌入式电极的直径为50μm ~150μm，其他第一嵌入式电极的直径为5μm~20μm。
本发明的三维CMOS图像传感器制备方法中，优选为，在所述第一金属互连布线上形成第一嵌入式电极的步骤，具体包括：刻蚀所述第一金属互连布线上的第一钝化层形成通孔；溅射形成种晶层，电镀形成第一金属层；以及对所述第一金属层进行化学机械抛光处理，得到镶嵌在所述通孔中的电极。
本发明的三维CMOS图像传感器制备方法中，优选为，所述第一金属互连布线层为Al、Al-Si合金或Cu，所述第一金属层为Au、Ag或Sn。
本发明的三维CMOS图像传感器制备方法中，优选为，所述进行表面等离子体激活处理步骤中采用氩等离子体和氧等离子体进行表面激活，所述氩等离子体功率为150 W ~250W，执行时间为25-35s（优选30s），所述氧等离子体功率为200W~300W，执行时间为25-35s（优选30s）。
一种三维CMOS图像传感器，包括：
CMOS反相信号处理器芯片，其具有第一SOI晶圆；包括：形成在所述第一SOI晶圆上CMOS反相信号处理器；第一金属互连布线层和第一钝化层；以及形成在所述第一金属互连线上、所述第一钝化层中的第一嵌入式电极；
光电二极管芯片，其具有第二SOI晶圆；包括：形成在所述第二SOI晶圆上的光电二极管；第二金属互连布线层和第二钝化层；以及形成在所述第二金属互连线上、所述第二钝化层中的第二嵌入式电极；其中，所述CMOS反相信号处理器芯片的第一嵌入式电极和所述光电二极管芯片的第二嵌入式电极相互对应键合。
本发明的三维CMOS图像传感器中，优选为，所述光电二极管芯片的第二SOI晶圆的硅衬底层厚度为35μm。
本发明的三维CMOS图像传感器中，优选为，所述第一嵌入式电极中的至少一个裸露在外，未与所述第二嵌入式电极互连。
本发明采用直接键合电极的方式实现电互连制备3D堆叠图像传感器，顶层的光电探测器将入射光转换为电信号，并由每个像素下面的信号处理器完成像素并行处理。由于信号处理器隐藏在3D堆叠层下面，不限制空间分辨率，可以同时实现高分辨率和高帧率的目标。解决了TSV或微凸块尺寸较大、像素共享的问题，实现了像素并行信号处理功能。
附图说明
图1是形成第一金属互连布线层和第一钝化层后的CMOS反相信号处理器芯片的结构示意图。
图2是形成第一金属层后的CMOS反相信号处理器芯片的结构示意图。
图3是形成第一嵌入式电极后的CMOS反相信号处理器芯片的结构示意图。
图4是形成第一金属互连布线层和第一钝化层后的光电二极管芯片的结构示意图。
图5是形成第一金属层后的光电二极管芯片的结构示意图。
图6是形成第一嵌入式电极后的光电二极管芯片的结构示意图。
图7将CMOS反相信号处理器芯片和光电二极管芯片键合后的器件结构示意图。
图8是将光电二极管芯片的硅衬底层减薄后的器件结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“垂直”“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。除非在下文中特别指出，器件中的各个部分可以由本领域的技术人员公知的材料构成，或者可以采用将来开发的具有类似功能的材料。
三维CMOS图像传感器制备方法，具体包括以下步骤：
CMOS反相信号处理器芯片形成步骤，准备4英寸的第一SOI晶圆，在其上制作CMOS反相信号处理器102。第一SOI晶圆包括Si衬底层100、掩埋氧化物层101和顶层硅。顶层硅的厚度优选为40nm~60nm，进一步优选为50nm。制作CMOS反相信号处理器102的工艺例如采用0.2μm的1-poly-3 metal SOI-CMOS 工艺。其中，栅氧化物的厚度优选为4~5nm，进一步优选为4.4nm。接着，形成第一金属互连布线层103和第一钝化层104，所得结构如图1所示。第一金属互连布线层的材料可以选用Al、Al-Si合金、Cu等。第一钝化层例如为SiO2。
接下来，在第一金属互连布线层上形成第一嵌入式电极。具体而言，光刻、刻蚀第一金属互连布线103上的第一钝化层104形成通孔。溅射Ti/Au形成种晶层，电镀Au形成第一金属层105，所得结构如图2所示。第一金属层的材料还可以是Ag、Sn等，厚度优选为3μm~8μm，进一步优选为5μm。对第一金属层105进行化学机械抛光处理，得到镶嵌在通孔中的第一嵌入式电极106，所得结构如图3所示。第一嵌入式电极包括两种规格，一种直径为5μm~20μm，进一步优选为10μm，用于后续与光电二极管芯片的互连键合；另一种直径为50μm~200μm，进一步优选为100μm，用于测试。
光电二极管芯片形成步骤，准备4英寸的第二SOI晶圆，在其上制作光电二极管202。第二SOI晶圆包括Si衬底层200、掩埋氧化物层201和顶层硅。接着，形成第二金属互连布线层203和第二钝化层204，所得结构如图4所示。第二金属互连布线层的材料可以选用Al、Al-Si合金、Cu等。第二钝化层例如为SiO2。
接下来，在第二金属互连线上形成第二嵌入式电极。具体而言，光刻、刻蚀第二金属互连布线203上的第二钝化层204形成通孔。溅射Ti/Au形成种晶层，电镀Au形成第二金属层205，所得结构如图5所示。第二金属层205的材料还可以是Ag、Sn等，厚度优选为3μm~8μm，进一步优选为5μm。对第二金属层205进行化学机械抛光处理，得到镶嵌在通孔中的第二嵌入式电极206，所得结构如图6所示。第二嵌入式电极206的直径为5μm~20μm，进一步优选为10μm，用于后续与CMOS反相信号处理器芯片的互连键合。
表面等离子体激活步骤，切割CMOS反相信号处理器芯片和光电二极管芯片并进行表面等离子体激活处理。具体而言，可以使用激光将芯片切割成尺寸在15mm×15mm~25mm×25mm之间的大小。其中，光电二极管芯片的尺寸要小于CMOS反相信号处理器芯片的尺寸，以使用于测试的第一嵌入式电极裸露在外。随后，使用Ar等离子体处理表面30s，功率设置为150W~250W ，进一步优选为200W，使用O2等离子体处理表面30s，功率设置为150W~250W ，进一步优选为250W。
键合步骤，使CMOS反相信号处理器芯片的第一嵌入式电极106和光电二极管芯片的第二嵌入式电极206相互对应完成键合，所得结构如图7所示。具体而言，使用红外（IR）显微镜对准CMOS反相器和光电二极管，使用2000N（5MPa）的力将其键合，并在200℃下烘烤60min。需要说明的是，第一嵌入式电极106中的至少一个裸露在外，未与第二嵌入式电极206互连，用于测试。裸露在外的第一嵌入式电极的直径为50μm ~150μm，其他第一嵌入式电极的直径为5μm~20μm。
进一步地，为了保证入射光进入光电二极管，将光电二极管的SOI晶圆的硅衬底层200减薄至35μm，最后使用XeF2气体进行刻蚀，所得结构如图8所示。
本发明还公开一种三维CMOS图像传感器，包括：CMOS反相信号处理器芯片，其具有第一SOI晶圆；形成在第一SOI晶圆上CMOS反相信号处理器102；第一金属互连布线层103和第一钝化层104；以及形成在第一金属互连线103上、第一钝化层104中的第一嵌入式电极106。
光电二极管芯片，其具有第二SOI晶圆；形成在第二SOI晶圆上的光电二极管202；第二金属互连布线层203和第二钝化层204；以及形成在第二金属互连线203上、第二钝化层204中的第二嵌入式电极206。
其中，CMOS反相信号处理器芯片的第一嵌入式电极106和光电二极管芯片的第二嵌入式电极206相互对应键合。
其中，光电二极管芯片的第二SOI晶圆的硅衬底层厚度为35μm。第一嵌入式电极106中的至少一个裸露在外，未与所述第二嵌入式电极206互连。裸露在外的第一嵌入式电极的直径为50μm ~150μm，其他第一嵌入式电极的直径为5μm~20μm。第一金属互连布线层、第二金属互连布线层的材料为Al、Al-Si合金、Cu等。
本发明的三维CMOS图像传感器及其制备方法，采用直接键合电极的方式实现电互连制备3D堆叠图像传感器，顶层的光电探测器将入射光转换为电信号，并由每个像素下面的信号处理器完成像素并行处理。由于信号处理器隐藏在3D堆叠层下面，不限制空间分辨率，可以同时实现高分辨率和高帧率的目标。解决了TSV或微凸块尺寸较大、像素共享的问题，实现了像素并行信号处理功能。
以上，针对本发明的三维图像传感器及其制备方法的具体实施方式进行了详细说明，但是本发明不限定于此。各步骤的具体实施方式根据情况可以不同。此外，部分步骤的顺序可以调换，部分步骤可以省略等。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种三维CMOS图像传感器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
CMOS反相信号处理器芯片形成步骤：提供第一SOI晶圆；在所述第一SOI晶圆上形成CMOS反相信号处理器；形成第一金属互连布线层和第一钝化层；在所述第一金属互连线上形成第一嵌入式电极；
光电二极管芯片形成步骤：提供第二SOI晶圆；在所述第二SOI晶圆上形成光电二极管；形成第二金属互连布线层和第二钝化层；在所述第二金属互连线上形成第二嵌入式电极；
表面等离子体激活步骤：切割所述CMOS反相信号处理器芯片和所述光电二极管芯片并进行表面等离子体激活处理；以及
键合步骤：使所述CMOS反相信号处理器芯片的第一嵌入式电极和所述光电二极管芯片的第二嵌入式电极相互对应完成键合。
2.根据权利要求1所述的三维CMOS图像传感器制备方法，其特征在于，将所述光电二极管芯片的第二SOI晶圆的硅衬底层减薄至35μm。
3.根据权利要求1所述的三维CMOS图像传感器制备方法，其特征在于，在所述键合步骤中，所述第一嵌入式电极中的至少一个裸露在外，未与所述第二嵌入式电极互连。
4.根据权利要求3所述的三维CMOS图像传感器制备方法，其特征在于，所述裸露在外的第一嵌入式电极的直径为50μm ~150μm，其他第一嵌入式电极的直径为5μm~20μm。
5.根据权利要求1所述三维CMOS图像传感器制备方法，其特征在于，在所述第一金属互连布线上形成第一嵌入式电极的步骤，具体包括：
刻蚀所述第一金属互连布线上的第一钝化层形成通孔；
溅射形成种晶层，电镀形成第一金属层；以及
对所述第一金属层进行化学机械抛光处理，得到镶嵌在所述通孔中的电极。
6.根据权利要求5所述的三维CMOS图像传感器制备方法，其特征在于，所述第一金属互连布线层为Al、Al-Si合金或Cu，所述第一金属层为Au、Ag或Sn。
7.根据权利要求1所述的三维CMOS图像传感器制备方法，其特征在于，所述进行表面等离子体激活处理步骤中采用氩等离子体和氧等离子体进行表面激活，所述氩等离子体功率为150 W ~250W，执行时间为30s，所述氧等离子体功率为200W~300W，执行时间为30s。
8.一种三维CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
CMOS反相信号处理器芯片，其具有第一SOI晶圆；包括：形成在所述第一SOI晶圆上CMOS反相信号处理器；第一金属互连布线层和第一钝化层；以及形成在所述第一金属互连线上、所述第一钝化层中的第一嵌入式电极；
光电二极管芯片，其具有第二SOI晶圆；包括：形成在所述第二SOI晶圆上的光电二极管；第二金属互连布线层和第二钝化层；以及形成在所述第二金属互连线上、所述第二钝化层中的第二嵌入式电极；
其中，所述CMOS反相信号处理器芯片的第一嵌入式电极和所述光电二极管芯片的第二嵌入式电极相互对应键合。
9.根据权利要求8所述的三维CMOS图像传感器，其特征在于，所述光电二极管芯片的第二SOI晶圆的硅衬底层的厚度为35μm。
10.根据权利要求8所述的三维CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一嵌入式电极中的至少一个裸露在外，未与所述第二嵌入式电极互连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811023396.6A CN109273466A (zh) | 2018-09-04 | 2018-09-04 | 一种三维图像传感器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811023396.6A CN109273466A (zh) | 2018-09-04 | 2018-09-04 | 一种三维图像传感器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109273466A true CN109273466A (zh) | 2019-01-25 |
Family
ID=65187331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811023396.6A Pending CN109273466A (zh) | 2018-09-04 | 2018-09-04 | 一种三维图像传感器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109273466A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111627939A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | Cmos图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置 |
| CN111627940A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | Cmos图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置 |
| CN114975489A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 联合微电子中心有限责任公司 | 制造半导体器件的方法、半导体器件和半导体封装 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101483184A (zh) * | 2008-01-07 | 2009-07-15 | 东部高科股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| CN103466541A (zh) * | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 上海矽睿科技有限公司 | 晶圆级封装方法以及晶圆 |
| CN106571334A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-04-19 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种硅片间的混合键合方法 |
| CN106783903A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 防止划片造成短路的cmos图像传感器结构及制作方法 |
-
2018
- 2018-09-04 CN CN201811023396.6A patent/CN109273466A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101483184A (zh) * | 2008-01-07 | 2009-07-15 | 东部高科股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| CN103466541A (zh) * | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 上海矽睿科技有限公司 | 晶圆级封装方法以及晶圆 |
| CN106571334A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-04-19 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种硅片间的混合键合方法 |
| CN106783903A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 防止划片造成短路的cmos图像传感器结构及制作方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111627939A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | Cmos图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置 |
| CN111627940A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | Cmos图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置 |
| CN111627939B (zh) * | 2019-02-27 | 2023-04-18 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | Cmos图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置 |
| CN111627940B (zh) * | 2019-02-27 | 2023-08-11 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | Cmos图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置 |
| CN114975489A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 联合微电子中心有限责任公司 | 制造半导体器件的方法、半导体器件和半导体封装 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8497534B2 (en) | Chip package with heavily doped regions and fabrication method thereof | |
| Lhostis et al. | Reliable 300 mm wafer level hybrid bonding for 3D stacked CMOS image sensors | |
| CN109273466A (zh) | 一种三维图像传感器及其制备方法 | |
| TWI345304B (en) | Back incidence type light detection component and its manufacturing method | |
| CN103426732B (zh) | 低温晶圆键合的方法及通过该方法形成的结构 | |
| JP4777415B2 (ja) | 自己不動態化相互接続の形成方法及び該方法を用いた装置 | |
| US20130285170A1 (en) | Multiple bonding in wafer level packaging | |
| CN102280456B (zh) | 一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法 | |
| TW200522344A (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing solid-state imaging device | |
| CN105470225B (zh) | 基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构的制作方法 | |
| CN107026184A (zh) | 集成晶片结构及其形成方法 | |
| Motoyoshi et al. | 3D-LSI technology for image sensor | |
| CN103280449A (zh) | 一种背照图像传感器的制造方法 | |
| Chen et al. | Chip-to-wafer (C2W) 3D integration with well-controlled template alignment and wafer-level bonding | |
| TW200837936A (en) | Silicon substrate with reduced surface roughness | |
| KR20130016015A (ko) | 유전체 층의 이중 개구에 형성되는 패드 구조 | |
| Di Cioccio et al. | Cu–SiO2 hybrid bonding | |
| Dixit et al. | Fabrication and electrical characterization of high aspect ratio poly-silicon filled through-silicon vias | |
| Lau | Recent advances and trends in Cu-Cu hybrid bonding | |
| CN105513943A (zh) | 一种半导体器件的制作方法 | |
| Ma et al. | Development and Reliability study of 3D WLCSP for automotive CMOS image sensor using TSV technology | |
| CN108269820A (zh) | 三维背光源结构cmos图像传感器及其制备方法 | |
| CN203941899U (zh) | 一种半导体结构 | |
| CA3103824C (en) | Method for forming superconducting structures | |
| De Vos et al. | The Road towards Fully Hybrid CMOS Imager Sensors. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190125 |