CN109256354A - 转移支撑件及转移模块 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种转移支撑件及转移模块，所述转移支撑件适于与多个元件接触。转移支撑件具有第一面、与第一面相对的第二面、位于第二面上的凹槽、凸出于第一面上的多个承载平台、分布于凹槽内的多个支撑柱以及多个贯孔，承载平台具有适于与多个元件接触的多个承载面，贯孔由承载平台的承载面延伸至凹槽。
Description
技术领域
本发明涉及一种转移支撑件及转移模块，且特别是涉及一种吸附式的转移支撑件及转移模块。
背景技术
无机发光二极管显示器具备主动发光、高亮度等特点，因此已经广泛地被应用于照明、显示器、投影机等技术领域中。以单片微显示器(monolithic micro-displays)为例，单片微显示器广泛地被使用于投影机且一直以来都面临彩色化的技术瓶颈。目前，已有现有技术提出利用外延技术于单一发光二极管芯片中制作出多层能够发出不同色光的发光层，以使单一发光二极管芯片即可提供不同色光。但由于能够发出不同色光的发光层的晶格常数不同，因此不容易成长在同一个基板上。此外，其他现有技术提出了利用发光二极管芯片搭配不同色转换材料的彩色化技术，其中当发光二极管芯片发光时，色转换材料被激发而发出不同色光的激发光，但是此技术仍面临色转换材料的转换效率过低以及涂布均匀性等问题。
除了上述两种彩色化技术，也有现有技术提出了发光二极管的转贴技术，由于能够发出不同色光的发光二极管可分别在适当的基板上成长，故发光二极管能够具备较佳的外延品质与发光效率。是以，发光二极管的转贴技术较有机会使单片微显示器的亮度以及显示品质提升。然而，如何快速且有效率地将发光二极管转贴至单片微显示器的线路基板上，实为目前业界关注的议题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种转移支撑件及转移模块，可快速且有效率地将元件转移至目标基板。
为达上述目的，本发明提供一种转移支撑件，其适于与多个元件接触。转移支撑件具有第一面、与第一面相对的第二面、位于第二面上的凹槽、凸出于第一面上的多个承载平台、分布于凹槽内的多个支撑柱以及多个贯孔。其中承载平台具有适于与多个元件接触的多个承载面。贯孔由承载平台的承载面延伸至凹槽。
本发明另提供一种转移模块，其适于吸附多个元件。转移模块包括抽真空设备以及如前述的转移支撑件。抽真空设备具有至少一抽气孔。转移支撑件配置于抽真空设备上以覆盖抽气孔。
基于上述，在本发明的转移模块中，转移支撑件配置于抽真空设备上以使抽气孔与多个贯孔连通，进而通过多个贯孔吸附多个元件至承载平台上，可快速且有效率地将元件转移至目标基板。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的转移模块的仰视立体图；
图2为图1的转移模块沿线A-A’的剖面示意图；
图3及图4分别为图1实施例的转移支撑件的仰视及俯视立体图；
图5为图2的转移模块在吸附多个元件时的局部放大图；
图6A至图6L为不同实施例的承载平台的示意图；
图7A至图7H为不同实施例的支撑柱的示意图；
图8A至图8C为不同实施例的支撑柱在凹槽中不同分布的示意图；
图9A至图9E为不同实施例的贯孔的示意图；
图10为本发明另一实施例的转移模块的剖面示意图；
图11为本发明另一实施例的转移模块的剖面示意图；
图12为本发明另一实施例的转移模块的剖面示意图；
图13为本发明另一实施例的转移模块的局部剖面示意图；
图14为本发明一实施例的转移支撑件的剖面示意图；
图15为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图；
图16A至图16E为本发明不同实施例的承载平台的示意图；
图17为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图；
图18为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图；
图19为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图；
图20为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图。
符号说明
20：承载基板
25：元件
50、50A、50B、50C：转移模块
100、100A：抽真空设备
110：抽气孔
112：第一抽气孔
114：第二抽气孔
200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H：转移支撑件
202：基板
210、210A、210B、210C、210D、210E、210F、210G、210H、210I、210J、210K、210L：承载平台
212、212A、212B：承载面
214、214A、214B、214C、214D、224、224A、224B、224C、224D：弧面结构
216、216A、216B、216C、216D、272、292：限位部
218：斜面
220、220A、220B、220C、220D、220E、220F、220G、220H：支撑柱
222、222A、222B：支撑面
230、230A、230B、230C、230D、230E、230F1、230F2、230F3、230G、230H1、230H2、230H3：贯孔
240：标记结构
250A、250B：刚性支撑件
270、270A、270B：保护图案
280：抗弯层
280_1：第一抗弯层
280_2：第二抗弯层
290：保护层
300：吸附调整件
310：外框
320：空腔
330_1、330_2、330_3：第一开口
340：第二开口
A1、A1a、A1b、A1c、A1d、A2、A2a、A2b、A2c1、A2c2、A2c3、A3、A41、A42、A43、A51、A52、A53：孔径
B1、B2、B3：尺寸
C：凹槽
D：距离
E1、E12、E13、E2、E22、E23：柱状空间
L1、L2：外径
S1：第一面
S2：第二面
P：控制单元
θ：角度
具体实施方式
图1为本发明一实施例的转移模块的仰视立体图。图2为图1的转移模块沿线A-A’的剖面示意图。图5为图2的转移模块在吸附多个元件时的局部放大图。请参考图1、图2及图5，在本实施例中，转移模块50适于吸附多个元件25。元件25例如是微发光二极管(micro-LED)或其他微型元件。转移模块50包括抽真空设备100以及转移支撑件200。抽真空设备100具有一抽气孔110，然而在其他实施例中，抽真空设备100也可以具有多个抽气孔110。转移支撑件200配置于抽真空设备100上以覆盖抽气孔110。
图3及图4分别为图1实施例的转移支撑件200的仰视及俯视立体图。请参考图2至图5，转移支撑件200适于与多个元件25接触。转移支撑件200具有第一面S1、与第一面S1相对的第二面S2、位于第二面S2上的凹槽C、凸出于第一面S1上的多个承载平台210、分布于凹槽C内的多个支撑柱220以及多个贯孔230。贯孔230例如是由蚀刻或其他种类的制作工艺形成。贯孔230由承载平台210的多个承载面212延伸至凹槽C。在一些实施例中，每个贯孔230可以从承载面212延伸至凹槽C。但在一些其他的实施例中，仅部分的贯孔230满足上述条件。相邻的支撑柱220彼此相隔一距离D(见如图2)。
换句话说，支撑柱220在第一面S1的正投影与承载平台210在第一面S1的正投影彼此错开。在一些实施例中，各支撑柱220在第一面S1的正投影与各承载平台210在第一面S1的正投影彼此错开。但在一些其他的实施例中，仅部分的支撑柱220与部分的承载平台210满足上述条件。支撑柱220与承载平台210分别分布于第二面S2及第一面S1上。在本实施例中，承载平台210对应于凹槽C分布。详细而言，承载平台210在第一面S1的正投影会位于凹槽C在第一面S1的正投影的所涵盖范围之内。换句话说，凹槽C在转移支撑件200上所涵盖的范围大于这些承载平台210在转移支撑件200上所涵盖的范围，而凹槽C在转移支撑件200上所涵盖的范围小于转移支撑件200的尺寸。在一些实施例中，各承载平台210在第一面S1的正投影所涵盖的范围在凹槽C在第一面S1的正投影所涵盖的范围内。但在一些其他的实施例中，仅部分的承载平台210满足上述条件。此外，在本实施例中，凹槽中心轴CA通过转移支撑件200的中心处，意即，凹槽C的中心处对应转移支撑件200的中心处，如图4所绘示，然而本发明并不限于此。因此，可由第一面S1上看出多个阵列排列的承载平台210，且可由第二面S2上的凹槽C中看出多个贯孔230与多个支撑柱220彼此错开的阵列排列，如图3及图4所绘示。
请参考图2及图5，在本实施例中，承载平台210的尺寸B1大于元件25的尺寸B2，而元件25的尺寸B2大于贯孔230的孔径A2(即孔径A1)。承载平台210凸出于第一面S1的高度例如是大于2微米。贯孔230的吸附端孔径A1等于抽气端孔径A2。换句话说，在本实施例中，贯孔230为柱状贯孔，然而本发明并不限于此。抽气孔110的孔径A3则大于贯孔230的孔径A1、A2以及元件25的尺寸B2。此外，相邻的两支撑柱220之间至少要相隔一距离D以于其间形成共通的空气流道。
请参考图1及图3，在本实施例中，转移支撑件200还包括多个标记结构240，凸出于第一面S1上，其中标记结构240的高度小于转移平台210的高度。如此一来，可在转移元件25的过程开始之前，通过标记结构240对准于元件25的承载基板20(见如图5)，进而提升转移平台210对准至元件25的精确性。
总括地说，转移支撑件200的第二面S2抵接在抽真空设备100上，以使抽气孔110与位于第二面S2的凹槽C连通，进而使抽气孔110与多个贯孔230连通。换句话说，当转移模块50被启动时，抽真空设备100可抽取抽气孔110、凹槽C以及多个贯孔230中的空气以吸附接触于多个贯孔230孔洞处(即接触于承载平台210的承载面212)的多个元件25。因此，在吸附元件25时，转移模块50通过位于转移支撑件200中第一面S1上的多个承载平台210对准于承载基板20的多个元件25，以及通过抽真空设备100抽取连通至抽气孔110的多个贯孔230中的空气，进而吸附多个元件25至多个承载平台210的承载面212上，如图5所绘示。
另一方面，在本实施例中，分布于凹槽C内的多个支撑柱220的支撑面222实际上与第二面S2共平面。因此，当转移支撑件200的第二面S2抵接在抽真空设备100上时，转移支撑件200中的多个支撑柱220可刚性支撑抽真空设备100，进而提高转移模块50的刚性强度。此外，由于多个支撑柱220分布于凹槽C内的部分空间，因此可进一步提供出从抽气孔110连通至多个贯孔230的多个真空流道路径。
请继续参考图5，在本实施例中，转移支撑件200上相邻两个承载平台210的间隔距离为相邻多个元件25的间隔距离。然而在其他实施例中，相邻两个承载平台210的间隔距离可以是相邻两个元件25的间隔距离，也可以是相邻元件25的间隔距离的整数倍。换句话说，在本发明的转移模块50中，可依据不同种类的元件的需求使用不同间隔距离的承载平台210的转移支撑件200，进而降低转移模块50的开发成本以对应不同规格或不同制作工艺制造的元件25。
另一方面，在本实施例中，抽真空设备100包括控制单元P以控制抽气孔110开关。在其他实施例中，抽真空设备100可通过控制单元P控制对应于多个抽气孔110的多个开关，进而通过控制抽气孔110的开关以达到吸附位于不同位置的元件25。如此一来，除了可进一步依需求转移特定位置的元件25，元件25也可通过转移模块50通过操作控制单元P被定址化或区域性的吸附。
进一步而言，本发明的转移模块50可应用于巨量转移技术以实现高产率、低成本的封装应用，例如是发光二极管封装或集成电路封装。本发明的转移模块50也可应用于使用微发光二极管的各样显示装置或电子元件或多功微系统中，进而提升封装产率、降低封装成本，并提升封装良率。
图6A至图6L为不同实施例的承载平台的示意图。请先参考图6A至图6D，在不同的实施例中，承载平台可以是选用如图6A所绘示的圆柱状承载平台210A、多边形柱状承载平台210B、210C或梯形柱状承载平台210D。换句话说，本发明的转移支撑件中的承载平台可选用不同形状的外型，以适配于不同形状的待转移元件，然而本发明并不限于此。
请参考图6E至图6H，在不同的实施例中，承载平台的边缘处可具有弧形结构，弧形结构的位置可位于承载平台210E中承载面212A的内缘(如图6E所绘示的弧形结构214A)、承载平台210F中承载面212B的外缘(如图6F所绘示的弧形结构214B)、承载平台210G的侧壁转折处(如图6G所绘示的弧形结构214C)或承载平台210H与第一面S1的交界处(如图6H所绘示的弧形结构214D)，然而本发明并不限于此。如此一来，可降低转移模块50在转移元件25过程中，承载平台210E、210F、210G、210H与元件25之间的应力。
请参考图6I至图6L，在不同的实施例中，承载平台具有凸出于承载面212的至少一限位部，且至少一限位部位于承载面212的外缘。举例而言，承载平台210I可具有四个位于承载面212各外缘中央处的限位部216A，如图6I所绘示。或者是，承载平台210J可具有四个位于承载面212各相邻外缘交界处的限位部216B，如图6J所绘示。或者是，承载平台210K可具有一个位于承载面212外缘处的环形限位部216C，如图6K所绘示。在这些实施例中，限位部216A、216B、216C的高度小于元件(见如图5的元件25)的厚度。限位部216A、216B、216C的宽度小于承载面尺寸与元件尺寸的差值的一半。
值得一提的是，在其他实施例中，承载平台210L可具有位于承载面212外缘处的环形限位部216D，且限位部216D具有斜面(tapered surface)218。详细而言，斜面218与承载面212的夹角为钝角。因此，当转移支撑件200与元件25接触时，元件25可进一步沿所对应的斜面218移动并接触承载面212，如图6L所绘示。总而言之，在不同的实施例中，可选用不同种类的限位部，然而本发明并不限于此。
图7A至图7H为不同实施例的支撑柱的示意图。请先参考图7A至图7D，在不同的实施例中，支撑柱可以是选用如图7A所绘示的圆柱状支撑柱220A、多边形柱状支撑柱220B、220C或梯形柱状支撑柱220D。换句话说，本发明的转移支撑件200中的支撑柱220可选用不同形状的外型，以刚性支撑抽真空设备并提升其刚性强度，然而本发明并不限于此。
请参考图7E至图7H，在不同的实施例中，支撑柱的边缘处可具有弧形结构，弧形结构的位置可位于支撑柱220E中支撑面222A的边缘(如图7E所绘示的弧形结构224A)、支撑柱220F的侧壁转折处(如图7F所绘示的弧形结构224B)、支撑柱220G与第二面S2的交界处(如图7G所绘示的弧形结构224C)或支撑柱220H中支撑面222B的边缘以及支撑柱220H与第二面S2的交界处(如图7H所绘示的弧形结构224D)，然而本发明并不限于此。如此一来，可降低转移模块50在转移元件25过程中，支撑柱220E、220F、220G、220H与抽真空设备100之间的应力。
图8A至图8C为不同实施例的支撑柱在凹槽中不同分布的示意图。请参考图8A至图8C，在不同的实施例中，支撑柱在转移支撑件200中第二面S2的分布可以为不同疏密程度的分布。举例而言，支撑柱220E可以在多个贯孔230所涵盖的范围内分布少数个，如图8A所绘示。或者是，支撑柱220F可以在每四个相邻贯孔230所涵盖的范围内分布一个，如图8B所绘示。或者是，支撑柱220G可以在每四个贯孔230所涵盖的范围内分布至少二个，如图8C所绘示，然而本发明并不限于此。
图9A至图9E为不同实施例的贯孔的示意图。请先参考图9A，在本实施例中，贯孔230A可为方形柱状贯孔，在其他实施例中，贯孔也可为其他形状的柱状，然而本发明并不限于此。请参考图9B及图9C，在不同的实施例中，转移支撑件200还包括多个刚性支撑件250A、250B，刚性支撑件250A、250B位于贯孔230B、230C其中之一内。在一些实施例中，各刚性支撑件250A、250B分别位于贯孔230B、230C其中之一内。但在一些其他的实施例中，仅部分的刚性支撑件250A、250B满足上述条件。举例而言，在其他实施例中，转移支撑件200可包括十字型的刚性支撑件250A于圆柱状贯孔230B中。在其他实施例中，转移支撑件200也可包括十字型的刚性支撑件250B于方形柱状贯孔230C中。如此一来，可在吸附元件25时，提供元件25刚性支撑力，进而有效率地将元件25转移至目标基板。
请参考图9D及图9E，在不同的实施例中，可于转移支撑件中选用不同孔径的贯孔。举例而言，转移支撑件200A中的贯孔230D可为锥状贯孔，且贯孔230D的孔径由承载面212往凹槽C的方向递增。详细而言，贯孔230D的抽气端孔径A2a大于吸附端孔径A1a，且吸附端至抽气端的孔径逐渐增加。换句话说，吸附端开口垂直延伸至凹槽C的方向与在吸附端开口延伸至抽气端开口的方向具有一角度θ，角度θ例如是小于15度且大于0度，较佳的，角度θ可以是小于10度且大于0度。在另一实施例中，转移支撑件200B中的贯孔230E具有孔径互异且相互连通的多个柱状空间E1、E2，且孔径较大(即孔径A2b)的柱状空间E2位于孔径较小(即孔径A1b)的柱状空间E1与凹槽C之间，如图9E所绘示。换句话说，贯孔230E为阶梯式的蚀刻穿孔。如此一来，可通过不同种类的柱状空间的贯孔调整在吸附元件25时的真空吸力。
图10为本发明另一实施例的转移模块的剖面示意图。请参考图10，本实施例的转移模块50A类似于图2中的转移模块50，不同的是，本实施例的转移支撑件200C具有多个不同的贯孔230F1、230F2、230F3，而这些贯孔230F1、230F2、230F3彼此不同。举例而言，贯孔230F1、230F2、230F3的体积正比于从凹槽C的中心处(即凹槽中心轴CA)至上述贯孔230F1、230F2、230F3的距离。从凹槽中心轴CA至贯孔230F2的距离大于从凹槽中心轴CA至贯孔230F1的距离，且贯孔230F2的体积大于贯孔230F1的体积。类似地，从凹槽中心轴CA至贯孔230F3的距离大于从凹槽中心轴CA至贯孔230F2的距离，且贯孔230F3的体积大于贯孔230F2的体积。换句话说，从贯孔230F1、230F2、230F3至凹槽中心轴CA的距离越大，则贯孔230F1、230F2、230F3的柱状空间的孔径差越大。
详细而言，位于凹槽C中心处的贯孔230F1的抽气端孔径A2c1与吸附端孔径A1c相同，即贯孔230F1为单一柱状空间。相邻贯孔230F1的贯孔230F2具有孔径(即孔径A1c与孔径A2c2)互异且相互连通的两个柱状空间E12、E22，且较大孔径A2c2的柱状空间E22位于较小孔径A1c的柱状空间E12与凹槽C之间。由于贯孔230F2与凹槽C的中心的距离大于贯孔230F1与凹槽C的中心的距离，因此贯孔230F2的柱状空间的孔径差(即孔径A2c2与孔径A1c的差值)大于贯孔230F1的柱状空间的孔径差(即孔径A2c1与孔径A1c的差值)。
相邻贯孔230F2且远离凹槽C中心处的贯孔230F3具有孔径(即孔径A1c与孔径A2c3)互异且相互连通的两个柱状空间E13、E23，且较大孔径A2c3的柱状空间E23位于较小孔径A1c的柱状空间E13与凹槽C之间。由于贯孔230F3与凹槽C的中心的距离大于贯孔230F2与凹槽C的中心的距离，因此贯孔230F3的柱状空间的孔径差(即孔径A2c3与孔径A1c的差值)大于贯孔230F2的柱状空间的孔径差(即孔径A2c2与孔径A1c的差值)。如此一来，可增加离凹槽中心轴CA较远的承载平台210的吸附力，进而使转移模块50A的多个承载平台210的吸附力更加分布均匀。
图11为本发明另一实施例的转移模块的剖面示意图。请参考图11，本实施例的转移模块50B类似于图2中的转移模块50，不同的是，本实施例的转移模块50B还包括吸附调整件300，设置于转移支撑件200D与抽真空设备100之间，吸附调整件300具有外框310以及限于外框310内的空腔320，外框310具有位于空腔320相对两侧的多个第一开口330_1、330_2、330_3与第二开口340，其中第一开口330_1、330_2、330_3个别连通多个贯孔230G的其中之一，第二开口340连通抽气孔110。第一开口330_1、330_2、330_3的孔径尺寸彼此不同。举例而言，第一开口330_1、330_2、330_3的孔径尺寸正比于从凹槽中心轴CA至上述第一开口330_1、330_2、330_3的距离。从凹槽中心轴CA至第一开口330_2的距离大于从凹槽中心轴CA至第一开口330_1的距离，且第一开口330_2的孔径尺寸大于第一开口330_1的孔径尺寸。类似地，从凹槽中心轴CA至第一开口330_3的距离大于从凹槽中心轴CA至第一开口330_2的距离，且第一开口330_3的孔径尺寸大于第一开口330_2的孔径尺寸。换句话说，第一开口330_1、330_2或330_3的第一部分具有第一孔径尺寸且第一开口330_1、330_2或330_3的第二部分具有大于第一孔径尺寸的第二孔径尺寸，且从凹槽中心轴CA至第一开口330_1、330_2或330_3的第一部分的第一距离小于从凹槽中心轴CA至第一开口330_1、330_2或330_3的第二部分的第二距离。
详细而言，位于凹槽C中心处的第一开口330_1的孔径A41与贯孔230G的孔径A1d相同。相邻第一开口330_1的第一开口330_2具有大于第一开口330_1孔径A41的孔径A42。而相邻第一开口330_2且远离凹槽C中心处的第一开口330_3具有大于第一开口330_2孔径A42的孔径A43。如此一来，可增加离凹槽中心轴CA较远的承载平台210的吸附力，进而使转移模块50B的多个承载平台210的吸附力更加分布均匀。
图12为本发明另一实施例的转移模块的剖面示意图。请参考图12，本实施例的转移模块50C类似于图2中的转移模块50，不同的是，本实施例的抽气孔110还包括多个第一抽气孔112及多个第二抽气孔114。第一抽气孔112连通于多个贯孔230，第二抽气孔114抵接支撑柱220以吸附转移支撑件200。如此一来，可增加转移支撑件200抵接于抽真空设备100的稳固性。在其他实施例中，第一抽气孔112及第二抽气孔114的数量及配置的顺序可依需求而有所变化，然而本发明并不限于此。
图13为本发明另一实施例的转移模块的局部剖面示意图。请参考图13，本实施例的转移支撑件200E类似于图10中的转移支撑件200C，不同的是，在本实施例的转移支撑件200E中，多个不同的贯孔230H1、230H2、230H3分别为单一柱状空间，且这些贯孔230H1、230H2、230H3所对应的孔径A51、A52、A53彼此不同。举例而言，孔径A51、A52、A53正比于从凹槽C的中心处(即凹槽中心轴CA)至上述贯孔230H1、230H2、230H3的距离。从凹槽中心轴CA至贯孔230H2的距离大于从凹槽中心轴CA至贯孔230H1的距离，且贯孔230H2的孔径尺寸或体积大于贯孔230H1的孔径尺寸或体积。类似地，从凹槽中心轴CA至贯孔230H3的距离大于从凹槽中心轴CA至贯孔230H2的距离，且贯孔230H3的孔径尺寸或体积大于贯孔230H2的孔径尺寸或体积。换句话说，从贯孔230H1、230H2、230H3至凹槽中心轴CA的距离越大，则贯孔230H1、230H2、230H3的柱状空间的孔径差越大。最大孔径不超过元件25的尺寸B3的三分之二。在其他实施例中，转移支撑件200E中的多个贯孔230H1、230H2、230H3也可直接连通于第二面S2，然而本发明不限于此。
图14为本发明一实施例的转移支撑件的剖面示意图。请参考图14，本实施例的转移支撑件200类似于图5的转移支撑件200，不同的是，本实施例的转移支撑件200的承载平台210与元件25(见如图5)接触的至少一部分的硬度大于待吸附元件的硬度。其硬度的划分标准可依材质采用莫氏硬度(Mohs scale of mineral hardness)、维氏硬度(Vickershardness)、洛氏硬度(Rockwell hardness)或布氏硬度(Brinell hardness)，本发明并不限于此。具体而言，在本实施例中，转移支撑件200中接触待吸附元件的至少一部分选用硬度大于待吸附元件硬度的材质制作，例如是选用氮化硅(Silicon nitride，SiNx)、氧化硅(Silicon oxide，SiOx)、二氧化钛(Titanium dioxide，TiO2)、金(Au)、钛(Ti)、钨(W)、类钻碳(diamond like carbon，DLC)、金刚石、氧化铝(Aluminium oxide，Al2O3)或其他硬度大于待吸附元件等材质。
由于转移支撑件200中接触待吸附元件的至少一部分选用硬度较大的材质制作，因此，在转移模块利用转移支撑件200吸附元件时，可防止转移支撑件200在吸附元件的过程中因接触及施压而使承载平台210损坏。此外，在本实施例中，转移支撑件200翘曲的幅度可小于等于1微米。如此一来，可进一步提升转移支撑件200的耐用程度及转移元件的精准度。在一些实施例中，转移支撑件200可整体选用硬度大于待吸附元件硬度的材质制作，本发明并不限于此。
图15为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图。请参考图15，本实施例的转移支撑件200类似于图14的转移支撑件200，不同的是，在本实施例中，转移支撑件200还包括多个保护图案270，分别配置于承载面212，这些保护图案270彼此不相连，且这些保护图案的硬度大于待转移元件的硬度。具体而言，在本实施例中，转移支撑件200包括基板202及配置于基板202中承载面212上的多个保护图案270，且保护图案270的硬度大于待转移元件的硬度。因此，在转移模块利用转移支撑件200吸附元件时，可通过保护图案270防止转移支撑件200在吸附元件的过程中因接触及施压而使承载平台210损坏。保护图案270可选用类钻碳、金刚石、氧化铝、氮化硅、氧化硅或二氧化钛制作而成，且基板202可选用硅(Si)、碳化硅(Silicon carbide，SiC)、氮化铝(Aluminum Nitride，AIN)或陶瓷制作而成，本发明并不限于此。此外，在本实施例中，转移支撑件200翘曲的幅度可小于等于1微米。
图16A至图16E为本发明不同实施例的承载平台的示意图。请先参考图16A及图16B，本实施例的保护图案270类似于图15的保护图案270，不同的是，在本实施例中，保护图案270至少局部地覆盖于承载面212上。换句话说，保护图案270不需完全地覆盖于承载面212上，因此可进一步节省材料，且同样可防止转移支撑件200在吸附元件的过程中因接触及施压而使承载平台210损坏。在一实施例中，保护图案270可切齐贯孔230配置，以使得保护图案270的外径L1小于承载平台210的外径L2，如图16A所绘示。在另一实施例中，可将保护图案270配置切齐承载平台210的外壁，如图16B所绘示，但本发明并不限于此。
在一实施例中，保护图案270A具有凸出的至少一限位部272，且限位部272环绕保护图案270，如图16C所绘示。具体而言，在本实施例中，限位部272的高度小于待吸附元件的厚度，且限位部272的宽度小于承载面212尺寸与待吸附元件尺寸的差值的一半。因此，在转移支撑件200吸附元件的过程中，可通过保护图案270A接触待吸附元件而使其限位于限位部272内，进而防止转移错位或转移误差。在不同的实施例中，可选用不同种类的限位部以限位待吸附元件，然而本发明并不限于此。
在一实施例中，承载平台210I具有凸出于承载面212的至少一限位部216A，且限位部216A位于承载面212的外缘。此外，在本实施例中，转移支撑件200还包括多个保护图案270B，分别配置于承载面212上。保护图案270B彼此不相连，且保护图案270B的硬度大于待吸附元件的硬度，如图16D所绘示。且在另一实施例中，保护图案270C可进一步覆盖住限位部216A，已达到更佳的保护效果，如图16E所绘示。因此，在转移支撑件200吸附元件的过程中，可通过保护图案270B、270C接触待吸附元件而使其限位于限位部216A内，进而防止转移错位或转移误差。
图17为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图。请参考图17，本实施例的转移支撑件200F类似于图15的转移支撑件200，不同的是，在本实施例中，转移支撑件200F还包括抗弯层280，配置于第一面S1或第二面S2的至少其中之一。具体而言，在本实施例中，抗弯层280包括第一抗弯层280_1与第二抗弯层280_2，其中第一抗弯层280_1与第二抗弯层280_2分别配置于第一面S1上与第二面S2上。如此一来，可通过抗弯层280以进一步使转移支撑件200F的整体应力达到平衡，进而防止转移支撑件200F翘曲。在其他实施例中，抗弯层280的数量可以为一个，且配置于第二面S2，或者是抗弯层280的数量为多个，且以不成对的方式分布于第一面S1及第二面S2，本发明并不限于此。
详细而言，在一些实施例中，抗弯层280可为多对，且分别配置于第一面S1上与第二面S2上以达到硬度或热膨胀系数上下平衡。因此，可进一步增加转移支撑件200F的结构强度同时达到应力平衡。但在其他的实施例中，可依据不同抗弯层280的材料特性相互匹配而非成对配置，本发明并不限于此。在本实施例中，抗弯层280可选用氮化硅(Siliconnitride，SiNx)、氧化硅(Silicon oxide，SiOx)、二氧化钛(Titanium dioxide，TiO2)、金(Au)、钛(Ti)或钨(W)制作而成，本发明并不限于此。此外，在一些实施例中，保护图案270也可被提供作为抗弯功能使用，本发明也不限于此。在本实施例中，转移支撑件200翘曲的幅度可小于等于1微米。
图18为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图。请参考图18，本实施例的转移支撑件200G类似于图17的转移支撑件200F，不同的是，在本实施例中，转移支撑件200G包括至少一抗弯层280及至少一保护层290，至少一抗弯层280配置于第二面S2，至少一保护层290配置于第一面S1以保护承载平台210避免于吸附元件的过程中损坏。换句话说，本实施例的保护层290除了提供保护功能之外，还可进一步提供类似于抗弯层280的抗弯功能，因此仅在转移支撑件200G的一侧配置抗弯层280。在本实施例中，抗弯层280及保护层290都为单一层结构，但在其他实施例中，可使用多个相同或不同材料的抗弯层280或保护层290以达到材料应力匹配，本发明并不限于此。因此，在本实施例中，由于转移支撑件200中所配置的抗弯层280及保护层290的材料匹配，可使转移支撑件200G的整体应力达到平衡，故可进一步防止转移支撑件200G翘曲。在本实施例中，转移支撑件200G翘曲的幅度可小于等于1微米。
在本实施例中，保护层290的硬度大于待吸附元件的硬度。本实施例的保护层290其详细选用制作材料类似于图15的保护图案270，不同之处在于保护层290为单一连续结构。如此一来，可通过保护层290防止转移支撑件200F在吸附元件的过程中因接触及施压而使承载平台210损坏。
图19为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图。请参考图19，本实施例的转移支撑件200G类似于图18的转移支撑件200G，不同的是，在本实施例中，保护层290具有凸出的至少一限位部292，以通过保护层290接触待吸附元件而使其限位于限位部292内，进而防止转移错位或转移误差，但本发明并不限于此。此外，在不同的实施例中，可选用不同种类的限位部292以限位待吸附元件，或是以其他材料额外形成限位部292，本发明也不限于此。
图20为本发明另一实施例的转移支撑件的剖面示意图。请参考图20，本实施例的转移支撑件200H类似于图18的转移支撑件200G，不同的是，在本实施例中，转移支撑件200H包括至少一第一抗弯层280_1、至少一第二抗弯层280_2及至少一保护层290。第一抗弯层280_1配置于第一面S1，第二抗弯层280_2配置于第二面S2，保护层290配置于第一抗弯层280_1，且第一抗弯层280_1位于第二抗弯层280_2与保护层290之间，其中保护层290的硬度大于待吸附元件的硬度。因此，在本实施例中，由于转移支撑件200中所配置的第一抗弯层280_1、第二抗弯层280_2及保护层290的材料匹配，可使整体转移支撑件200G的应力达到平衡，故可进一步防止转移支撑件200G翘曲。在本实施例中，保护层290其详细选用制作材料类似于图15的保护图案270，因此不再赘述。
在本实施例中，第一抗弯层280_1及第二抗弯层280_2的数量都为两层，但本发明并不限于此。换句话说，在一些实施例中，第一抗弯层280_1及第二抗弯层280_2的数量可依使用情况调整为单一成对、多数成对或非成对配置以达到整体转移支撑件200G的应力达到平衡，本发明并不限于此。
值得一提的是，上述图15至图20的实施例中有关于保护图案270、抗弯层280或保护层290的实施方式也可以进一步应用配置于图1至图13的转移支撑件上，以防止转移支撑件在吸附元件的过程中因接触及施压而使承载平台210损坏，除此之外，由于抗弯层280与保护层290之间应力达到平衡，因此可进一步减少转移支撑件的翘曲，但本发明并不限于此。
综上所述，在本发明的转移模块中，转移支撑件配置于抽真空设备上以使抽气孔与多个贯孔连通，进而通过多个贯孔吸附多个元件至承载平台上，可快速且有效率地将元件转移至目标基板。
虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。
Claims (24)
1.一种转移支撑件，适于与多个元件接触，其特征在于，所述转移支撑件具有第一面、与所述第一面相对的第二面、位于所述第二面上的凹槽、凸出于所述第一面上的多个承载平台、分布于所述凹槽内的多个支撑柱以及多个贯孔，其中所述多个承载平台具有适于与所述多个元件接触的多个承载面，所述多个贯孔由所述多个承载平台的所述多个承载面延伸至所述凹槽。
2.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，相邻两所述支撑柱之间相隔一距离以形成空气流道。
3.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，所述多个承载平台与所述多个元件接触的至少一部分的硬度大于所述多个元件的硬度。
4.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，还包括：
多个保护图案，分别配置于所述多个承载面，所述多个保护图案彼此不相连，且所述多个保护图案的硬度大于所述多个元件的硬度。
5.如权利要求4所述的转移支撑件，其特征在于，所述多个保护图案至少局部地覆盖于所述多个承载面上。
6.如权利要求4所述的转移支撑件，其特征在于，所述多个保护图案具有凸出的至少一限位部，且所述至少一限位部环绕所述多个保护图案。
7.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，所述多个承载平台对应于所述凹槽分布。
8.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，所述多个贯孔为柱状贯孔，或者所述多个贯孔为锥状贯孔，而所述多个贯孔的孔径由所述多个承载面往所述凹槽的方向递增。
9.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，所述多个贯孔具有孔径互异且相互连通的多个柱状空间，且孔径较大的柱状空间位于孔径较小的柱状空间与所述凹槽之间。
10.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，所述多个贯孔与所述凹槽的中心的距离越大，则所述多个柱状空间的孔径差越大。
11.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，所述承载平台具有凸出于所述多个承载面的至少一限位部，所述至少一限位部位于所述多个承载面的外缘。
12.如权利要求11所述的转移支撑件，其特征在于，还包括：
多个保护图案，分别配置于所述多个承载面，所述多个保护图案彼此不相连，且所述多个保护图案的硬度大于所述多个元件的硬度。
13.如权利要求11所述的转移支撑件，其特征在于，所述多个保护图案覆盖住所述至少一限位部。
14.如权利要求11所述的转移支撑件，其特征在于，所述至少一限位部具有斜面，当所述转移支撑件与所述多个元件接触时，所述多个元件沿所对应的所述斜面移动并接触所述多个承载面。
15.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，还包括：
多个刚性支撑件，位于所述多个贯孔内。
16.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，还包括：
多个标记结构，凸出于所述第一面上，其中所述多个标记结构的高度小于所述多个转移平台的高度。
17.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，还包括：
至少一抗弯层，配置于所述第一面或所述第二面的至少其中之一；以及
多个保护图案，配置于所述第一面上，其中所述多个保护图案彼此不相连，且所述多个保护图案的硬度大于所述多个元件的硬度。
18.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，还包括：
至少一抗弯层，配置于所述第二面；以及
至少一保护层，配置于所述第一面，其中所述至少一保护层的硬度大于所述多个元件的硬度。
19.如权利要求18所述的转移支撑件，其特征在于，所述至少一保护层的其中之一具有凸出的多个限位部。
20.如权利要求18所述的转移支撑件，其特征在于，还包括：
多个限位部，配置于所述至少一保护层。
21.如权利要求1所述的转移支撑件，其特征在于，还包括：
至少一第一抗弯层，配置于所述第一面；
至少一第二抗弯层，配置于所述第二面；以及
至少一保护层，配置于所述至少一第一抗弯层，所述至少一第一抗弯层位于所述至少一第二抗弯层与所述至少一保护层之间，其中所述至少一保护层的硬度大于所述多个元件的硬度。
22.一种转移模块，适于吸附多个元件，其特征在于，所述转移模块包括：
抽真空设备，具有至少一抽气孔；以及
如权利要求1至21中任一所述的转移支撑件，配置于所述抽真空设备上以覆盖所述至少一抽气孔。
23.如权利要求22所述的转移模块，其特征在于，还包括：
吸附调整件，设置于所述转移支撑件与所述抽真空设备之间，所述吸附调整件具有外框以及位于所述外框内的空腔，所述外框具有位于所述空腔相对两侧的多个第一开口与至少一第二开口，其中所述多个第一开口连通所述多个贯孔，所述至少一第二开口连通所述至少一抽气孔，且从所述多个第一开口至所述凹槽中心的距离越大，则所述多个第一开口的孔径尺寸越大。
24.如权利要求22所述的转移模块，其特征在于，所述至少一抽气孔包括多个第一抽气孔及多个第二抽气孔，所述多个第一抽气孔连通于所述多个贯孔，所述多个第二抽气孔抵接所述多个支撑柱以吸附所述转移支撑件。
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