CN109244171A - 一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法 - Google Patents

一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109244171A
CN109244171A CN201810999865.1A CN201810999865A CN109244171A CN 109244171 A CN109244171 A CN 109244171A CN 201810999865 A CN201810999865 A CN 201810999865A CN 109244171 A CN109244171 A CN 109244171A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar battery
layer
inorganic perovskite
light
perovskite solar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810999865.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109244171B (zh
Inventor
王云祥
刘黎明
吴艳花
王红航
迟锋
杨健君
张智
易子川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201810999865.1A priority Critical patent/CN109244171B/zh
Publication of CN109244171A publication Critical patent/CN109244171A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109244171B publication Critical patent/CN109244171B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法。本发明提出的钙钛矿太阳能电池的结构从上至下包括导电玻璃、光阳极层、电子传输层、钙钛矿吸光层、光活化层、电极层，其中，光活化层材料为过渡金属硫化物MoS2、黑磷、CsCu5Se3等。本发明中无机钙钛矿太阳能电池采用光活化层与钙钛矿吸光层构成双光吸收层，提高对可见光和部分红外光的吸收，实现光吸收互补，提高电池的光谱利用率和光生载流子提取效率，从而极大的提高了电池的效率。

Description

一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
新型太阳能电池研究是世界可再生能源领域科技竞争的制高点，吸引了科技界和产业界的广泛关注。有机-无机杂化钙钛矿材料具有带隙可调、吸收系数高、载流子寿命长和载流子迁移率高等优点。国内外对有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池该类电池的研究非常活跃，进展也十分迅猛，在短短几年时间里其光电转换效率就由最初2009年的3.8％提升到了最近的23.3％。该效率完全可与传统商业化的硅太阳能电池的效率相媲美。尽管有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池效率已经很高，还存在一些亟待突破的关键性问题，其中最大的挑战是电池的稳定性问题。
无机钙钛矿具有与有机-无机杂化钙钛矿相似的晶体结构和相近的光电特性，同时又具有极好的化学稳定性和热力学稳定性，为发展高稳定性的钙钛矿太阳能电池提供了材料选择。
基于CsPbBr3和碳电极的全无机钙钛矿太阳能电池，摒弃了不稳定的有机.无机杂化钙钛矿，也无需昂贵的空穴传输层和贵金属电极，是首个完全以无机材料构成的钙钛矿太阳能电池，其性能非常稳定，制备方便，无需在手套箱中操作。由于无需昂贵的空穴输出层(HTMs)和贵金属电极，器件成本也大大降低。但是CsPbBr3无机钙钛矿太阳能电池的效率明显偏低，无法与有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池相媲美。主要原因是无机钙钛矿的光学带隙过宽，导致能吸收利用的太阳光谱范围较窄。
发明内容
为了解决现有技术中存在的CsPbBr3带隙较宽，光谱吸收范围偏窄，CsPbBr3无机钙钛矿太阳能电池效率低下的问题，本发明提供了一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法，且制备方法简单，与传统CsPbBr3无机钙钛矿太阳能电池的制备方法兼容。
本发明具体提供的是一种活化层与无机钙钛矿层构成双光吸收层的宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的结构及其制备方法。上述钙钛矿太阳能电池的结构从上至下包括导电玻璃、光阳极层、电子传输层、钙钛矿吸光层、光活化层、电极层。
本发明技术方案还包括上述钙钛矿太阳能电池制备方法，具体步骤如下：
1.在导电玻璃上依次制备光阳极层、电子传输层。
2.在电子传输层上旋涂无机钙钛矿其躯体溶液，制备钙钛矿薄膜，形成钙钛矿吸光层。
3.在钙钛矿层上制备光活化层。
4.在光活性层上制备电极层，得到无机钙钛矿太阳能电池。
优选的是，导电玻璃包含透明玻璃和粘贴在所述透明玻璃上的导电薄膜氟氧化锡(FTO)。
优选的是，光阳极层为致密二氧化钛。
优选的是，电子传输层为介孔二氧化钛。
优选的是，无机钙钛矿吸光层为CsPbBr3。
优选的是，无机钙钛矿吸光层厚度为300nm～600nm。
优选的是，光活化层为MoS2、黑磷、CsCu5Se3等新型半导体纳米材料。
优选的是，电极层为碳电极。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
在现有基础无机钙钛矿太阳能电池器件结构中加入光活化层。光活化层与钙钛矿吸光层构成双光吸收层，提高对可见光和部分红外光的吸收，实现光吸收互补，提高电池的光谱利用率和光生载流子提取效率，从而极大的提高了电池的效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为本发明所举实例中宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的结构示意图。
附图标记为：导电玻璃—1，光阳极层—2，电子传输层—3，钙钛矿吸光层—4，光活化层—5，电极层—6。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施，但本发明的实施方式不限于此
实施例1：
如图1所示，一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构从上至下依次为导电玻璃—1，光阳极层—2，电子传输层—3，钙钛矿吸光层—4，光活化层—5，电极层—6。
(1)对透明玻璃及FTO所组成的导电玻璃1分别用丙酮、异丙醇、
去离子水进行超声清洗10～20分钟，然后用氮气流吹干，再对导电玻璃1进行紫外臭氧处理20～30分钟。
(2)在导电玻璃1上制备光阳极层2。使用溶胶凝胶法在导电玻璃上涂上一层致密二氧化钛。
(3)在光阳极层2上制备电子传输层3。使用水热法在致密二氧化钛上制备一层介孔二氧化钛。
(4)在电子传输层3上制备钙钛矿吸光层4。具体是将1.2mol/L PbBr2的DMF溶液旋涂在电子传输层介孔二氧化钛上，将其置于80℃的加热台上退火处理30分钟。然后,将其置入15mg/mL的CsBr的甲醇溶液中,浸泡30分钟，再将其放在250℃的加热板上退火处理3分钟，形成钙钛矿CsPbBr3薄膜。
(5)在钙钛矿吸光层4上制备光活化层5。所述光活化层材料为MoS2。通过液相剥离法制备溶度为1mg/mL的二硫化钼前驱体溶液，然后以3000转/分的转速涂在钙钛矿吸光层4上，形成光活化层。
(6)在光活化层5上制备电极层6。通过丝网印刷法制备碳电极铺在所述光火层5表面上。
实施例2：
如图1所示，一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构从上至下依次为导电玻璃—1，光阳极层—2，电子传输层—3，钙钛矿吸光层—4，光活化层—5，电极层-6。
(1)对透明玻璃及FTO所组成的导电玻璃1分别用丙酮、异丙醇、去离子水进行超声清洗10～20分钟，然后用氮气流吹干，再对导电玻璃1进行紫外臭氧处理20～30分钟。
(2)在导电玻璃1上制备光阳极层2。使用溶胶凝胶法在导电玻璃上涂上一层致密二氧化钛。
(3)在光阳极层2上制备电子传输层3。使用水热法在致密二氧化钛上制备一层介孔二氧化钛。
(4)在电子传输层3上制备钙钛矿吸光层4。具体是将1.2mol/L PbBr2的DMF溶液旋涂在电子传输层介孔二氧化钛上，将其置于80℃的加热台上退火处理30分钟。然后,将其置入15mg/mL的CsBr的甲醇溶液中,浸泡30分钟，再将其放在250℃的加热板上退火处理3分钟，形成钙钛矿CsPbBr3薄膜。
(5)在钙钛矿吸光层4上制备光活化层5。所述光活化层材料为黑磷。通过液相剥离法制备溶度为10mg/mL的前驱体溶液，然后以3000转/分的转速涂在钙钛矿吸光层4上，形成光活化层。
(6)在光活化层5上制备电极层6。通过丝网印刷法制备碳电极铺在所述光火层5表面上。
实例3
如图1所示，一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构从上至下依次为导电玻璃—1，光阳极层—2，电子传输层—3，钙钛矿吸光层—4，光活化层—5，电极层-6。
(1)对透明玻璃及FTO所组成的导电玻璃1分别用丙酮、异丙醇、去离子水进行超声清洗10～20分钟，然后用氮气流吹干，再对导电玻璃1进行紫外臭氧处理20～30分钟。
(2)在导电玻璃1上制备光阳极层2。使用溶胶凝胶法在导电玻璃上涂上一层致密二氧化钛。
(3)在光阳极层2上制备电子传输层3。使用水热法在致密二氧化钛上制备一层介孔二氧化钛。
(4)在电子传输层3上制备钙钛矿吸光层4。具体是将1.2mol/L PbBr2的DMF溶液旋涂在电子传输层介孔二氧化钛上，将其置于80℃的加热台上退火处理30分钟。然后,将其置入15mg/mL的CsBr的甲醇溶液中,浸泡30分钟，再将其放在250℃的加热板上退火处理3分钟，形成钙钛矿CsPbBr3薄膜。
(5)在钙钛矿吸光层4上制备光活化层5。所述光活化层材料为CsCu5Se3。将溶度为1mg/ml的CsCu5Se3前驱体溶液，然后以3000转/分的转速涂在钙钛矿吸光层4上，形成光活化层。
(6)在光活化层5上制备电极层6。通过丝网印刷法制备碳电极铺在所述光火层5表面上。

Claims (9)

1.本发明公开一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的结构及其制备方法，其特征在于，本发明提出的无机钙钛矿太阳能电池的结构从上至下包括导电玻璃、光阳极层、电子传输层、钙钛矿吸光层、光活化层、电极层。
2.根据权利要求1所述的一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
在导电玻璃上依次制备光阳极层、电子传输层；
在电子传输层上旋涂无机钙钛矿前驱体溶液，制备钙钛矿薄膜，形成钙钛矿吸光层；
在钙钛矿吸光层上制备光活化层；
在光活化层上制备电极层，得到无机钙钛矿太阳能电池。
3.如权利要求2所述的一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，导电玻璃包含透明玻璃和粘贴在所述透明玻璃上的导电玻璃FTO。
4.如权利要求2所述的一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，光阳极层为致密二氧化钛。
5.如权利要求2所述的一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，电子传输层为介孔二氧化钛。
6.如权利要求2所述的一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，无机钙钛矿吸光层为CsPbBr3。
7.如权利要求2所述的一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，无机钙钛矿吸光层厚度为300nm～600nm。
8.如权利要求2所述的一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，光活化层为MoS2、黑磷、CsCu5Se3等新型半导体纳米材料。
9.如权利要求2所述的一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，电极层为碳电极。
CN201810999865.1A 2018-08-29 2018-08-29 一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法 Active CN109244171B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810999865.1A CN109244171B (zh) 2018-08-29 2018-08-29 一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810999865.1A CN109244171B (zh) 2018-08-29 2018-08-29 一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109244171A true CN109244171A (zh) 2019-01-18
CN109244171B CN109244171B (zh) 2020-07-28

Family

ID=65069559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810999865.1A Active CN109244171B (zh) 2018-08-29 2018-08-29 一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109244171B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110176472A (zh) * 2019-05-29 2019-08-27 武汉理工大学 含光谱选择层的黑磷和晶硅叠层薄膜太阳能电池及其制造方法
CN110635041A (zh) * 2019-09-03 2019-12-31 理天光电科技(苏州)有限公司 薄膜太阳能电池及其制备方法
CN112909126A (zh) * 2021-02-02 2021-06-04 中南大学 一种PVK-TMDCs范德华异质结及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106129256A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 戚明海 一种以黑磷为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN106654020A (zh) * 2017-01-24 2017-05-10 中国科学院上海硅酸盐研究所 体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池
CN106887520A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 北京大学 一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107104190A (zh) * 2017-06-23 2017-08-29 中南大学 一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107431131A (zh) * 2015-03-20 2017-12-01 积水化学工业株式会社 柔性太阳能电池
CN107564978A (zh) * 2017-08-30 2018-01-09 合肥工业大学 一种铯铅溴无机钙钛矿薄膜的制备方法及基于其的光伏器件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107431131A (zh) * 2015-03-20 2017-12-01 积水化学工业株式会社 柔性太阳能电池
CN106887520A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 北京大学 一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106129256A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 戚明海 一种以黑磷为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN106654020A (zh) * 2017-01-24 2017-05-10 中国科学院上海硅酸盐研究所 体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池
CN107104190A (zh) * 2017-06-23 2017-08-29 中南大学 一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107564978A (zh) * 2017-08-30 2018-01-09 合肥工业大学 一种铯铅溴无机钙钛矿薄膜的制备方法及基于其的光伏器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XIAOWEN CHANG ET AL.: "Carbon-Based CsPbBr3 Perovskite Solar Cells:All-Ambient Processes and High Thermal Stability", 《ACS APPL. MATER.INTERFACES》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110176472A (zh) * 2019-05-29 2019-08-27 武汉理工大学 含光谱选择层的黑磷和晶硅叠层薄膜太阳能电池及其制造方法
CN110176472B (zh) * 2019-05-29 2021-03-09 武汉理工大学 含光谱选择层的黑磷和晶硅叠层薄膜太阳能电池及其制造方法
CN110635041A (zh) * 2019-09-03 2019-12-31 理天光电科技(苏州)有限公司 薄膜太阳能电池及其制备方法
CN112909126A (zh) * 2021-02-02 2021-06-04 中南大学 一种PVK-TMDCs范德华异质结及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109244171B (zh) 2020-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105336862B (zh) 一种整体堆叠双结钙钛矿太阳能电池及其制备方法
Zhang et al. Effects of TiO2 film thickness on photovoltaic properties of dye-sensitized solar cell and its enhanced performance by graphene combination
Luan et al. Electrophoretic deposition of reduced graphene oxide nanosheets on TiO2 nanotube arrays for dye-sensitized solar cells
Yang et al. All-solution processed semi-transparent perovskite solar cells with silver nanowires electrode
CN105047826B (zh) 一种在钙钛矿层中掺入硫化镉的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN101462768B (zh) 一种二氧化钛介孔球的制备方法
CN106340587B (zh) 钙钛矿膜的制备方法和钙钛矿太阳能电池
CN104733183B (zh) 钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN109244171A (zh) 一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法
CN103824697A (zh) 一种染料敏化太阳能电池光阳极活性膜及其制备方法
CN108039411A (zh) 一种钙钛矿型太阳能电池及其修饰层制备方法
CN107154460A (zh) 一种全碳基钙钛矿太阳能电池及其制备工艺
CN101866753B (zh) 染料敏化太阳能电池光阳极表面的处理方法
CN104157786A (zh) 钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN109103280B (zh) 全无机钙钛矿铁电纤维复合结构的太阳能电池及制备方法
CN107570190A (zh) 碳掺杂氮化碳薄膜电极的制备方法
CN101567268B (zh) 一种三元双层二氧化钛膜的制备方法
CN103943368A (zh) 一种新型含锗钙钛矿材料及其太阳能电池
CN105489766A (zh) 一种不锈钢衬底的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105990524A (zh) [6，6]-苯基-c61-丁酸(pcba)作为界面修饰层制备高效率平面异质结钙钛矿结构的太阳能电池
CN102486967B (zh) 复合有序多孔纳米二氧化钛薄膜的制备方法
CN104347275A (zh) 一种全固态敏化太阳能电池及其制备方法
CN106328813B (zh) 一种高稳定性掺铯钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN106373784B (zh) 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN105374939B (zh) 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Liu Liming

Inventor after: Wang Honghang

Inventor after: Wang Yunxiang

Inventor after: Wu Yanhua

Inventor after: Late Feng

Inventor after: Yang Jianjun

Inventor after: Zhang Zhi

Inventor after: Yi Zichuan

Inventor before: Wang Yunxiang

Inventor before: Liu Liming

Inventor before: Wu Yanhua

Inventor before: Wang Honghang

Inventor before: Late Feng

Inventor before: Yang Jianjun

Inventor before: Zhang Zhi

Inventor before: Yi Zichuan

CB03 Change of inventor or designer information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant