CN109216565A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109216565A
CN109216565A CN201710523910.1A CN201710523910A CN109216565A CN 109216565 A CN109216565 A CN 109216565A CN 201710523910 A CN201710523910 A CN 201710523910A CN 109216565 A CN109216565 A CN 109216565A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
doped layer
hole
organic electroluminescence
doped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710523910.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109216565B (zh
Inventor
李维维
刘胜芳
闵超
徐磊
高孝裕
黄秀颀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to CN201710523910.1A priority Critical patent/CN109216565B/zh
Application filed by Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd filed Critical Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority to JP2019544684A priority patent/JP6805359B2/ja
Priority to PCT/CN2018/088066 priority patent/WO2019001182A1/zh
Priority to KR1020197023719A priority patent/KR102252104B1/ko
Priority to US16/327,339 priority patent/US11233201B2/en
Priority to EP18825159.9A priority patent/EP3567646B1/en
Priority to TW107118555A priority patent/TWI692894B/zh
Publication of CN109216565A publication Critical patent/CN109216565A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109216565B publication Critical patent/CN109216565B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/157—Hole transporting layers between the light-emitting layer and the cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。包括：空穴注入层，包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，第一掺杂层包括P‑型掺杂物；第二掺杂层包括P‑型掺杂物和空穴传输材料；空穴传输层，形成于空穴注入层上；以及电子阻挡层，形成于空穴传输层上；其中，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。第一掺杂层中的P‑型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命；第二掺杂层中，通过调节P‑型掺杂物的掺杂浓度，能够控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。同时，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光是指有机发光材料在电流或者电场的激发作用下发光的现象。有机电致发光器件(OLED，Organic Light-Emitting Diode)具有主动发光、发光效率高、反应时间快(1μs量级)、工作电压低(3v～10v)、广视角(＞175°以上)、面板厚度薄(＜1mm)、功耗低、工作温度范围广(﹣40℃～﹢85℃)以及可以实现柔性显示等诸多优点，因此引起了广泛的关注。
传统的有机电致发光器件导入量产后，寿命下降严重，LT97的寿命往往低于180小时，不利于应用。
发明内容
基于此，有必要针对传统的有机电致发光器件的寿命下降严重问题，提供一种能够提升寿命的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括：
空穴注入层，包括第一掺杂层或者第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层包括P-型掺杂物；所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料；
空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；
以及电子阻挡层，形成于所述空穴传输层上；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。
上述有机电致发光器件中，第一掺杂层中的P-型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命；第二掺杂层中，通过调节P-型掺杂物的掺杂浓度，能够控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。同时，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。
在其中一个实施例中，所述第二掺杂层中，所述P-型掺杂物的掺杂浓度为3wt％～8wt％。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层包括所述第一掺杂层和形成于所述第一掺杂层上的所述第二掺杂层，所述第二掺杂层靠近所述空穴传输层。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层包括所述第二掺杂层和形成于所述第二掺杂层上的所述第一掺杂层，所述第一掺杂层靠近所述空穴传输层。
在其中一个实施例中，当所述空穴注入层由所述第一掺杂层组成时，所述第一掺杂层的厚度为5nm～20nm；
当所述空穴注入层由所述第二掺杂层组成时，所述第二掺杂层的厚度为10nm～30nm；
当所述空穴注入层包括所述第一掺杂层和所述第二掺杂层时，所述第一掺杂层的厚度为1nm～10nm，所述第二掺杂层的厚度为10nm～20nm。
在其中一个实施例中，所述P-型掺杂物选自NDP-2和NDP-9中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述空穴传输材料和所述空穴传输层的材料独立选自式(1)或式(2)所示结构中的至少一种：
其中，式(1)中A和B独立选自苯基、萘基或苯胺基；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6～C30的亚稠杂环芳基、C6～C20的烷基和C6～C30的醇基中的一种；
R9、R10、R11和R12独立选自C6～C30的芳基中的一种；
式(2)中A1和A2独立选自C6～C30芳基和C6～C30杂环芳基中的一种，R1’选自氢、烷基、烷氧基和盐基中的一种；
并且，式(2)同时满足以下条件：A1和A2中的至少一个具有缩环构造。
在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的材料选自式(3)、式(4)、式(5)或式(6)所示结构的茚并芴衍生物中的至少一种：
其中，A和B独立选自苯基、萘基和苯胺基中的一种；
R9、R10、R11和R12独立选自C6～C30的芳基中的一种；
R13选自C1～C6烷基和羟基中的一种。
在其中一个实施例中，所述有机电致发光器件为共用蓝光电子阻挡层的有机电致发光器件。
此外，还提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
形成空穴注入层，所述空穴注入层包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层包括P-型掺杂物，所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料；
在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
以及在所述空穴传输层上形成电子阻挡层；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。
采用上述有机电致发光器件的制备方法得到的有机电致发光器件中，第一掺杂层中的P-型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命；第二掺杂层中，通过调节P-型掺杂物的掺杂浓度，能够控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。同时，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图2为实施例1的有机电致发光器件的示意图；
图3为实施例2的有机电致发光器件的示意图；
图4为实施例5的有机电致发光器件的示意图；
图5为实施例6的有机电致发光器件的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
本发明的一种有机电致发光器件，其包括：空穴注入层，包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，第一掺杂层包括P-型掺杂物；第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料；空穴传输层，形成于空穴注入层上；
以及电子阻挡层，形成于空穴传输层上；其中，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。
实施方式一的有机电致发光器件包括阳极和依序形成在阳极上的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、电子传输层以及阴极。
其中，空穴注入层包括第一掺杂层。第一掺杂层包括P-型掺杂物。P-型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命。
在前述实施方式的基础上，空穴注入层由第一掺杂层组成。第一掺杂层由P-型掺杂物组成。此时，第一掺杂层中只含有P-型掺杂物，更有利于提高空穴的注入量，从而提升量产器件的寿命。需要说明的是，该实施方式中的P-型掺杂物中可包含少量化学计量范围内的杂质，这些杂质可忽略不计。
在前述实施方式的基础上，P-型掺杂物选自NDP-2和NDP-9中的至少一种。这类掺杂材料能够注入大量的空穴，从而减小阳极与空穴传输层之间的能级差，从而有利于空穴传递至空穴传输层。当然，P-型掺杂物并不限于上述实施方式，亦可选自其它能够起到减小阳极与空穴传输层之间能级差的材料。
在前述实施方式的基础上，第一掺杂层的厚度为5nm～20nm。当第一掺杂层的厚度为5nm～20nm时，一方面，能够有效覆盖阳极表面，从而消除阳极表面粗糙引起的缺陷；另一方面，能够调控空穴的注入量，更有利于空穴传递至有机发光层，与电子进行复合发光。
需要说明的是，当空穴注入层包括第一掺杂层时，第一掺杂层可以为一层P-型掺杂物，亦可以为两层或者两层以上的不同的P-型掺杂物的叠加。
空穴传输层形成于空穴注入层上。电子阻挡层形成于空穴传输层上。其中，空穴传输层与电子阻挡层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。
在前述实施方式的基础上，空穴传输层的材料选自式(1)或式(2)所示结构中的至少一种：
其中，式(1)中A和B独立选自苯基、萘基或苯胺基；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6～C30的亚稠杂环芳基、C6～C20的烷基和C6～C30的醇基中的一种；
R9、R10、R11和R12独立选自C6～C30的芳基中的一种；
式(2)中A1和A2独立选自C6～C30芳基和C6～C30杂环芳基中的一种，R1’选自氢、烷基、烷氧基和盐基中的一种；
并且，式(2)同时满足以下条件：A1和A2中的至少一个具有缩环构造。
在前述实施方式的基础上，空穴传输层的材料选自式(HTL-1)-(HTL-10)所示结构的至少一种：
上述空穴传输层的材料具有好的传输特性，迁移率比较高，能够缩短与电子阻挡层的HOMO能级差，更有利于空穴的传递与传输。此外，上述空穴传输层的材料本身性能比较稳定，可以制备得到性能比较稳定的器件。
需要说明的是，空穴传输层的材料不限于此，亦可选自其它能够起到相同作用的材料。
在前述实施方式的基础上，空穴传输层的厚度为10nm～100nm。当空穴传输层的厚度为10nm～100nm时，更有利于空穴传输与光学微腔的调节。
在前述实施方式的基础上，电子阻挡层的材料选自式(3)、式(4)、式(5)或式(6)所示结构的茚并芴衍生物中的至少一种：
其中，A和B独立选自苯基、萘基和苯胺基中的一种；
R9、R10、R11和R12独立选自C6～C30的芳基中的一种；
R13选自C1～C6烷基和羟基中的一种。
在前述实施方式的基础上，电子阻挡层的材料选自以下的分子式化合物EBL-1到EBL-12中的至少一种：
上述电子阻挡层的材料的LUMO能级的绝对值小于有机发光层的LUMO能级的绝对值，从而能够将电子阻挡在有机发光层，以提升效率。
需要说明的是，电子阻挡层的材料不限于此，亦可选自其它能够起到相同作用的材料。
在前述实施方式的基础上，电子阻挡层的厚度为1nm～10nm。当电子阻挡层的厚度为1nm～10nm时，可以有效阻挡电子传出发光层，同时控制器件的电压。在前述实施方式的基础上，有机电致发光器件为共用蓝光电子阻挡层的有机电致发光器件。此时，一方面，共用蓝光电子阻挡层能够增加红光和蓝光的补偿；另一方面，制备这种共用蓝光电子阻挡层的有机电致发光器件时，由于蓝光电子阻挡层为共用层，因此，蒸镀时只需使用普通金属遮罩(CMM)即可，而无需使用精密金属遮罩(FMM)，从而有利于简化生产工艺难度。
实施方式一的有机电致发光器件中，空穴注入层包括第一掺杂层，第一掺杂层包括P-型掺杂物。P-型掺杂物可以增大空穴注入量，有利于提升寿命。
实施方式二的有机电致发光器件与实施方式一的有机电致发光器件的区别在于：空穴注入层包括第二掺杂层。第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料。通过调节P-型掺杂物的掺杂浓度，能够控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。
在前述实施方式的基础上，空穴注入层由第二掺杂层组成。第二掺杂层由P-型掺杂物和空穴传输材料组成。此时，第二掺杂层中只含有P-型掺杂物和空穴传输材料，更有利于控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。需要说明的是，该实施方式中的P-型掺杂物和空穴传输材料中均可包含少量化学计量范围内的杂质，这些杂质可忽略不计。
在前述实施方式的基础上，第二掺杂层中，P-型掺杂物的掺杂浓度为3wt％～8wt％。当P-型掺杂物的掺杂浓度为3wt％～8wt％时，可以有效调节器件寿命和效率的平衡性。
在前述实施方式的基础上，第二掺杂层的厚度为10nm～30nm。当第二掺杂层的厚度为10nm～30nm时，能够保证空穴的注入，从而有效调节器件寿命和效率的平衡性。
在前述实施方式的基础上，空穴传输材料选自式(1)或式(2)所示结构中的至少一种：
其中，式(1)中A和B独立选自苯基、萘基或苯胺基；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6～C30的亚稠杂环芳基、C6～C20的烷基和C6～C30的醇基中的一种；
R9、R10、R11和R12独立选自C6～C30的芳基中的一种；
式(2)中A1和A2独立选自C6～C30芳基和C6～C30杂环芳基中的一种，R1’选自氢、烷基、烷氧基和盐基中的一种；
并且，式(2)同时满足以下条件：A1和A2中的至少一个具有缩环构造。
在前述实施方式的基础上，空穴传输材料选自式(HTL-1)-(HTL-10)所示结构的至少一种：
上述空穴传输材料具有好的传输特性，迁移率比较高，更有利于空穴的传递与传输。此外，上述空穴传输材料本身性能比较稳定，可以制备得到性能比较稳定的器件。
需要说明的是，空穴传输材料不限于此，亦可选自其它能够起到相同作用的材料。
此外需要说明的是，在同一个有机电致发光器件中，第二掺杂层的空穴传输材料与空穴传输层的材料可以相同，亦可以不同。
此外，当空穴注入层包括第二掺杂层时，第二掺杂层可以为一层，亦可以为两层或者两层以上，且每层的掺杂浓度可以相同或者不同。
实施方式二的有机电致发光器件中，由于掺杂了低浓度的较贵的P-型掺杂物，因此生产成本较低，此外，能够调节掺杂浓度来控制器件性能，能够简化量产的工艺，有利于提高产能。
实施方式三的有机电致发光器件与实施方式一、实施方式二的有机电致发光器件的区别在于：空穴注入层包括第一掺杂层和和形成于第一掺杂层上的第二掺杂层，第二掺杂层靠近空穴传输层。
在前述实施方式的基础上，第一掺杂层的厚度为1nm～10nm，第二掺杂层的厚度为10nm～20nm。
实施方式三的有机电致发光器件能够调节空穴的注入量，同时提升器件的效率和寿命。实施方式四的有机电致发光器件与实施方式三的有机电致发光器件的区别在于：空穴注入层包括第二掺杂层和形成于第二掺杂层上的第一掺杂层，第一掺杂层靠近空穴传输层。
在前述实施方式的基础上，第一掺杂层的厚度为1nm～10nm，第二掺杂层的厚度为10nm～20nm。
实施方式四的有机电致发光器件能够调节空穴的注入量，同时提升器件的效率和寿命。
需要说明的是，当空穴注入层包括第一掺杂层和第二掺杂层时，第一掺杂层和第二掺杂层的层数可以任意设置，二者之间的位置亦任意层叠设置，例如，第一掺杂层和第二掺杂层可以交替层叠设置，亦可以非交替层叠设置。
上述有机电致发光器件中，第一掺杂层中的P-型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命；第二掺杂层中，通过调节P-型掺杂物的掺杂浓度，能够控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。同时，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。
请参见图1，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
S10、形成空穴注入层，空穴注入层包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，第一掺杂层包括P-型掺杂物，第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料。
S20、在步骤S10的空穴注入层上形成空穴传输层。
利用蒸镀的方式在空穴注入层上形成空穴传输层。
S30、在步骤S20的空穴传输层上形成电子阻挡层；其中，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。
利用蒸镀的方式在空穴传输层上形成电子阻挡层。
采用上述有机电致发光器件的制备方法得到的有机电致发光器件中，第一掺杂层中的P-型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命；第二掺杂层中，通过调节P-型掺杂物的掺杂浓度，能够控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。同时，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。
下面结合具体实施例和附图对本发明的有机电致发光器件进行进一步的说明。
实施例1
请参见图2，实施例1的有机电致发光器件100包括阳极110和依序形成在阳极110上的空穴注入层120、空穴传输层130、电子阻挡层140、有机发光层150、电子传输层160以及阴极170。
其中，空穴注入层120由第一掺杂层组成。第一掺杂层由NDP-9组成。空穴传输层130的材料为HTL-2。电子阻挡层140的材料为EBL-2。本实施例中，空穴传输层130与电子阻挡层140的能级差为0.15eV。
此外，阳极110、电子阻挡层140、有机发光层150、电子传输层160以及阴极170的材料依序为ITO、EBL-2、Ir(ppy)3、ETL-1、Mg/Ag。
阳极110、空穴注入层120、空穴传输层130、电子阻挡层140、有机发光层150、电子传输层160以及阴极170的厚度依序为10nm、10nm、100nm、5nm、30nm、30nm和20nm。
实施例2
请参见图3，实施例2的有机电致发光器件200包括阳极210和依序形成在阳极210上的空穴注入层220、空穴传输层230、电子阻挡层240、有机发光层250、电子传输层260以及阴极270。
其中，空穴注入层220由第二掺杂层组成。第二掺杂层由NDP-9和HTL-2组成，第二掺杂层中，P-型掺杂物的掺杂浓度为3wt％。
空穴传输层230的材料为HTL-2。电子阻挡层240的材料为EBL-2。本实施例中，空穴传输层230与电子阻挡层240的能级差为0.15eV。
此外，阳极210、电子阻挡层240、有机发光层250、电子传输层260以及阴极270的材料依序为ITO、EBL-2、Ir(ppy)3、ETL-1、Mg/Ag。
阳极210、空穴注入层220、空穴传输层230、电子阻挡层240、有机发光层250、电子传输层260以及阴极270的厚度依序为10nm、10nm、100nm、5nm、30nm、30nm和20nm。
实施例3
本实施例与实施例2的区别在于：第二掺杂层中，P-型掺杂物的掺杂浓度为5wt％。
实施例4
本实施例与实施例2的区别在于：第二掺杂层中，P-型掺杂物的掺杂浓度为7wt％。
实施例5
请参见图4，实施例5的有机电致发光器件300包括阳极310和依序形成在阳极310上的空穴注入层320、空穴传输层330、电子阻挡层340、有机发光层350、电子传输层360以及阴极370。
其中，空穴注入层320包括第一掺杂层321和第二掺杂层322。第一掺杂层321形成于阳极310上，第二掺杂层322形成于第一掺杂层321上。第一掺杂层321由NDP-9组成。第二掺杂层322由NDP-9和HTL-2组成，第二掺杂层322中，P-型掺杂物的掺杂浓度为5wt％。
空穴传输层330的材料为HTL-2。电子阻挡层340的材料为EBL-2。本实施例中，空穴传输层330与电子阻挡层340的能级差为0.15eV。
此外，阳极310、电子阻挡层340、有机发光层350、电子传输层360以及阴极370的材料依序为ITO、EBL-2、Ir(ppy)3、ETL-1、Mg/Ag。
阳极310、空穴注入层320、空穴传输层330、电子阻挡层340、有机发光层350、电子传输层360以及阴极370的厚度依序为10nm、20nm、100nm、5nm、30nm、30nm和20nm。其中，第一掺杂层321和第二掺杂层322的厚度分别为10nm和10nm。
实施例6
请参见图5，实施例6的有机电致发光器件400包括阳极410和依序形成在阳极410上的空穴注入层420、空穴传输层430、电子阻挡层440、有机发光层450、电子传输层460以及阴极470。
其中，空穴注入层420包括第一掺杂层421和第二掺杂层422。第二掺杂层422形成于阳极410上，第一掺杂层421形成于第二掺杂层422上。第一掺杂层321由NDP-9组成。第二掺杂层422由NDP-9和HTL-2成，第二掺杂层422中，P-型掺杂物的掺杂浓度为5wt％。
空穴传输层430的材料为HTL-2。电子阻挡层440的材料为EBL-2。本实施例中，空穴传输层430与电子阻挡层440的能级差为0.15eV。
此外，阳极410、电子阻挡层440、有机发光层450、电子传输层460以及阴极470的材料依序为ITO、EBL-2、Ir(ppy)3、ETL-1、Mg/Ag。
阳极410、空穴注入层420、空穴传输层430、电子阻挡层440、有机发光层450、电子传输层460以及阴极470的厚度依序为10nm、20nm、100nm、5nm、30nm、30nm和20nm。第一掺杂层421和第二掺杂层422的厚度分别为10nm和10nm。
对比例1
对比例1与实施例2的区别在于：空穴注入层中不含有P-型掺杂物，只由HAT-CN组成。
测试实验
对实施例2～4和对比例1的有机电致发光器件进行测试，测试条件为：在1000nit亮度下。光电性能如下表：
通过上述测试结果可以看出：
首先，实施例2、3、4和对比例1的色度(CIE)和亮度均相近，这表明上述测试结果的数值进行比较有意义；
其次，在相同的测试条件下，对比例1的电流效率为112.05，而本发明实施例2、3和4的电流效率依次为112.72、114.76和113.61。也就是说，本发明实施例2、3和4的电流效率均大于对比例1的电流效率。这表明，本发明实施例2、3和4的有机电致发光器件的电流效率较高；
再次，在相同的测试条件下，对比例1的LT97为500h，而本发明实施例2、3和4的LT97均大于1000h。也就是说，本发明实施例2、3和4的LT97为对比例1的LT97的两倍以上。这表明，本发明实施例2、3和4的有机电致发光器件的寿命较长。
综上所述，本发明的有机电致发光器件不仅电流效率较高，而且寿命较长，满足量产的需求，更有利于应用。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：
空穴注入层，包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层包括P-型掺杂物；所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料；
空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；
以及电子阻挡层，形成于所述空穴传输层上；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二掺杂层中，所述P-型掺杂物的掺杂浓度为3wt％～8wt％。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层包括所述第一掺杂层和形成于所述第一掺杂层上的所述第二掺杂层，所述第二掺杂层靠近所述空穴传输层。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层包括所述第二掺杂层和形成于所述第二掺杂层上的所述第一掺杂层，所述第一掺杂层靠近所述空穴传输层。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，当所述空穴注入层由所述第一掺杂层组成时，所述第一掺杂层的厚度为5nm～20nm；
当所述空穴注入层由所述第二掺杂层组成时，所述第二掺杂层的厚度为10nm～30nm；
当所述空穴注入层包括所述第一掺杂层和所述第二掺杂层时，所述第一掺杂层的厚度为1nm～10nm，所述第二掺杂层的厚度为10nm～20nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述P-型掺杂物选自NDP-2和NDP-9中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料和所述空穴传输层的材料独立选自式(1)或式(2)所示结构中的至少一种：
其中，式(1)中A和B独立选自苯基、萘基或苯胺基；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6～C30的亚稠杂环芳基、C6～C20的烷基和C6～C30的醇基中的一种；
R9、R10、R11和R12独立选自C6～C30的芳基中的一种；
式(2)中A1和A2独立选自C6～C30芳基和C6～C30杂环芳基中的一种，R1’选自氢、烷基、烷氧基和盐基中的一种；
并且，式(2)同时满足以下条件：A1和A2中的至少一个具有缩环构造。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料选自式(3)、式(4)、式(5)或式(6)所示结构的茚并芴衍生物中的至少一种：
其中，A和B独立选自苯基、萘基和苯胺基中的一种；
R9、R10、R11和R12独立选自C6～C30的芳基中的一种；
R13选自C1～C6烷基和羟基中的一种。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件为共用蓝光电子阻挡层的有机电致发光器件。
10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成空穴注入层，所述空穴注入层包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层包括P-型掺杂物，所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料；
在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
以及在所述空穴传输层上形成电子阻挡层；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。
CN201710523910.1A 2017-06-30 2017-06-30 有机电致发光器件及其制备方法 Active CN109216565B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710523910.1A CN109216565B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 有机电致发光器件及其制备方法
PCT/CN2018/088066 WO2019001182A1 (zh) 2017-06-30 2018-05-23 有机电致发光器件及其制备方法
KR1020197023719A KR102252104B1 (ko) 2017-06-30 2018-05-23 유기 발광 다이오드 소자 및 이의 제조방법
US16/327,339 US11233201B2 (en) 2017-06-30 2018-05-23 Organic electroluminescent devices and preparation methods thereof
JP2019544684A JP6805359B2 (ja) 2017-06-30 2018-05-23 有機ｅｌデバイス及びその製造方法
EP18825159.9A EP3567646B1 (en) 2017-06-30 2018-05-23 Organic electroluminescent device and manufacturing method therefor
TW107118555A TWI692894B (zh) 2017-06-30 2018-05-30 有機電致發光元件及其製備方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710523910.1A CN109216565B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 有机电致发光器件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109216565A true CN109216565A (zh) 2019-01-15
CN109216565B CN109216565B (zh) 2021-05-18

Family

ID=64426094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710523910.1A Active CN109216565B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11233201B2 (zh)
EP (1) EP3567646B1 (zh)
JP (1) JP6805359B2 (zh)
KR (1) KR102252104B1 (zh)
CN (1) CN109216565B (zh)
TW (1) TWI692894B (zh)
WO (1) WO2019001182A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113421984A (zh) * 2021-06-23 2021-09-21 上海晶合光电科技有限公司 一种oled器件及其制备方法
CN114256429A (zh) * 2020-09-25 2022-03-29 江苏三月科技股份有限公司 一种敏化荧光有机电致发光器件及其应用

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020065471A1 (en) * 2018-09-26 2020-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device
CN109545997B (zh) * 2018-12-11 2021-06-18 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109768178B (zh) * 2019-01-22 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示基板、显示装置
CN110931649B (zh) * 2019-11-29 2022-11-15 昆山国显光电有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1845355A (zh) * 2006-04-03 2006-10-11 信利半导体有限公司 一种低电压的有机电致发光显示器件
CN102214801A (zh) * 2011-06-09 2011-10-12 河北工业大学 双p型掺杂层的有机发光二极管
CN103568614A (zh) * 2012-07-20 2014-02-12 株式会社日立高新技术 激光转印方法和该方法使用的激光转印装置
CN104205392A (zh) * 2012-03-16 2014-12-10 剑桥显示技术有限公司 光电子器件
CN104241540A (zh) * 2014-09-04 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置
CN104718636A (zh) * 2012-10-09 2015-06-17 默克专利有限公司 电子器件
CN104934538A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 株式会社东芝 有机光电转换元件及摄像装置
WO2015158411A1 (de) * 2014-04-14 2015-10-22 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
CN105612164A (zh) * 2013-10-02 2016-05-25 默克专利有限公司 用于oled中的含硼化合物
CN105793246A (zh) * 2013-12-06 2016-07-20 默克专利有限公司 取代的氧杂环庚三烯
WO2017016632A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-02 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
US20170077419A1 (en) * 2015-09-10 2017-03-16 Samsung Display Co., Ltd. Carbazole-based compound and organic light-emitting device including the same
CN106848084A (zh) * 2017-03-31 2017-06-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种oled显示面板、制作方法及含有其的电子设备

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2259360B1 (en) * 2001-08-29 2021-11-03 The Trustees of Princeton University Organic light emitting devices having carrier transporting layers comprising metal complexes
KR100681022B1 (ko) 2004-06-16 2007-02-09 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
US7351999B2 (en) 2004-12-16 2008-04-01 Au Optronics Corporation Organic light-emitting device with improved layer structure
CN100593357C (zh) 2005-12-21 2010-03-03 友达光电股份有限公司 有机电致发光器件
DE102009017064A1 (de) * 2009-04-09 2010-10-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
CN103187537B (zh) * 2011-12-31 2016-09-07 固安翌光科技有限公司 一种高效白光有机电致发光器件
FR2992097B1 (fr) * 2012-06-18 2015-03-27 Astron Fiamm Safety Diode electroluminescente organique de type pin
JP6356124B2 (ja) * 2012-07-18 2018-07-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光素子
JP2014022255A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Hitachi High-Technologies Corp レーザ転写方法およびこれに用いるレーザ転写設備
DE102013106508A1 (de) * 2013-06-21 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrode und optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
KR101666781B1 (ko) 2013-06-28 2016-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US20160248030A1 (en) 2014-09-04 2016-08-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent display deivce, a fabricating method thereof and a display device
CN104538559B (zh) 2014-12-31 2017-10-10 北京维信诺科技有限公司 一种具有rgb像素区的有机电致发光显示装置
JP6749892B2 (ja) 2015-04-10 2020-09-02 保土谷化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN107924999B (zh) * 2015-07-22 2022-04-19 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1845355A (zh) * 2006-04-03 2006-10-11 信利半导体有限公司 一种低电压的有机电致发光显示器件
CN102214801A (zh) * 2011-06-09 2011-10-12 河北工业大学 双p型掺杂层的有机发光二极管
CN104205392A (zh) * 2012-03-16 2014-12-10 剑桥显示技术有限公司 光电子器件
CN103568614A (zh) * 2012-07-20 2014-02-12 株式会社日立高新技术 激光转印方法和该方法使用的激光转印装置
CN104718636A (zh) * 2012-10-09 2015-06-17 默克专利有限公司 电子器件
CN105612164A (zh) * 2013-10-02 2016-05-25 默克专利有限公司 用于oled中的含硼化合物
CN105793246A (zh) * 2013-12-06 2016-07-20 默克专利有限公司 取代的氧杂环庚三烯
CN104934538A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 株式会社东芝 有机光电转换元件及摄像装置
WO2015158411A1 (de) * 2014-04-14 2015-10-22 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
CN104241540A (zh) * 2014-09-04 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置
WO2017016632A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-02 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
US20170077419A1 (en) * 2015-09-10 2017-03-16 Samsung Display Co., Ltd. Carbazole-based compound and organic light-emitting device including the same
CN106848084A (zh) * 2017-03-31 2017-06-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种oled显示面板、制作方法及含有其的电子设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114256429A (zh) * 2020-09-25 2022-03-29 江苏三月科技股份有限公司 一种敏化荧光有机电致发光器件及其应用
CN113421984A (zh) * 2021-06-23 2021-09-21 上海晶合光电科技有限公司 一种oled器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201832395A (zh) 2018-09-01
WO2019001182A1 (zh) 2019-01-03
EP3567646B1 (en) 2022-07-06
EP3567646A4 (en) 2020-04-08
TWI692894B (zh) 2020-05-01
US11233201B2 (en) 2022-01-25
KR102252104B1 (ko) 2021-05-14
KR20190102076A (ko) 2019-09-02
JP6805359B2 (ja) 2020-12-23
US20200111960A1 (en) 2020-04-09
EP3567646A1 (en) 2019-11-13
CN109216565B (zh) 2021-05-18
JP2020507933A (ja) 2020-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109216565A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN106068261B (zh) 电子缓冲材料和有机电致发光装置
CN107925013B (zh) 用作有机发光二极管(oled)的hil的掺杂有金属氨基化物的三芳基胺厚层
Tao et al. A solution‐processed resonance host for highly efficient electrophosphorescent devices with extremely low efficiency roll‐off
CN106068267B (zh) 电子缓冲材料和包含其的有机电致发光装置
WO2018198844A1 (ja) 有機電界発光素子
KR20220038323A (ko) 저휘도에서의 ｏｌｅｄ 디바이스 효율 감소
CN106898700B (zh) 一种磷光有机电致发光器件
TWI605625B (zh) 長使用期限之磷光性有機發光裝置結構
CN109004091B (zh) 一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管及其制备方法
JP5886945B2 (ja) 多成分発光層を有するｏｌｅｄ
CN107200743A (zh) 组合物、有机发光装置和其制造方法以及消费型产品
CN103943784A (zh) 有机发光装置
CN106410053B (zh) 一种白光有机电致发光器件
CN108011040A (zh) 一种绿光有机电致发光器件
CN107452886A (zh) 一种复合薄膜和有机发光二极管及其制备方法
CN111697147B (zh) 发光器件及显示面板
CN106848084A (zh) 一种oled显示面板、制作方法及含有其的电子设备
CN108864103A (zh) 有机电致发光材料和装置
Zhao et al. Low turn-on voltage and low roll-off rare earth europium complex-based organic light-emitting diodes with exciplex as the host
KR20140023589A (ko) 인광 호스트 물질 및 이를 이용하는 유기전계발광소자
WO2017216557A1 (en) Methods for the production of organic electronic devices
Liu et al. Improved color quality in double-EML WOLEDs by using a tetradentate Pt (II) complex as a green/red emitter
Wang et al. Improving the Power Efficiency of Solution‐Processed Phosphorescent WOLEDs with a Self‐Host Blue Iridium Dendrimer
CN104370964A (zh) 电子型磷氧衍生物及电致磷光发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant