CN109216555A - 钙钛矿型化合物层及电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种钙钛矿型化合物层及采用该钙钛矿型化合物层制备的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的钙钛矿型化合物层的制备方法包括：将FAX和MAX中的至少一种、路易斯碱或酸、PbX2溶解到DMF/DMSO混合溶剂或DMF中，得到前驱体溶液；所述路易斯碱或酸与Pb2+摩尔比为：1～5：10；所述X为卤素；b.将PMMA溶解到氯苯与甲苯的混合溶剂制成0.5～0.8mg/ml的反溶剂；c.将前驱体溶液和反溶剂先后均匀分布至基底上，再烘干得钙钛矿型化合物层，其中，所述基底优选为电子传输层。本发明的钙钛矿型化合物层制备方法对环境要求低，制备得到的钙钛矿型化合物层缺陷低，晶粒大，综合性能好。

Description

钙钛矿型化合物层及电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种钙钛矿型化合物层及采用该钙钛矿型化合物层制备的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。
背景技术
钙钛矿太阳能电池是一种新型太阳能电池，相比于传统的硅太阳能电池、砷化镓太阳能电池，具有低成本、制备工艺简单、光电转换效率高等特点，因此具有良好的应用前景，有望成为新一代小型设备与小型公共基础设置的供能设备。
然而，目前钙钛矿太阳能电池还仅停留在实验室阶段，并不能工业化应用，主要的原因如下：
传统结构太阳能电池(FTO/致密层TiO2/钙钛矿型化合物/spiro-OMeTAD/金电极)，虽然具有成熟的工艺，但仍有J-V滞回明显，环境稳定性差等问题。主要原因在于有机无机杂化钙钛矿材料(如CH3NH3PbI3)具有明显的离子特征。低温液相法制备的多晶钙钛矿薄膜通常是远离热力学平衡态，晶粒边界和表面通常富集大量的缺陷，成为光生电荷的非辐射复合中心。此外，TiO2在强紫外照射下具有较高的光催化性能，可诱导钙钛矿吸光层发生分解，降低其光电转化效率及使用寿命。
此外，传统钙钛矿太阳能电池对制备环境以及制备的设备的要求很高，制备环境很小的变化，都可能导致产品报废，例如，本发明的发明人在含水量控制在较高的10ppm的环境重复文献Chengbin Fei，Bo Li等.Highly Efficient and Stable Perovskite SolarCells Based on Monolithically Grained CH3NH3PbI3Film.Adv.Energy Mater.2017,1602017公开的钙钛矿型化合物层，得到的产品电镜图详见图8，由图8可以看出钙钛矿型化合物层上存在很大的孔，如果用于制备钙钛矿太阳能电池会直接短路，根本不能使用。
发明内容
本发明要解决的第一个技术问题是提供一种钙钛矿型太阳能电池的钙钛矿型化合物层的制备方法，该方法对环境的要求小。
为解决本发明的第一个技术问题，本发明的钙钛矿型化合物层的制备方法包括：
a.将FAX和MAX中的至少一种、路易斯碱或酸、PbX2溶解到DMF/DMSO混合溶剂或DMF中，得到前驱体溶液；所述路易斯碱或酸与Pb2+摩尔比为：1～5：10；所述X为卤素；所述路易斯碱或酸优选为硫脲、尿素和DMSO中的至少一种；
b.将PMMA溶解到氯苯与甲苯的混合溶剂制成0.5～0.8mg/ml的反溶剂；
c.将前驱体溶液和反溶剂先后均匀分布至基底上，烘干即得钙钛矿型化合物层；
其中，所述基底优选为电子传输层；
所述DMF/DMSO混合溶剂中DMF：DMSO的体积比优选为3～5：1；所述氯苯与甲苯的混合溶剂中氯苯：甲苯的体积比优选为9：1。
本发明要解决的第二个技术问题是提供一种钙钛矿型化合物层，所述钙钛矿型化合物层缺陷小，采用上述的方法制备得到。
本发明要解决的第三个技术问题是提供一种钙钛矿型太阳能电池，该电池的钙钛矿型化合物层缺陷少，同时对环境的要求低。
为解决上述第三个技术问题，本发明的钙钛矿型太阳能电池包括采用上述或上述方法制备得到的钙钛矿型化合物层，还包括电子传输层；
所述电子传输层为α氧化铁电子传输层；更优选的所述电子传输层为α氧化铁与PCBM双层电子传输层；进一步优选的所述双层电子传输层的制备方法包括：将九水硝酸铁溶解到无水乙醇中，得到溶液1，将溶液1均匀分布至透明电极上，烧制得到电子传输层1；将PCBM溶解到氯苯中，得到溶液2，将溶液2均匀分布至电子传输层1，热处理得到电子传输层2；溶液1中所述九水硝酸铁的浓度优选为0.1mol/L；溶液2中所述PCBM的浓度优选为10mg/mL。
九水硝酸铁在烧制过程中分解为硝酸铁+水混合物，氧化铁+氧化氮+水混合物。
优选的，所述溶液1均匀分布为以6000rpm旋涂40s；所述溶液2均匀分布为以2000rpm旋涂30s；所述烧制为500℃下烧制60min；所述热处理为80℃热处理10min。
溶液1旋涂转数低了得到的膜变厚，吸光率变差。
优选的，所述钙钛矿型太阳能电池还包括透明基板、透明电极、空穴传输层、金属导电电极，所述透明基板、透明电极、电子传输层、钙钛矿型化合物层、空穴传输层和金属导电电极依次相接；
所述透明电极优选为FTO或ITO，所述透明电极的厚度优选为50nm～100μm；所述透明基板优选为玻璃、透明有机聚合物或石英；
所述空穴传输层优选为PTAA或spiro-OMeTAD空穴传输层，更优选的在PTAA或spiro-OMeTAD中同时添加TFSILi和TBP；所述金属导电电极优选为金或银。
本发明要解决的第四个技术问题是提供上述钙钛矿型太阳能电池的制备方法，该方法对环境的要求低。
钙钛矿型太阳能电池的制备方法包括：
I.将覆盖有透明电极的导电透明基板清洗备用；
II.将电子传输液均匀分布在所述透明电极上，得到电子传输层；
III.钙钛矿型化合物层制备：将FAX和MAX中的至少一种、路易斯碱或酸、PbX2溶解到DMF/DMSO混合溶剂或DMF中，得到前驱体溶液；所述路易斯碱或酸与Pb2+摩尔比为：1～5：10；所述X为卤素；所述路易斯碱或酸优选为硫脲、尿素和DMSO中的至少一种；
将PMMA溶解到氯苯与甲苯的混合溶剂制成0.5～0.8mg/ml的反溶剂；将前驱体溶液和反溶剂先后均匀分布至II步骤所述电子传输层上，再烘干得钙钛矿型化合物层；
所述DMF/DMSO混合溶剂为DMF：DMSO按照体积比优选为3～5：1混合；所述氯苯与甲苯的混合溶剂中氯苯：甲苯的体积比优选为9：1；
IV.将空穴传输液均匀分布在III步骤所述的钙钛矿型化合物层上，得到基片；
V.将所述基片刮除一部分以露出透明电极，将金属真空蒸镀至基片上，得到钙钛矿型太阳能电池；
步骤V所述真空蒸镀优选为：在10-4Pa压强下蒸镀100nm厚金属，所述金属优选为金或银。
优选的，步骤I所述清洗使用洗衣粉水、自来水、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇依次超声清洗，每步骤清洗的时间应不小于20分钟，优选的，为30分钟以上；步骤I所述备用方法优选为：将清洗完毕的玻璃浸泡在异丙醇溶液中储存，使用时以氮气吹干表面。
优选的，步骤II所述电子传输层为双层电子传输层，所述双层电子传输层的制备方法包括：将九水硝酸铁溶解到无水乙醇中，得到溶液1，将溶液1均匀分布至透明电极上，烧制得到电子传输层1；将PCBM溶解到氯苯中，得到溶液2，将溶液2均匀分布至电子传输层1，热处理得到电子传输层2；溶液1中所述九水硝酸铁的浓度优选为0.1mol/L；溶液2中所述PCBM的浓度优选为10mg/mL。
优选的，步骤III所述溶解为搅拌四小时以上；步骤III所述均匀分布为：在电子传输层上滴加前驱体溶液，以3000rpm转速旋涂8～18s后滴加反溶剂继续旋涂12～22s；步骤III所述烘干优选为：100℃退火30分钟。
优选的，步骤IV所述空穴传输液的制备方法包括：将PTAA溶解到甲苯中，得到溶液A，再加入TFSILi/乙腈溶液和TBP/乙腈溶液，搅拌或超声至全部溶解；所述溶液A中PTAA与甲苯的质量体积比为15：1mg/ml，所述TFSILi/乙腈溶液浓度170mg/ml，所述TBP/乙腈溶液中TBP：乙腈的体积比为1：1，所述甲苯：TFSILi/乙腈溶液：TBP/乙腈溶液的体积比为：1000:7.5:7.5；
或将spiro溶解到氯苯中，得到溶液B，再加入TFSILi/乙腈溶液和TBP，搅拌或超声至全部溶解；所述溶液B中spiro在氯苯中的浓度为70～75mg/ml，优选为72.3mg/ml，所述TFSILi/乙腈溶液浓度520mg/ml，所述氯苯：TFSILi/乙腈溶液：TBP的体积比为：1000:17.5:28.8；步骤IV所述均匀分布优选为以500rpm预旋2～5s再以4000rpm旋涂25～35s，并且旋涂后必须恒温干燥氧化十二小时以上。
有益效果：
1).本发明钙钛矿型化合物层使用反溶剂辅助晶粒生长，且其前驱体溶液和反溶剂均使用路易斯酸/碱辅助晶粒生长，有效实现调控钙钛矿晶化过程，降低晶粒生长速率，实现低缺陷大晶粒钙钛矿薄膜的生长，有效钝化钙钛矿薄膜内部及表面的缺陷态，能有效提高电池的综合性能。
2).本发明的钙钛矿型化合物层的制备对环境和设备的要求较低，能在含水量高达10ppm的环境中生产。
3).本发明的钙钛矿型太阳能电池紫外稳定性好，使用寿命长。
4).本发明的钙钛矿型太阳能电池低滞回，稳定性好，光电转化效率优异。
附图说明
图1为钙钛矿型太阳能电池结构示意图；
1.透明基板；2.透明电极(FTO或者ITO)；3-1.电子传输层1；3-2.电子传输层2；4.钙钛矿型化合物层；5.空穴传输层；6.金属导电电极；
图2为本发明实施例2的钙钛矿型太阳能电池的时间稳定性测试曲线，器件在测试前均保存在湿度(10～20％)，温度(10～20℃)的黑暗环境下。
图3为本发明实施例2的钙钛矿型太阳能电池的紫外稳定性测试曲线，器件在测试时置于高压汞灯照射下，365nm波长下的光强为16mW·cm-2。
图4为本发明实施例2的钙钛矿型化合物层的电镜(SEM)图。
图5为实施例1的性能测试图。
图6为对比例1以氧化钛为电子传输层的性能测试图。
图7为对比例2以氧化铁为电子传输层的性能测试图。
图8为对比例3的钙钛矿型化合物层的电镜图。
A-正扫；B-平均；C-反扫。
具体实施方式
为解决上述第一个技术问题，本发明的钙钛矿型化合物层的制备方法包括：
a.将FAX和MAX中的至少一种、路易斯碱或酸、PbX2溶解到DMF/DMSO混合溶剂或DMF中，得到前驱体溶液；所述路易斯碱或酸与Pb2+摩尔比为：1～5：10；所述X为卤素；所述路易斯碱或酸优选为硫脲、尿素和DMSO中的至少一种；
b.将PMMA溶解到氯苯与甲苯的混合溶剂制成0.6mg/ml的反溶剂；
c.将前驱体溶液和反溶剂先后均匀分布至基底上，再烘干得钙钛矿型化合物层；
其中，所述基底优选为电子传输层。
本发明的钙钛矿型太阳能电池的钙钛矿型化合物化学式为FAxMA1-xPbIaBr3-a，其中FA为甲咪(Formamidine)，MA为甲胺(Methylamine)，x范围为0～1，a范围为0～3。
所述DMF/DMSO混合溶剂为DMF：DMSO按照体积比优选为3～5：1混合，所述MAX、PbX2和硫脲的物质的量比优选为：10:10:1～5；所述氯苯与甲苯的混合溶剂中氯苯：甲苯的体积比优选为9：1。
本发明要解决的第二个技术问题是提供一种钙钛矿型化合物层，所述钙钛矿型化合物层缺陷小，采用上述的方法制备得到。
本发明要解决的第三个技术问题是提供一种钙钛矿型太阳能电池，该电池的钙钛矿型化合物层缺陷少，同时对环境的要求低。
为解决上述第三个技术问题，本发明的钙钛矿型太阳能电池包括采用上述或上述方法制备得到的钙钛矿型化合物层和电子传输层；
所述电子传输层为α氧化铁电子传输层；更优选的所述电子传输层为α氧化铁与PCBM双层电子传输层；进一步优选的所述双层电子传输层的制备方法包括：将九水硝酸铁、硝酸铁+水混合物或氧化铁+氧化氮+水混合物溶解到无水乙醇中，得到溶液1，将溶液1均匀分布至透明电极上，烧制得到电子传输层1；将PCBM溶解到氯苯中，得到溶液2，将溶液2均匀分布至电子传输层1，热处理得到电子传输层2；溶液1中所述九水硝酸铁的浓度优选为0.1mol/L；溶液2中所述PCBM的浓度优选为10mg/mL。
优选的，所述溶液1均匀分布为以6000rpm旋涂40s；所述溶液2均匀分布为以2000rpm旋涂30s；所述烧制为500℃下烧制60min；所述热处理为80℃热处理10min。溶液1旋涂转数低了得到的膜变厚，吸光率变差。
优选的，如图1所示，所述钙钛矿型太阳能电池还包括透明基板1、透明电极2、空穴传输层5、金属导电电极6，所述透明基板1、透明电极2、电子传输层、钙钛矿型化合物层4、空穴传输层5和金属导电电极6依次相接；电子传输层优选为双层电子传输层，如图1所示，即电子传输层3-1和电子传输层3-2。
所述电子传输层3-1设置在透明电极2上，所述电子传输层3-2设置在3-1电子传输层上；
如上述所述的钙钛矿型太阳能电池，其各结构特征可以如下：
<1>透明基板
本发明所使用的透明基板，为具有一定硬度的，对可见光透明的材料。作为基板1可以使用的材料，包括但不限于玻璃、透明有机聚合物，如亚克力、透明无机物晶体，如石英等等。
<2>透明电极
本发明所使用的透明电极，为具有透过可见光能力的、具有导电性的物质。例如，有铟/锡氧化物(ITO)，氟掺杂氧化锡(FTO)等。透明电极厚度没有具体限制，优选的是50nm～100μm
<3>电子传输层
本发明所使用的电子传输材料优选为氧化铁/PCBM双层结构。优选的，使用α相三氧化二铁(α-Fe2O3)作为第一层电子传输材料。更优选的，使用镍掺杂的α相三氧化二铁(α-Fe2O3)作为第一层电子传输材料。
<4>钙钛矿型化合物层
本发明所使用的钙钛矿型化合物，为有机-无机复合型化合物。其阳离子部分为甲咪(FA)、甲胺(MA)中的一种或多种，以及铅(Pb)构成；阴离子部分由卤素碘(I)、溴(Br)中的一种或多种构成。在构建钙钛矿型化合物层时，使用反溶剂辅助晶粒生长，且其前驱体溶液和反溶剂均使用路易斯(酸)碱辅助晶粒生长。
<5>空穴传输层
本发明所使用的空穴传输材料为固态有机物空穴传输材料。包括但不限于PTAA(聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺])、spiro-OMeTAD(2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴)等。优选的，在PTAA(或spiro-OMeTAD)中应当添加TFSILi(双三氟甲烷磺酰亚胺锂)、TBP(4-叔丁基吡啶)，以增强其空穴传输能力。
<6>金属导电电极
本发明所使用的金属导电电极，为导电性强的金属材料，包括但不限于金、银等。
所述透明电极2优选为FTO或ITO，所述透明电极2的厚度优选为50nm～100μm；所述透明基板1优选为玻璃、透明有机聚合物或石英；
所述空穴传输层5优选为PTAA或spiro-OMeTAD空穴传输层，更优选的在PTAA或spiro-OMeTAD中添加TFSILi和TBP；所述金属导电电极6优选为金或银。
本发明要解决的第四个技术问题是提供上述钙钛矿型太阳能电池的制备方法，该方法对环境的要求低。
钙钛矿型太阳能电池的制备方法包括：
I.将覆盖有透明电极的导电透明基板清洗备用；
II.将电子传输液均匀分布在所述透明电极上，得到电子传输层；
III.钙钛矿型化合物层制备：将FAX和MAX中的至少一种、路易斯碱或酸、PbX2溶解到DMF/DMSO混合溶剂或DMF中，得到前驱体溶液；所述路易斯碱或酸与Pb2+摩尔比为：1～5：10；所述X为卤素；所述路易斯碱或酸优选为硫脲、尿素和DMSO中的至少一种；
将PMMA溶解到氯苯与甲苯的混合溶剂制成0.5～0.8mg/ml的反溶剂；将前驱体溶液和反溶剂先后均匀分布至II步骤所述电子传输层上，再烘干得钙钛矿型化合物层；所述硫脲与DMF/DMSO混合溶剂的摩尔体积比优选为：1～5：10mol/L；
所述DMF/DMSO混合溶剂为DMF：DMSO按照体积比优选为3～5：1混合；所述MAX、PbX2和硫脲的物质的量比优选为：10:10:1～5；所述氯苯与甲苯的混合溶剂中氯苯：甲苯的体积比优选为9：1；
IV.将空穴传输液均匀分布在c步骤所述的钙钛矿型化合物层上，得到基片；
V.将所述基片刮除一部分以露出透明电极，将金属真空蒸镀至基片上，得到钙钛矿型太阳能电池；
步骤V所述真空蒸镀优选为：在10-4Pa压强下蒸镀100nm厚金属，所述金属优选为金或银。
优选的，步骤I所述清洗使用洗衣粉水、自来水、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇依次超声清洗，清洗的时间应不小于20分钟，优选的，为30分钟以上；步骤I所述备用方法优选为：将清洗完毕的玻璃浸泡在异丙醇溶液中储存，使用时以氮气吹干表面。
优选的，步骤II所述电子传输层为双层电子传输层，所述双层电子传输层的制备方法包括：将九水硝酸铁溶解到无水乙醇中，得到溶液1，将溶液1均匀分布至步骤I清洗后的导电玻璃上，烧制得到电子传输层1；将PCBM溶解到氯苯中，得到溶液2，将溶液2均匀分布至电子传输层1，热处理得到电子传输层2；溶液1中所述九水硝酸铁的浓度优选为0.1mol/L；溶液2中所述PCBM的浓度优选为10mg/mL。
优选的，步骤III所述溶解为搅拌四小时以上；步骤III所述均匀分布为：在电子传输层上滴加前驱体溶液，以3000rpm转速旋涂8～18s后滴加反溶剂继续旋涂12～22s；步骤III所述烘干优选为：100℃退火30分钟。
优选的，步骤IV所述空穴传输液的制备方法包括：将PTAA溶解到甲苯中，得到溶液A，再加入TFSILi/乙腈溶液和TBP/乙腈溶液，搅拌或超声至全部溶解；所述溶液A中PTAA与甲苯的质量体积比为15：1mg/ml，所述TFSILi/乙腈溶液浓度170mg/ml，所述TBP/乙腈溶液中TBP：乙腈的体积比为1：1，所述甲苯：TFSILi/乙腈溶液：TBP/乙腈溶液的体积比为：1000:7.5:7.5；
或将spiro溶解到氯苯中，得到溶液B，再加入TFSILi/乙腈溶液和TBP，搅拌或超声至全部溶解；所述溶液B中spiro在氯苯中的浓度为70～75mg/ml，优选为72.3mg/ml，所述TFSILi/乙腈溶液浓度520mg/ml，所述氯苯：TFSILi/乙腈溶液：TBP的体积比为：1000:17.5:28.8；步骤IV所述均匀分布优选为以500rpm预旋2～5s再以4000rpm旋涂25～35s，并且旋涂后必须恒温干燥氧化十二小时以上。
下面结合实施例对本发明的具体实施方式做进一步的描述，并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
本发明实施例的实验环境：含水量10ppm。
实施例1
A.透明基板与透明电极部分的选用及清洗：
选用带有80μm FTO的导电玻璃。使用洗衣粉水、自来水、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇依次超声清洗，每步骤清洗30min。清洗完毕浸泡在异丙醇溶液中储存，使用时以氮气吹干表面。
B.双层电子传输层制备：
将0.101g九水硝酸铁粉末溶解到2.5ml无水乙醇中，将之滴加到A所述FTO导电玻璃的FTO层，以6000rpm 40s工艺进行旋涂，随后在500℃下烧制60min。
将10mg PCBM溶解到1ml氯苯中，在手套箱内以2000rpm 30s工艺旋涂，在80℃加热板上加热10min。
C.钙钛矿型化合物层制备：
将MAI(甲胺碘)1mmol、PbI2(碘化铅)1mmol、硫脲0.1mmol、溶解到1ml DMF(N，N-二甲基甲酰胺)/DMSO(二甲基亚砜)混合溶剂(DMF：DMSO＝4：1，v:v)中，密封搅拌八小时，作为前驱体溶液。将PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)溶入氯苯与甲苯的混合溶剂(氯苯：甲苯＝9：1，v:v)制成0.6mg/ml的反溶剂，密封搅拌八小时，作为反溶剂。将前驱体溶液滴加至B过程后的基底上，以3000rpm转速旋涂30s，在第8s后滴加反溶剂。旋涂后置于100℃加热板上退火30分钟。得到的钙钛矿型太阳能电池的钙钛矿型化合物化学式为FAxMA1-xPbIaBr3-a，，ABX3钙钛矿结构，FA与MA计量值和为1，占据A位，Pb占据B位，I、Br或Cl等卤素计量值和为3，相当于X3
D.PTAA空穴传输层制备：
将15mg PTAA溶解到1ml甲苯中，并加入7.5μl TFSILi/乙腈溶液(浓度为170mg/ml)和7.5μl TBP/乙腈溶液(TBP：乙腈＝1：1，v；v)，将配置的溶液密封搅拌4小时直至全部溶解，随后滴加到C中退火后的基底上，以2000rpm转速旋涂30s。
E.金制导电电极的蒸镀：
将D制成的基片刮除一部分以露出透明电极，随后放入模具中。将带有基片的模具放入真空蒸镀仪，在10-4Pa压强下蒸镀100nm厚金后取出，完成钙钛矿型太阳能电池的制备。
实施例2
A.透明基板与透明电极部分的选用及清洗：
选用带有80μm ITO的导电玻璃。使用洗衣粉水、自来水、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇依次超声清洗，每步骤清洗30min。清洗完毕浸泡在异丙醇溶液中储存，使用时以氮气吹干表面。
B.双层电子传输层制备：
将0.101g九水硝酸铁粉末溶解到2.5ml无水乙醇中，将之滴加到A所述ITO的导电玻璃的ITO层上，以6000rpm 40s工艺进行旋涂，随后在500℃下烧制60min。
将10mg PCBM溶解到1ml氯苯中，在手套箱内以2000rpm 30s工艺旋涂，在80℃加热板上加热10min。
C.钙钛矿型化合物层制备：
将MAI 1mmol、PbI2 1mmol、硫脲0.2mmol溶解到1ml DMF/DMSO混合溶剂(DMF：DMSO＝4：1，v:v)中，密封搅拌八小时，作为前驱体溶液。将PMMA溶入氯苯与甲苯的混合溶剂(氯苯：甲苯＝9：1，v:v)制成0.6mg/ml的反溶剂，密封搅拌八小时，作为反溶剂。将前驱体溶液滴加至B过程后的基底上，以3000rpm转速旋涂30s，在第10s后缓慢滴加反溶剂。旋涂后置于100℃加热板上退火30分钟。得到的钙钛矿型太阳能电池的钙钛矿型化合物化学式为FAxMA1-xPbIaBr3-a，ABX3钙钛矿结构，FA与MA计量值和为1，占据A位，Pb占据B位，I、Br或Cl等卤素计量值和为3，相当于X3
D.spiro空穴传输层制备：
将72.3mg spiro溶解到1ml氯苯中，并加入17.5μl TFSILi/乙腈溶液(浓度为520mg/ml)和28.8μl TBP，将配置的溶液密封超声两分钟直至全部溶解，随后滴加到C中退火后的基底上，以500rpm 3s预旋，4000rpm 30s工艺旋涂。旋涂后的器件置于恒温干燥箱中氧化十二小时。
E.金制导电电极的蒸镀：
将D制成的基片刮除一部分以露出透明电极，随后放入模具中。将带有基片的模具放入真空蒸镀仪，在10-4Pa压强下蒸镀100nm厚金后取出，完成钙钛矿型太阳能电池的制备。
实施例3
A.透明基板与透明电极部分的选用及清洗：
选用带有80μm FTO的导电玻璃。使用洗衣粉水、自来水、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇依次超声清洗，每步骤清洗30min。清洗完毕浸泡在异丙醇溶液中储存，使用时以氮气吹干表面。
B.双层电子传输层制备：
将0.101g九水硝酸铁粉末溶解到2.5ml无水乙醇中，将之滴加到A所述FTO的导电玻璃的FTO层，以6000rpm 40s工艺进行旋涂，随后在500℃下烧制60min。
将10mg PCBM溶解到1ml氯苯中，在手套箱内以2000rpm 30s工艺旋涂，在80℃加热板上加热10min。
C.钙钛矿型化合物层制备：
将MAI 1mmol、PbI2 1mmol、硫脲0.5mmol溶解到1ml DMF/DMSO混合溶剂(DMF：DMSO＝4：1，v:v)中，密封搅拌八小时，作为前驱体溶液。将PMMA溶入氯苯与甲苯的混合溶剂(氯苯：甲苯＝9：1，v:v)制成0.6mg/ml的反溶剂，密封搅拌八小时，作为反溶剂。将前驱体溶液滴加至B过程后的基底上，以3000rpm转速旋涂30s，在第18s后滴加反溶剂。旋涂后置于100℃加热板上退火30分钟。得到的钙钛矿型太阳能电池的钙钛矿型化合物化学式为FAxMA1- xPbIaBr3-a，，ABX3钙钛矿结构，FA与MA计量值和为1，占据A位，Pb占据B位，I、Br或Cl等卤素计量值和为3，相当于X3
D.PTAA空穴传输层制备：
将15mg PTAA溶解到1ml甲苯中，并加入7.5μl TFSILi/乙腈溶液(浓度为170mg/ml)和7.5μl TBP/乙腈溶液(TBP：乙腈＝1：1，v；v)，将配置的溶液密封搅拌四小时直至全部溶解，随后滴加到C中退火后的基底上，以2000rpm转速旋涂30s。
E.金制导电电极的蒸镀：
将D制成的基片刮除一部分以露出透明电极，随后放入模具中。将带有基片的模具放入真空蒸镀仪，在10-4Pa压强下蒸镀100nm厚金后取出，完成钙钛矿型太阳能电池的制备。
对比例1
1).透明基板与透明电极部分的选用及清洗：
选用带有FTO或者ITO的导电玻璃。使用洗衣粉水、自来水、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇依次超声清洗，每步骤清洗30min。清洗完毕浸泡在异丙醇溶液中储存，使用时以氮气吹干表面。
2).双层电子传输层制备：
配制钛酸四异丙酯溶液:准备带磁转子小瓶两个，记为A、B；
向B瓶中加入2.5ml无水乙醇+35ul稀盐酸(2mmol/L)放在磁力搅拌机上搅拌；
向A瓶中加入2.5ml无水乙醇+350ul钛酸四异丙酯，放在磁力搅拌机上搅拌数秒，随后在搅拌状态下向其匀速滴加全部B瓶溶液，盖上盖子并在搅拌状态下使用封口胶膜封口。
混合溶液需搅拌至少30min。使用前需静置，并在使用时只取上层清液。
旋涂工艺
将选好的玻璃片放入烘箱中，120℃烘10min除去水分，取出冷却至室温；以500rpm3s-2000rpm 60s，40ul(1.5*1.5)旋涂，随后在腐蚀区对侧(若有)按照模具种类，使用尖头棉签(用酒精湿润至不会在纸上留下液痕)擦掉一定宽度的薄膜放入烘箱，120℃烘30min，放入炉中烧结。
烧结工艺为：室温经5℃/min升温至500℃，保温30min，降温至室温。
3).钙钛矿型化合物层制备：
将MAI(甲胺碘)1mmol、PbI2(碘化铅)1mmol、溶解到1ml DMF(N，N-二甲基甲酰胺)中，密封搅拌数小时，作为前驱体溶液。氯苯作为反溶剂。将前驱体溶液滴加至2)过程后的基底上，以5000rpm(只能用5000，3000做不出来)转速旋涂30s，在第4或5s后滴加反溶剂(窗口短，滴加时间很重要，早或晚了就报废了)。旋涂后置于100℃加热板上退火30分钟。
4).PTAA空穴传输层制备：
将15mg PTAA溶解到1ml甲苯中，并加入7.5μl TFSILi/乙腈溶液(浓度为170mg/ml)和7.5μl TBP/乙腈溶液(TBP：乙腈＝1：1，v；v)，将配置的溶液密封搅拌四小时直至全部溶解，随后滴加到3)中退火后的基底上，以2000rpm转速旋涂30s。
5).金制导电电极的蒸镀：
将4)制成的基片刮除一部分以露出透明电极，随后放入模具中。将带有基片的模具放入真空蒸镀仪，在10-4Pa压强下蒸镀100nm厚金后取出，完成钙钛矿型太阳能电池的制备。制备得到的太阳能电池性能测试结果详见图6。
对比例2
1).透明基板与透明电极部分的选用及清洗：
选用带有FTO或者ITO的导电玻璃。使用洗衣粉水、自来水、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇依次超声清洗，每步骤清洗时间30min，清洗完毕浸泡在异丙醇溶液中储存，使用时以氮气吹干表面。
2).双层电子传输层制备：
将0.101g九水硝酸铁粉末溶解到2.5ml无水乙醇中，将之滴加到1)所述基板导电面，以6000rpm 40s工艺进行旋涂，随后在500℃下烧制60min。
3).钙钛矿型化合物层制备：
将MAI(甲胺碘)1mmol、PbI2(碘化铅)1mmol、溶解到1ml DMF(N，N-二甲基甲酰胺)中，密封搅拌数小时，作为前驱体溶液。氯苯作为反溶剂。将前驱体溶液滴加至2)过程后的基底上，以5000rpm(只能用5000，3000做不出来)转速旋涂30s，在第4或5s后(窗口短，滴加时间很重要，早或晚了就报废了)滴加反溶剂。旋涂后置于100℃加热板上退火30分钟。
4).PTAA空穴传输层制备：
将15mg PTAA溶解到1ml甲苯中，并加入7.5μl TFSILi/乙腈溶液(浓度为170mg/ml)和7.5μl TBP/乙腈溶液(TBP：乙腈＝1：1，v；v)，将配置的溶液密封搅拌四小时直至全部溶解，随后滴加到3)中退火后的基底上，以2000rpm转速旋涂30s。
5).金制导电电极的蒸镀：
将4)制成的基片刮除一部分以露出透明电极，随后放入模具中。将带有基片的模具放入真空蒸镀仪，在10-4Pa压强下蒸镀100nm厚金后取出，完成钙钛矿型太阳能电池的制备。
制备得到的太阳能电池测试结果详见图7。
对比例3
在与实施例相同的环境(环境含水量10ppm)及设备条件下重复文献ChengbinFei，Bo Li等.Highly Efficient and Stable Perovskite Solar Cells Based onMonolithically Grained CH3NH3PbI3Film.Adv.Energy Mater.2017,1602017公开的钙钛矿型化合物层的方法，制备得到的钙钛矿层的电镜图详见图8。
性能测试：
将实施例1、对比例1和对比例2制备得到的钙钛矿型太阳能电池进行测试测试方法：使用模拟太阳光源照射太阳能电池，输入功率为100mw/cm2’使用电化学工作站测量其电压-电流密度性能。
实施例1、对比例1～对比例3的测试结果详见图5～图8，可以看出，使用本方法可以有效规避纯氧化钛或者纯氧化铁电子传输层结构的太阳能电池氧化钛电流略小稳定性差，氧化铁开压低的固有缺陷，并能取得较好的电池效率。

Claims (10)

1.钙钛矿型化合物层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
a.将FAX和MAX中的至少一种、路易斯碱或酸、PbX2溶解到DMF/DMSO混合溶剂或DMF中，得到前驱体溶液；所述路易斯碱或酸与Pb2+摩尔比为：1～5：10；所述X为卤素；所述路易斯碱或酸优选为硫脲、尿素和DMSO中的至少一种；
b.将PMMA溶解到氯苯与甲苯的混合溶剂制成0.5～0.8mg/ml的反溶剂；
c.将前驱体溶液和反溶剂先后均匀分布至基底上，烘干即得钙钛矿型化合物层；
其中，所述基底优选为电子传输层；
所述DMF/DMSO混合溶剂中DMF：DMSO的体积比优选为3～5：1，所述氯苯与甲苯的混合溶剂中氯苯：甲苯的体积比优选为9：1。
2.钙钛矿型化合物层，其特征在于，所述钙钛矿型化合物层缺陷小，采用如权利要求1所述的方法制备得到。
3.钙钛矿型太阳能电池，其特征在于，所述电池包括如权利要求1制备得到或2所述的钙钛矿型化合物层，还包括电子传输层；
所述电子传输层为α氧化铁电子传输层；更优选的所述电子传输层为α氧化铁与PCBM双层电子传输层；进一步优选的所述双层电子传输层的制备方法包括：将九水硝酸铁溶解到无水乙醇中，得到溶液1，将溶液1均匀分布至透明电极上，烧制得到电子传输层1；将PCBM溶解到氯苯中，得到溶液2，将溶液2均匀分布至电子传输层1，热处理得到电子传输层2；溶液1中所述九水硝酸铁的浓度优选为0.1mol/L；溶液2中所述PCBM的浓度优选为10mg/mL。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿型太阳能电池，其特征在于，所述溶液1均匀分布为以6000rpm旋涂40s；所述溶液2均匀分布为以2000rpm旋涂30s；所述烧制为500℃下烧制60min；所述热处理为80℃热处理10min。
5.根据权利要求3或4所述的钙钛矿型太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿型太阳能电池还包括透明基板、透明电极、空穴传输层、金属导电电极，所述透明基板、透明电极、电子传输层、钙钛矿型化合物层、空穴传输层和金属导电电极依次相接；
所述透明电极优选为FTO或ITO，所述透明电极的厚度优选为50nm～100μm；所述透明基板优选为玻璃、透明有机聚合物或石英；
所述空穴传输层优选为PTAA或spiro-OMeTAD空穴传输层，更优选的在PTAA或spiro-OMeTAD中添加TFSILi和TBP；所述金属导电电极优选为金或银。
6.钙钛矿型太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
I.将覆盖有透明电极的导电透明基板清洗备用；
II.将电子传输液均匀分布在所述透明电极上，得到电子传输层；
III.钙钛矿型化合物层制备：将FAX和MAX中的至少一种、路易斯碱或酸、PbX2溶解到DMF/DMSO混合溶剂或DMF中，得到前驱体溶液；所述路易斯碱或酸与Pb2+摩尔比为：1～5：10；所述X为卤素；所述路易斯碱或酸优选为硫脲、尿素和DMSO中的至少一种；
将PMMA溶解到氯苯与甲苯的混合溶剂制成0.5～0.8mg/ml的反溶剂；将前驱体溶液和反溶剂先后均匀分布至II步骤所述电子传输层上，再烘干得钙钛矿型化合物层；所述DMF/DMSO混合溶剂优选为DMF：DMSO按照体积比3～5：1混合；所述氯苯与甲苯的混合溶剂中氯苯：甲苯的体积比优选为9：1；
IV.将空穴传输液均匀分布在III步骤所述的钙钛矿型化合物层上，得到基片；
V.将所述基片刮除一部分以露出透明电极，将金属真空蒸镀至基片上，得到钙钛矿型太阳能电池；
步骤V所述真空蒸镀优选为：在10-4Pa压强下蒸镀100nm厚金属，所述金属优选为金或银。
7.根据权利要求6所述的钙钛矿型太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤I所述清洗使用洗衣粉水、自来水、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇依次超声清洗，每步骤清洗的时间应不小于20分钟，优选的，为30分钟以上；步骤I所述备用方法优选为：将清洗完毕的玻璃浸泡在异丙醇溶液中储存，使用时以氮气吹干表面。
8.根据权利要求6或7所述的钙钛矿型太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤II所述电子传输层为双层电子传输层，所述双层电子传输层的制备方法包括：将九水硝酸铁溶解到无水乙醇中，得到溶液1，将溶液1均匀分布至透明电极上，烧制得到电子传输层1；将PCBM溶解到氯苯中，得到溶液2，将溶液2均匀分布至电子传输层1，热处理得到电子传输层2；溶液1中所述九水硝酸铁的浓度优选为0.1mol/L；溶液2中所述PCBM的浓度优选为10mg/mL。
9.根据权利要求6～8任一项所述的钙钛矿型太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤III所述溶解为搅拌4小时以上；步骤III所述均匀分布为：在电子传输层上滴加前驱体溶液，以3000rpm转速旋涂8～18s后滴加反溶剂继续旋涂12～22s；步骤III所述烘干优选为：100℃退火30分钟。
10.根据权利要求6～9任一项所述的钙钛矿型太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤IV所述空穴传输液的制备方法包括：将PTAA溶解到甲苯中，得到溶液A，再加入TFSILi/乙腈溶液和TBP/乙腈溶液，搅拌或超声至全部溶解；所述溶液A中PTAA与甲苯的质量体积比为15：1mg/ml，所述TFSILi/乙腈溶液浓度170mg/ml，所述TBP/乙腈溶液中TBP：乙腈的体积比为1：1，所述甲苯：TFSILi/乙腈溶液：TBP/乙腈溶液的体积比为：1000:7.5:7.5；
或将spiro溶解到氯苯中，得到溶液B，再加入TFSILi/乙腈溶液和TBP，搅拌或超声至全部溶解；所述溶液B中spiro在氯苯中的浓度为70～75mg/ml，优选为72.3mg/ml，所述TFSILi/乙腈溶液浓度520mg/ml，所述氯苯：TFSILi/乙腈溶液：TBP的体积比为：1000:17.5:28.8；步骤IV所述均匀分布优选为以500rpm预旋2～5s再以4000rpm旋涂25～35s，并且旋涂后必须恒温干燥氧化十二小时以上。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110828673A (zh) * 2019-10-31 2020-02-21 北京科技大学 一种引入硫化物添加剂制备高效钙钛矿太阳能电池的方法
CN111129310A (zh) * 2019-12-09 2020-05-08 华东师范大学 一种引入辣椒素的钙钛矿薄膜制备方法
CN111710781A (zh) * 2020-06-28 2020-09-25 武汉工程大学 一种钙钛矿光伏电池及其制备方法
CN112086564A (zh) * 2019-06-12 2020-12-15 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钝化剂及其钝化方法和制备半导体薄膜的方法
CN112993165A (zh) * 2021-02-04 2021-06-18 昆山协鑫光电材料有限公司 一种生物相容性钙钛矿电池组件、前驱液及其制备方法
CN113637355A (zh) * 2021-07-30 2021-11-12 湖北大学 操作时间窗口可控调节的钙钛矿溶液、电池、制备方法及应用
CN115124747A (zh) * 2022-07-27 2022-09-30 暨南大学 用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂、钙钛矿-pmma复合薄膜的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170287648A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 National Central University Large-area perovskite film and perovskite solar cell or module and fabrication method thereof
CN107359246A (zh) * 2017-06-20 2017-11-17 太原理工大学 一种甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池的制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170287648A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 National Central University Large-area perovskite film and perovskite solar cell or module and fabrication method thereof
CN107359246A (zh) * 2017-06-20 2017-11-17 太原理工大学 一种甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池的制作方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DONGQIN BI, ET AL.: "《Polymer-templated nucleation and crystal growth of perovskite films for solar cells with efficiency greater than 21%》", 《NANO ENERGY》 *
LIFENG ZHU, ET AL.: "《Investigation on the role of Lewis bases in the ripening process of perovskite films for highly efficient perovskite solar cells》", 《J. MATER. CHEM. A》 *
QINZHI HOU, ET AL.: "《Synergistic Hematite-Fullerene Electron-Extracting Layers for Improved Efficiency and Stability in Perovskite Solar Cells》", 《CHEMELECTROCHEM》 *
SHUO WANG, ET AL.: "《High‐Performance Perovskite Solar Cells with Large Grain‐Size obtained by using the Lewis Acid‐Base Adduct of Thiourea》", 《SOL. RRL》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112086564A (zh) * 2019-06-12 2020-12-15 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钝化剂及其钝化方法和制备半导体薄膜的方法
WO2020248864A1 (zh) * 2019-06-12 2020-12-17 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钝化剂及其钝化方法和制备半导体薄膜的方法
CN110828673A (zh) * 2019-10-31 2020-02-21 北京科技大学 一种引入硫化物添加剂制备高效钙钛矿太阳能电池的方法
CN110828673B (zh) * 2019-10-31 2021-08-03 北京科技大学 一种引入硫化物添加剂制备高效钙钛矿太阳能电池的方法
CN111129310A (zh) * 2019-12-09 2020-05-08 华东师范大学 一种引入辣椒素的钙钛矿薄膜制备方法
CN111710781A (zh) * 2020-06-28 2020-09-25 武汉工程大学 一种钙钛矿光伏电池及其制备方法
CN111710781B (zh) * 2020-06-28 2022-07-19 武汉工程大学 一种钙钛矿光伏电池及其制备方法
CN112993165A (zh) * 2021-02-04 2021-06-18 昆山协鑫光电材料有限公司 一种生物相容性钙钛矿电池组件、前驱液及其制备方法
CN113637355A (zh) * 2021-07-30 2021-11-12 湖北大学 操作时间窗口可控调节的钙钛矿溶液、电池、制备方法及应用
CN115124747A (zh) * 2022-07-27 2022-09-30 暨南大学 用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂、钙钛矿-pmma复合薄膜的制备方法
CN115124747B (zh) * 2022-07-27 2023-10-10 暨南大学 用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂、钙钛矿-pmma复合薄膜的制备方法

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