CN109207945A - 一种复合式磁控溅射沉积台 - Google Patents

一种复合式磁控溅射沉积台 Download PDF

Info

Publication number
CN109207945A
CN109207945A CN201811060180.7A CN201811060180A CN109207945A CN 109207945 A CN109207945 A CN 109207945A CN 201811060180 A CN201811060180 A CN 201811060180A CN 109207945 A CN109207945 A CN 109207945A
Authority
CN
China
Prior art keywords
deposition table
magnetic control
female
control sputtering
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811060180.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109207945B (zh
Inventor
丁红
乔宪武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Lian Fang Technology Co Ltd
Original Assignee
Hangzhou Lian Fang Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Lian Fang Technology Co Ltd filed Critical Hangzhou Lian Fang Technology Co Ltd
Priority to CN201811060180.7A priority Critical patent/CN109207945B/zh
Publication of CN109207945A publication Critical patent/CN109207945A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109207945B publication Critical patent/CN109207945B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明属于磁控溅射装置，具体涉及一种复合式磁控溅射沉积台。一种复合式磁控溅射沉积台，母沉积台和子沉积台，其特征在于：母沉积台固定在真空室内部下方，且位置在磁控溅射装置的正下方，子沉积台通过电机装置连接到母沉积台上方，并且子沉积台的台面能够水平转动，电声换能装置固定在母沉积台上，与子沉积台的台面水平。通过间歇性超声控制，有效的增强附着在金属丝表面层附着力。

Description

一种复合式磁控溅射沉积台
技术领域
本发明属于磁控溅射装置，具体涉及一种复合式磁控溅射沉积台。
背景技术
磁控溅射沉积是利用足够高能量的粒子轰击靶材表面，使靶材中的原子获得做够高的能量，在表面发出的高能粒子在磁场的作用下运动，最终沉积在基体表面，形成金属薄膜。磁控溅射已经成为一种成熟的工业镀膜技术，由于其突出的有点，广泛应用于金属表面改性领域。磁控溅射包括很多种类，各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
目前，磁控溅射多用于大面积区域金属镀膜，如果溅射对象是金属丝或镂空金属配件，接触面积小，溅射层容易脱落，如何在金属丝表面形成稳定附着力强的磁控溅射技术，是亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明为了解决上述技术问题，提出了一种复合式磁控溅射沉积台。
一种复合式磁控溅射沉积台，母沉积台和子沉积台，其特征在于：母沉积台固定在真空室内部下方，且位置在磁控溅射装置的正下方，子沉积台通过电机装置连接到母沉积台上方，并且子沉积台的台面能够水平转动，电声换能装置固定在母沉积台上，与子沉积台的台面水平。
所述，电声换能装置通过连接件固定在母沉积台上，扩散口水平对准子沉积台上方加工物体，扩散口与母沉积台相对位置通过连接件调节。
所述，功率放大器和信号发生器通过导线控制扩散口处声波功率。
所述，功率放大器和信号发生器隐藏在真空室外部。
所述，扩散口处通保护气体，保护气体在声波作用下作用在子沉积台加工物体上。
所述，通过控制功率放大器和信号发生器，能够间歇性控制声波发射。
本发明有益效果：通过间歇性声波控制，有效的增强附着在金属丝表面层附着力，这种作用的效果有两个，其中一个是使沉积在金属丝表面不牢固的表面金属脱落，另一个有益效果是给金属丝表面一个垂直作用力，压实沉积涂层。间歇性的声波发射，也使得沉积金属表层实现沉积，压实，再沉积，再压实的效果，此技术适合应用在溅射对象为复杂镂空或金属丝等细微结构物体上。
附图说明
图1为磁控溅射系统。
图2为电声换能装置。
1真空室；2磁控溅射装置；3电声换能装置；4母沉积台；5子沉积台；31扩散口；32声波导管；33连接件；34导线；35功率放大器；36信号发生器。
具体实施方式
电声换能装置能量转换过程是：将电信号转换成机械振动能，然后，机械振动产生声波，声波能冲击材料表面，实现无接触作用力。
以下结合附图和实施例对本技术进行详细表述。
实施例1
1）选用合适尺寸的金属丝，打磨剖光，用有机溶剂超生清洗基底表面，清洗完毕，冷风干燥备用；
2）靶材选用钛靶，砂纸打磨抛光靶材表面，安装在磁控溅射装置2的磁控溅射靶位；
3）调节磁控溅射靶位高度，将金属丝固定在支架上，支架至于子沉积台5上面;
4）真空室1抽真空，磁控溅射过程，采用本底真空1.0-5.0×10-4Pa，充入氮气作为反应气体，氮气流量控制在30-105sccm，工作真空1.0-8.0×10-1Pa，预溅5分钟，磁控溅射源功率调节范围100-120W，负偏压0V，溅射10-15分钟；
5）关闭系统，关闸板阀，关闭分子泵，分子泵停止工作后关闭电磁阀，关机械泵，取样品；
6）调节显微镜，观察待测样品金属丝表面形貌。
实施例2
复合式磁控溅射沉积台工作状态：母沉积台4固定在真空室1内部下方，且位置在磁控溅射装置2的正下方，子沉积台5通过电机装置连接到母沉积台4上方，并且子沉积台5的台面能够水平转动，金属丝固定在支架上，放置在子沉积台5表面，子沉积台5在电机控制下沿水平方向旋转，使溅射金属均匀沉积在金属丝表面。
电声换能装置3固定在母沉积台4上，与子沉积台5台面水平。电声换能装置3通过连接件33固定在母沉积台4上，调节声波导管32，扩散口31水平对准子沉积台5上方加工物体，扩散口31与母沉积台4相对位置通过连接件33调节。
通过控制功率放大器35和信号发生器36，能够间歇性控制声波发射，声波发射时扩散口31处链接导管，在导管中通保护气体氮气，氮气在声波作用下，间歇性的作用在金属丝表面，氮气流量需要严格控制，既能满足声波的传播介质，又在真空度合理的工作范围内，这种作用的效果有两个，其中一个是使沉积在金属丝表面不牢固的表面金属脱落，另一个有益效果是给金属丝表面一个垂直作用力，压实沉积图层，当与子沉积台5旋转时，金属丝表面全方位受到声波力的作用。
为了降低溅射金属对控制功率放大器35和信号发生器36的损伤，以及对声波功率的控制，将功率放大器35和信号发生器36通过导线34链接，隐藏在真空室1外部。
实施例3
对电声换能装置3工作的控制：功率放大器35、信号发生器36通过导线34链接，信号发生器36用于产生低频交流模拟信号，功率放大器35用于放大低频交流模拟信号，电声换能装置3将电信号转化为声波，声波导管32一端与信号发生器36链接，另一端与扩散口31处聚能件链接，聚能件用于产生声压梯度，增强聚能件远离声波导管一端输出的声波。

Claims (6)

1.一种复合式磁控溅射沉积台，母沉积台（4）和子沉积台（5），其特征在于：母沉积台（4）固定在真空室（1）内部下方，且位置在磁控溅射装置（2）的正下方，子沉积台（5）通过电机装置连接到母沉积台（4）上方，并且子沉积台（5）的台面能够水平转动，电声换能装置（3）固定在母沉积台（4）上，与子沉积台（5）的台面水平。
2.根据权利要求1所述一种复合式磁控溅射沉积台，其特征在于：电声换能装置（3）通过连接件（33）固定在母沉积台（4）上，扩散口（31）水平对准子沉积台（5）上方加工物体，扩散口（31）与母沉积台（4）相对位置通过连接件（33）调节。
3.根据权利要求1所述一种复合式磁控溅射沉积台，其特征在于：功率放大器（35）和信号发生器（36）通过导线（34）控制扩散口（31）处声波功率。
4.根据权利要求3所述一种复合式磁控溅射沉积台，其特征在于：功率放大器（35）和信号发生器（36）隐藏在真空室（1）外部。
5.根据权利要求3或4所述一种复合式磁控溅射沉积台，其特征在于：扩散口（31）处通保护气体，保护气体在声波作用下，作用子沉积台（5）上方加工物体。
6.根据权利要求3或4所述一种复合式磁控溅射沉积台，其特征在于：通过控制功率放大器（35）和信号发生器（36），能够间歇性控制声波发射。
CN201811060180.7A 2018-09-12 2018-09-12 一种复合式磁控溅射沉积台 Active CN109207945B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811060180.7A CN109207945B (zh) 2018-09-12 2018-09-12 一种复合式磁控溅射沉积台

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811060180.7A CN109207945B (zh) 2018-09-12 2018-09-12 一种复合式磁控溅射沉积台

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109207945A true CN109207945A (zh) 2019-01-15
CN109207945B CN109207945B (zh) 2022-05-20

Family

ID=64983808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811060180.7A Active CN109207945B (zh) 2018-09-12 2018-09-12 一种复合式磁控溅射沉积台

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109207945B (zh)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4410408A (en) * 1981-01-12 1983-10-18 Murata Manufacturing Company, Ltd. Method of preparing zinc oxide film
FR2536423A1 (fr) * 1982-11-19 1984-05-25 Thomson Csf Procede de depot d'electrodes sur support en matiere organique et dispositifs obtenus par ce procede
JPS6273899A (ja) * 1985-09-27 1987-04-04 Hitachi Ltd 薄膜超音波変換器
US5610103A (en) * 1995-12-12 1997-03-11 Applied Materials, Inc. Ultrasonic wave assisted contact hole filling
CN2441817Y (zh) * 2000-08-31 2001-08-08 湖南省郴州市山河电子设备有限公司 超声波电镀装置
KR20050029656A (ko) * 2003-09-23 2005-03-28 유정원 표면 금속 이온 증착과 초음파 용접을 이용한 무접착제금속박 필름 제조 방법
CN101646122A (zh) * 2009-09-07 2010-02-10 东南大学 一种电声换能装置及电声换能方法
CN101798677A (zh) * 2010-03-16 2010-08-11 北京航空航天大学 超声波样品台以及用其进行粉体磁控溅射镀膜的方法
CN102501006A (zh) * 2011-10-26 2012-06-20 西安交通大学 超声波焊接制造形状记忆合金-铝金属基复合材料的方法
CN102677137A (zh) * 2011-12-24 2012-09-19 河南科技大学 一种金属电沉积装置
CN205275691U (zh) * 2015-12-29 2016-06-01 上海朗亿功能材料有限公司 一种超细粉体磁控溅射镀膜设备
CN106244983A (zh) * 2016-08-01 2016-12-21 太仓顺如成建筑材料有限公司 一种金属材料表面镀膜处理方法
CN107203739A (zh) * 2017-04-14 2017-09-26 杭州士兰微电子股份有限公司 超声波传感器及其制造方法
CN107376154A (zh) * 2017-08-29 2017-11-24 中国计量大学 电声换能灭火器

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4410408A (en) * 1981-01-12 1983-10-18 Murata Manufacturing Company, Ltd. Method of preparing zinc oxide film
FR2536423A1 (fr) * 1982-11-19 1984-05-25 Thomson Csf Procede de depot d'electrodes sur support en matiere organique et dispositifs obtenus par ce procede
JPS6273899A (ja) * 1985-09-27 1987-04-04 Hitachi Ltd 薄膜超音波変換器
US5610103A (en) * 1995-12-12 1997-03-11 Applied Materials, Inc. Ultrasonic wave assisted contact hole filling
CN2441817Y (zh) * 2000-08-31 2001-08-08 湖南省郴州市山河电子设备有限公司 超声波电镀装置
KR20050029656A (ko) * 2003-09-23 2005-03-28 유정원 표면 금속 이온 증착과 초음파 용접을 이용한 무접착제금속박 필름 제조 방법
CN101646122A (zh) * 2009-09-07 2010-02-10 东南大学 一种电声换能装置及电声换能方法
CN101798677A (zh) * 2010-03-16 2010-08-11 北京航空航天大学 超声波样品台以及用其进行粉体磁控溅射镀膜的方法
CN102501006A (zh) * 2011-10-26 2012-06-20 西安交通大学 超声波焊接制造形状记忆合金-铝金属基复合材料的方法
CN102677137A (zh) * 2011-12-24 2012-09-19 河南科技大学 一种金属电沉积装置
CN205275691U (zh) * 2015-12-29 2016-06-01 上海朗亿功能材料有限公司 一种超细粉体磁控溅射镀膜设备
CN106244983A (zh) * 2016-08-01 2016-12-21 太仓顺如成建筑材料有限公司 一种金属材料表面镀膜处理方法
CN107203739A (zh) * 2017-04-14 2017-09-26 杭州士兰微电子股份有限公司 超声波传感器及其制造方法
CN107376154A (zh) * 2017-08-29 2017-11-24 中国计量大学 电声换能灭火器

Also Published As

Publication number Publication date
CN109207945B (zh) 2022-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102378462B (zh) 等离子体处理装置
CN201374309Y (zh) 扫描电镜或真空设备内的离子溅射镀膜与刻蚀装置
TWI721156B (zh) 電漿處理裝置
TW200952560A (en) Method for controlling ion energy in radio frequency plasmas
TW201233835A (en) RF impedance matching network with secondary frequency and sub-harmonic variant
CN203411602U (zh) 用于圆筒内壁的钟罩式镀膜设备
US6132576A (en) Vacuum sputtering apparatus
CN102912306B (zh) 计算机自动控制的高功率脉冲磁控溅射设备及工艺
JPWO2009157186A1 (ja) 磁場発生装置及びプラズマ処理装置
CN109207945A (zh) 一种复合式磁控溅射沉积台
WO2022161151A1 (zh) Pecvd镀膜系统和镀膜方法
CN204455275U (zh) 一种溅射工艺反应腔的内衬结构
CN108624843A (zh) 一种表面增强拉曼散射基底的制备方法
CN206907741U (zh) 用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备
JPS627852A (ja) 薄膜形成方法
CN107068599B (zh) 用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备
Joo Ionization enhancement in ionized magnetron sputter deposition
TWI639176B (zh) 一種磁控元件和磁控濺鍍裝置
TW201239981A (en) An in-line plasma processing system capable of controlling plasma bias on the substrate
JP2015135883A (ja) ドライエッチング装置及びプラズマスパッタリング装置
CN1656244A (zh) 制备残余应力优化涂层的溅射方法和设备
Xia et al. Effect of oxygen partial pressure and transparent substrates on the structural and optical properties of ZnO thin films and their performance in energy harvesters
CN113652674A (zh) 一种基于磁约束等离子体超双疏膜层的制备装置及方法
TW202123781A (zh) 等離子體處理設備以及等離子體處理方法
JP2012109377A (ja) 電極構造及びプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant