CN109085667B - 一种超表面消色差线偏光透镜 - Google Patents

一种超表面消色差线偏光透镜 Download PDF

Info

Publication number
CN109085667B
CN109085667B CN201810727096.XA CN201810727096A CN109085667B CN 109085667 B CN109085667 B CN 109085667B CN 201810727096 A CN201810727096 A CN 201810727096A CN 109085667 B CN109085667 B CN 109085667B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
nanometers
ring
unit structure
silicon unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810727096.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109085667A (zh
Inventor
杨振宇
王思成
赵茗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huazhong University of Science and Technology
Original Assignee
Huazhong University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huazhong University of Science and Technology filed Critical Huazhong University of Science and Technology
Priority to CN201810727096.XA priority Critical patent/CN109085667B/zh
Publication of CN109085667A publication Critical patent/CN109085667A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109085667B publication Critical patent/CN109085667B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/002—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

本发明公开一种超表面消色差线偏光透镜，包括：n环硅单元结构，第i环硅单元结构包括mi个等间距分布排列的硅单元，每个硅单元包括一个基底和一个椭圆硅柱，mi个等间距分布排列的硅单元排列形成圆环，n、i均为整数，1≤i≤n；第i环硅单元结构中mi个硅单元的结构相同，第i环硅单元结构中mi个椭圆硅柱的结构与第j环硅单元结构中mj个椭圆硅柱的结构可以不同，j为整数，j≠i，1≤j≤n；第i环硅单元结构中每个硅单元的透射光相位与入射光角频率满足线性关系。本发明聚焦效率最大可达56％，工作波长范围可以达到1.31μm‑1.55μm，聚焦光斑最大半高全宽2.34μm，接近衍射极限，适用于集成光学、光纤通信等领域。

Description

一种超表面消色差线偏光透镜
技术领域
本发明涉及光学器件技术领域，更具体地，涉及一种超表面消色差线偏光透镜。
背景技术
超表面透镜由于其亚波长结构和极高的设计灵活性，且传统的光学透镜尺寸较大，且存在色散现象，因此超表面消色差透镜在集成光学等领域具有极大的应用前景。
近年来，一种二维的超表面材料被用在调控光的强度、相位、偏振态中，为平面透镜的设计提供了新的思路。2017年8月，南京大学的研究人员设计了一种近红外消色差超表面透镜，见Wang,Shuming,等.“Broadband achromatic optical metasurface devices”，Nature Communications 8,187(2017)。他们所提出的超表面透镜为反射式结构，材料为金，这种超表面透镜单元结构较为复杂，损耗较大，且只能针对圆偏光进行聚焦，无法对线偏光进行聚焦。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于解决现有超表面透镜单元结构较为复杂，损耗较大，且只能针对圆偏光进行聚焦，无法对线偏光进行聚焦的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种超表面消色差线偏光透镜，包括：n环硅单元结构，第i环硅单元结构包括mi个等间距分布排列的硅单元，每个硅单元包括一个基底和一个椭圆硅柱，所述基底用于承载所述椭圆柱，所述mi个等间距分布排列的硅单元排列形成圆环，n、i以及mi均为整数，1≤i≤n；
第i环硅单元结构中mi个硅单元的结构相同，第i环硅单元结构中mi个椭圆硅柱的结构与第j环硅单元结构中mj个椭圆硅柱的结构可以不同，j为整数，j≠i，1≤j≤n，mj为整数；
第i环硅单元结构中每个硅单元的透射光相位与入射光角频率满足线性关系。
可选地，设第i环硅单元结构中每个椭圆硅柱的长轴为Dxi，Dxi取值为200纳米～500纳米，短轴为Dyi；Dyi取值为200纳米～500纳米。
可选地，各环硅单元结构中基底的结构相同，设基底沿n环硅单元结构扩展方向的长度为L，则第i环硅单元结构的半径为：(i-1)×L。
可选地，各环硅单元结构中基底的结构相同，其基底的长度为600纳米、宽度为600纳米。
可选地，各环硅单元结构中椭圆硅柱的高度均为600纳米。
可选地，当n为25时，第1环硅单元结构到第25环硅单元结构中椭圆硅柱的长轴值分别为：420纳米、416纳米、420纳米、420纳米、432纳米、444纳米、448纳米、436纳米、388纳米、336纳米、316纳米、308纳米、312纳米、292纳米、292纳米、292纳米、284纳米、436纳米、200纳米、372纳米、340纳米、500纳米、460纳米、344纳米以及292纳米；第1环硅单元结构到第25环硅单元结构中椭圆硅柱的短轴值分别为：492纳米、496纳米、476纳米、464纳米、420纳米、372纳米、348纳米、340纳米、392纳米、484纳米、500纳米、200纳米、396纳米、416纳米、364纳米、308纳米、264纳米、484纳米、484纳米、500纳米、500纳米、204纳米、208纳米、216纳米以及216纳米。
可选地，所述超表面消色差偏光透镜可以对1.31μm～1.55μm的线偏振入射光进行聚焦，且其焦平面基本重合。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：
本发明提供的超表面消色差线偏光透镜结构简单，损耗小，可以对线偏光进行聚焦，且聚焦效率最大可达56％，工作波长范围可以达到1.31μm-1.55μm，聚焦光斑最大半高全宽2.34μm，接近衍射极限，适用于集成光学、光纤通信等领域。
附图说明
图1(a)为本发明提供的超表面消色差线偏光透镜的整体示意图；
图1(b)为本发明提供的超表面消色差线偏光透镜的俯视图；
图2(a)为本发明提供的硅单元结构示意图；
图2(b)为本发明提供的硅单元结构俯视图；
图3(a)～图3(f)为本发明实施例1聚焦效果示意图；
图4(a)～图4(f)为本发明实施例2聚焦效果示意图；
图5(a)～图5(f)为本发明实施例3聚焦效果示意图；
图6(a)～图6(f)为本发明实施例4聚焦效果示意图；
图7(a)～图7(f)为本发明实施例5聚焦效果示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
本发明提出一种超表面消色差线偏光透镜，目的在于在近红外光谱对线偏光进行聚焦，且器件尺寸小、结构紧凑、易于集成。
本发明提供的超表面消色差线偏光透镜，包括：n环硅单元结构，第i环硅单元结构包括mi个等间距分布排列的硅单元，每个硅单元包括一个基底和一个椭圆硅柱，基底用于承载所述椭圆柱，mi个等间距分布排列的硅单元排列形成圆环，n、i以及mi均为整数，1≤i≤n。
第i环硅单元结构中mi个硅单元的结构相同，第i环硅单元结构中mi个椭圆硅柱的结构与第j环硅单元结构中mj个椭圆硅柱的结构可以不同，j为整数，j≠i，1≤j≤n，mj为整数；
第i环硅单元结构中每个硅单元的透射光相位与入射光角频率满足线性关系。
具体地，一个硅单元要满足聚焦条件，则需满足以下公式：
在公式中，为透射光相位，ω，r，F分别为角频率，径向距离和焦距，const为常数项，可以自行设置。换言之，对于不同径向距离r(即不同环的半径)上的硅单元，在某一频率ω入射光作用下，透射光相位φ(ω,r)必须满足以上公式才能够达到聚焦效果。
将以上公式泰勒展开可以得到：
公式中ωd可以设定为宽谱的中心频率。要满足宽谱消色差条件，即要找到从起始频率ω1到截止频率ω2这一范围内所有频率点都满足以上公式的单元结构。
对于某一环硅单元结构而言，r为定值，此时可令 (第一个公式中为0，因此泰勒展开式中第三项为0，不予考虑)从而得到：
需要说明的是，上述公式中由于针对某一环硅单元结构而言，r为定值，因此可将φ(r,ω)简化为该简化公式说明入射光频率ω与硅单元的透射光频率要为线性关系才能够满足宽谱消色差的条件。
对于圆偏振入射光，可以通过改变椭圆硅柱的长短轴Dx，Dy与基底绕其中心点的旋转角θ来共同改变上述公式中的m，n值，设计自由度高，易于实现。而对于线偏振入射光，可通过改变椭圆硅柱的长短轴Dx，Dy来实现对于m，n值的调控。本发明则通过对于硅单元的筛选实现了对于线偏入射光的消色差聚焦。
可选地，各环硅单元结构中基底的结构相同，设基底沿n环硅单元结构扩展方向的长度为L，则第i环硅单元结构的半径为：(i-1)×L。
可选地，各环硅单元结构中基底的结构相同。
在一个示例中，本发明提供的一种线偏光超表面消色差聚焦透镜，在基底上设计有25环均匀分布的椭圆柱状硅结构，基底材料为二氧化硅。基底结构的长度为500～1000纳米，宽度为500～1000纳米，椭圆硅柱的高度为600纳米，椭圆硅柱的长轴为200纳米～500纳米，椭圆硅柱的短轴为200纳米～500纳米。
具体地，第1环硅单元结构到第25环硅单元结构中椭圆硅柱的长轴值分别为：420纳米、416纳米、420纳米、420纳米、432纳米、444纳米、448纳米、436纳米、388纳米、336纳米、316纳米、308纳米、312纳米、292纳米、292纳米、292纳米、284纳米、436纳米、200纳米、372纳米、340纳米、500纳米、460纳米、344纳米以及292纳米；第1环硅单元结构到第25环硅单元结构中椭圆硅柱的短轴值分别为：492纳米、496纳米、476纳米、464纳米、420纳米、372纳米、348纳米、340纳米、392纳米、484纳米、500纳米、200纳米、396纳米、416纳米、364纳米、308纳米、264纳米、484纳米、484纳米、500纳米、500纳米、204纳米、208纳米、216纳米以及216纳米。
图1(a)为本发明提供的超表面消色差线偏光透镜的整体示意图；如图1(a)所示，1为入射光，2为超表面透镜，3为聚焦光束，4为焦平面。
图1(b)为本发明提供的超表面消色差线偏光透镜的俯视图，如图1(b)所示，超表面消色差透镜由25环硅单元结构组成，每一环的硅单元结构中包括的多个椭圆硅柱的结构相同。图(b)中21表示一个硅单元。
图2(a)为本发明提供的硅单元结构示意图；图2(b)为本发明提供的硅单元结构俯视图，如图2(a)、图2(b)所示，本发明的基本单元在基底211上沉积一个椭圆柱212，所述基底211为二氧化硅；所述椭圆柱212为硅柱，基底的长度ΛX为600纳米，宽度ΛY为600纳米，椭圆硅柱的高度H为600纳米，椭圆硅柱的长轴Dx为200纳米～500纳米，短轴Dy为200纳米～500纳米。
用时域有限差分(FDTD)算法分别模拟不同波长光的入射情况，可以看出，不同波长光入射时，该结构都具有较好的聚焦效果。
实施例1：入射光的波长为1.31μm时，透射光的聚焦面在39.11μm(设计在40μm)，聚焦效率(焦平面半高全宽内能量与焦平面总能量之比)为55％，半高宽为2.01μm，接近衍射极限2.28μm。可以认为，本发明在1.31μm处具有极好的聚焦效果，同时，也验证了10度角斜入射时的光强分布，聚焦效果同样良好。
图3(a)为正入射空间垂直切面的光强分布，该分布图表明了该结构在1.31μm具有较好的聚焦效果。
图3(b)为正入射聚焦平面的光强分布，该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图3(c)为正入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.01μm，接近衍射极限。
图3(d)为10度角斜入射空间垂直切面的光强分布，该分布图表明了该结构在1.31μm具有较好的聚焦效果。
图3(e)为10度角斜入射聚焦平面的光强分布该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图3(f)为10度角斜入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.14μm，接近衍射极限。
实施例2：入射光的波长为1.37μm时，透射光的聚焦面在38.59μm(设计在40μm)，聚焦效率(焦平面半高全宽内能量与焦平面总能量之比)为56％，半高宽为2.01μm，接近衍射极限2.39μm。可以认为，本发明在1.37μm处具有极好的聚焦效果，同时，也验证了10度角斜入射时的光强分布，聚焦效果同样良好。
图4(a)为正入射空间垂直切面的光强分布，该分布图表明了该结构在1.37μm具有较好的聚焦效果。
图4(b)为正入射聚焦平面的光强分布，该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图4(c)为正入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.01μm，接近衍射极限。
图4(d)为10度角斜入射空间垂直切面的光强分布，该分布图表明了该结构在1.31μm具有较好的聚焦效果。
图4(e)为10度角斜入射聚焦平面的光强分布该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图4(f)为10度角斜入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.12μm，接近衍射极限。
实施例3：入射光的波长为1.43μm时，透射光的聚焦面在38.72μm(设计在40μm)，聚焦效率(焦平面半高全宽内能量与焦平面总能量之比)为54％，半高宽为2.09μm，接近衍射极限2.49μm。可以认为，本发明在1.43μm处具有极好的聚焦效果，同时，也验证了10度角斜入射时的光强分布，聚焦效果同样良好。
图5(a)为正入射空间垂直切面的光强分布，该分布图表明了该结构在1.43μm具有较好的聚焦效果。
图5(b)为正入射聚焦平面的光强分布，该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图5(c)为正入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.09μm，接近衍射极限。
图5(d)为10度角斜入射空间垂直切面的光强分布，该分布图表明了该结构在1.31μm具有较好的聚焦效果。
图5(e)为10度角斜入射聚焦平面的光强分布该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图5(f)为10度角斜入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.16μm，接近衍射极限。
实施例4：入射光的波长为1.49μm时，透射光的聚焦面在38.34μm(设计在40μm)，聚焦效率(焦平面半高全宽内能量与焦平面总能量之比)为53％，半高宽为2.16μm，接近衍射极限2.60μm。可以认为，本发明在1.49μm处具有极好的聚焦效果，同时，也验证了10度角斜入射时的光强分布，聚焦效果同样良好。
图6(a)为正入射空间垂直切面的光强分布，该分布图表明了该结构在1.49μm具有较好的聚焦效果。
图6(b)为正入射聚焦平面的光强分布，该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图6(c)为正入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.16μm，接近衍射极限。
图6(d)为10度角斜入射空间垂直切面的光强分布，该分布图表明了该结构在1.31μm具有较好的聚焦效果。
图6(e)为10度角斜入射聚焦平面的光强分布，该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图6(f)为10度角斜入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.23μm，接近衍射极限。
实施例5：入射光的波长为1.55μm时，透射光的聚焦面在38.21μm(设计在40μm)，聚焦效率(焦平面半高全宽内能量与焦平面总能量之比)为54％，半高宽为2.31μm，接近衍射极限2.70μm。可以认为，本发明在1.55μm处具有极好的聚焦效果，同时，也验证了10度角斜入射时的光强分布，聚焦效果同样良好。
图7(a)为正入射空间垂直切面的光强分布，该分布图表明了该结构在1.55μm具有较好的聚焦效果。
图7(b)为正入射聚焦平面的光强分布，该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图7(c)为正入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.31μm，接近衍射极限。
图7(d)为10度角斜入射空间垂直切面的光强分布图，该分布图表明了该结构在1.31μm具有较好的聚焦效果。
图7(e)为10度角斜入射聚焦平面的光强分布图，该分布图表明光斑能量集中，聚焦效果良好。
图7(f)为10度角斜入射焦平面上垂直切面的光强分布，该分布图表明其半高宽为2.35μm，接近衍射极限。
需要说明的是，上述实施例1-实施例5中，当入射光的波长发生变化时，对应的衍射极限也发生变化。其中，衍射极限由入射光波长和透镜结构确定，具体可根据衍射极限公式确定。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种超表面消色差线偏光透镜，其特征在于，包括：n环硅单元结构，第i环硅单元结构包括mi个等间距分布排列的硅单元，每个硅单元包括一个基底和一个椭圆硅柱，所述基底用于承载所述椭圆柱，所述mi个等间距分布排列的硅单元排列形成圆环，n、i均为整数，1≤i≤n；
第i环硅单元结构中mi个硅单元的结构相同，第i环硅单元结构中mi个椭圆硅柱的结构与第j环硅单元结构中mj个椭圆硅柱的结构可以不同，j为整数，j≠i，1≤j≤n；
第i环硅单元结构中每个硅单元的透射光相位与入射光角频率满足线性关系；
对于圆偏振入射光，通过改变椭圆硅柱的长短轴与基底绕其中心点的旋转角来实现消色差聚焦；对于线偏振入射光，通过改变椭圆硅柱的长短轴来实现消色差聚焦。
2.根据权利要求1所述的超表面消色差线偏光透镜，其特征在于，设第i环硅单元结构中每个椭圆硅柱的长轴为Dxi，Dxi取值为200纳米～500纳米，短轴为Dyi；Dyi取值为200纳米～500纳米。
3.根据权利要求1所述的超表面消色差线偏光透镜，其特征在于，各环硅单元结构中基底的结构相同，设基底沿n环硅单元结构扩展方向的长度为L，则第i环硅单元结构的半径为：(i-1)×L。
4.根据权利要求3所述的超表面消色差线偏光透镜，其特征在于，各环硅单元结构中基底的结构相同，其基底的长度为600纳米、宽度为600纳米。
5.根据权利要求4所述的超表面消色差线偏光透镜，其特征在于，各环硅单元结构中椭圆硅柱的高度均为600纳米。
6.根据权利要求5所述的超表面消色差线偏光透镜，其特征在于，当n为25时，第1环硅单元结构到第25环硅单元结构中椭圆硅柱的长轴值分别为：420纳米、416纳米、420纳米、420纳米、432纳米、444纳米、448纳米、436纳米、388纳米、336纳米、316纳米、308纳米、312纳米、292纳米、292纳米、292纳米、284纳米、436纳米、200纳米、372纳米、340纳米、500纳米、460纳米、344纳米以及292纳米；第1环硅单元结构到第25环硅单元结构中椭圆硅柱的短轴值分别为：492纳米、496纳米、476纳米、464纳米、420纳米、372纳米、348纳米、340纳米、392纳米、484纳米、500纳米、200纳米、396纳米、416纳米、364纳米、308纳米、264纳米、484纳米、484纳米、500纳米、500纳米、204纳米、208纳米、216纳米以及216纳米。
7.根据权利要求6所述的超表面消色差线偏光透镜，其特征在于，所述超表面消色差偏光透镜可以对1.31μm～1.55μm的线偏振入射光进行聚焦，且其焦平面重合。
CN201810727096.XA 2018-07-05 2018-07-05 一种超表面消色差线偏光透镜 Active CN109085667B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810727096.XA CN109085667B (zh) 2018-07-05 2018-07-05 一种超表面消色差线偏光透镜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810727096.XA CN109085667B (zh) 2018-07-05 2018-07-05 一种超表面消色差线偏光透镜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109085667A CN109085667A (zh) 2018-12-25
CN109085667B true CN109085667B (zh) 2019-12-06

Family

ID=64836904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810727096.XA Active CN109085667B (zh) 2018-07-05 2018-07-05 一种超表面消色差线偏光透镜

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109085667B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109799611B (zh) * 2019-01-29 2021-06-22 中山大学 一种消色差超构透镜的设计方法及其消色差超构透镜
CN109752841A (zh) * 2019-03-26 2019-05-14 成都理想境界科技有限公司 光纤扫描器及投影显示设备、内窥镜设备
CN111220273A (zh) * 2020-03-23 2020-06-02 中国科学院光电技术研究所 一种基于介质柱结构的多波长消色差超表面偏振测量器件
CN113758565B (zh) * 2020-06-03 2023-07-25 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种用于光谱传感系统中的连接部件及光谱仪
CN113917578B (zh) * 2020-07-07 2023-06-06 深圳迈塔兰斯科技有限公司 一种大口径色差校正超透镜、超透镜系统和光学系统
CN112394429B (zh) * 2020-11-27 2022-02-11 南京大学 一种中红外偏振无关宽带消色差超透镜及其构造方法
CN112505808B (zh) * 2020-12-09 2021-10-08 华中科技大学 一种长波红外宽带消色差超表面透镜
CN114764156B (zh) * 2021-01-11 2024-04-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种红外全介质正交柱面超透镜
CN113257986A (zh) * 2021-05-11 2021-08-13 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于超表面结构的超导纳米线单光子探测器及其制备方法
CN113640905B (zh) * 2021-08-06 2022-08-23 苏州大学 一种基于计算波前编码的偏振无关消色差超透镜
CN114200654B (zh) * 2021-12-07 2024-04-16 华南师范大学 一种用于sted超分辨成像的全介质超表面结构
CN114460726B (zh) * 2022-01-30 2022-12-02 华中科技大学 一种基于双层介质超表面的消色差光学变焦系统
CN114967127B (zh) * 2022-06-16 2023-09-12 曹桂源 多波长消色差超薄平面透镜的设计方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010281876A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Canon Inc 光学素子及びそれを有する光学系
CN105629463B (zh) * 2016-01-20 2017-11-24 浙江大学 一种基于人工微结构超表面的圆偏振光分离器的设计方法
CN106949971A (zh) * 2017-03-27 2017-07-14 华中科技大学 一种基于介质超表面的紧凑偏振态测量仪
CN206772322U (zh) * 2017-04-28 2017-12-19 中国计量大学 一种基于介质超表面的双参数检测系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN109085667A (zh) 2018-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109085667B (zh) 一种超表面消色差线偏光透镜
Jiang et al. All-dielectric metalens for terahertz wave imaging
CN108761585B (zh) 一种基于介质超表面构造多焦点透镜的方法
CN112147721B (zh) 偏振阶数可调且可连续变焦的柱矢量光束透镜及构造方法
Zhao et al. Broadband achromatic sub‐diffraction focusing by an amplitude‐modulated terahertz metalens
CN111007587B (zh) 一种全介质、宽带偏振与相位调控超表面及远场超分辨聚焦器件
Zhang et al. High‐numerical‐aperture dielectric metalens for super‐resolution focusing of oblique incident light
CN109031477A (zh) 一种全介质超表面级联的广角平面镜头制作方法
CN113917578A (zh) 一种大口径色差校正超透镜、超透镜系统和光学系统
CN114089539B (zh) 一种基于复合相位调控的双完美涡旋光束超表面设计方法
CN102495472A (zh) 基于圆环达曼光栅的贝塞尔光束产生器
CN103424870B (zh) 产生柱矢量光束的装置及方法
CN111175862B (zh) 一种全介质平场扫描超分辨平面透镜
CN103869386B (zh) 一种利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置
CN108535865A (zh) 一种焦距可控的负折射光栅平凹镜设计方法
Liu et al. Asymmetric all silicon micro-antenna array for high angle beam bending in terahertz band
CN104849779B (zh) 一种能产生长距离Bessel光束的光学元件
CN106772727B (zh) 一种柱矢量光束介质光栅长焦深聚焦透镜
Wang et al. The investigation of height-dependent meta-lens and focusing properties
CN114706151B (zh) 一种基于仿生蛾眼结构的保偏宽谱聚焦中红外超构透镜
CN111999901A (zh) 一种产生多波段消色差贝塞尔光束的超表面轴锥器件
CN1033342C (zh) 焦线长度连续可调的均匀线聚焦光学系统
CN114397716A (zh) 一种波长和偏振态同时复用的双完美涡旋光束超表面发生器
CN114265133B (zh) 一种聚焦平面超透镜及其参数确定方法和使用方法
Feng et al. Designing Dielectric-Metalens with Selection of Structural Units Encircling an Exceptional Point

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant