CN109073413A - 间距测量设备 - Google Patents

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CN109073413A CN201680085061.XA CN201680085061A CN109073413A CN 109073413 A CN109073413 A CN 109073413A CN 201680085061 A CN201680085061 A CN 201680085061A CN 109073413 A CN109073413 A CN 109073413A
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Abstract

本发明涉及一种间距测量设备,其具有两个磁场传感器、永磁体和半导体主体,其中,所述半导体主体具有整体地集成的分析处理电路并且能够借助所述磁场传感器求取差分信号并且提供作为所述求取的结果的输出信号,其中,所述基于无磁通区域的消除的输出信号的值与所述铁磁性探测器至所述两个磁场传感器的间距相关,并且在第一实施方式中,所述半导体主体布置在在X方向上磁化的磁体的U形地构造的极腿之间,其中,所述第一磁场传感器布置在处于所述第一极的两个彼此相对置的腿之间的区域中并且在极腿之间构造底面,并且所述半导体主体在Z方向上布置在所述底部区域上方,或在第二实施方式中,为了在对两个半导体传感器不同强度地作用的第二探测器的情况下测量所述磁通变化的大小,所述永磁体在Z方向上磁化并且所述两个极面中的一个构造在X‑Y平面并且所述磁场传感器沿所述极面布置。

Description

间距测量设备
技术领域
本发明涉及一种间距测量设备。
背景技术
由DE 10 2015 011 091 A1已知一种磁场测量设备。
发明内容
在该背景下,本发明的任务是提供一种对现有技术进行扩展的设备。
该任务通过具有权利要求1的特征的间距测量设备解决。本发明的有利构型是从属权利要求的主题。
根据本发明的主题,提供一种间距测量设备,其中,间距测量设备具有第一磁场传感器,其中,磁场传感器提供与磁场强度的相关的第一测量信号,并且间距测量设备具有至少一个永磁体。
永磁体具有带第一极面的第一磁极和带第二极面的第二磁极。
也设置一种具有整体集成的分析处理电路的半导体主体,其中,分析处理电路与第一磁场传感器处于电作用连接中,并且半导体主体具有在X-Y平面中构造的表面。
此外,设置一种第二磁场传感器,该第二磁场传感器基于与第一磁场传感器相同的物理工作原理,其中,第二磁场传感器提供与磁场强度相关的第二测量信号,并且第二磁场传感器与分析处理电路处于作用连接中。
分析处理电路为了抑制稳恒磁场而求取差分信号并且提供输出信号作为求取的结果,其中,基于无磁通区域的消除的输出信号的值与铁磁性探测器相对于两个磁场传感器的间距相关。
这两个磁场传感器与半导体主体的表面力锁合地连接并且为了测量磁场的相同分量而基本上或完全相同地布置。
在第一实施方式中,为了在第一探测器相同强度地作用到两个半导体传感器上的情况下测量磁通变化的大小,半导体主体布置沿X方向磁化的磁体的U形构造的极腿之间。
在此,第一磁场传感器布置在处于第一极的两个彼此相对置的腿之间的区域中,而第二磁场传感器布置在处于第二极的两个彼此相对置的腿之间的区域中。
在极腿之间构造有底面并且半导体主体在Z方向上布置在底部区域上方。
在第二实施方式中,为了在第二探测器不同强度地作用到两个半导体传感器上的情况下测量磁通变化的大小,永磁体沿Z方向磁化。
两个极面中的一个极面构造在X-Y平面中并且磁场传感器沿至少一个极面布置。
理解为,永磁体的第一极构造为北极并且第二极构造为南极,或者反之。优选地,尽管永磁体一件式地构造,然而在以下扩展方案中的几个中也能够有利地使用两个单独的永磁体或多个单独的永磁体。
需要说明的是,在第一实施方式中,概念“相同强度地作用的探测器”理解为所谓的对称的探测器。优选地,这种探测器板形地构造,其中,板的尺寸尤其大于两个磁场传感器之间的间距。探测器具有相对于两个磁场传感器相等的间距,也就是说,在间距变化的情况下均匀地实现相对于两个磁场传感器的变化。
在第二实施方式中,概念“不同强度地作用的探测器”理解为所谓的不对称的探测器。在此,探测器相对于两个磁场传感器的间距总是不同的。
此外需要说明的是,对于半导体主体的两种实施方式,两个磁场传感器相对于所述极中的一个极或者相对于两个极这样布置,使得传感器在没有探测器的情况下不发现磁场,也就是说,不产生测量信号。换言之,两个磁场传感器这样定位,使得对于磁场的分量(两个磁场传感器针对所述分量是敏感的)而言基本上是零,或者优选如此小,使得磁场传感器不能探测到所述分量。换言之,这两个磁场传感器优选刚好布置在无磁通的区域中。通过靠近铁磁性探测器,测量信号和输出信号最后以无磁通区域的消除、至少磁场的可测量分量的消除为基础。
理解为,在使用感测到磁场的所有三个分量的所谓的3D磁场传感器的情况下,无磁通的区域涉及所有三个分量。
根据本发明的设备的优点是:通过两个磁场传感器的布置借助于差分信号的求取能够屏蔽稳恒磁场。此外,信号振幅增大并且提高间距确定的可靠性。
在扩展方案中,永磁体U形地构造并且具有两个彼此相对置的、直地并且平行延伸的腿或圆形的腿。在第一实施方式中,在垂直于Z轴线的方向上变换磁场的极性,而在第二实施例中,磁体的底部区域总体上具有与整个腿区域不同的极性。
在另一扩展方案中,永磁体在中心区域中具有槽。优选地,槽孔形地构造,其中,孔形的槽不仅圆形地构造,而且四边形地、优选矩形地构造。研究已经表明,能够通过槽扩大零场区域。优选地,具有槽的中心区域包括永磁体的重心。
在一种实施方式中,半导体主体布置在永磁体的重心上方,使得在永磁体的重心位置处形成的法线穿过半导体主体。
在另一实施方式中,永磁体在第一替代方案中由两个反向地直接彼此并排地布置的、垂直磁化的单磁体构成。替代于之前一件式的构造,永磁体现在两件式地构造。
在一种扩展方案中,在腿之间构造有底部区域,其中,在第一替代方案中磁体的极性在底部区域中沿中线变换,并且在第二替代方案中极性在磁体的底部区域中保持相同。
在一种实施方式中,腿在X-Y平面中构造环绕的壁。在第一替代方案中,所述壁的第一半部具有第一磁极性并且所述壁的第二半部具有第二极性。在此,第一磁场传感器布置在第一磁极性的区域中并且第二磁场传感器布置在第二磁极性的区域中。在第二替代方案中,环绕的壁具有一致的磁极性,也就是说,两个磁场传感器要么布置在第一极性的区域中、要么布置在第二极性的区域中。
在另一实施方式中,两个磁场传感器的布置在X-Y平面中的表面与在腿的端部上构造的极面相比在Z方向相对于磁体的内底面的间距相等或较小。换言之,磁场传感器的表面最多处于与极面相等的高度上,但优选略低于极面。
在一种实施方式中,两个磁场传感器相对于分别紧邻的极面具有相等的间距,也就是说,在X方向上和/或在Y方向上相对于分别紧邻的极面的间距是相等的。
在一种扩展方案中,在第二替代方案中,两个磁场传感器在X方向上与沿Y方向构造的唯一的极面间隔开。
在另一扩展方案中,在第二替代方案中,两个磁场传感器沿X方向布置并且在沿X方向彼此间隔开的两个永磁体之间布置。
在一种扩展方案中,两个磁场传感器构造为霍尔传感器并且优选整体地构造在半导体主体中。在一种实施方式中,霍尔传感器实施为在X-Y平面中构造的霍尔板。
附图说明
下面参照附图详细阐述本发明。在此,同类的部分以相同的标志来标记。所示出的实施方式是强烈示意性的,即,间距以及纵向和横向的延伸不是按比例的并且(只要未另外说明)也不具有能互相推导的几何关系。
附图示出:
图1a示出根据本发明的第一实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图1b示出根据本发明的第一实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图1c示出根据本发明的第一实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图2a示出根据本发明的第二实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图2b示出根据本发明的第二实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图2c示出根据本发明的第二实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图3a示出根据本发明的第三实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图3b示出根据本发明的第三实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图3c示出根据本发明的第三实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图4a示出根据本发明的第四实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图4b示出根据本发明的第四实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图4c示出根据本发明的第四实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图5a示出根据本发明的第五实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图5b示出根据本发明的第五实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图5c示出根据本发明的第五实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图6a示出根据本发明的第六实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图6b示出根据本发明的第六实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图6c示出根据本发明的第六实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图7a示出根据本发明的第七实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图7b示出根据本发明的第七实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图7c示出根据本发明的第七实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图8a示出根据本发明的第八实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图8b示出根据本发明的第八实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图8c示出根据本发明的第八实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图9a示出根据本发明的第九实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图9b示出根据本发明的第九实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图9c示出根据本发明的第九实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图10a示出根据本发明的第十实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图10b示出根据本发明的第十实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图10c示出根据本发明的第十实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图11a示出根据本发明的第十一实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图11b示出根据本发明的第十一实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图11c示出根据本发明的第十一实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图12a示出根据本发明的第十二实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图12b示出根据本发明的第十二实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图12c示出根据本发明的第十二实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图13a示出根据本发明的第十三实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图13b示出根据本发明的第十三实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图13c示出根据本发明的第十三实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图14a示出根据本发明的第十四实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图14b示出根据本发明的第十四实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图14c示出根据本发明的第十四实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图15a示出根据本发明的第十五实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图15b示出根据本发明的第十五实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图15c示出根据本发明的第十五实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图16a示出根据本发明的第十六实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图16b示出根据本发明的第十六实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图16c示出根据本发明的第十六实施方式在X-Y平面中的俯视图;
图17a示出根据本发明的第十七实施方式在Y-Z平面中的俯视图;
图17b示出根据本发明的第十七实施方式在X-Z平面中的俯视图;
图17c示出根据本发明的第十七实施方式在X-Y平面中的俯视图;
具体实施方式
对于下面的所有实施方式需要说明的如下:为了图示说明,分别仅标记一个所选择的磁化方向。但是要理解,在保持其他几何布置并且尤其在半导体主体对准表面上的两个磁场传感器的情况下,在所有示出的实施例中磁化方向也可以相对于相应示出的方向刚好成180°地、即反向地构造。
图1a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第一实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状对称的探测器40,该永磁体具有与Y方向相反的磁化方向并且由此得出南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。两个磁场传感器34和38在Y方向上彼此间隔开。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。
在图1b的图中示出根据本发明的第一实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图1a的区别。
永磁体20具有两个在X方向上间隔开的腿128作为北极28。在北极28的腿128之间,底部区域130同样构造为北极28。由此,永磁体具有U形结构,该U形结构具有沿Y方向的磁化。
半导体主体30大致居中地布置在腿128之间。半导体主体30沿Z方向与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。由此,探测器40均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,换言之,探测器40对称地影响两个磁场传感器34和38。
在图1c的图中示出根据本发明的第一实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图1a和图1b的区别。为了清楚起见,未示出探测器40。
在Y方向上,永磁体20贴靠着北极28地具有南极24。南极24在几何方面与北极28相同地构造,即南极24具有两个腿124和处于中间的底部区域130。南极24的腿124和北极28的腿128沿着Y轴线构造。
第一磁场传感器34布置在南极24的两个腿124之间的区域中并且第二磁场传感器38布置在北极28的两个腿128之间的区域中。半导体主体20具有沿Y轴线的纵轴线并且刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间。两个磁场传感器34和38沿着Y方向上的纵轴线相对彼此间隔开。换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心,并且由此将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的假想的间距直线(Abstandsgerade)对半分。
图2a的图示出间距测量装置10的根据本发明的第二实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状对称的探测器40,该永磁体具有与Y方向相反的磁化方向并且由此得出南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。
图2b的图中示出根据本发明的第二实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图2a的区别。
永磁体20具有两个在X方向上间隔开的腿128作为北极28。在北极28的腿128之间,底部区域130同样构造为北极28。由此,永磁体具有U形结构,该U性结构具有沿Y方向的磁化。在底部区域130的中心,永磁体20具有孔140。
半导体主体30大致居中地布置在腿128之间并且在Z方向上看布置在孔140上方。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。由此,探测器40均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,换言之,探测器40对称地影响两个磁场传感器。
在图2c的图中示出根据本发明的第二实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图2a和图2b的区别。为了清楚起见,未示出探测器40。
在Y方向上,永磁体20贴靠着北极28地具有南极24。南极24在几何方面与北极28相同地构造,也就是说,南极24具有两个腿124和处于中间的底部区域130。南极24的腿124和北极28的腿128沿Y轴线构造。孔140四边形地构造并且包含底部区域130的面中心。孔140的面的一半布置在北极28的底部区域130中并且孔140的面的另一半布置在北极24的底部区域130中。
第一磁场传感器34布置在南极24的两个腿124之间的区域中并且第二磁场传感器38布置在北极28的两个腿128之间的区域中。半导体主体30刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间,并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在孔140上方。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的假想的间距直线对半分。
图3a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第三实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状对称的探测器40,该永磁体具有在X方向上的磁化方向和北极28以及由北极28覆盖的南极24,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和由第一传感器34覆盖的整体集成的第二磁场传感器38。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。
图3b的图中示出根据本发明的第三实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图3a的区别。
永磁体20具有两个在X方向上间隔开的并且分别在Y方向上构造的腿124和128。在南极的腿124与北极28的腿128之间,底部区域130一半构造为南极24并且剩余的一半构造为北极28,换言之,沿X轴线在底部区域130的中间变换极性。永磁体具有U形结构,该U形结构具有沿X方向的磁化。
在未示出的实施方式中,永磁体20在底部区域130的中间具有孔140。
半导体主体30大致居中地布置在腿124与腿128之间并且在Z方向上看布置在底部区域130上方。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等的或更大的延伸尺度。由此,探测器40均匀地覆盖两个磁场传感器34和38,换言之,借助探测器40对称地影响两个磁场传感器。
在图3c的图中示出根据本发明的第三实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图3a和图3b的区别。为了清楚起见,未示出探测器40。
在X方向上,永磁体20贴靠着北极28地具有南极24。南极24在几何方面与北极28相同地构造。南极24的腿124和北极28的腿128分别沿Y轴线构造并且彼此平行地相对置。
第一磁场传感器34布置在南极24的底部区域130上方并且第二磁场传感器38布置在北极28的底部区域130上方。半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间并且沿Z方向布置。两个磁场传感器34和38沿着半导体主体30的在X方向上的纵轴线彼此间隔开。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此将在半导体主体30的表面处的两个磁场传感器34和38之间的假想的间距直线对半分。
在未示出的实施方式中,底部区域130包括孔140。孔140四边形地构造并且包含底部区域130的面中心。孔140的面的一半布置在北极28的底部区域130中并且孔140的面的另一半布置在南极24的底部区域130中。半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在孔140上方。
图4a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第四实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状对称的探测器40,该永磁体具有与Y方向相反的磁化方向并且由此得出南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。两个磁场传感器34和38在Y方向上彼此间隔开。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。
在Y方向上,永磁体20贴靠着北极28地具有南极24。南极24在几何方面与北极28相同地构造。南极24的腿124和北极28的腿128分别沿X轴线构造并且彼此以平行的方式相对置。
第一磁场传感器34布置在南极24的底部区域130上方并且第二磁场传感器38布置在北极28的底部区域130上方。半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间并且在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。两个磁场传感器34和38沿着半导体主体20的在Y方向上的纵轴线彼此间隔开。
在图4b的图中示出根据本发明的第四实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图4a的区别。
半导体主体30是不可见的,而是由腿128覆盖。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。由此,探测器40均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,换言之,探测器40对称地影响两个磁场传感器34和38。
在未示出的实施方式中,永磁体20在底部区域130的中间具有孔140。
在图4c的图中示出根据本发明的第四实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图4a和图4b的区别。为了清楚起见,未示出探测器40。
在Y方向上,永磁体20贴靠着北极28地具有南极24。南极24在几何方面正如北极28那样构造,也就是说,南极24具有腿124和处于中间的底部区域130。南极24的腿124和北极28的腿128沿X轴线彼此相对置地平行地构造。
第一磁场传感器34布置在南极24的腿124之间的区域中并且第二磁场传感器38布置在北极28的两个腿128之间。半导体主体20具有它的沿Y轴线的纵轴线并且刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间。两个磁场传感器34和38沿着在Y方向上的纵轴线彼此间隔开。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的假想的间距直线对半分。
在未示出的实施方式中,底部区域130包括孔140。孔140四边形地构造并且包含底部区域130的面中心。孔140的面的一半布置在北极28的底部区域130中并且孔140的面的另一半布置在南极24的底部区域130中。
半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在孔140上方。
图5a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第五实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状对称的探测器40,该永磁体由第一部分21和第二部分22构造,该永磁体具有在Z方向上的或与Z方向相反的磁化方向并且由此分别得出南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。永磁体20的第一部分21和永磁体20的第二部分22分别具有垂直地(即在Z轴线的方向上)构造的磁化。两个磁场传感器34和38在Y方向上彼此间隔开。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。
永磁体的第一部分21和第二部分22通过小于10mm、优选小于3mm的间隙彼此间隔开。在未示出的实施方式中,所述两个部分通过磁力锁合无间隙地相互连接。
在Y方向上,永磁体20的第二部分22的南极24在永磁体20的第一部分21处贴靠在北极28的下侧上。永磁体20的第二部分22的北极28在永磁体20的第一部分21的南极处贴靠在上侧上。换言之,永磁体20的第一部分21相对于永磁体20的第二部分22具有相反的磁化方向。
第一磁场传感器34布置在南极24的底部区域130上方并且第二磁场传感器28布置在北极28的底部区域130上方。半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间并且在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。两个磁场传感器34和38沿半导体主体20的在Y方向上构造的纵轴线彼此间隔开。
在图5b的图中示出根据本发明的第五实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图5a的区别。
半导体主体30沿着Y方向构造并且仅在头侧处是可见的。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。由此,探测器40均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,换言之,探测器40对称地影响两个磁场传感器34和38。
在未示出的实施方式中,永磁体20在底部区域130的中间具有孔140。
在图5c的图中示出根据本发明的第五实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图5a和图5b的区别。为了清楚起见,未示出探测器40。
第一部分21的南极24在几何方面正如第二部分22的北极28那样构造。第一部分21的南极24的两个彼此相对置的腿124和第二部分22的北极28的两个彼此相对置的腿128分别沿X方向构造。分别彼此相对置的腿124和分别彼此相对置的腿128沿X方向平行走向地构造。
在Y方向上,永磁体20贴靠到第一部分21的南极24地具有第二部分22的北极28。第一部分21的南极24在几何方面正如第二部分22的北极28那样构造,也就是说,第一部分21的南极24具有两个彼此相对置的腿124和处于中间的底部区域130,正如第二部分22的北极28具有两个彼此相对置的腿128和处于中间的底部区域130那样。
第一磁场传感器34布置在南极24的腿124之间的区域中并且第二磁场传感器38布置在北极28的两个腿128之间。半导体主体20具有它的沿Y轴线的纵轴线并且刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间。两个磁场传感器34和38沿着在Y方向上的纵轴线彼此间隔开。沿着与Y轴线平行地构造的中线在底部区域130的中心进行南极24与北极28之间的极性变换。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的假想的间距直线对半分。
在未示出的实施方式中,底部区域130包括孔140。孔140四边形地构造并且包含底部区域130的面中心。孔140的面的一半布置在北极28的底部区域130中并且孔140的面的另一半布置在南极24的底部区域130中。
半导体主体30刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的腿24和28之间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在孔140上方。
图6a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第六实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状对称的探测器40,该永磁体具有在Z方向上的磁化方向和由此得出北极28和由北极28覆盖的南极24,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。当前,第一磁场传感器34由第二磁场传感器38覆盖。
在图6b的图中示出根据本发明的第六实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图6a的区别。
圆形地并且盆状地构造的永磁体20具有南极24的半圆形的腿124和北极28的相对置的半圆形的腿128。在南极24的腿124与北极28的腿128之间,底部区域130的一半构造为南极24并且剩余的一半构造为北极28,换言之,沿X轴线在底部区域130的中心处变换极性。在其上极性从南向北地变换的面构造在Y-Z平面中。永磁体具有在X方向上的磁化。
半导体主体30具有在X方向上的纵轴线并且大致居中地布置在腿124与腿128之间并且在Z方向上看布置在底部区域130上方。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。由此,探测器40均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,换言之,借助探测器40对称地影响两个磁场传感器。
图6c的图中示出根据本发明的第三实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图6a和图6b的区别。为了清楚起见,未示出探测器40。
在X方向上,永磁体20贴靠到南极24上地具有北极28。南极24在几何方面正如北极28那样构造。南极24的半圆形的腿124和北极28的半圆形的腿128大部分彼此相对置并且在其上发生极性变换的Y-Z面相接触。
第一磁场传感器34布置在南极24的底部区域130上方并且第二磁场传感器38布置在北极28的底部区域130上方。半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的两个半圆形的腿24和28之间并且在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。两个磁场传感器34和38沿半导体主体30的在X方向上的纵轴线彼此间隔开。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的假想的间距直线对半分。
图7a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第七实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状对称的探测器40,该永磁体具有在X方向上的磁化方向和由此得出的北极28和由北极28覆盖的南极24,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。当前,第一磁场传感器34由第二磁场传感器38覆盖。
在图7b的图中示出根据本发明的第七实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图7a的区别。
圆形地并且盆状地构造的永磁体20具有南极24的半圆形的腿124和北极28的相对置的半圆形的腿128。在南极24的腿124与北极28的腿128之间,底部区域130的一半构造为南极24并且剩余的一半构造为北极28,换言之,沿X轴线在底部区域130的中间变换极性。在其上从南向北地变换极性的面构造在Y-Z平面中。永磁体具有在X方向上的磁化。
半导体主体30具有在X方向上的纵轴线并且大致居中地布置在腿124与腿128之间并且在Z方向上看布置在底部区域130上方,然而布置在腿124和128的沿Z方向构造的高度以内。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。由此,探测器40均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,换言之,借助探测器40对称地影响两个磁场传感器。
永磁体在底部区域130的中间具有孔140。
在图7c的图中示出根据本发明的第七实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图7a和图7b的区别。为了清楚起见,未示出探测器40。
在X方向上,永磁体20贴靠到南极24上地具有北极28。南极24在几何方面正如北极28那样构造。南极24的半圆形的腿124和北极28的半圆形的腿128大部分彼此相对置并且在其上发生极性变换的Y-Z面相接触。
第一磁场传感器34布置在南极24的底部区域130上方并且第二磁场传感器38布置在北极28的底部区域130上方。半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的两个半圆形的腿24和28之间并且在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。两个磁场传感器34和38沿半导体主体30的在X方向上的纵轴线彼此间隔开。
布置在中心的底部区域130中的孔140圆形地构造并且包含底部区域130的面中心。孔140的面的一半布置在北极28的底部区域130中并且孔140的面的另一半布置在南极24的底部区域130中。
第一磁场传感器34布置在由南极24的半圆形的腿124围绕的区域中并且第二磁场传感器38布置在由北极28的半圆形的腿128围绕的区域中。由此,半导体主体30布置在南极24的半圆形的腿124和北极28的半圆形的腿128的中间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在孔140上方。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发(即在其上构造孔140的位置处)穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的假想的间距直线对半分。
图8a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第八实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状对称的探测器40,该永磁体具有在X方向上的磁化方向和由此得出的北极28和由北极28覆盖的南极24,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。当前,第一磁场传感器34由第二磁场传感器38覆盖。
在图8b的图中示出根据本发明的第八实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图8a的区别。
四边形地并且盆状地构造的永磁体20具有南极24的在X方向上构造的U形的腿124和北极28的相对置的、同样在X方向上构造的U形的腿128。在南极24的腿124与北极28的腿128之间,底部区域130一半构造为南极24并且剩余的一半构造为北极28,换言之,沿X轴线在底部区域130的中间变换极性。在其上从南向北地变换极性的面构造在Y-Z平面中。永磁体具有在X方向上的磁化。
半导体主体30具有在X方向上的纵轴线并且大致居中地布置在腿124与腿128之间并且在Z方向上看布置在底部区域130上方,然而布置在腿124和128沿Z方向构造的高度以内。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等的或更大的延伸尺度。由此,探测器40均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,换言之,借助探测器40对称地影响两个磁场传感器。
在未示出的实施方式中,在底部区域130的中心构造有四边形的孔140。
图8c的图中示出根据本发明的第八实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图8a和图8b的区别。为了清楚起见,未示出探测器40。
在X方向上,永磁体20贴靠到南极24上地具有北极28。南极24在几何方面正如北极28那样构造。南极24的U形的腿124和北极28的U形的腿128大部分彼此相对置并且在其上发生极性变换的Y-Z面相接触。
第一磁场传感器34布置在南极24的底部区域130上方并且第二磁场传感器38布置在北极28的底部区域130上方。半导体主体30刚好居中地或近似居中地布置在磁体20的两个U形的腿24和28之间并且在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。两个磁场传感器34和38沿半导体主体20的在X方向上的纵轴线彼此间隔开。
永磁体20的重心也位于中心的底部区域130中。
第一磁场传感器34布置在由南极24的U形的腿124围绕的区域中并且第二磁场传感器38布置在由北极28的U形的腿128围绕的区域中。由此,半导体主体30布置在南极24的U形的腿124和北极28的U形的腿128的中间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在重心上方。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。
在未示出的实施方式中,孔140四边形地构造在中心的底部区域130中并且包含底部区域130的面中心。孔140的面的一半构造在北极28的底部区域130中并且孔140的面的另一半构造在南极24的底部区域130中。
换言之,在未示出的实施方式中,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发(即在其上构造孔140的位置处)穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体20的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。
图9a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第九实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状对称的探测器40,该永磁体具有在X方向上的磁化方向和由此得出的北极28和由北极28覆盖的南极24,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。当前,第一磁场传感器34由第二磁场传感器38覆盖。
在图9b的图中示出根据本发明的第九实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图9a的区别。
四边形地并且部分盆状地构造的永磁体20具有南极24的在X-Y方向上构造的角形的腿124和北极28的相对置的、同样在X-Y方向上构造的角形的腿128。在南极24的腿124与北极28的腿128之间,底部区域130的一半构造为南极24并且剩余的一半构造为北极28,换言之,沿X轴线在底部区域130的中间变换极性。在其上从南向北地变换极性的面构造在Y-Z平面中。永磁体具有在X方向上的磁化。部分盆状的永磁体20在Y轴线的方向上看是敞开的,也就是说,沿X-Z平面缺少围绕底部区域130的壁。
半导体主体30具有在X方向上的纵轴线并且大致居中地布置在腿124与腿128之间并且在Z方向上看布置在底部区域130上方,然而布置在腿124和128沿Z方向构造的高度以内。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。由此,探测器40均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,换言之,借助探测器40对称地影响两个磁场传感器。
在未示出的实施方式中,在底部区域130的中心构造有四边形的孔140。
在图9c的图中示出根据本发明的第九实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图9a和图9b的区别。为了清楚起见,未示出探测器40。
在X方向上,永磁体20贴靠到南极24上地具有北极28。南极24在几何方面正如北极28那样构造。南极24的角形的腿124和北极28的角形的腿128大部分彼此相对置并且仅在其上发生极性变换的唯一的Y-Z面上相接触。
第一磁场传感器34布置在南极24的底部区域130上方并且第二磁场传感器38布置在北极28的底部区域130上方。半导体主体20近似居中地布置在磁体20的两个角形的腿24和28之间并且在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。两个磁场传感器34和38沿半导体主体20的在X方向上的纵轴线彼此间隔开。
永磁体20的重心也处于中心的底部区域130中。
第一磁场传感器34布置在由南极24的角形的腿124围绕的区域中并且第二磁场传感器38布置在北极28的角形的腿128围绕的区域中。由此,半导体主体30大致布置在南极24的角形的腿124和北极28的角形的腿128的中间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在重心上方。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体20的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。
在未示出的实施方式中,孔140四边形地构造在中心的底部区域130中并且包含底部区域130的面中心。孔140的面的一半构造在北极28的底部区域130中并且孔140的面的另一半构造在南极24的底部区域130中。
换言之,在未示出的实施方式中,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发(即在其上构造孔140的位置处)穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。
图10a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第十实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状的探测器40,该永磁体具有与Z方向相反的磁化方向和由此得出的南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。
探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上仅具有如永磁体20的大约一半大的或更小的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。当前,第一磁场传感器34在Y方向上与第二磁场传感器38间隔开地布置。
永磁体20具有沿Z方向构造的垂直磁化,其中,南极24布置在北极28上方。
在图10b的图中示出根据本发明的第十实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图10a的区别。
四边形地并且仅部分以盆状的实施方案构造的永磁体20具有南极24的在X-Y方向上构造的U形的腿124,其中,腿124沿Y方向彼此平行地构造,也就是说,两个腿124在X方向上间隔开。底部区域130作为南极24构造在南极24的U形的腿124的侧之间,换言之,仅沿Z方向变换极性。磁化是在Z方向上垂直的。部分盆状地实施的永磁体20在Y轴线的方向上看是敞开的,也就是说,沿X-Z平面缺少围绕的、构造为南极24的壁。
半导体主体30具有在Y方向上的纵轴线并且大致居中地布置在由U形的腿124形成的区域之间并且在Z方向上看布置在底部区域130上方,然而布置在腿124沿Z方向构造的高度以内。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。由此,探测器40不均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,或换言之,借助探测器40不对称地影响两个磁场传感器。
在未示出的实施方式中,在底部区域130的中心构造有四边形的孔140。
在图10c的图中示出根据本发明的第十实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图10a和图10b的区别。探测器40仅部分地覆盖永磁体20。
南极24的U形的腿124仅在三侧上围绕底部区域130。
两个磁场传感器34和38沿半导体主体20的在Y方向上的纵轴线彼此间隔开并且布置在南极24的底部区域130上方。半导体主体20近似居中地布置在U形的腿124之间并且在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。
永磁体20的重心也处于中心的底部区域130中。
两个磁场传感器34和38布置在南极24的U形的腿124的区域中。半导体主体30大致布置在南极24的U形的腿124的中间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在重心上方。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在Y方向上形成的假想的间距直线对半分。
在未示出的实施方式中,孔140四边形地构造在中心的底部区域130中并且包含底部区域130的面中心。
换言之,在未示出的实施方式中,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发(即在其上构造孔140的位置处)穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。
图11a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第十一实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状的探测器40,该永磁体具有与Z方向相反的磁化方向和由此得出的南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。
两个磁场传感器34和38在X方向上彼此间隔开。探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。
南极24在Z方向上布置在北极28上方,也就是说,永磁体20具有垂直磁化。
在图11b的图中示出根据本发明的第十一实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图11a的区别。
永磁体20具有两个在X方向上间隔开的腿124作为南极24。底部区域130在腿124之间同样构造为南极124。由此,永磁体具有U形构造,该U形构造具有在Z方向上的磁化。
半导体主体30大致居中地布置在腿124之间。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上仅具有如永磁体20的大约一半大的或更小的延伸尺度。由此,探测器40不均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,换言之,探测器40不对称地影响两个磁场传感器。当前,仅覆盖两个磁场传感器34和38中的一个磁场传感器。
图11c的图中示出根据本发明的第十一实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图11a和图11b的区别。探测器40在X-Y平面中仅部分地覆盖永磁体20、优选仅覆盖一半。尤其仅覆盖两个磁场传感器34和38中的一个磁场传感器。
在Z方向上,永磁体20贴靠到南极24上地具有北极28。南极24仅具有两个腿124和处于中间的底部区域130。南极24的腿124沿Y轴线彼此平行地构造。
两个磁场传感器34和38布置在南极24的两个腿124之间的区域中。半导体主体30具有沿X方向的轴线并且刚好居中地或近似居中地布置在磁场20的腿24之间。沿着在X方向上的纵轴线彼此间隔开的两个磁场传感器34和38在Z方向上与底部区域130间隔开。
在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的假想的间距直线对半分。
在未示出的实施方式中,四边形的孔140构造在中心的底部区域130中并且包含底部区域130的面中心。
换言之,在未示出的实施方式中,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发(即在其上构造孔140的位置处)穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。
图12a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第十二实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状的探测器40,该永磁体具有与Z方向相反的磁化方向和由此得出的南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。
探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有至少永磁体20的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。
永磁体20的南极24在Z方向上布置在北极28上。永磁体20具有垂直磁化或在Z方向上走向的磁化。
第一磁场传感器34和第二磁场传感器38在Z方向上布置在南极24的上边缘旁。
在图12b的图中示出根据本发明的第十二实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图12a的区别。
两个磁场传感器34和38沿半导体主体20在X方向上构造的纵轴线彼此间隔开。
半导体主体30的纵轴线沿X方向构造并且当前仅有半导体主体30的头侧是可见的。优选地,探测器40在X方向上具有与永磁体20的南极24相等或更大的延伸尺度。
在图12c的图中示出根据本发明的第十二实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图12a和图12b的区别。
探测器40仅覆盖南极24的上侧的大约一半并且仅覆盖在南极24旁边间隔开的两个磁场传感器34和38中的一个磁场传感器,换言之,探测器40不对称地影响两个磁场传感器34和38。
半导体主体30与南极24之间的间距在Y方向上平行走向地不变地构造。
图13a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第十三实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状的探测器40,该永磁体具有与Z方向相反的磁化方向和由此得出的南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。
探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上仅具有如永磁体20的大约一半大的或更小的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。
永磁体20的南极24在Z方向上布置在北极28上。永磁体20具有垂直磁化或在Z方向上走向的磁化。
第一磁场传感器34和第二磁场传感器38在Z方向上布置在南极24的上边缘处。
图13b的图中示出根据本发明的第十三实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图13a的区别。
永磁体20包括第一部分21和第二部分22。永磁体20的第一部分21和永磁体20的第二部分22分别具有垂直的(即在Z轴线的方向上构造的)同向的磁化。两个磁场传感器34和38在X方向上通过间隙彼此间隔开。
间隙的尺寸至少与半导体主体30在其头侧的宽度同样大。两个磁场传感器34和38沿半导体主体30在Y方向上构造的纵轴线彼此间隔开。
半导体主体30的纵轴线沿Y方向构造并且当前仅有半导体主体30的头侧是可见的。优选地,探测器40具有与永磁体20的两个部分21和22相等的或更大的延伸尺度。
在图13c的图中示出根据本发明的第十三实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图13a和图13b的区别。探测器40仅覆盖两个南极的上侧的大约一半并且仅覆盖两个磁场传感器134和138中的一个磁场传感器,换言之,探测器40不对称地影响两个磁场传感器34和38。
第一部分21的南极24在几何方面正如第二部分22的南极24那样构造。分别彼此相对置的南极24在Y方向上平行走向地构造,也就是说,间隙是等宽的。
第一磁场传感器34布置在两个南极24之间的区域中。半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在永磁体20的两个部分21和22的两个南极24之间。
图14a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第十四实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状的探测器40,该永磁体具有与Z方向相反的磁化方向和由此得出的南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。
探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等的或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。
永磁体20的南极24在Z方向上布置在北极28上。永磁体20具有垂直磁化或在Z方向上走向的磁化。
第一磁场传感器34和第二磁场传感器38在Z方向上布置在南极24的上边缘处。
在图14b的图中示出根据本发明的第十四实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图14a的区别。
永磁体20包括第一部分21和第二部分22。永磁体20的第一部分21和永磁体20的第二部分22分别具有垂直的(即在Z轴线的方向上构造的)同向的磁化。两个磁场传感器34和38在X方向上通过间隙彼此间隔开。
间隙的尺寸至少与半导体主体30在半导体主体30的在X方向上的纵轴线的方向上的长度同样大。两个磁场传感器34和38沿半导体主体30在X方向上构造的纵轴线彼此间隔开。
半导体主体30的纵轴线沿Y方向构造并且当前仅有半导体主体30的头侧是可见的。优选地,探测器40仅具有如永磁体20的两个部分21和22的大约一半大的或更小的延伸尺度。
在图14c的图中示出根据本发明的第十四实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图14a和图14b的区别。
探测器40仅覆盖第二部分22的南极的上侧并且仅覆盖两个磁场传感器34和38中的一个磁场传感器,换言之,探测器40不对称地影响两个磁场传感器34和38。
第一部分21的南极24在几何方面正如第二部分22的南极24那样构造。分别彼此相对置的南极24在Y方向上平行走向地构造,也就是说,间隙是等宽的。
半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在永磁体20的两个部分21和22的两个南极24之间。
图15a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第十五实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状的探测器40,该永磁体具有与Z方向相反的磁化方向和由此得出的南极24和在Z方向上布置在南极24上方的北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。
探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。当前,第一磁场传感器34由第二磁场传感器38覆盖。永磁体20具有垂直的(即在Z方向上的)磁化。
图15b的图中示出根据本发明的第十五实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图15a的区别。
圆形地并且盆状地构造的永磁体20具有在Y-X平面中环绕的壁、即南极24的腿124,其中,腿124圆形地构造为环绕的壁。
底部区域130在环绕的壁之间构造为南极24,换言之,仅沿Z方向变换极性。
半导体主体30具有在Y方向上的纵轴线并且布置在由腿124构成的环形壁内部并且在Z方向上看布置在底部区域130上方,但布置在腿124沿Z方向构造的高度以内。
半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上也具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。
在底部区域130的中心构造有圆形的孔140。
图15c的图中示出根据本发明的第十五实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图15a和图15b的区别。
探测器40仅覆盖永磁体20的大约一半,也就是说,两个磁场传感器34和38被不均匀地覆盖,换言之,借助探测器40不对称地影响两个磁场传感器。
两个磁场传感器34和38布置在底部区域130上方。半导体主体30刚好居中地或近似居中地布置在环绕的壁之间并且在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。两个磁场传感器34和38沿半导体主体30的在Y方向上的纵轴线彼此间隔开。
永磁体20的重心也处于中心的底部区域130中。
第一磁场传感器34布置在由南极24的U形的腿124环绕的区域中并且第二传感器38布置在由北极28的U形的腿128环绕的区域中。由此,半导体主体30布置在南极24的U形的腿124和北极28的U形的腿128的中间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在重心上方。
因为在底部区域130中心构造有圆形的孔140,永磁体20的重心也被孔140所包含。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发(即在其上构造孔140的位置处)穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。
图16a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第十六实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状的探测器40,该永磁体具有与Z方向相反的磁化方向和由此得出的北极28和南极24,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。
探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。当前,第一磁场传感器34由第二磁场传感器38覆盖。
南极24在Z方向上布置在北极28上方,也就是说,永磁体20具有垂直磁化。
在图16b的图中示出根据本发明的第十六实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图16a的区别。
四边形地并且盆状地构造的永磁体20具有南极24的构造为环绕的壁的腿124。在环绕的壁内部构造有底部区域130,该底部区域构造为南极24,换言之,仅沿Z轴线变换极性。
半导体主体30具有在X方向上的纵轴线并且大致居中地布置在所述壁之间,并且在Z方向上看布置在底部区域130上方,然而布置在腿124沿Z方向构造的高度以内。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上仅具有如永磁体20的大约一半大的或更小的延伸尺度。由此,两个磁场传感器24和28被不均匀地覆盖,换言之,借助探测器40不对称地影响两个磁场传感器。
在未示出的实施方式中,在底部区域130的中心构造有四边形的孔140。
在图16c的图中示出根据本发明的第十六实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图16a和图16b的区别。探测器40仅覆盖第一磁场传感器34并且仅覆盖永磁体20的一半。
两个磁场传感器34和38布置在底部区域130上方。半导体主体20刚好居中地或近似居中地布置在环绕的壁之间并且在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。两个磁场传感器34和38沿半导体主体30的在X方向上的纵轴线彼此间隔开。
永磁体20的重心也处于中心的底部区域130中。
半导体主体30布置在南极24的壁状的腿的中间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在重心上方。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。
在未示出的实施方式中,孔140在中心的底部区域130中四边形地构造并且包含底部区域130的面中心。
换言之,在未示出的实施方式中,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发(即在其上构造有孔140的位置处)穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体20的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。
图17a的图示出间距测量设备10的根据本发明的第十七实施方式在Y-Z平面中的俯视图。间距测量设备10包括永磁体20、半导体主体30和铁磁性板状的探测器40,该永磁体具有与Z方向相反的磁化方向和分别由此得出的南极24和北极28,该半导体主体具有整体集成的第一磁场传感器34和整体集成的第二磁场传感器38。
探测器40可以在所有空间方向上移动并且优选地在Y方向上具有与永磁体20相等的或更大的延伸尺度。半导体主体30具有当前未示出的集成的分析处理电路。当前,第一磁场传感器34与第二磁场传感器38在X方向上间隔开,也就是说,第二磁场传感器38覆盖第一磁场传感器34。
永磁体20具有沿Z方向构造的垂直磁化,其中,南极24布置在北极28的上方。
在图17b的图中示出根据本发明的第十七实施方式在X-Z平面中的俯视图。下面仅阐述与图17a的区别。
四边形地并且仅部分以盆状的实施方式构造的永磁体20具有南极24的在X-Y方向上构造的U形的腿124。
底部区域130在南极24的U形的腿124的侧之间构造为南极24,换言之,仅沿Z方向变换极性。磁化是在Z方向上垂直的。通过腿124构造的壁仅在三侧上围绕底部区域130,也就是说,部分盆状地实施的永磁体20在Y轴线的方向上看是敞开的,也就是说,沿X-Z平面缺少构造为南极24的环绕的壁。
半导体主体30具有在X方向上的纵轴线并且大致居中地布置在由U形的腿124构造的区域之间,并且在Z方向上看布置在底部区域130上方,然而布置在腿124沿Z方向构造的高度以内。半导体主体30在Z方向上与底部区域130间隔开。优选地,探测器40在X方向上仅具有如永磁体20的一半大的或更小的延伸尺度。由此,探测器40不均匀地覆盖两个磁场传感器24和28,或换言之,借助探测器40不对称地影响两个磁场传感器。
在未示出的实施方式中,在底部区域130的中心构造有四边形的孔140。
在图17c的图中示出根据本发明的第十七实施方式在X-Y平面中的俯视图。下面仅阐述与图17a和图17b的区别。探测器40仅部分地覆盖永磁体20和半导体主体30。
南极24的U形的腿124仅在三侧上围绕底部区域130。
两个磁场传感器34和38沿半导体主体20的在X方向上的纵轴线彼此间隔开并且布置在南极24的底部区域130上方。半导体主体30偏心地、靠近壁地沿X方向布置。半导体主体20在Z方向上与底部区域130间隔开地布置。
永磁体20的重心也处于中心的底部区域130中。
两个磁场传感器34和38布置在南极24的U形的腿124的区域中。半导体主体30大致布置在南极24的U形的腿124的中间并且在Z方向上居中地、优选刚好居中地布置在重心上方。
换言之,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在Y方向上形成的假想的间距直线对半分。
在未示出的实施方式中,孔140四边形地构造在中心的底部区域130中并且包含底部区域130的面中心。
换言之,在未示出的实施方式中,在Z方向上形成的法线在永磁体20的重心位置处从底部区域130的中心出发(即在其上构造有孔140的位置处)穿过在半导体主体30的表面上的面形心并且由此也将在半导体主体30的表面上的两个磁场传感器34和38之间的在X方向上形成的假想的间距直线对半分。

Claims (14)

1.间距测量设备(10),具有:
第一磁场传感器(34),其中,所述第一磁场传感器(34)提供与磁场强度相关的第一测量信号;
至少一个永磁体(20),该永磁体具有带第一极面的第一磁极(24)和带第二极面的第二磁极(28);
半导体主体(30),该半导体主体具有整体集成的分析处理电路,其中,所述分析处理电路与所述第一磁场传感器(34)处于电作用连接中并且所述半导体主体(30)具有构造在X-Y平面中的表面,
其特征在于,
设置第二磁场传感器(38),该第二磁场传感器基于与所述第一磁场传感器(34)相同的物理工作原理,并且所述第二磁场传感器(38)提供与所述磁场强度相关的第二测量信号,并且所述第二磁场传感器(38)与所述分析处理电路处于作用连接中,并且所述分析处理电路为了抑制稳恒磁场而求取差分信号并且提供输出信号作为所述求取的结果,其中,基于无磁通区域的消除的所述输出信号的值与所述铁磁性探测器相对于所述两个磁场传感器的间距相关,并且所述两个磁场传感器与所述半导体主体的表面力锁合地连接并且为了测量所述磁场的相同分量而相同地布置,并且,
在第一实施方式中,为了在第一探测器相同强度地作用到两个半导体传感器(34、38)上的情况下测量磁通变化的大小,所述半导体主体(30)布置在沿X方向磁化的磁体的U形构造的极腿之间,其中,所述第一磁场传感器(34)布置在处于第一极的两个彼此相对置的腿(124、128)之间的区域中,并且所述第二磁场传感器(38)布置在处于第二极的两个彼此相对置的腿(124、128)之间的区域中,并且在所述极腿(124、128)之间构造有底面(130),并且所述半导体主体(30)在Z方向上布置在所述底部区域(130)上方,或者,
在第二实施方式中,为了在第二探测器不同强度地作用到两个半导体传感器(34、38)上的情况下测量磁通变化的大小,所述永磁体(20)在Z方向上磁化并且所述两个极面中的一个极面构造在X-Y平面中并且所述磁场传感器(34、38)沿该一个极面布置。
2.根据权利要求1所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述永磁体(20)U形地构造并且具有两个彼此相对置的、直地并且平行地走向的腿(124、128)或圆形的腿(124、128)。
3.根据权利要求1或2所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述永磁体(20)在中心区域中具有槽(140)并且所述槽(140)孔形地构造。
4.根据权利要求3所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述中心区域包括所述永磁体(20)的重心。
5.根据以上权利要求中任一项或多项所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述半导体主体(30)布置在所述永磁体(20)的重心上方,使得在所述永磁体(20)的重心位置处形成的法线穿过所述半导体主体(30)。
6.根据以上权利要求中任一项或多项所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述永磁体(20)根据第一替代方案由两个反向地直接彼此并排地布置的垂直磁化的单磁体构成。(图5)
7.根据以上权利要求中任一项所述的间距测量设备(10),其特征在于,在所述腿(124、128)之间构造有底部区域(130),并且在第一替代方案中所述永磁体(20)的极性在所述底部区域(130)中沿中线变换,而在第二替代方案中所述极性在所述永磁体(20)的所述底部区域(130)中保持相同。
8.根据以上权利要求中任一项所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述腿(124、128)在X-Y平面中构造环绕的壁,并且在第一替代方案中所述壁的第一半部具有第一磁极性(24)并且所述壁的第二半部具有第二极性(28),而在第二替代方案中所述环绕的壁具有一致的磁极性。
9.根据以上权利要求中任一项所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述两个磁场传感器(34、38)的布置在X-Y平面中的表面与在所述腿(124、128)的端部上构造的极面相比在Z方向上相对于所述永磁体(20)的内底面(130)的间距相等或较小。
10.根据以上权利要求中任一项所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述两个磁场传感器(34、38)相对于分别紧邻的极面(124、128)具有相等的间距。
11.根据以上权利要求中任一项所述的间距测量设备(10),其特征在于,在第二替代方案中,所述两个磁场传感器(34、38)在X方向上相对于沿Y方向构造的唯一的极面间隔开。
12.根据以上权利要求中任一项所述的间距测量设备(10),其特征在于,在第二替代方案中,所述两个磁场传感器(34、38)沿X方向布置并且布置在沿X方向彼此间隔开的两个永磁体(20)之间。
13.根据以上权利要求中任一项所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述两个磁场传感器(34、38)构造为霍尔传感器并且所述霍尔传感器整体地集成到所述半导体主体中。
14.根据权利要求13所述的间距测量设备(10),其特征在于,所述霍尔传感器实施为构造在X-Y平面中的霍尔板。
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