CN106249180B - 磁场测量设备 - Google Patents

磁场测量设备 Download PDF

Info

Publication number
CN106249180B
CN106249180B CN201610404081.0A CN201610404081A CN106249180B CN 106249180 B CN106249180 B CN 106249180B CN 201610404081 A CN201610404081 A CN 201610404081A CN 106249180 B CN106249180 B CN 106249180B
Authority
CN
China
Prior art keywords
plane
magnet
magnetic
magnetic field
measuring device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610404081.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106249180A (zh
Inventor
J·弗兰克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tdk- Maikenasi LLC
Original Assignee
Tdk- Maikenasi LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tdk- Maikenasi LLC filed Critical Tdk- Maikenasi LLC
Publication of CN106249180A publication Critical patent/CN106249180A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106249180B publication Critical patent/CN106249180B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G01D5/147—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the movement of a third element, the position of Hall device and the source of magnetic field being fixed in respect to each other
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G01D5/145—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the relative movement between the Hall device and magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/80—Constructional details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

一种磁场测量设备，其具有第一半导体主体，所述第一半导体主体具有构造在第一x‑y平面内的表面，其中，所述第一半导体主体在所述表面上具有两个彼此间隔开的并且沿着第一连接直线布置的磁场传感器，其中，所述磁场传感器分别测量磁场的z分量，其中，x方向和y方向和z方向分别彼此正交地构造，所述磁场测量设备还具有第一磁体，所述第一磁体具有构造在第二x‑y平面内的平坦的主延伸面并且具有构造在y‑z平面内的对称面，其中，磁化方向与所述主延伸面基本上或精确平行并且与所述对称面基本上或精确平行，所述第一半导体主体和所述第一磁体彼此刚性地固定，所述第一半导体主体相对于所述第一磁体在所述x‑y平面内平移错位地布置，其中，在所述第一x‑y平面与所述第二x‑y平面之间的、构造在z方向上的错位小于所述第一磁体的构造在z方向上的厚度，其中，两个磁场传感器在x‑z平面内彼此间隔开并且在所述x‑z平面内沿着北极的延伸布置或沿着南极的延伸布置，其中，在所述第一磁体的磁场的z分量关于所述对称面不对称的情况下，所述磁场传感器形成彼此不同的信号，以便差动测量所述信号。

Description

磁场测量设备
技术领域
本发明涉及一种磁场测量设备。
背景技术
由EP 2 607 857 A2已知一种由霍尔传感器和磁体组成的装置，其中，通过靠近铁磁性板在霍尔传感器中产生霍尔电压。此外，由EP 0 916 074 B1、EP 1 182 461 A2、WO2009/005237 A2、EP 2 584 304 A1、DE 199 46 935 A1、US 6 917 193 B1和WO 2012/168635 A1已知用于构造磁场测量设备的不同方案。
发明内容
在这种背景下，本发明的任务在于，给出一种改进现有技术的设备。
所述任务通过具有权利要求1的特征的磁场测量设备解决。本发明的有利的构型是从属权利要求的主题。
根据本发明的主题提供一种磁场测量设备，所述磁场测量设备具有第一半导体主体，所述第一半导体主体具有构造在第一x-y平面内的表面，其中，所述第一半导体主体在所述表面上具有两个彼此间隔开的且沿着第一连接直线布置的磁场传感器，其中，所述磁场传感器分别测量磁场的z分量，x方向和y方向和z方向分别彼此正交地构造；所述磁场测量设备还具有第一磁体，所述第一磁体具有构造在第二x-y平面内的平坦的主延伸面以及具有构造在y-z平面内的对称面，其中，磁化方向与所述主延伸面基本上或精确平行并且与所述对称面基本上或精确平行；所述第一半导体主体和所述第一磁体彼此刚性地固定；所述第一半导体主体相对于所述第一磁体在x-y平面内平移错位地布置，其中，在所述第一x-y平面与所述第二x-y平面之间的构造在z方向上的错位小于所述第一磁体的构造在z方向上的厚度；其中，两个磁场传感器在x-z平面内彼此间隔开并且在所述x-z平面内沿着北极的延伸布置或沿着南极的延伸布置，其中，在所述第一磁体的磁场的z分量关于所述对称面不对称的情况下，所述磁场传感器形成彼此不同的信号，以便差动测量所述信号。
应注意，所述磁场测量设备优选设计为仅仅探测所述第一磁体的和/或另一个磁体的磁场在z方向上关于所述磁场传感器非对称地形成的分量。为此，必须借助铁磁体这样调制所述第一磁体的磁场，使得所述磁体的磁感线从在所述x-y平面内的静止位置至少部分地并且在两个磁场传感器上不同地向z方向偏转。
优选地，借助与所述磁场传感器的连接直线平行的、在z方向上在所述结构的在所述两个磁场传感器之间延展的对称平面之外的并且由此更靠近所述两个磁场传感器中的一个的、间隔开的铁磁体来影响所述磁场在z方向上出现的分量。还优选的是，在没有在z方向上间隔开的铁磁体的情况下，不形成或基本上不形成所述第一磁体的磁场的z分量。还应注意，在添加铁磁体的情况下所述测量设备能够扩展成磁场测量系统。可理解的是，与当间距较大时相比，当在z方向上的间距小时通过所述铁磁体使磁感线从所述x-y平面偏转的大小明显更大。
根据本发明的设备的一个优点是：只要使关于所述磁场测量设备的对称平面不对称的主体首先从旁边移动至更靠近所述磁场传感器中的一个然后从旁边移动至更靠近所述磁场传感器中的另一个，则所述磁场测量设备借助两个彼此间隔开的磁场传感器和相对于所述磁体的特定位置使信号幅度翻倍。为此根据两个信号求得差。此外，通过差测量在很大程度上抑制直流磁场的偏移。
在一种扩展方案中，所述第一磁体具有长方体形的构造，所述长方体形的构造具有两个构造在x-z平面内作为极面的端面以及两个构造在y-z平面内的侧面。
在一种实施方式中，所述两个磁场传感器沿着x方向间隔开，其中，通过所述两个磁场传感器的连接直线与所述第一磁体的所述对称面和磁化方向基本上或精确正交地布置。换言之，所述半导体主体的边缘与所述磁化方向平行或至少基本上平行地布置。
优选的是，将所述磁场传感器的x-y平面布置在所述第一磁体的厚度的一半处，或者换言之，在z方向上这样调整所述半导体主体，使得所述磁场传感器的x-y平面布置在所述磁体的中间。
有利的是，在x方向上第一半导体主体的长度与所述第一磁体的延伸基本上或精确地大小相等或者长度相等。
优选的是，所述第一半导体主体和所述第一磁体在所述x-y平面内分别具有四边形的形状，其中，所述第一磁体和所述第一半导体主体在y方向上具有小于十毫米的间距、优选小于两毫米的间距。
研究已经显示，所述两个磁场传感器构造为所述第一x-y平面内或附近的霍尔板是有利的。由此，所述霍尔板仅仅对所述第一磁体的磁场的z分量是敏感的。
在一种扩展方案中，借助在z方向上且关于所述对称平面不对称地间隔开的铁磁体产生磁场的在z方向上出现的分量。
在另一种实施方式中，设置有与所述第一半导体主体相同构造的第二半导体主体。优选地，所述两个半导体主体这样布置在同一个x-y平面内，使得通过这些磁场传感器的两个连接直线彼此基本上或精确地平行，所述两个半导体主体关于所述两个半导体主体之间的第一磁体对称地布置，所述半导体主体中的每一个沿着所述第一磁体的两个极面中的一个布置。
在另一种扩展方案中，设置有第二磁体，其中，第一半导体主体布置在所述两个磁体的直接彼此相对置的、相同的极面之间，所述相同的极面是两个北极面或者是两个南极面。优点是：由此，在所述磁感线从静止位置偏转时，通过两个磁场传感器增大磁通密度。优选的是，所述两个磁体的主延伸面构造在同一个x-y平面内。
有利的是，在相应的半导体主体的表面内构造有集成电路，其中，所述集成电路与相应的所述磁场传感器以电有效连接来连接。
附图说明
以下参照附图更详细地阐述本发明。在此，同类的部件以相同的附图标记来标注。示出的实施方式是极其示意性的，也就是说，距离以及横向和纵向的延伸不是按比例的，并且只要未另作说明，互相之间也不具有可推导的的几何关系。为了清楚起见，在图1至4中标出了笛卡尔坐标系。附图示出：
图1：根据本发明的第一实施方式的横截面视图；
图2：在图1中示出的实施方式旋转九十度的横截面视图；
图3：具有两个半导体主体的另一种实施方式；
图4：具有两个磁体的另一种实施方式；
图5：磁通密度根据铁磁体的x间距的变化；
图6：磁通密度根据铁磁体的z间距的变化。
具体实施方式
图1的示图示出根据本发明的第一实施方式——具有第一半导体主体20的磁场测量设备10的横截面视图。所述第一半导体主体20具有构造在第一x-y平面内的表面，其中，所述第一半导体主体20在所述表面上具有两个彼此间隔开的且沿着第一连接线布置的磁场传感器30和40。所述磁场传感器30和40分别构造为霍尔板并且分别仅仅测量第一磁体50的磁场的z分量。所述两个磁场传感器30和40在此构造在所述第一x-y平面附近。此外，在y-z平面内构造有对称面58。所述对称面58将所述第一连接线和所述第一磁体50的北极面基本上或精确地在相应的中间分隔。
所述第一磁体50具有构造在第二x-y平面内的平坦的主延伸面55，其中，磁化方向与所述主延伸面55并且与所述第一磁体50的所述对称面58基本上平行地或精确平行。所述第一半导体主体20和所述第一磁体50彼此刚性地固定。所述第一磁体50具有长方体形的构造，所述长方体形的构造具有两个构造在x-z平面内作为极面的端面以及两个构造在y-z平面内的侧面。
在此，所述两个磁场传感器30和40彼此间隔开地布置在所述x-z平面内，并且在所述x-z平面内沿着北极N的延伸或沿着南极S的延伸布置，使得在出现所述第一磁体50的磁场的与对称面58不对称的z分量时，所述磁场传感器30和40分别形成不同的信号，即在此具有不同的、可差动测量的值的霍尔电压。为此，将所述两个磁场传感器30和40以相同的工作电流方向并联连接并且利用差分放大器对其进行分析处理，或者将所述两个磁场传感器30和40串联连接并且以在流动方向上彼此相反的工作电流对其进行控制。
所述两个磁场传感器30和40沿着x方向彼此间隔开。穿过所述两个磁场传感器30和40的第一连接直线与所述第一磁体50的所述对称面58基本上或精确地正交布置。可见有利的是：在x方向上将所述第一半导体主体20的长度实施为与所述第一磁体50的延伸的大小基本上或精确地相等。
优选地，所述第一半导体主体20和所述第一磁体50布置在未示出的金属载体——也称为引线框架上。
所述第一半导体主体20相对于所述第一磁体50在所述x-y平面内平移错位地布置。优选地，所述第一x-y平面与所述第二x-y平面之间的构造在z方向上的错位小于所述第一磁体的构造在z方向上的厚度。优选地，所述磁场传感器的所述x-y平面布置在所述第一磁体50的厚度的一半处。
在z方向上，与所述第一磁体50间隔开的铁磁体60关于所述对称面58不对称地布置。所述铁磁体60优选实施为软磁性的并且也可称为标靶(Target)。所述标靶的位置如借助第一箭头62示出的那样在z方向上可变和/或如借助第二箭头64示出的那样在x方向上可变。可理解的是，为清楚起见而未示出的磁感线由于所述标靶在z轴的方向上偏转。在图5中详细示出了通过所述两个霍尔板的偏转强度或者磁通变化强度与在x方向上的距离的关系。在图6中详细示出了通过所述两个霍尔板的偏转强度或者磁通变化强度与在z方向上的距离的关系。
图2示出在图1中示出的实施方式旋转九十度的横截面视图。以下仅仅阐述与图1的示图的不同。可见，所述第一半导体主体20和所述第一磁体50分别在所述x-y平面内具有四边形的形状。所述第一磁体50和所述第一半导体主体20在y方向上间隔开。优选地，将在y方向上的间距实施为小于两毫米。
图3的示图示出另一种实施方式，其具有所述第一半导体主体20以及在-y方向上间隔开的第二半导体主体70。以下仅仅阐述与以上附图的示图的不同。所述第一磁体50布置在所述两个半导体主体20和70之间。所述第二半导体主体70构造成与所述第一半导体主体20相同。所述两个半导体主体20和70这样布置在同一个x-y平面内，使得两个连接直线彼此基本上或精确地平行，并且所述两个半导体主体20和70关于两个半导体主体20和70之间的第一磁体对称地布置，并且所述半导体主体20和70中的每一个沿着所述第一磁体的两个极面中的一个布置。希望的是，所述磁体与这些磁场传感器之间在y方向上的间距尽可能相同。
图4的示图示出另一种实施方式，其具有第一磁体50以及在y方向上间隔开的第二磁体80。以下仅仅阐述与以上附图的示图的不同。在两个磁体50和80之间，所述第一半导体主体20布置在直接彼此相对置的相同的极面之间。所述第二磁体80构造成与所述第一磁体50相同。所述两个磁体50和80这样布置在同一个x-y平面内，使得所述磁体50和80的极面彼此平行地布置。希望的是，所述两个磁体50和80之间在y方向上的间距尽可能相同。
在图5的示图中示出了磁通密度ΔΦM根据所述标靶与所述第一磁体50和/或所述第二磁体80之间在X方向上的间距DT的变化。可见，在所述间距DT改变时围绕X轴对称地形成所述磁通密度ΔΦM的信号SIGx。
在图6的示图中示出所述磁通密度ΔΦM根据所述标靶与所述第一磁体50和/或所述第二磁体80之间在Z方向上的间距DT的变化。以下仅仅阐述与图5的示图的不同。可见，所述磁通密度ΔΦM在z方向上的间距DT小时变化非常强烈而在间距DT大时变化非常微小。

Claims (12)

1.一种磁场测量设备(10)，所述磁场测量设备(10)具有：
第一半导体主体(20)，所述第一半导体主体(20)具有构造在第一x-y平面内的表面作为上侧，其中，所述第一半导体主体(20)在所述表面上具有两个彼此间隔开的并且沿着第一连接直线布置的磁场传感器(30，40)，其中，x方向和y方向和z方向分别彼此正交地构造，
第一磁体(50)，所述第一磁体(50)具有构造在第二x-y平面内的平坦的上侧并且具有构造在y-z平面内的对称面(58)，其中，磁化方向与所述上侧基本上或精确平行并且与所述对称面(58)基本上或精确平行，
所述第一半导体主体(20)和所述第一磁体(50)彼此刚性地固定，
所述第一半导体主体(20)相对于所述第一磁体(50)在x-y平面内平移错位地布置，其中，在所述第一x-y平面与所述第二x-y平面之间的构造在z方向上的错位小于所述第一磁体(50)的构造在z方向上的厚度，
所述磁体(50)的构造在z方向上的厚度从所述磁体的构造在第二x-y平面中的上侧朝所述第一x-y平面延伸超出所述第一x-y平面，
两个磁场传感器(30，40)在x-z平面内彼此间隔开并且在所述x-z平面内沿着北极(N)的延伸布置或沿着南极(S)的延伸布置，
其特征在于，
构造在所述第二x-y平面内的平坦的上侧是所述磁体(50)的主延伸面(55)，
所述磁场传感器(30，40)分别测量磁场的z分量，
在所述第一磁体(50)的磁场的z分量关于所述对称面(58)不对称的情况下，所述磁场传感器(30，40)形成彼此不同的信号，以便差动测量所述信号，
所述磁场传感器(30，40)的所述x-y平面布置在所述第一磁体(50)的厚度的一半处。
2.根据权利要求1所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，所述第一磁体(50)具有长方体形的构造，所述长方体形的构造具有两个构造在所述x-z平面内作为极面的端面以及两个构造在所述y-z平面内的侧面。
3.根据权利要求1或2所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，所述两个磁场传感器(30，40)沿着x方向间隔开，通过所述两个磁场传感器(30，40)的连接直线关于所述第一磁体(50)的所述对称面(58)基本上或精确正交地布置。
4.根据权利要求1或2所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，在x方向上，所述第一半导体主体(20)的长度与所述第一磁体(50)的延伸基本上或精确地大小相等。
5.根据权利要求1或2所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，所述第一半导体主体(20)和所述第一磁体(50)分别在所述x-y平面内具有四边形的形状，其中，所述第一磁体(50)和所述第一半导体主体(20)在y方向上具有小于两毫米的间距。
6.根据权利要求1或2所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，所述两个磁场传感器(30，40)作为霍尔板构造在所述第一x-y平面内或附近。
7.根据权利要求1或2所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，设置有与所述第一半导体主体(20)相同构造的第二半导体主体(70)，其中，两个半导体主体(20，70)这样布置在同一个x-y平面内，使得两个连接直线彼此基本上或精确地平行，所述两个半导体主体(20，70)关于所述两个半导体主体(20，70)之间的所述第一磁体对称地布置，所述半导体主体(20，70)中的每一个沿着所述第一磁体的两个极面中的一个布置。
8.根据权利要求1或2所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，设置有第二磁体(80)，所述第一半导体主体(20)布置在所述两个磁体(50，80)的直接彼此相对置的、相同的极面之间。
9.根据权利要求8所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，所述两个磁体(50，80)的主延伸面构造在同一个x-y平面内。
10.根据权利要求1或2所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，在相应的所述半导体主体(20，70)的所述表面内构造有集成电路，所述集成电路与相应的磁场传感器(30，40)存在电有效连接。
11.根据权利要求1或2所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，借助在z方向上的且关于所述对称面(58)不对称地间隔开的铁磁体(60)来影响所述磁场的在z方向上出现的分量。
12.根据权利要求11所述的磁场测量设备(10)，其特征在于，在没有在z方向上间隔开的铁磁体(60)的情况下，不存在所述磁场的z分量。
CN201610404081.0A 2015-06-09 2016-06-08 磁场测量设备 Active CN106249180B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015007190.4 2015-06-09
DE102015007190.4A DE102015007190B4 (de) 2015-06-09 2015-06-09 Magnetfeldmessvorrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106249180A CN106249180A (zh) 2016-12-21
CN106249180B true CN106249180B (zh) 2019-11-01

Family

ID=56112801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610404081.0A Active CN106249180B (zh) 2015-06-09 2016-06-08 磁场测量设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9551764B2 (zh)
EP (1) EP3118585B1 (zh)
CN (1) CN106249180B (zh)
DE (1) DE102015007190B4 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016110611B4 (de) 2016-06-09 2024-05-02 Elmos Semiconductor Se Vorrichtung mit einer Hall-Struktur mit einer vergrößerten Signalamplitude
DE102016110613B4 (de) 2016-06-09 2024-05-02 Elmos Semiconductor Se Vorrichtung und Verfahren zur Ansteuerung einer Hall-Struktur mit vergrößerter Signalamplitude
DE102016110612B4 (de) 2016-06-09 2024-05-02 Elmos Semiconductor Se Verfahren zum Betrieb einer Hall-Struktur mit vergrößerter Signalamplitude
DE102018210595A1 (de) * 2018-06-28 2020-01-02 Infineon Technologies Ag Sensorvorrichtungen und Verfahren zur Herstellung von Sensorvorrichtungen
DE102019105203A1 (de) * 2019-03-01 2020-09-03 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen einer Geschwindigkeit oder Beschleunigung eines elektrisch leitfähigen Objekts, sowie System
CN111912326A (zh) * 2019-05-07 2020-11-10 丁兆洋 磁栅尺设备、位置测量设备和位置测量方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58142203A (ja) * 1982-02-19 1983-08-24 Res Dev Corp Of Japan 磁性体検出装置
CN1487501A (zh) * 2002-05-14 2004-04-07 ���չ�˾ 磁场检测传感器
DE102007023815A1 (de) * 2007-05-21 2008-11-27 Sensitec Gmbh Anordnung zur Abtastung eines linearen oder kreisförmigen Maßstabes aus ferromagnetischem Material

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69816755T2 (de) 1997-05-29 2004-06-03 Ams International Ag Magnetischer drehgeber
DE19946935B4 (de) 1999-09-30 2004-02-05 Daimlerchrysler Ag Vorrichtung zur induktiven Strommessung mit mindestens einem Differenzsensor
JP4936299B2 (ja) 2000-08-21 2012-05-23 メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ 磁場方向検出センサ
DE10118819A1 (de) * 2001-04-17 2002-10-24 Philips Corp Intellectual Pty Anordnung zum Bestimmen der Position eines Bewegungsgeberelements
SE0302107D0 (sv) * 2003-07-18 2003-07-18 Infineon Technologies Ag Electromagnetic device and method of operating the same
US6917193B1 (en) 2004-01-12 2005-07-12 International Truck Intellectual Property Company, Llc Distance tolerant leadless current sensor
US7768083B2 (en) * 2006-01-20 2010-08-03 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for an integrated sensor
KR20090003646A (ko) 2007-07-03 2009-01-12 에스케이네트웍스 주식회사 맞춤형 앨범 제작 시스템 및 그 방법
FR2976070B1 (fr) 2011-06-06 2014-01-17 Valeo Sys Controle Moteur Sas Capteur magnetique de position
DE102011116545A1 (de) 2011-10-21 2013-04-25 Micronas Gmbh Integrierte Magnetfeldmessvorrichtung
DE102011121298A1 (de) 2011-12-19 2013-06-20 Micronas Gmbh Integrierter Magnetfeldsensor und Verfahren für eine Messung der Lage eines ferromagnetischen Werkstückes mit einem integrierten Magnetfeldsensor
US9252354B2 (en) * 2013-01-29 2016-02-02 Infineon Technologies Ag Vertical hall device with highly conductive opposite face node for electrically connecting first and second hall effect regions
US9276197B2 (en) * 2013-11-21 2016-03-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Hybrid domain wall-hall cross device
US9425385B2 (en) * 2014-05-09 2016-08-23 Infineon Technologies Ag Vertical hall effect device
US9316705B2 (en) * 2014-05-09 2016-04-19 Infineon Technologies Ag Vertical hall effect-device
DE102014011245B3 (de) 2014-08-01 2015-06-11 Micronas Gmbh Magnetfeldmessvorrichtung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58142203A (ja) * 1982-02-19 1983-08-24 Res Dev Corp Of Japan 磁性体検出装置
CN1487501A (zh) * 2002-05-14 2004-04-07 ���չ�˾ 磁场检测传感器
DE102007023815A1 (de) * 2007-05-21 2008-11-27 Sensitec Gmbh Anordnung zur Abtastung eines linearen oder kreisförmigen Maßstabes aus ferromagnetischem Material

Also Published As

Publication number Publication date
EP3118585B1 (de) 2018-08-15
DE102015007190B4 (de) 2017-03-02
US20160363637A1 (en) 2016-12-15
US9551764B2 (en) 2017-01-24
EP3118585A1 (de) 2017-01-18
DE102015007190A1 (de) 2016-12-15
CN106249180A (zh) 2016-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106249180B (zh) 磁场测量设备
CN105319518B (zh) 磁场测量装置
US9279866B2 (en) Magnetic sensor
US10184959B2 (en) Magnetic current sensor and current measurement method
CN105408756B (zh) 多分量磁场传感器
CN103748474A (zh) 电流传感器
US10001532B2 (en) Magnetic sensor device
JP2009192261A (ja) 直線変位検出装置
JP2018004314A (ja) 電流センサ
JP5612398B2 (ja) 磁気センサ
EP3122070A1 (en) Magnetoresistive audio collector
TW201734496A (zh) 磁性感測器設備
US20170102250A1 (en) Magnetic field measuring device
CN210665858U (zh) 一种大动态范围磁传感器组件
CN107677974A (zh) 测量系统
JP2012098190A (ja) 直線変位検出装置
JP2016511416A (ja) 角度付きコレクタを使用する位置測定法
JPWO2017077871A1 (ja) 磁気センサ
US11181394B2 (en) Distance measuring device
JP2019219293A (ja) 磁気センサ
JP2020112448A (ja) 磁気センサ
KR101823571B1 (ko) 외부 공통 성분의 방해 자기장을 효과적으로 제거하는 센싱 장치
WO2022067599A1 (zh) 三轴向霍尔磁力计
JP2017116448A (ja) 磁気センサ装置
JP2017133842A (ja) 電流センサ及び電流検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Freiburg

Applicant after: TDK- Maikenasi limited liability company

Address before: Freiburg

Applicant before: Meikenas Co.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant