CN109037085A - 封装方法和封装结构 - Google Patents

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CN109037085A CN201810861757.8A CN201810861757A CN109037085A CN 109037085 A CN109037085 A CN 109037085A CN 201810861757 A CN201810861757 A CN 201810861757A CN 109037085 A CN109037085 A CN 109037085A
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梁舰
吴安琪
蔡诗端
王艳华
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    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/20Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device gaseous at the normal operating temperature of the device

Abstract

本发明公开了一种封装方法,在封装盖板位于第一密封圈包围的范围内放置气体释放剂,利用加热或激光烧蚀处理气体释放剂,使气体释放剂分解产生或释放出保护性气体,降低密封空间内外的压强差,减弱外部水氧的渗入趋势,同时增强器件的散热能力,保护密封空间内器件的稳定性。本发明还公开了一种在密封空间内设置气体释放剂的封装结构。

Description

封装方法和封装结构
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域,涉及一种封装方法和封装结构。
背景技术
封接玻璃主要应用于半导体封装领域,特别是在OLED显示、OLED照明、太阳能和钙钛矿等半导体光电器件的封装工艺中。在封装制作工艺中,使用封装胶或玻璃料封装时需要在真空环境下进行,以避免在压合时气体受压缩出现冲胶现象,同时避免水氧气体被锁入密封空间内,但是会密封空间内形成一个负压状态,造成密封结构内外出现压强差,加速外部水氧浸入。
发明内容:
本发明提供一种封装方法,在真空环境下封接所形成的密封空间内设置固态的气体释放剂,利用局部加热或激光照射的方式,在密封空间内释放气体,降低密封空间内外的压强差,封装步骤包括:
S1提供一待封装的基板,所述基板包括功能区和位于所述功能区外围的封装区;
S2提供一封装盖板,在所述封装盖板上与所述基板的封装区的预设位置涂覆封装材料形成第一密封圈;
S3在封装盖板位于所述第一密封圈包围的范围内预设位置处放置气体释放剂;
S4提供一真空环境,将所述基板与所述封装盖板对准并相对贴合,利用封接设备对第一密封圈进行封接固化,使基板、封装盖板和第一密封圈形成一密封空间;
S5利用加热或激光烧蚀处理气体释放剂,使气体释放剂分解产生或释放出保护性气体。
进一步的,所述气体释放剂为固态,在加热或激光照射时可分解或释放出氮气、氢气、二氧化碳或氮氧化物。
进一步的,所述密封空间内至少设置两份气体释放剂。
进一步的,所述至少两份气体释放剂可释放出的气体分子的摩尔数不同。可选的,密封空间内的气体压强常温状态下为大气压强的三分之一至一点三倍,根据理想气体状态方程PV=nRT,其中P是密封空间内的气体压强,V是密封空间的容积,n是密封空间内气体分子的摩尔数,R是气体常数,T是气体温度,所述密封空间内的容积和气体分子数量相对稳定,因此密封空间内气体压强与温度成正比,根据半导体或OLED器件的工作温度范围,选择合适的气体释放量。
密封空间内气体的存在还会利用热对流的方式传递热烈,提高器件的散热性能,提高器件的使用寿命。
进一步的,所述第一密封圈内还包含气体吸附剂,可吸附器件及封装层中释放的有机气体,同时可吸附和缓冲调节密封空间内的气体压强。
进一步的,在所述密封空间内设置有容置凹槽结构,所述容置凹槽结构可用于气体释放剂限位,防止气体释放剂移动,可使激光束快速定位气体释放剂的位置。
进一步的,所述密封空间封装时使用的封装材料内包含碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐或其组合物。
进一步的,所述气体释放剂设置于所述第一密封圈内表面。
进一步的,在所述第一密封圈内设置有压强传感器。
进一步的,在所述第一密封圈内设置有水氧指示剂。
所述气体释放剂可以利用激光照射或局部加热方式分批次的分解并释放气体,以降低密封空间内气体压强相比于大气压强的压强差,从而降低空气中水氧渗入速率,待密封空间内的压强降低到阈值之下,可利用激光照射或局部加热方式分解所述第二份气体释放剂。所述压强传感器或水氧指示剂可辅助指示每次分解气体释放剂的操作时机。
进一步的,所述气体释放剂可选为碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐及其组合物。
进一步的,所述气体释放剂可选为叠氮化铵。叠氮化铵在分解后释放氮气和氢气,氮气常温下化学性质不活泼,氢气为具有还原性的气体,可以较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述气体释放剂可选为叠氮化钠,叠氮化钠在分解后释放氮气和金属钠,氮气常温下化学性质不活泼,钠为活泼金属,可以与渗入密封空间内的水氧发生反应,较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述气体释放剂可选为碳酸钙,碳酸钙在分解后释放二氧化碳和氧化钙,二氧化碳常温下化学性质不活泼,氧化钙为干燥剂,可以与渗入密封空间内的水氧发生反应,较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述第一密封圈采用封装材料包含气体释放剂。
进一步的,所述第一密封圈的封装材料内包含碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐或其组合物,在加热封接或激光封接时,可释放氮气、氢气、二氧化碳、氮氧化物或其混合物。
进一步的,所述第一密封圈的封装材料内包含BiNO4、(BiO)2CO3、ZnCO3、CaCO3或Li2CO3
本发明还提供一种面板的封装结构,所述面板包含基板、封装盖板和第一密封圈,在所述基板和所述封装盖板之间通过所述第一密封圈形成至少一密封空间,在所述密封空间内设置有气体释放剂。
进一步的,所述气体释放剂为固态,在加热或激光照射时可分解产生气体或可释放气体。
进一步的,所述气体可选为氮气、氢气、二氧化碳或氮氧化物。
进一步的,在所述密封空间内,所述气体释放剂设置至少两份。
进一步的,所述至少两份气体释放剂可释放出的气体分子的摩尔数不同。
进一步的,在所述密封空间内设置容置凹槽,所述气体释放剂放置于所述容置凹槽内。
进一步的,在所述密封空间内设置有压强传感器。
进一步的,在所述密封空间内设置有水氧指示剂。
所述气体释放剂可以利用激光照射或局部加热方式分批次的分解并释放气体,以降低密封空间内气体压强相比于大气压强的压强差,从而降低空气中水氧渗入速率,待密封空间内的压强降低到预设的阈值之下后,可利用激光照射或局部加热方式分解所述第二份气体释放剂。所述压强传感器或水氧指示剂可辅助指示操作时机。
进一步的,所述气体释放剂可选为碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐或其组合物。
进一步的,所述气体释放剂可选为叠氮化铵。叠氮化铵在分解后释放氮气和氢气,氮气常温下化学性质不活泼,氢气为具有还原性的气体,可以较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述气体释放剂可选为叠氮化钠,叠氮化钠在分解后释放氮气和金属钠,氮气常温下化学性质不活泼,钠为活泼金属,可以与渗入密封空间内的水氧发生反应,较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述气体释放剂可选为碳酸钙,碳酸钙在分解后释放二氧化碳和氧化钙,二氧化碳常温下化学性质不活泼,氧化钙为干燥剂,可以与渗入密封空间内的水氧发生反应,较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述封装结构还包括第二密封圈,所述第二密封圈位于所述第一密封圈内。
进一步的,所述气体释放剂设置于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间。
本发明利用气体释放剂,在面板封装完成后,利用激光照射或局部加热方式分批次的分解并释放出气体,以减小密封空间内气体压强与大气压强的压强差,从而降低空气中水氧渗入速率,待密封空间内的压强降低到阈值之下,可利用激光照射或局部加热方式分解所述第二份气体释放剂,从而实现多阶段的密封空间内外的压强平衡。
具体实施方式
为进一步阐述实现本发明的目的所采取的技术手段及功效,对获得本发明的封装结构和封装方法进行具体描述,本领域技术人员应该明了,以下的具体描述仅是例示性的,为了便于理解本发明,并不用来限制本发明的保护范围,旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
本发明提供一种封装方法,在真空环境下封接形成的密封空间内设置固态的气体释放剂,利用局部加热或激光照射的方式,在密封空间内释放气体,降低密封空间内外的压强差。
进一步的,所述气体释放剂为固态,在加热或激光照射时可分解或释放出氮气、氢气、二氧化碳或氮氧化物。
进一步的,所述密封空间内至少设置两份气体释放剂。
进一步的,所述至少两份气体释放剂可释放出的气体分子的摩尔数不同。
进一步的,在所述密封空间内设置有容置凹槽结构,所述容置凹槽结构可用于气体释放剂限位,防止气体释放剂跑动,也可使激光束快速定位气体释放剂位置。
进一步的,所述密封空间封装时使用的封装材料内包含碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐或其组合物。
进一步的,所述气体释放剂设置于所述第一密封圈内表面。
进一步的,在所述第一密封圈内设置有压强传感器。
进一步的,在所述第一密封圈内设置有水氧指示剂。
所述气体释放剂可以利用激光照射或局部加热方式分批次的分解并释放气体,以降低密封空间内气体压强相比于大气压强的压强差,从而降低空气中水氧渗入速率,待密封空间内的压强降低到阈值之下,可利用激光照射或局部加热方式分解所述第二份气体释放剂。所述压强传感器或水氧指示剂可辅助指示每次分解气体释放剂的操作时机。
进一步的,所述气体释放剂可选为碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐及其组合物。
进一步的,所述气体释放剂可选为叠氮化铵。叠氮化铵在分解后释放氮气和氢气,氮气常温下化学性质不活泼,氢气为具有还原性的气体,可以较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述气体释放剂可选为叠氮化钠,叠氮化钠在分解后释放氮气和金属钠,氮气常温下化学性质不活泼,钠为活泼金属,可以与渗入密封空间内的水氧发生反应,较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述第一密封圈采用封装材料包含气体释放剂。
进一步的,所述第一密封圈的封装材料内包含碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐或其组合物,在加热封接或激光封接时,可释放氮气、氢气、二氧化碳、氮氧化物或其混合物。
进一步的,所述第一密封圈的封装材料内包含BiNO4、(BiO)2CO3、ZnCO3、CaCO3或Li2CO3
进一步的,所述第一密封圈内还包含有多孔气体吸附剂。
本发明提供一种面板的封装结构,所述面板包含基板、封装盖板和第一密封圈,在所述基板和所述封装盖板之间通过所述第一密封圈形成至少一密封空间,在所述密封空间内设置有气体释放剂。
进一步的,所述气体释放剂为固态,在加热或激光照射时可分解产生气体或可释放出保护气体。
进一步的,所述保护气体可选为氮气、氢气、二氧化碳或氮氧化物。
进一步的,在所述密封空间内,所述气体释放剂设置至少两份。
进一步的,所述至少两份气体释放剂可释放出的气体分子的摩尔数不同。
进一步的,在所述密封空间内设置至少两个容置凹槽,所述气体释放剂放置于所述容置凹槽内。
进一步的,在所述密封空间内设置有压强传感器。
进一步的,在所述密封空间内设置有水氧指示剂。
进一步的,所述至少两份气体释放剂可释放出的气体分子的摩尔数不同。可选的,密封空间内的气体压强常温状态下为大气压强的三分之一至一点三倍,根据理想气体状态方程PV=nRT,其中P是密封空间内的气体压强,V是密封空间的容积,n是密封空间内气体分子的摩尔数,R是气体常数,T是气体温度,所述密封空间内的容积和气体分子数量相对稳定,因此密封空间内气体压强与温度成正比,根据半导体或OLED器件的工作温度范围,选择合适的气体释放量。
进一步的,所述密封空间内还包含气体吸附剂,可吸附器件及封装层中释放的有机气体,同时可起到缓冲或调节密封空间内的气体压强的目的。
所述气体释放剂可以利用激光照射或局部加热方式分批次的分解并释放气体,以降低密封空间内气体压强相比于大气压强的压强差,从而降低空气中水氧渗入速率,待密封空间内的压强降低到阈值之下,可利用激光照射或局部加热方式分解所述第二份气体释放剂。所述压强传感器或水氧指示剂可辅助指示操作时机。
进一步的,所述气体释放剂可选为碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐或其组合物。
进一步的,所述气体释放剂可选为叠氮化铵。叠氮化铵在分解后释放氮气和氢气,氮气常温下化学性质不活泼,氢气为具有还原性的气体,可以较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述气体释放剂可选为叠氮化钠,叠氮化钠在分解后释放氮气和金属钠,氮气常温下化学性质不活泼,钠为活泼金属,可以与渗入密封空间内的水氧发生反应,较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述气体释放剂可选为碳酸钙,碳酸钙在分解后释放二氧化碳和氧化钙,二氧化碳常温下化学性质不活泼,氧化钙为干燥剂,可以与渗入密封空间内的水氧发生反应,较好的保护密封空间内器件的稳定性。
进一步的,所述封装结构还包括第二密封圈,所述第二密封圈位于所述第一密封圈内。
进一步的,所述气体释放剂设置于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间。
本发明利用气体释放剂,在面板封装完成后,利用激光照射或局部加热方式分批次的分解并释放出气体,以减小密封空间内气体压强与大气压强的压强差,从而降低空气中水氧渗入速率,待密封空间内的压强降低到阈值之下,可利用激光照射或局部加热方式分解所述第二份气体释放剂,从而实现多阶段的密封空间内外的压强平衡。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案,均应视为落于本发明所主张的保护范围内。

Claims (10)

1.一种封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1提供一待封装的基板,所述基板包括功能区和位于所述功能区外围的封装区;
S2提供一封装盖板,在所述封装盖板上与所述基板的封装区的预设位置涂覆封装材料形成第一密封圈;
S3在封装盖板位于所述第一密封圈包围的范围内预设位置处放置气体释放剂;
S4提供一真空环境,将所述基板与所述封装盖板对准并相对贴合,利用封接设备对第一密封圈进行封接固化,使基板、封装盖板和第一密封圈形成一密封空间;
S5利用加热或激光烧蚀处理气体释放剂,使气体释放剂分解产生或释放出保护性气体。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,步骤S3所述气体释放剂为叠氮化铵、叠氮化钠、碳酸钙或其组合物。
3.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,步骤S5所释放出的气体在密封空间内的气体压强常温状态下为大气压强的三分之一至一点三倍。
4.一种封装结构,包含基板、封装盖板和第一密封圈,所述基板和所述封装盖板之间通过所述第一密封圈形成至少一密封空间,其特征在于,在所述密封空间内设置有气体释放剂,所述气体释放剂在加热或激光照射时可分解产生气体或可释放气体。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述气体释放剂为碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐或其组合物。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述气体释放剂为叠氮化铵、叠氮化钠、碳酸钙、碳酸镁或其组合物。
7.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述密封空间内设置有容置凹槽,所述气体释放剂放置于所述容置凹槽内。
8.根据权利要求4-7任一项所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括第二密封圈,所述第二密封圈位于所述第一密封圈内。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述气体释放剂设置于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间。
10.根据权利要求4-9任一项所述的封装结构,其特征在于,在所述密封空间内设置有压强传感器。
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