CN109037035A - 一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统 - Google Patents

一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN109037035A
CN109037035A CN201810858352.9A CN201810858352A CN109037035A CN 109037035 A CN109037035 A CN 109037035A CN 201810858352 A CN201810858352 A CN 201810858352A CN 109037035 A CN109037035 A CN 109037035A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sic base
base gan
gan wafer
sic
carrying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810858352.9A
Other languages
English (en)
Inventor
王珺楠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Hiwafer Technology Co Ltd
Original Assignee
Chengdu Hiwafer Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Hiwafer Technology Co Ltd filed Critical Chengdu Hiwafer Technology Co Ltd
Priority to CN201810858352.9A priority Critical patent/CN109037035A/zh
Publication of CN109037035A publication Critical patent/CN109037035A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02697—Forming conducting materials on a substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明公开了一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统，方法包括以下步骤：S1：使用粗磨轮对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄；S2：将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面；S3：将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化；S4：对SiC基GaN晶圆进行背金处理。本发明通过多个步骤的综合使用，解决SiC与背金的粘附性问题造成的背面金属脱落。

Description

一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统。
背景技术
在GaN HEMT器件的SiC背金工艺中，国内外III-V生产线都采用了电镀的工艺方法，目前，我国6英寸SiC基GaN晶圆工艺开发在打通工艺线的过程中遇到了重重困难，背金脱落就是其中之一。
SiC基GaN晶圆背金脱落现象，一般发生于整个晶圆最后一个环节，既完成了前段所有制程，通过测试后所挑选出来的单个芯片，进行激光划片分拣时发生。一但发生这种问题，将会造成产品交期延迟，重新晶圆下线，之前投入生产的晶圆报废，影响产品的良率及出货时间。将会影响晶圆出货量，成本及产品良率及可靠性等多种方面，最严重的是会造成产品失效，形成无法估量的损失。
经过大量工艺实验，总结失败教训，分析问题原因，找到了这种解决SiC基GaN晶圆背金脱落问题的方法。其特点是找到了SiC基GaN晶圆背金脱落的原因，是由于镀金种子层Ti与SiC的粘附性不好，且SiC研磨后无法进行化学抛光已较小粗糙度，同时，SiC基GaN晶圆表面存在着大量的SiC颗粒。由以上几种因素综合作用，最终导致了SiC基GaN晶圆背金脱落现象的发生。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统，解决现有技术SiC基GaN晶圆背金脱落的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，包括以下步骤：
S1：使用粗磨轮对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄；
S2：将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面；
S3：将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化；
S4：对SiC基GaN晶圆进行背金处理。
进一步地，步骤S1中的粗磨轮为>1500#的磨轮。
进一步地，步骤S1中，使用>1500#的磨轮对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄，其研磨速率约为8-12μm/min，研磨后粗糙度Ra约为30-35nm/um2。
进一步地，在步骤S2中，让SiC基GaN晶圆保持顺时针200-500rpm的转速，之后喷头打开，喷水压力为>1500psi，同时使用毛刷刷洗SiC基GaN晶圆表面，毛刷转速为逆时针20-50rpm，毛刷压力为高压>1500N，保持1min后在3min内均匀降低为低压<600N，最后清洗完毕。
进一步地，在步骤S3中的灰化处理阶段，让SiC基GaN晶圆在真空度约为0.5Bar氧气的环境中，感应线圈功率为500~600W的等离子氛围下，灰化处理200-500s。
进一步地，在步骤S4中，所述背金处理为对SiC基GaN晶圆进行背金的电镀工艺。
进一步地，步骤S4中，依次溅射镀金属层：Ti500-1000A，Au4000-5000A。
进一步地，电镀Au的厚度为4-6μm。
进一步地，所述的方法还包括：
S5：完成电镀后，对SiC基GaN晶圆进行物理检查，确保镀金层不会脱落导致晶圆报废。
本发明还提供一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的系统，如所述的方法，包括：
减薄装置，用于对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄；
物理清洗装置，用于将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行高压喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面；
灰化装置，用于将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化；
背金处理装置，用于对SiC基GaN晶圆进行背金处理。
本发明的有益效果是：
本发明解决SiC与背金的粘附性问题造成的背面金属脱落，并实现了基于6英寸及以下的SiC基GaN晶圆，其中的解决方案和原理与普通Si基晶圆完全不同。
本发明的方法核心在使用毛刷对晶圆进行刷洗（边冲水边刷洗，压力由高压（>1500）N逐渐降低至低压（<600）N）以及氧离子灰化这两步工艺（使用氧气进行灰化处理晶圆表面异物）。
本发明不仅采用粗磨轮保证SiC基GaN晶圆表面的粗糙度处于一个适中值，解决现有技术中粗糙度太低将会严重影响种子层金属Ti与半导体SiC的粘附性的问题；而且通过物理清洗的方式，清洗SiC基GaN晶圆表面存在着大量的SiC颗粒，解决现有技术存在的SiC颗粒显著降低背金层的粘附性；同时，通过使用氧气进行灰化处理SiC基GaN晶圆表面异物，以去除沾污的颗粒物，用来提高半导体SiC与镀金前种子层（背金处理得到的层）的粘附性从而防止背面金属脱落。
附图说明
图1为本发明方法流程图；
图2为本发明SiC基GaN晶圆背面划痕中颗粒物示意图；
图3为本发明的效果图；
图4为本发明系统框图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本实施例提供一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，并且优选于对6英寸及其以下尺寸的SiC基GaN晶圆，该方法用于解决SiC基GaN晶圆背金脱落现象，如图1所示，其包括以下步骤：
S1：使用粗磨轮对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄。
具体地，在本实施例的优选方案中，采用机械研磨的方式，研磨轮（>1500#，优选为2000#）下降速率约为8-12μm/min（优选为10μm/min），研磨后粗糙度Ra约为30-35nm/um2（优选为32nm/um2）。
该步骤可以保证SiC的研磨深度，将SiC晶圆厚度由500μm研磨至约100μm，以节省时间，节约成本。
同时该步骤可以保证SiC基GaN晶圆表面的粗糙度处于一个适中值，粗糙度太低将会严重影响种子层金属Ti与半导体SiC的粘附性，粗糙度太高又将在划痕中存在大量SiC颗粒，也会显著降低背金层的粘附性。
SiC基GaN晶圆的划痕中颗粒物见图2所示。
S2：将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面。
具体地，在本实施例的优选方案中，研磨后的特殊清洗，将SiC基GaN晶圆置于研磨清洗机台内，让SiC基GaN晶圆保持顺时针200-500rpm的转速，喷头打开，喷水压力为>1500psi，同时使用毛刷刷洗晶圆表面，毛刷转速为逆时针20-50rpm，毛刷压力为高压（>1500）N保持1min，后在3min内均匀降低为低压（<600）N，最后清洗完毕。
该步骤可以刷洗掉SiC基GaN晶圆因研磨产生的划痕中的SiC颗粒，从而间接提升了背金层金属的粘附性。
另外，相较于Si基GaN晶圆可以被化学腐蚀以抛光背面，SiC由于本身材料特性原因，不会与任何化学溶剂发生反应，故在本步骤中使用材质为狼毫的毛刷，与去离子水刷洗，之后HPC高压冲洗才能去除颗粒物。
S3：将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化。
具体地，在本实施例的优选方案中，让SiC基GaN晶圆在真空度约为0.5Bar氧气的环境中，感应线圈功率为几百W的等离子氛围下，灰化处理200-500s（优选为300s）。
采用光阻灰化设备Asher机台，使SiC基GaN晶圆处于氧气等离子体的氛围内，使氧气与SiC基GaN晶圆表面的有机物发生反应。
该步骤将SiC基GaN晶圆表面进行氧化，以去除沾污的颗粒物，以用来提高半导体SiC与镀金前种子层（背金处理得到的层）的粘附性从而防止背面金属脱落。
S4：对SiC基GaN晶圆进行背金处理。
具体地，在本实施例的优选方案中，所述背金处理为对SiC基GaN晶圆进行背金的电镀工艺。
更优地，在该步骤中，依次溅射镀金属层：Ti500-1000A，Au4000-5000A。其中，电镀Au的厚度为4-6μm。
完成后的示意图如图3所示。
相较于蒸镀金属实现的方式，成本高时间长，本实施例采用电镀的方式进行背金处理，成本低时间短。
S5：另外，在完成电镀后，对SiC基GaN晶圆进行物理检查，确保镀金层不会脱落导致晶圆报废。
本实施例不仅采用粗磨轮保证SiC基GaN晶圆表面的粗糙度处于一个适中值，解决现有技术中粗糙度太低将会严重影响种子层金属Ti与半导体SiC的粘附性的问题；而且通过物理清洗的方式，清洗SiC基GaN晶圆表面存在着大量的SiC颗粒，解决现有技术存在的SiC颗粒显著降低背金层的粘附性；同时，通过使用氧气进行灰化处理SiC基GaN晶圆表面异物，以去除沾污的颗粒物，用来提高半导体SiC与镀金前种子层（背金处理得到的层）的粘附性从而防止背面金属脱落。
实施例2
本实施例基于上述方法的实现，提供一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的系统，与实施例1类似的，优选于对6英寸及其以下尺寸的SiC基GaN晶圆，该系统也用于解决SiC基GaN晶圆背金脱落现象，如图4所示，其包括：
减薄装置，用于对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄；
具体地，在本实施例中，该减薄装置包括：
晶圆固定器，用于固定SiC基GaN晶圆；
粗磨轮，用对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄。
物理清洗装置，用于将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行高压喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面；
具体地，在本实施例中，该物理清洗装置包括：
晶圆旋转装置，用于控制SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转；
喷水装置，用于向晶圆表面进行喷水；
毛刷，用于以一定转速刷洗晶圆表面。
灰化装置，用于将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化；
具体地，在本实施例中，该灰化装置包括：
光阻灰化设备Asher机台。
背金处理装置，用于对SiC基GaN晶圆进行背金处理。
与实施例1类似的，本实施例不仅采用粗磨轮保证SiC基GaN晶圆表面的粗糙度处于一个适中值，解决现有技术中粗糙度太低将会严重影响种子层金属Ti与半导体SiC的粘附性的问题；而且通过物理清洗的方式，清洗SiC基GaN晶圆表面存在着大量的SiC颗粒，解决现有技术存在的SiC颗粒显著降低背金层的粘附性；同时，通过使用氧气进行灰化处理SiC基GaN晶圆表面异物，以去除沾污的颗粒物，用来提高半导体SiC与镀金前种子层（背金处理得到的层）的粘附性从而防止背面金属脱落。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：使用粗磨轮对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄；
S2：将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面；
S3：将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化；
S4：对SiC基GaN晶圆进行背金处理。
2.根据权利要求1所述的一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，其特征在于：步骤S1中的粗磨轮为>1500#的磨轮。
3.根据权利要求2所述的一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，其特征在于：步骤S1中，使用>1500#的磨轮对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄，其研磨速率约为8-12μm/min，研磨后粗糙度Ra约为30-35nm/um2。
4.根据权利要求1所述的一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，其特征在于：在步骤S2中，让SiC基GaN晶圆保持顺时针200-500rpm的转速，之后喷头打开，喷水压力为>1500psi，同时使用毛刷刷洗SiC基GaN晶圆表面，毛刷转速为逆时针20-50rpm，毛刷压力为高压>1500N，保持1min后在3min内均匀降低为低压<600N，最后清洗完毕。
5.根据权利要求1所述的一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，其特征在于：在步骤S3中的灰化处理阶段，让SiC基GaN晶圆在真空度约为0.5Bar氧气的环境中，感应线圈功率为500~600W的等离子氛围下，灰化处理200-500s。
6.根据权利要求1所述的一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，其特征在于：在步骤S4中，所述背金处理为对SiC基GaN晶圆进行背金的电镀工艺。
7.根据权利要求6所述的一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，其特征在于：步骤S4中，依次溅射镀金属层：Ti500-1000A，Au4000-5000A。
8.根据权利要求7所述的一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，其特征在于：电镀Au的厚度为4-6μm。
9.根据权利要求1所述的一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法，其特征在于：所述的方法还包括：
S5：完成电镀后，对SiC基GaN晶圆进行物理检查，确保镀金层不会脱落导致晶圆报废。
10.一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的系统，如权利要求1~9中任意一项所述的方法，其特征在于：包括：
减薄装置，用于对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄；
物理清洗装置，用于将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行高压喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面；
灰化装置，用于将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化；
背金处理装置，用于对SiC基GaN晶圆进行背金处理。
CN201810858352.9A 2018-07-31 2018-07-31 一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统 Pending CN109037035A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810858352.9A CN109037035A (zh) 2018-07-31 2018-07-31 一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810858352.9A CN109037035A (zh) 2018-07-31 2018-07-31 一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109037035A true CN109037035A (zh) 2018-12-18

Family

ID=64648021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810858352.9A Pending CN109037035A (zh) 2018-07-31 2018-07-31 一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109037035A (zh)

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004219719A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Toshiba Corp 表示装置
CN101122749A (zh) * 2006-08-10 2008-02-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻图形的形成方法
CN101211773A (zh) * 2006-12-30 2008-07-02 上海先进半导体制造股份有限公司 防止芯片背面金属剥落的方法
CN101442071A (zh) * 2008-12-18 2009-05-27 中国科学院微电子研究所 氮化镓基场效应管及其制备方法
CN101719471A (zh) * 2009-12-11 2010-06-02 四川龙瑞微电子有限公司 场效应晶体管制造方法
CN102082157A (zh) * 2009-11-30 2011-06-01 索尼公司 结合基板及制造方法、固体摄像装置及制造方法、照相机
CN102214568A (zh) * 2011-06-01 2011-10-12 中国科学院微电子研究所 SiC衬底的减薄方法
CN102214565A (zh) * 2010-04-09 2011-10-12 中国科学院微电子研究所 一种对碳化硅晶片进行减薄的方法
CN102339751A (zh) * 2010-07-21 2012-02-01 中国科学院微电子研究所 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法
US20120061827A1 (en) * 2010-09-15 2012-03-15 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
CN103949429A (zh) * 2014-04-25 2014-07-30 哈尔滨工业大学 碳化硅单晶的清洗方法
CN104167351A (zh) * 2014-07-23 2014-11-26 东莞市天域半导体科技有限公司 一种SiC外延片的化学机械清洗方法及专用工具
CN104253033A (zh) * 2013-06-25 2014-12-31 无锡华润上华半导体有限公司 半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法
CN105355566A (zh) * 2014-08-21 2016-02-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 焊盘的表面处理方法及焊盘的制作方法
CN105470122A (zh) * 2015-11-20 2016-04-06 成都嘉石科技有限公司 一种SiC减薄方法
CN105676594A (zh) * 2016-01-21 2016-06-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 防止光刻胶层脱落的方法
CN106298439A (zh) * 2015-05-14 2017-01-04 比亚迪股份有限公司 晶圆的处理方法、制备半导体元件的方法及其应用
CN106367814A (zh) * 2016-08-31 2017-02-01 吉林麦吉柯半导体有限公司 提高晶圆强度和背面金属与硅粘附强度的晶圆制备方法
CN107159606A (zh) * 2017-06-09 2017-09-15 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 大口径碳化硅反射镜镀膜镜面自动清洗工艺方法

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004219719A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Toshiba Corp 表示装置
CN101122749A (zh) * 2006-08-10 2008-02-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻图形的形成方法
CN101211773A (zh) * 2006-12-30 2008-07-02 上海先进半导体制造股份有限公司 防止芯片背面金属剥落的方法
CN101442071A (zh) * 2008-12-18 2009-05-27 中国科学院微电子研究所 氮化镓基场效应管及其制备方法
CN102082157A (zh) * 2009-11-30 2011-06-01 索尼公司 结合基板及制造方法、固体摄像装置及制造方法、照相机
CN101719471A (zh) * 2009-12-11 2010-06-02 四川龙瑞微电子有限公司 场效应晶体管制造方法
CN102214565A (zh) * 2010-04-09 2011-10-12 中国科学院微电子研究所 一种对碳化硅晶片进行减薄的方法
CN102339751A (zh) * 2010-07-21 2012-02-01 中国科学院微电子研究所 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法
US20120061827A1 (en) * 2010-09-15 2012-03-15 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
CN102214568A (zh) * 2011-06-01 2011-10-12 中国科学院微电子研究所 SiC衬底的减薄方法
CN104253033A (zh) * 2013-06-25 2014-12-31 无锡华润上华半导体有限公司 半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法
CN103949429A (zh) * 2014-04-25 2014-07-30 哈尔滨工业大学 碳化硅单晶的清洗方法
CN104167351A (zh) * 2014-07-23 2014-11-26 东莞市天域半导体科技有限公司 一种SiC外延片的化学机械清洗方法及专用工具
CN105355566A (zh) * 2014-08-21 2016-02-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 焊盘的表面处理方法及焊盘的制作方法
CN106298439A (zh) * 2015-05-14 2017-01-04 比亚迪股份有限公司 晶圆的处理方法、制备半导体元件的方法及其应用
CN105470122A (zh) * 2015-11-20 2016-04-06 成都嘉石科技有限公司 一种SiC减薄方法
CN105676594A (zh) * 2016-01-21 2016-06-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 防止光刻胶层脱落的方法
CN106367814A (zh) * 2016-08-31 2017-02-01 吉林麦吉柯半导体有限公司 提高晶圆强度和背面金属与硅粘附强度的晶圆制备方法
CN107159606A (zh) * 2017-06-09 2017-09-15 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 大口径碳化硅反射镜镀膜镜面自动清洗工艺方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100867287B1 (ko) 세정제 조성물
TWI459462B (zh) 用於電漿處理設備之複合噴頭電極組件用之清理硬體套組
US9630295B2 (en) Mechanisms for removing debris from polishing pad
JP2000269178A (ja) エッチング除去方法および装置と洗浄方法および装置
CN109500663A (zh) 一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺
CN102618936B (zh) 砷化镓表面化学腐蚀方法和化学腐蚀液
CN105903694A (zh) 大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法
CN109860085B (zh) 一种硅片cmp后加工设备及加工工艺
CN112975578B (zh) 一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法
CN105364699B (zh) 一种化学机械研磨方法和化学机械研磨设备
CN203765443U (zh) 一种合成的镀铜研磨机台
CN109712866A (zh) 晶圆的清洗方法
US20100018029A1 (en) Rinsing Wafers Using Composition-Tunable Rinse Water in Chemical Mechanical Polish
CN102814725B (zh) 一种化学机械研磨方法
CN109037035A (zh) 一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统
CN102386062A (zh) 晶片清洗控制装置和晶片清洗控制方法
CN111403314A (zh) 一种晶圆背面金属化结构、薄化装置及金属化制程方法
US7559825B2 (en) Method of polishing a semiconductor wafer
CN105762062A (zh) 一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺
KR20190071897A (ko) 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치
CN111098224B (zh) 半导体基板及其表面研磨方法
CN106367814B (zh) 提高晶圆强度和背面金属与硅粘附强度的晶圆制备方法
CN212062396U (zh) 一种晶圆背面的金属化结构
JP2022084507A (ja) 研磨パッド洗浄装置及び研磨装置
KR20210098137A (ko) 제1 세정 장치, 이를 포함하는 세정 장비 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181218

RJ01 Rejection of invention patent application after publication