CN109032405A - 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 - Google Patents

一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109032405A
CN109032405A CN201810739650.6A CN201810739650A CN109032405A CN 109032405 A CN109032405 A CN 109032405A CN 201810739650 A CN201810739650 A CN 201810739650A CN 109032405 A CN109032405 A CN 109032405A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
electrode
pixel
line
grid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810739650.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109032405B (zh
Inventor
田鹏程
张郑欣
李鑫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810739650.6A priority Critical patent/CN109032405B/zh
Publication of CN109032405A publication Critical patent/CN109032405A/zh
Priority to US16/502,407 priority patent/US11157112B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109032405B publication Critical patent/CN109032405B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H01L31/145—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the semiconductor device sensitive to radiation being characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，该显示面板包括对盒设置的第一基板和第二基板，在第二基板的周边区域设有透光区域；在第一基板上正对透光区域处交叉排布有多个第一栅线和多个第一数据线，以在周边区域限定出呈阵列排布的多个第一子像素；每一第一子像素内设置有第一像素电极及第一薄膜晶体管，第一栅线不接入信号，第一数据线通过第一信号线连接驱动IC；在第一基板或第二基板上还设置有相互绝缘的多个第一感应电极，每一第一感应电极对应至少一个第一子像素设置；第一感应电极通过第二信号线连接驱动IC。本发明可以将光线感应器集成于显示面板上，提高显示面板集成度。

Description

一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。
背景技术
目前的移动终端等电子产品均带有光线感应器来感知外界光线变化，从而对屏幕亮度或屏幕的开启和关闭进行自动控制。传统的电子产品中，光线感应器均独立于显示屏，需另外采购专门的零部件整合到整机，增加了整机成本和组装步骤。而目前对电子产品的趋势是集成度越来越高，显示屏作为主要零部件，对其集成度要求更高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，可以将光线感应器集成于显示面板上，提高显示面板集成度。
本发明所提供的技术方案如下：
一种显示面板，包括对盒设置的第一基板和第二基板，所述显示面板具有显示区域及位于所述显示区域外围的周边区域，
在所述第二基板的周边区域设有一透光区域，用于使得光线透过所述第二基板入射至所述第一基板上；
在所述第一基板上正对所述透光区域处交叉排布有多个第一栅线和多个第一数据线，以在所述周边区域限定出呈阵列排布的多个第一子像素；
每一所述第一子像素内设置有第一像素电极及第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管连接所述第一栅线、所述第一数据线及所述第一像素电极，所述第一栅线不接入信号，所述第一数据线通过第一信号线连接驱动IC；
在所述第一基板或所述第二基板上还设置有相互绝缘的多个第一感应电极，每一所述第一感应电极对应至少一个所述第一子像素设置；
所述第一感应电极通过第二信号线连接所述驱动IC。
进一步的，所述第一基板的显示区域还交叉排布有多个第二栅线和多个第二数据线，以在所述显示区域限定出呈阵列排布的多个第二子像素；
每一所述第二子像素内设置有第二像素电极及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管连接所述第二栅线、所述第二数据线及所述第二像素电极，所述第一栅线与所述第二栅线不连接，所述第一数据线与所述第二数据线不连接，且所述第二栅线和所述第二数据线均与所述驱动IC连接；
在所述第一基板或所述第二基板上还设置有多个公共电极，所述公共电极复用为第二感应电极，每一所述公共电极对应一个所述第二子像素设置，每一所述公共电极通过第三信号线与所述驱动IC连接。
进一步的，所述第一栅线和所述第二栅线同层且同材料设置；
所述第一数据线和所述第二数据线同层且同材料设置；
所述第一薄膜晶体管的源、漏极及栅极分别与所述第二薄膜晶体管的源、漏极及栅极同层且同材料设置；
所述第一像素电极与所述第二像素电极同层且同材料设置；
所述第一感应电极与所述公共电极同层且同材料设置；
所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线同层且同材料设置。
进一步的，每一所述第一感应电极对应至少两个所述第一子像素设置，且对应于同一所述第一感应电极的各所述第一子像素的所述第一数据线连接，并通过同一根所述第一信号线连接。
进一步的，所述第二基板为彩膜基板，所述彩膜基板上设置有遮光层，其中所述遮光层未覆盖所述透光区域。
一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
进一步的，所述显示装置还包括设置于所述显示面板的第一基板的远离所述第二基板的一侧的第一偏光片、及设置于所述显示面板的第二基板的远离所述第一基板的一侧的第二偏光片，其中，所述第二偏光片未覆盖所述透光区域。
一种显示面板的制作方法，用于制作如上所述的显示面板，所述方法包括：
制作第一基板，其中在所述第二基板的周边区域形成一透光区域，用于使得光线透过所述第二基板入射至所述第一基板上；
制作第二基板，其中在所述第一基板上正对所述透光区域所在位置处形成交叉排布的多个第一栅线和多个第一数据线，以在所述周边区域限定出呈阵列排布的多个第一子像素，并在每一所述第一子像素内形成第一像素电极及第一薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管连接所述第一栅线、所述第一数据线及所述第一像素电极，所述第一栅线不接入信号，所述第一数据线通过第一信号线连接驱动IC；
在所述第一基板或所述第二基板上形成多个第一感应电极，其中每一所述第一感应电极对应至少一个所述第一子像素设置，所述第一感应电极通过第二信号线连接所述驱动IC。
进一步的，所述方法还包括：
在所述第一基板的显示区域形成交叉排布的多个第二栅线和多个第二数据线，以在所述显示区域限定出呈阵列排布的多个第二子像素，并在每一所述第二子像素内设置第二像素电极及第二薄膜晶体管，其中所述第二薄膜晶体管连接所述第二栅线、所述第二数据线及所述第二像素电极，所述第一栅线与所述第二栅线不连接，所述第一数据线与所述第二数据线不连接，且所述第二栅线和所述第二数据线均与所述驱动IC连接；
在所述第一基板或所述第二基板上形成多个公共电极，其中所述公共电极复用为第二感应电极，每一所述公共电极对应一个所述第二子像素设置，每一所述公共电极通过第三信号线与所述驱动IC连接。
进一步的，所述方法中，
通过同一次构图工艺形成所述第一栅线和所述第二栅线；
通过同一次构图工艺形成所述第一数据线和所述第二数据线；
通过同一次构图工艺形成所述第一薄膜晶体管的源、漏极和所述第二薄膜晶体管的源、漏极；
通过同一次构图工艺形成所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极；
通过同一次构图工艺形成所述第一像素电极与所述第二像素电极；
通过同一次构图工艺形成所述第一感应电极与所述公共电极；
通过同一次构图工艺形成所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线。
本发明所带来的有益效果如下：
上述方案中，通过在第二基板的周边区域处设一透光区域，使得光线可透过第二基板上的透光区域而入射至第一基板上，并在第一基板上正对该透光区域的位置处设置第一数据线、第一栅线、第一子像素、第一薄膜晶体管及第一感应电极，其中第一栅线不接入信号，第一数据线和第一感应电极分别通过两根信号线来与显示面板的驱动IC连接，由于第一栅线处于floating状态(即第一栅线不接入信号)时，光线照射至未被遮挡的第一薄膜晶体管上时，第一栅线会打开，因此会产生漏电流，使信号量(Differ值)增大，而导致对应的第一感应电极上电容值发生变化，从而，使得第一数据线、第一栅线、第一子像素、第一薄膜晶体管及第一感应电极可形成一光线感应器，而实现将光线感应器集成设置于显示面板上的目的。
附图说明
图1表示本发明实施例所提供的显示面板的结构示意图；
图2表示本发明实施例所提供的显示面板在透光区域处设置的第一栅线、第一数据线、第一像素电极、第一感应电极及第一薄膜晶体管的局部结构放大示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
针对现有技术中光线感应器是单独设置于显示屏外，显示屏集成度低的问题，本发明实施例中提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，能够将光线感应器集成设置于显示面板上，提高集成度。
如图1和图2所示，本发明实施例中提供了一种显示面板，包括对盒设置的第一基板和第二基板(图中未标记)，所述显示面板具有显示区域及位于所述显示区域外围的周边区域，在所述第二基板的周边区域设有一透光区域(图中未标记出)，用于使得光线透过所述第二基板入射至所述第一基板上；
在所述第一基板上正对所述透光区域处交叉排布有多个第一栅线100和多个第一数据线200，以在所述周边区域限定出呈阵列排布的多个第一子像素300；
每一所述第一子像素300内设置有第一像素电极400及第一薄膜晶体管500，所述第一薄膜晶体管500连接所述第一栅线100、所述第一数据线200及所述第一像素电极400，所述第一栅线100不接入信号，所述第一数据线200通过第一信号线Tx1连接驱动IC 600；
在所述第一基板或所述第二基板上还设置有相互绝缘的多个第一感应电极600，每一所述第一感应电极600对应至少一个所述第一子像素300设置；
所述第一感应电极600通过第二信号线Tx2连接所述驱动IC 600。
上述方案中，通过在所述第二基板的周边区域处设一透光区域，使得光线可透过所述第二基板上的透光区域而入射至所述第一基板上，在所述第一基板上正对该透光区域的位置处设置第一数据线200、第一栅线100、第一子像素300、第一薄膜晶体管500及第一感应电极600，其中第一栅线100不接入信号，第一数据线200和第一感应电极600分别通过两根信号线来与显示面板的驱动IC 600连接，由于在第一栅线100不接入信号，即，所述第一栅线100处于floating状态时，光线照射至未被遮挡的第一薄膜晶体管500上时，所述第一栅线100会打开，因此会产生漏电流，Differ值增大，而导致对应的所述第一感应电极600上电容值发生变化，从而，使得第一数据线200、第一栅线100、第一子像素300、第一薄膜晶体管500及第一感应电极600可形成一光线感应器，而实现将光线感应器集成设置于显示面板上的目的。并且，当Differ值超过某一阈值电压时，则可判断为有光照，根据Differ值大小，可进一步判断光照的强弱，从而对显示面板的屏幕亮度或整机相关功能做出调整。
需要说明的是，上述方案中，所述第二感应电极及所述第二信号线可以设置在第一基板上，也可以设置在第二基板上。优选的，本实施例中，所述第二感应电极及所述第一信号线、所述第二信号线均设置于所述第一基板上。
在本发明所提供的优选实施例中，如图所示，在所述第一基板的显示区域还交叉排布有多个第二栅线700和多个第二数据线800，以在所述显示区域限定出呈阵列排布的多个第二子像素900；
每一所述第二子像素900内设置有第二像素电极901及第二薄膜晶体管902，所述第二薄膜晶体管902连接所述第二栅线700、所述第二数据线800及所述第二像素电极901，所述第一栅线100与所述第二栅线700不连接，所述第一数据线200与所述第二数据线800不连接，且所述第二栅线700和所述第二数据线800均与所述驱动IC 600连接；
在所述第一基板或所述第二基板上还设置有多个公共电极903，所述公共电极903复用为第二感应电极，每一所述公共电极903对应一个所述第二子像素900设置，每一所述公共电极903通过第三信号线与所述驱动IC 600连接。
采用上述方案，本发明实施例所提供的显示面板优选为TDDI显示面板，即，触控与显示驱动器集成(Touch and Display Driver Integration)显示面板，将公共电极903复用为第二感应电极使用，从而可以利用分时复用技术，在显示时间段，所述驱动IC 600向所述公共电极903和所述第二像素电极901上施加显示驱动信号，使得所述公共电极903与所述第二像素电极901之间相互作用，形成多维电场，可以实现显示功能；而在触控时间段，所述驱动IC 600向所述公共电极903上施加触控信号，所述公共电极903又可作为感应电极，而形成互感电容，可以实现触控功能。
当然可以理解的是，在实际应用中，所述显示面板也可以是其他类型的显示面板，例如，还可以是非触控显示面板，对此并不进行限定。
此外，还需要说明的是，在上述方案中，所述第一数据线200与所述第二数据线800不连接，所述第一数据线200通过第一信号线Tx1来与驱动IC 600连接，以使所述驱动IC600无需向所述第一数据线200上施加显示驱动信号(source信号)；所述第一栅线100与所述第二栅线700不连接，以使所述第一栅线100不接入信号。
此外，在本发明所提供的优选实施例中，所述第一栅线100和所述第二栅线700同层且同材料设置；所述第一数据线200和所述第二数据线800同层且同材料设置；所述第一薄膜晶体管500的源、漏极与所述第二薄膜晶体管902的源、漏极同层且同材料设置，所述第一薄膜晶体管500的栅极与所述第二薄膜晶体管902的栅极同层且同材料设置；所述第一像素电极400与所述第二像素电极901同层且同材料设置；所述第一感应电极600与所述公共电极903同层且同材料设置；所述第一信号线Tx1、所述第二信号线Tx2及所述第三信号线同层且同材料设置。
采用上述方案，可以在所述第一基板的显示区域上形成第二栅线700时，采用同一次构图工艺在所述第一基板的周边区域形成第一栅线100；在所述第一基板的显示区域形成第二数据线800的同时，采用同一次构图工艺在所述第一基板的周边区域形成所述第一数据线200；在所述第一基板的显示区域形成所述第二薄膜晶体管902的各膜层的同时，在所述第一基板的周边区域来形成第一薄膜晶体管500的各膜层；在所述第一基板的显示区域形成公共电极903时，采用同一次构图工艺来形成所述第一感应电极600；在所述第一基板上形成所述第三信号线时，采用同一次构图工艺形成所述第一信号线Tx1和所述第二信号线Tx2。这样，可以无需增加制程，在传统的TDDI显示面板工艺制程和整体设计结构基础上，实现在显示面板上集成光线感应器的目的。
需要说明的是，在上述方案中，所述第一感应电极600和所述公共电极903可采用透明ITO(氧化铟锡)层，这样，可以使得光线透过第一感应电极600照射至第一薄膜晶体管500上，而实现光线感应目的。
此外，还需要说明的是，在上述方案中，所述第一数据线200与所述第一信号线Tx1不同层设置，可通过在两者之间的各膜层上设置过孔来实现连接。
还需要说明的是，在上述方案中，所述第三信号线为现有的TDDI显示面已有的信号线，每一所述公共电极903连接一所述第三信号线，所述第三信号线用于在显示时间段向所述公共电极903施加显示驱动信号，在触控时间段向所述公共电极903施加触控驱动信号，而所述第一信号线Tx1和所述第二信号线Tx2均与所述第三信号线同层且同材料设置，优选的，所述第一信号线Tx1和所述第二信号线Tx2可直接由所述第三信号线来形成，也就是说，所述第一数据线200、所述第一感应电极600均直接与不同的所述第三信号线连接。
此外，如图所示，在本发明所提供的优选实施例中，每一所述第一感应电极600对应至少两个所述第一子像素300设置，且对应于同一所述第一感应电极600的各所述第一子像素300的所述第一数据线200连接，并通过同一根所述第一信号线Tx1连接。
采用上述方案，同一所述第一感应电极600对应多个第一子像素300设置，且同一第一感应电极600所对应的多个第一子像素300中的各第一像素电极400所连接的第一数据线200应连在一起，并与同一根第一信号线Tx1进行连接。这样，可以保证同一第一感应电极600对应的各第一子像素300处的第一数据线200上信号相同。
此外，在本发明所提供的实施例中，所述第二基板为彩膜基板，所述彩膜基板上设置有遮光层，其中所述遮光层未覆盖所述透光区域。
采用上述方案，传统的彩膜基板上在周边区域会设置遮光层(例如，黑矩阵)，本实施例中，可以通过在遮光层上镂空设计或者整个彩膜基板在所述透光区域挖槽等方式，使得遮光层不覆盖所述透光区域。
本发明实施例中还提供了一种显示装置，包括本发明实施例所提供的显示面板。
在本实施例中，所述显示装置还包括设置于所述显示面板的第一基板的远离所述第二基板的一侧的第一偏光片、及设置于所述显示面板的第二基板的远离所述第一基板的一侧的第二偏光片，其中，所述第二偏光片未覆盖所述透光区域。
采用上述方案，传统的显示面板上会设置第一偏光片和第二偏光片，为了保证透光区域处的光线入射至第二基板上，在第一基板上的第二偏光片在与所述透光区域正对位置可进行镂空设计或者减少第二偏光片的尺寸等方式，使得第二偏光片不覆盖所述透光区域。
本发明实施例中还提供了一种显示面板的制作方法，用于制作本发明实施例所提供的显示面板，所述方法包括：
制作第一基板，其中在所述第二基板的周边区域形成一透光区域，用于使得光线透过所述第二基板入射至所述第一基板上；
制作第二基板，其中在所述第一基板上正对所述透光区域所在位置处形成交叉排布的多个第一栅线100和多个第一数据线200，以在所述周边区域限定出呈阵列排布的多个第一子像素300，并在每一所述第一子像素300内形成第一像素电极400及第一薄膜晶体管500，其中所述第一薄膜晶体管500连接所述第一栅线100、所述第一数据线200及所述第一像素电极400，所述第一栅线100不接入信号，所述第一数据线200通过第一信号线Tx1连接驱动IC 600；
在所述第一基板或所述第二基板上形成多个第一感应电极600，其中每一所述第一感应电极600对应至少一个所述第一子像素300设置，所述第一感应电极600通过第二信号线Tx2连接所述驱动IC 600。
上述方案中，通过在所述第二基板的周边区域处设一透光区域，使得光线可透过所述第二基板上的透光区域而入射至所述第一基板上，在所述第一基板上正对该透光区域的位置处设置第一数据线200、第一栅线100、第一子像素300、第一薄膜晶体管500及第一感应电极600，其中第一栅线100不接入信号，第一数据线200和第一感应电极600分别通过两根信号线来与显示面板的驱动IC 600连接，由于在第一栅线100不接入信号，即，所述第一栅线100处于floating状态时，光线照射至未被遮挡的第一薄膜晶体管500上时，所述第一栅线100会打开，因此会产生漏电流，Differ值增大，而导致对应的所述第一感应电极600上电容值发生变化，从而，使得第一数据线200、第一栅线100、第一子像素300、第一薄膜晶体管500及第一感应电极600可形成一光线感应器，而实现将光线感应器集成设置于显示面板上的目的。并且，当Differ值超过某一阈值电压时，则可判断为有光照，根据Differ值大小，可进一步判断光照的强弱，从而对显示面板的屏幕亮度或整机相关功能做出调整。
需要说明的是，上述方案中，对于第一基板和第二基板的制作步骤具体次序不进行限定。
在本发明所提供的实施例中，所述方法还包括：
在所述第一基板的显示区域形成交叉排布的多个第二栅线700和多个第二数据线800，以在所述显示区域限定出呈阵列排布的多个第二子像素900，并在每一所述第二子像素900内设置第二像素电极901及第二薄膜晶体管902，其中所述第二薄膜晶体管902连接所述第二栅线700、所述第二数据线800及所述第二像素电极901，所述第一栅线100与所述第二栅线700不连接，所述第一数据线200与所述第二数据线800不连接，且所述第二栅线700和所述第二数据线800均与所述驱动IC 600连接；
在所述第一基板或所述第二基板上形成多个公共电极903，其中所述公共电极903复用为第二感应电极，每一所述公共电极903对应一个所述第二子像素900设置，每一所述公共电极903通过第三信号线与所述驱动IC 600连接。
采用上述方案，本发明实施例所提供的显示面板优选为TDDI显示面板，即，触控与显示驱动器集成(Touch and Display Driver Integration)显示面板，将公共电极903复用为第二感应电极使用，从而可以利用分时复用技术，在显示时间段，所述驱动IC 600向所述公共电极903和所述第二像素电极901上施加显示驱动信号，使得所述公共电极903与所述第二像素电极901之间相互作用，形成多维电场，可以实现显示功能；而在触控时间段，所述驱动IC 600向所述公共电极903上施加触控信号，所述公共电极903又可作为感应电极，而形成互感电容，可以实现触控功能。
进一步的，所述方法中，
通过同一次构图工艺形成所述第一栅线100和所述第二栅线700；
通过同一次构图工艺形成所述第一数据线200和所述第二数据线800；
通过同一次构图工艺形成所述第一薄膜晶体管500的源、漏极和所述第二薄膜晶体管902的源、漏极；
通过同一次构图工艺形成所述第一薄膜晶体管500的栅极和所述第二薄膜晶体管902的栅极；
通过同一次构图工艺形成所述第一像素电极400与所述第二像素电极901；
通过同一次构图工艺形成所述第一感应电极600与所述公共电极903；
通过同一次构图工艺形成所述第一信号线Tx1、所述第二信号线Tx2及所述第三信号线。
采用上述方案，可以在所述第一基板的显示区域上形成第二栅线700时，采用同一次构图工艺在所述第一基板的周边区域形成第一栅线100；在所述第一基板的显示区域形成第二数据线800的同时，采用同一次构图工艺在所述第一基板的周边区域形成所述第一数据线200；在所述第一基板的显示区域形成所述第二薄膜晶体管902的各膜层的同时，在所述第一基板的周边区域来形成第一薄膜晶体管500的各膜层；在所述第一基板的显示区域形成公共电极903时，采用同一次构图工艺来形成所述第一感应电极600；在所述第一基板上形成所述第三信号线时，采用同一次构图工艺形成所述第一信号线Tx1和所述第二信号线Tx2。这样，可以无需增加制程，在传统的TDDI显示面板工艺制程和整体设计结构基础上，实现在显示面板上集成光线感应器的目的。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括对盒设置的第一基板和第二基板，所述显示面板具有显示区域及位于所述显示区域外围的周边区域，
在所述第二基板的周边区域设有一透光区域，用于使得光线透过所述第二基板入射至所述第一基板上；
在所述第一基板上正对所述透光区域处交叉排布有多个第一栅线和多个第一数据线，以在所述周边区域限定出呈阵列排布的多个第一子像素；
每一所述第一子像素内设置有第一像素电极及第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管连接所述第一栅线、所述第一数据线及所述第一像素电极，所述第一栅线不接入信号，所述第一数据线通过第一信号线连接驱动IC；
在所述第一基板或所述第二基板上还设置有相互绝缘的多个第一感应电极，每一所述第一感应电极对应至少一个所述第一子像素设置；
所述第一感应电极通过第二信号线连接所述驱动IC。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一基板的显示区域还交叉排布有多个第二栅线和多个第二数据线，以在所述显示区域限定出呈阵列排布的多个第二子像素；
每一所述第二子像素内设置有第二像素电极及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管连接所述第二栅线、所述第二数据线及所述第二像素电极，所述第一栅线与所述第二栅线不连接，所述第一数据线与所述第二数据线不连接，且所述第二栅线和所述第二数据线均与所述驱动IC连接；
在所述第一基板或所述第二基板上还设置有多个公共电极，所述公共电极复用为第二感应电极，每一所述公共电极对应一个所述第二子像素设置，每一所述公共电极通过第三信号线与所述驱动IC连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一栅线和所述第二栅线同层且同材料设置；
所述第一数据线和所述第二数据线同层且同材料设置；
所述第一薄膜晶体管的源、漏极及栅极分别与所述第二薄膜晶体管的源、漏极及栅极同层且同材料设置；
所述第一像素电极与所述第二像素电极同层且同材料设置；
所述第一感应电极与所述公共电极同层且同材料设置；
所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线同层且同材料设置。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
每一所述第一感应电极对应至少两个所述第一子像素设置，且对应于同一所述第一感应电极的各所述第一子像素的所述第一数据线连接，并通过同一根所述第一信号线连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第二基板为彩膜基板，所述彩膜基板上设置有遮光层，其中所述遮光层未覆盖所述透光区域。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的显示面板。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，还包括设置于所述显示面板的第一基板的远离所述第二基板的一侧的第一偏光片、及设置于所述显示面板的第二基板的远离所述第一基板的一侧的第二偏光片，其中，所述第二偏光片未覆盖所述透光区域。
8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1至5任一项所述的显示面板，所述方法包括：
制作第一基板，其中在所述第二基板的周边区域形成一透光区域，用于使得光线透过所述第二基板入射至所述第一基板上；
制作第二基板，其中在所述第一基板上正对所述透光区域所在位置处形成交叉排布的多个第一栅线和多个第一数据线，以在所述周边区域限定出呈阵列排布的多个第一子像素，并在每一所述第一子像素内形成第一像素电极及第一薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管连接所述第一栅线、所述第一数据线及所述第一像素电极，所述第一栅线不接入信号，所述第一数据线通过第一信号线连接驱动IC；
在所述第一基板或所述第二基板上形成多个第一感应电极，其中每一所述第一感应电极对应至少一个所述第一子像素设置，所述第一感应电极通过第二信号线连接所述驱动IC。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一基板的显示区域形成交叉排布的多个第二栅线和多个第二数据线，以在所述显示区域限定出呈阵列排布的多个第二子像素，并在每一所述第二子像素内设置第二像素电极及第二薄膜晶体管，其中所述第二薄膜晶体管连接所述第二栅线、所述第二数据线及所述第二像素电极，所述第一栅线与所述第二栅线不连接，所述第一数据线与所述第二数据线不连接，且所述第二栅线和所述第二数据线均与所述驱动IC连接；
在所述第一基板或所述第二基板上形成多个公共电极，其中所述公共电极复用为第二感应电极，每一所述公共电极对应一个所述第二子像素设置，每一所述公共电极通过第三信号线与所述驱动IC连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法中，
通过同一次构图工艺形成所述第一栅线和所述第二栅线；
通过同一次构图工艺形成所述第一数据线和所述第二数据线；
通过同一次构图工艺形成所述第一薄膜晶体管的源、漏极和所述第二薄膜晶体管的源、漏极；
通过同一次构图工艺形成所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极；
通过同一次构图工艺形成所述第一像素电极与所述第二像素电极；
通过同一次构图工艺形成所述第一感应电极与所述公共电极；
通过同一次构图工艺形成所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线。
CN201810739650.6A 2018-07-06 2018-07-06 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 Active CN109032405B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810739650.6A CN109032405B (zh) 2018-07-06 2018-07-06 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US16/502,407 US11157112B2 (en) 2018-07-06 2019-07-03 Display panel, display device and manufacturing method of display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810739650.6A CN109032405B (zh) 2018-07-06 2018-07-06 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109032405A true CN109032405A (zh) 2018-12-18
CN109032405B CN109032405B (zh) 2021-09-21

Family

ID=64641830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810739650.6A Active CN109032405B (zh) 2018-07-06 2018-07-06 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11157112B2 (zh)
CN (1) CN109032405B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI710935B (zh) * 2018-12-27 2020-11-21 大陸商友達光電（昆山）有限公司 觸控顯示裝置
CN114519962A (zh) * 2020-11-18 2022-05-20 海信视像科技股份有限公司 一种透明显示装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101097335A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
US20080165311A1 (en) * 2002-05-23 2008-07-10 Adiel Abileah Light sensitive display
CN101285975A (zh) * 2008-06-06 2008-10-15 友达光电股份有限公司 光感测单元及具此光感测单元的像素结构与液晶显示面板
US20110122670A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102116976A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 北京京东方光电科技有限公司 有源矩阵基板及其制造方法
CN103345326A (zh) * 2013-07-05 2013-10-09 南昌欧菲光显示技术有限公司 滤光片组件和触摸显示屏
CN103529993A (zh) * 2013-11-01 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、触控显示面板及显示装置
CN104659072A (zh) * 2015-03-16 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和阵列基板制作方法
CN105655408A (zh) * 2016-03-14 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制作和驱动方法、显示装置
US20170288001A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-05 Japan Display Inc. Photosensor and display device having the same
CN107479281A (zh) * 2017-08-29 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、像素结构和显示面板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009135188A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Sony Corp 光センサーおよび表示装置
JP5333964B2 (ja) * 2008-06-27 2013-11-06 株式会社ジャパンディスプレイ 光検出装置、電気光学装置及び電子機器
US20110316427A1 (en) * 2009-03-03 2011-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha Photodiode, display device provided with photodiode, and methods for manufacturing the photodiode and the display device
KR101743620B1 (ko) * 2009-12-18 2017-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
JP2016029475A (ja) * 2014-07-22 2016-03-03 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及び電子機器

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080165311A1 (en) * 2002-05-23 2008-07-10 Adiel Abileah Light sensitive display
CN101097335A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN101285975A (zh) * 2008-06-06 2008-10-15 友达光电股份有限公司 光感测单元及具此光感测单元的像素结构与液晶显示面板
US20110122670A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102116976A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 北京京东方光电科技有限公司 有源矩阵基板及其制造方法
CN103345326A (zh) * 2013-07-05 2013-10-09 南昌欧菲光显示技术有限公司 滤光片组件和触摸显示屏
CN103529993A (zh) * 2013-11-01 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、触控显示面板及显示装置
CN104659072A (zh) * 2015-03-16 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和阵列基板制作方法
CN105655408A (zh) * 2016-03-14 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制作和驱动方法、显示装置
US20170288001A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-05 Japan Display Inc. Photosensor and display device having the same
CN107479281A (zh) * 2017-08-29 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、像素结构和显示面板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHIH-LUNG LIN等: "A Hydrogenated Amorphous Silicon Thin-Film Transistor Optical Pixel Sensor for Ameliorating Influences of Ambient Light and Reflected Light", 《 IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY ( VOLUME: 5, ISSUE: 4, JULY 2017)》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI710935B (zh) * 2018-12-27 2020-11-21 大陸商友達光電（昆山）有限公司 觸控顯示裝置
CN114519962A (zh) * 2020-11-18 2022-05-20 海信视像科技股份有限公司 一种透明显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109032405B (zh) 2021-09-21
US11157112B2 (en) 2021-10-26
US20200012363A1 (en) 2020-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101937293B (zh) 信息输入装置和显示装置
US10444555B2 (en) Display screen, electronic device, and light intensity detection method
CN104464533B (zh) 一种显示面板、显示装置
CN205068352U (zh) 兼具指纹辨识与触控侦测的显示设备
CN208488620U (zh) 显示屏及电子设备
CN100443969C (zh) 触控面板及其制作方法
CN104808882B (zh) 信息输入装置和显示装置
CN103941449B (zh) 显示装置及电子设备
CN102289093B (zh) 基板及其制造方法以及液晶显示器、触摸寻址方法
CN101515099B (zh) 电光装置及电子设备
CN109273482A (zh) 触控显示装置
CN104115059B (zh) 具有倒置液晶显示器的电子设备
CN108182872A (zh) 具有光感测单元的显示装置
CN105068695A (zh) 具有压力检测功能的触控显示面板、显示装置及驱动方法
CN106908980A (zh) 阵列基板、触控显示面板及显示装置
CN104914602A (zh) 显示装置和阵列基板
CN101750779A (zh) 液晶显示器件
JP2012099081A (ja) タッチスクリーンパネル一体型液晶表示装置
CN110208994B (zh) 一种液晶显示面板及一种显示装置
CN101750834B (zh) 使用光传感器的电泳显示设备
KR20140139261A (ko) 터치 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
CN107239172A (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN105278190B (zh) 液晶显示装置
CN107976852A (zh) 阵列基板、显示面板与显示装置
CN107704121A (zh) 触控显示基板、显示装置及其控制方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant