CN108987039B - 线圈组件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种线圈组件及其制造方法。所述线圈组件包括：支撑构件；以及线圈图案，设置在所述支撑构件的至少一个表面上。所述线圈图案包括第一线圈层和设置在所述第一线圈层上的第二线圈层。所述第二线圈层包括具有与所述第一线圈层的宽度相同的宽度的下区域以及具有比所述第一线圈层的宽度大的宽度的上区域。

Description

线圈组件及其制造方法

本申请要求于2017年6月5日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0069757号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种线圈组件以及一种制造该线圈组件的方法。

背景技术

根据在诸如智能手机和平板个人计算机(PC)等的便携式装置的性能方面的改进，显示屏已经增大了尺寸，从而需要更快的应用处理器(AP)。同时，由于双核处理器或四核处理器的使用，增大了功耗。因此，主要用在直流(DC)到DC转换器和噪声滤波器等中的薄膜型电感器需要具有高电感值和低DC电阻。

另外，根据信息技术(IT)的发展，各种电子装置的小型化和薄型化已经加速。因此，用在这些电子装置中的薄膜型电感器的小型化和薄型化也已经被持续需要。

根据这样的趋势，已经持续进行各种尝试以提供具有均匀且具备高的高宽比的线圈图案的薄膜型电感器。

发明内容

本公开的一方面提供了一种具有高的高宽比和稳定的结构的线圈组件以及一种制造该线圈组件的方法。

根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：支撑构件；以及线圈图案，设置在所述支撑构件的至少一个表面上。所述线圈图案包括第一线圈层和设置在所述第一线圈层上的第二线圈层。所述第二线圈层包括具有与所述第一线圈层的宽度相同的宽度的下区域以及具有比所述第一线圈层的宽度大的宽度的上区域。

根据本公开的另一方面，一种制造线圈组件的方法包括：准备支撑构件；在所述支撑构件的至少一个表面上形成金属层；以及在所述金属层上形成第一抗蚀剂。所述第一抗蚀剂具有开口图案，开口图案具有线圈形状。所述方法还包括在所述第一抗蚀剂上形成第二抗蚀剂。第二抗蚀剂具有第二开口图案，所述第二开口图案具有比所述第一开口图案的宽度大的宽度并且具有线圈形状。所述方法还包括在所述第一开口图案和所述第二开口图案中设置导电金属以及通过去除所述第一抗蚀剂和所述第二抗蚀剂以及所述金属层的设置在所述第一抗蚀剂下面的区域来形成线圈图案。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和优点，在附图中：

图1是示出根据本公开的实施例的线圈组件的示意性透视图；

图2是示出根据本公开的实施例的线圈组件的示意性透视图，使得线圈组件的线圈图案是可见的；

图3是沿图2的线I-I'截取的示意性截面图；

图4是示出根据本公开的另一实施例的线圈组件的示意性截面图；

图5A和图5B是示出图4的线圈组件的多个变型示例的示图；

图6A至图6H是示出使用根据本公开的实施例的制造线圈组件的方法在制造图1的线圈组件的各阶段时的线圈组件的示图；

图7A至图7I是示出使用根据本公开的另一实施例的制造线圈组件的方法在制造图1的线圈组件的各阶段时的线圈组件的示图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。在附图中，为了清楚起见，可夸大或缩小组件的形状和尺寸等。

然而，本公开可以以许多不同的形式来例示并且不应解释为局限于在这里阐述的特定实施例。更确切的说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。

在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基底)的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，它可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于其之间的其它元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于其间的其它元件或层。同样的附图标记始终表示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。

将明显的是，尽管这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离实施例的教导的情况下，下面讨论的第一构件、组件、区域、层或部分可称为第二构件、组件、区域、层或部分。

为了易于描述，这里可使用诸如“上面”、“上方”、“下面”或“下方”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为相对于其它元件在“上面”或“上方”的元件随后将被定位为相对于其它元件或特征在“上面”或“下方”。因此，基于附图的具体方向定位，术语“上面”可包括上面和下面两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其他方位)，并相应地解释这里使用的空间相对描述符。

在这里使用的术语仅描述具体的实施例，本公开不受此限制。除非上下文清楚地另外指示，否则如在这里使用的单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，在说明书中所使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或其的组，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或其的组。

以下，将参照示出本公开的实施例的示意图来描述本公开的实施例。在附图中，例如，由于制造技术和/或公差，因此可以估计示出的形状的变化。因此，本公开的实施例不应被解释为局限于在这里示出的具体形状，例如，包括制造中所产生的形状的变化。下面的实施例也可单独地构成或者构成为它们中的若干个或全部的组合。

下述的本公开的内容可具有各种构造，在这里仅提出必需的构造，但本公开不限于此。

以下，将描述根据本公开的实施例的线圈组件，为了方便，将描述功率电感器作为线圈组件的示例。然而，本公开不限于此，而是也可出于各种目的而应用于其它线圈组件。出于各种目的的其它线圈组件的示例包括高频电感器、共模滤波器、通用磁珠和高频(GHz)磁珠等。

图1是示出根据本公开的实施例的线圈组件的示意性透视图。

在下面参照图1提供的描述中，“长度”方向表示图1的“X”方向，“宽度”方向表示图1的“Y”方向，“厚度”方向表示图1的“Z”方向。

参照图1，根据本公开的实施例的线圈组件100包括构成线圈组件的外形的主体40以及设置在主体的外表面上的外电极50a和50b。除非另外明确地说明或者通过上下文清楚地表明，否则如在这里使用的术语“外电极”是对第一外电极50a和第二外电极50b的方便引用。

主体40形成线圈组件100的外形。主体40可具有近似六面体形状，所述近似六面体形状具有在长度方向上彼此背对的两个端表面、在宽度方向上彼此背对的两个侧表面以及在厚度方向上彼此背对的上表面和下表面。然而，主体的形状不限于此。

主体40可包括磁性材料。磁性材料可以是包括铁(Fe)、铬(Cr)或硅(Si)作为主要成分的金属粉末颗粒或者可以是铁氧体粉末颗粒，但不限于此。

在实施例中，通过以片的形式模制磁性材料-树脂复合物(包括磁性材料和树脂的混合物)而形成磁性片以及在设置在支撑构件10的上表面和下表面上的线圈图案20上堆叠、压制和硬化磁性片来形成主体40，但不限于此。这里，磁性片的堆叠方向可与线圈组件100的安装表面垂直。这里，术语“垂直”除了包括所述两个组件之间的角度恰好是90°的情况以外，也包括两个组件之间的角度是近似90°(即，在60°至120°之间的角度)的情况。

当线圈组件100安装在电路板等上时，外电极50a和50b用于将线圈组件100电连接到电路板等。在实施例中，第一外电极50a和第二外电极50b分别连接到线圈图案20的一对引线部。

外电极50a和50b可由具有优异导电性的金属形成，所述具有优异导电性的金属例如为银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)、锡(Sn)或它们的合金。

形成外电极的方法和外电极的具体形状不被具体地限制。例如，外电极可通过浸渍法形成为C形状。第一外电极50a和第二外电极50b的具体形状不被限制。例如，第一外电极50a和第二外电极50b可由于具有“L”形状而不延伸到主体40的上表面，并且如果需要也可设置为仅设置在主体40的下表面上的下电极。第一外电极50a和第二外电极50b不需要具有相同的形状。例如，在实施例中，第一外电极50a为C形状且第二外电极50b为L形状。

图2是示出根据本公开的实施例的线圈组件的示意性透视图，使得线圈组件的线圈图案是可见的，图3是沿图2的线I-I'截取的示意性截面图。将参照图2和图3更详细地描述图1的主体的内部结构。

支撑构件10设置在主体40中并且用于支撑线圈图案20。

支撑构件10可以是包括绝缘树脂的绝缘基底。这里，绝缘树脂可以是诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺树脂的热塑性树脂、使诸如玻璃纤维或无机填充剂的增强材料浸渍在热固性树脂和热塑性树脂中的树脂(诸如半固化片(prepreg)、ABF(AjinomotoBuild up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂或光可成像介电(PID)树脂等)。当玻璃纤维包括在支撑构件10中时，可改善支撑构件的刚性。

在实施例中，通孔形成在支撑构件10的中央区域中，并且利用与构成主体40的材料相同的材料填充通孔以形成芯部25。在这种情况下，可进一步改善线圈组件的磁导率。在实施例中芯部25构成主体40的一部分。

线圈图案20包括形成在支撑构件10的背对的表面上的第一线圈图案20a和第二线圈图案20b。第一线圈图案20a和第二线圈图案20b以螺旋形状形成，并且通过贯通支撑构件10的通路26彼此电连接。出于第一线圈图案20a和第二线圈图案20b与外电极50a和50b之间的电连接的目的，暴露于主体40的外部的第一引线部28a和第二引线部28b(见图4)分别设置在第一线圈图案20a和第二线圈图案20b的最外部中。第一引线部28a和第二引线部28b分别暴露于主体40的长度方向上的两个端表面。在实施例中，分别构成第一线圈图案20a和第二线圈图案20b的最外区域的部分的第一引线部28a和第二引线部28b分别与第一线圈图案20a和第二线圈图案20b一体地形成。

线圈图案20可由具有高导电率的金属形成，所述具有高导电率的金属例如为银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)或它们的合金形成。在这种情况下，作为用于制造薄膜形状的优选工艺的示例，可使用电镀法。可选地，只要可实现与电镀法的效果相似的效果，也可使用现有技术中已知的其它工艺。

线圈图案20包括第一线圈层22a和22b以及分别设置在第一线圈层22a和22b上的第二线圈层24a和24b。

第一线圈层22a和22b可用作针对相应的第二线圈层的镀覆种子。通常，镀覆种子具有其全部的外表面被形成在镀覆种子上的镀层覆盖的结构。然而，根据实施例的第一线圈层22a和22b具有仅其上表面整体被设置在其上的第二线圈层覆盖并且其侧表面的至少部分不被设置在其上的第二线圈层覆盖的结构。也就是说，第一线圈层22a和22b的上表面分别与第二线圈层24a和24b的下表面接触，第一线圈层22a和22b的侧表面没有分别被第二线圈层24a和24b覆盖。第一线圈层22a和22b的上表面的宽度可因此与第二线圈层24a和24b的下表面的宽度大致相同。

通常，设置为与支撑构件接触的镀覆种子的宽度小于形成在镀覆种子上的镀层的宽度。然而，在一些情况下，会难以在预定水平或更高水平的高度处形成镀层同时使镀层之间的距离均匀。也就是说，在镀层在厚度方向上的生长方面会存在限制，并且会因此在某些情况下难以足够地增大线圈图案的高宽比。

然而，在本公开中，第一线圈层22a和22b的上表面的宽度与第二线圈层24a和24b的下表面的宽度大致相同，线圈图案的高宽比可稳定地增大同时使线圈图案的相邻的图案之间的间隔变小。例如，线圈图案的高宽比可以是2或更大至20或更小。当线圈图案的高宽比小于2时，线圈组件的电特性等方面的改善会不显著，当线圈图案的高宽比大于20时，在形成线圈图案的工艺中会存在困难，诸如线圈图案的坍塌、支撑构件的翘曲等。

第二线圈层24a和24b分别包括宽度与第一线圈层的宽度相同的下区域24a1和24b1以及宽度比相应的第一线圈层的宽度大的上区域24a2和24b2。也就是说，在一些实施例中，当在线圈组件的在厚度-宽度方向上的截面中观察时，第二线圈层24a和24b具有T形。

在如上所述的第二线圈层24a和24b包括下区域和上区域的实施例中，可以广泛地确保用于形成线圈图案的抗蚀剂的下表面的面积，并且可以充分地确保填充有线圈图案的空间。因此，可改善线圈组件的结构可靠性，由此避免诸如短路的发生等问题并且确保高的高宽比。

当第一线圈层22a和22b中的每个的高度与第二线圈层的下区域24a1和24b1中的每个的高度的和是T_L且第二线圈层的上区域24a2和24b2中的每个的高度是T_U时，T_U/T_L可以是2或更大。当T_U/T_L小于2时，在线圈组件的结构可靠性方面的改善会不足。

当第一线圈层22a和22b中的每个的相邻线圈图案之间的间隔是I_L且第二线圈层24a和24b的上区域中的每个的相邻线圈图案之间的间隔是I_U时，I_U/I_L可以在从大约0.5至小于1的范围中。当I_U/I_L小于0.5或大于等于1时，在线圈组件的结构可靠性方面的改善会不足或会不足够确保填充有线圈图案的空间，使得线圈特性会劣化。

第一线圈层22a和22b以及第二线圈层24a和24b可由相同的材料形成，但是也可由不同的材料形成。用于第一线圈层和第二线圈层中的每个的材料的示例包括而不限于从由铜(Cu)、钛(Ti)、镍(Ni)、锡(Sn)、钼(Mo)铝(Al)以及它们的任何合金组成的组中选择的一种或更多种。具体地，第一线圈层22a和22b可包括钛(Ti)或镍(Ni)，分别设置在第一线圈层22a和22b上的第二线圈层24a和24b可包括铜(Cu)，这是在导电性、经济效益以及易于加工所有的方面来考虑的。

第一线圈层22a和22b和与第一线圈层22a和22b的至少部分接触的通路26可由不同的材料形成。同样地，第一线圈层22a和22b可包括钛(Ti)或镍(Ni)，通路26可包括铜(Cu)。在这种情况下，边界表面可存在于第一线圈层22a和22b与通路26之间，从而可间断地设置第一线圈层22a和22b以及通路26。为了参考，在通常的线圈组件的结构中，同时形成通路和连接到通路的镀覆种子，从而可使通路和镀覆种子彼此不区分开并且连续地构造通路和镀覆种子。然而，在根据本公开的实施例的线圈组件中，通路26和设置在通路26上的第一线圈层22a和22b通过不同的工艺形成，从而使通路26和第一线圈层22a和22b彼此区分开并且间断地构造通路26和第一线圈层22a和22b。

第二线圈层的下区域24a1和24b1以及上区域24a2和24b2可同时形成，但也可单独形成。单独形成上区域和下区域可在减少镀覆偏差方面有利，因此，在改善线圈组件的结构可靠性方面也有利。

绝缘材料30形成在线圈图案20的表面上以确保线圈图案20与其它组件之间的绝缘性能。绝缘材料30不被具体限制。例如，绝缘材料30可包括聚(p-苯二甲基)、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚碳酸酯树脂或二萘嵌苯类化合物树脂。例如，包括二萘嵌苯类化合物的绝缘材料可使用化学气相沉积来均匀且稳定地设置。

绝缘材料30可填充线圈图案20的相邻图案之间的空间。也就是说，设置在相邻线圈图案20之间的绝缘材料可从线圈图案20的最下部到线圈图案20的最上部完全填充相邻的线圈图案之间的空间的全部。

图4是示出根据本公开的另一实施例的线圈组件的示意性截面图。

参照图4，线圈图案20可包括多个弯曲区域(curved region)C和将多个弯曲区域C彼此连接的多个连接区域L。这里，连接区域L是大致线性的。

线圈图案20中的至少一些可具有弯曲部形成在其侧表面上的形状。当线圈图案20中的至少一些由于形成在其侧表面上的弯曲部而具有起皱或波状形状时，支撑构件10与线圈图案20之间的接触面积增大。结果，在不妥协由于线圈图案的倒塌而可能劣化的结构可靠性的情况下，可以增大线圈图案20的高宽比。

如上所述的具有弯曲部形成在其侧表面上的形状的线圈图案可构成连接区域L的至少部分。原因是，线圈图案的变形将在连接区域L中发生的可能性相对高于线圈图案的变形将在弯曲区域C中发生的可能性。

线圈图案中的具有起皱或波状形状的区域可考虑芯片尺寸和DC电阻(Rdc)值等来适当地设定。例如，具有起皱或波状形状的区域可在彼此面对的连接区域L中关于芯部25而彼此对称地设置，但不限于此。

形成在线圈图案20的侧表面上的弯曲部的具体形状不进行限制。也就是说，线圈图案20可具有正曲率半径和负曲率半径由于脊和谷的重复而重复的结构。这里，脊和谷的具体形状不进行限制。也就是说，脊和谷可以以弯曲形状形成或者可具有尖点。

图5A和图5B是示出图4的线圈组件的弯曲部的形状的可选示例的示图。线圈图案20可具有如图5A中所示的重复具有大曲率半径的脊和谷的结构，或者可具有如图5B中所示的交替重复形成有弯曲部的区域(即，具有起皱形状的区域)和未形成弯曲部的区域(即，为大致直线的区域)的结构。

图6A至图6H是示出使用根据本公开的实施例的制造方法在制造的各阶段时的线圈组件的示图。参照图6A，准备形成有通路孔1050的支撑构件1000，将导电金属2050填充在通路孔1050中。导电金属2050构成将在下面描述的第一线圈图案2100和第二线圈图案2200彼此电连接的通路。导电金属2050可以是铜(Cu)，但不限于此。

参照图6B，在支撑构件1000的顶表面和底表面上分别形成金属层2110和2210。金属层2110和2210通过随后的工艺构成第一线圈层。形成金属层2110和2210的方法不被限制，并且可以是可形成作为均匀薄膜的金属层的方法。例如，可使用溅射、化学镀铜或化学气相沉积(CVD)等。镀层2110和2210中的每个的厚度可由本领域技术人员通过设计更改来适当地构造，并且可在从大约50nm至大约1μm的范围中，但不具体局限于此。金属层2110和2210中的每个的材料不被具体限制，但是为具有导电性的材料，并且当考虑将在下面描述的去除金属层的部分的工艺时为了显著地减少剩余的金属层可包括钛(Ti)或镍(Ni)作为主要成分。

参照图6C，在金属层2110和2210上形成具有第一开口图案6150的第一抗蚀剂6100。在实施例中，第一抗蚀剂6100通过已知的光刻法来形成，但方法不限于此。第一抗蚀剂6100的材料可以是可在形成开口图案之后被剥离并且对光选择性地作出反应的任何光敏聚合物。例如，第一抗蚀剂6100可以是负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂。这里，负性光致抗蚀剂可以是仅与光接触的部分(暴露的部分)的聚合物被硬化的光致抗蚀剂聚合物，使得仅暴露的部分的聚合物在显影工艺之后保留。负性光致抗蚀剂的示例包括芳香双叠氮、甲基丙烯酸酯、肉桂酸酯等，但不限于此。正性光致抗蚀剂可以是仅暴露于光的部分的聚合物被损坏的光敏聚合物，使得未暴露的部分在显影工艺之后保留并且暴露的部分溶解掉。正性光致抗蚀剂的示例包括聚甲基丙烯酸甲酯、萘醌二元叠氮、聚丁烯-1砜等，但不限于此。

参照图6D，在第一抗蚀剂6100上形成具有第二开口图案6250的第二抗蚀剂6200，第二开口图案6250具有比第一开口图案的宽度大的宽度并且具有线圈形状。可用作第二抗蚀剂6200的材料和形成第二抗蚀剂6200的方法与第一抗蚀剂6100的材料和形成方法相同。因此将省略对其的详细描述。

参照图6E，在第一开口图案6150和第二开口图案6250中形成导电金属2120和2220。在实施例中，导电金属2120和2220可不同于金属层2110和2210所包含的金属。在实施例中，金属层2110和2210用作填充在第一开口图案6150和第二开口图案6250中的导电金属2120和2220的种子层。导电金属2120和2220与金属层2110和2210之间的对齐因此是重要的。根据在本公开中公开的方法的示例，金属层2110和2210分别连续地设置在支撑构件1000的上表面和下表面上。形成有开口图案6150和6250以及导电金属2120和2220的位置的限制因此不大。结果，可容易地减小包括第一镀层和第二镀层的线圈图案的线宽。

在图6E中，当填充在第一开口图案6150和第二开口图案6250中的导电金属2120和2220的上表面设置在第二开口图案6250的上表面上方的高度上时，会附加地需要抛光处理以防止相邻的导电金属2120和2220之间的短路。在实施例中，可使用机械抛光或化学抛光，本领域技术人员可根据设计要求适当地进行设计变更。当填充在第一开口图案6150和第二开口图案6250中的导电金属2120和2220的上表面设置在低于第二开口图案6250的上表面的高度上以因此被镀覆时，可省略抛光处理。

参照图6F，去除第一抗蚀剂6100和第二抗蚀剂6200以及金属层2110和2210的设置在第一抗蚀剂6100下面的区域以形成线圈图案2000。在实施例中，不去除金属层2110和2210的设置在填充在第一开口图案6150和第二开口图案6250中的导电金属2120和2220下面的区域。可通过例如激光修整(laser trimming)来去除第一抗蚀剂6100和第二抗蚀剂6200以及金属层2110和2210的设置在第一抗蚀剂6100下面的区域，但技术不限于此。

参照图6G，在线圈图案2100和2200的表面上形成绝缘材料3000以围绕线圈图案2100和2200的表面的全部。形成绝缘材料的具体方法不被具体限制，但可以是例如CVD或溅射法。另外，绝缘材料不被具体限制，但可以是例如二萘嵌苯树脂。

参照图6H，形成包括磁性材料的主体4000以包封被绝缘涂覆的线圈图案，在主体的外表面上形成外电极5000以完成线圈组件的制造。

除了上述的描述以外，将省略对于与根据上述的本公开的实施例的线圈组件的特征重复的特征的描述。

图7A至图7I是示出使用根据本公开的另一实施例的制造方法在制造的各阶段时的线圈组件的截面的示图。

除了构成第二线圈层的下区域的导电金属以及构成第二线圈层的上区域的导电金属以不同的工艺填充在开口图案中以外，在图7A至图7I中示出的制造线圈组件的方法与图6A至图6H中的制造线圈组件的方法大致相似。在实施例中，第二线圈层的下区域和上区域间断地设置以包括下区域与上区域之间的边界表面。可在减小镀覆偏差方面有利的是：以单独的工艺形成第二线圈层的上区域和下区域。因此，可在改善线圈组件的结构可靠性方面更有利的是：在单独的工艺中形成上区域和下区域。

除了上述的描述以外，将省略对于与根据上述的本公开的实施例的制造线圈组件的方法的特征重复的特征的描述。

如上所阐述的，根据本公开的实施例，可获得能够具有高的高宽比和稳定的结构的线圈组件。

虽然上面已经示出并且描述了实施例，但是对于本领域技术人员来说将明显的是，在不脱离如权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以作出修改和变更。

Claims (15)

1.一种线圈组件，包括：

支撑构件；以及

线圈图案，包括分别设置在所述支撑构件的顶表面和底表面上的第一线圈图案和第二线圈图案，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案通过贯通所述支撑构件的通路彼此电连接，

其中，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案中的每个包括与所述支撑构件接触的第一线圈层和设置在所述第一线圈层上的第二线圈层，

所述第二线圈层包括具有与所述第一线圈层的宽度相同的宽度的下区域以及具有比所述第一线圈层的宽度大的宽度的上区域，

其中，I_U/I_L是0.5或更大且小于1，其中，I_L是所述第一线圈层的相邻线圈图案之间的间隔，I_U是所述第二线圈层的所述上区域的相邻线圈图案之间的间隔。

2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，T_U/T_L是2或更大，其中，T_L是所述第一线圈层的高度和所述第二线圈层的所述下区域的高度的和，T_U是所述第二线圈层的所述上区域的高度。

3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层和所述第二线圈层包括不同的材料。

4.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层包括钛或镍，第二线圈层包括铜。

5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第二线圈层的所述下区域和所述上区域间断地设置以包括所述下区域与所述上区域之间的边界表面。

6.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈图案中的至少一些线圈图案具有形成在所述至少一些线圈图案的侧表面上的弯曲部。

7.根据权利要求6所述的线圈组件，其中，所述线圈图案包括多个弯曲区域和使所述多个弯曲区域彼此连接的多个连接区域，并且具有形成在所述线圈图案的侧表面上的所述弯曲部的所述线圈图案构成所述连接区域的至少部分。

8.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括形成在所述线圈图案的表面上的绝缘材料。

9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述绝缘材料填充在所述线圈图案的相邻图案之间的空间。

10.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括包封所述支撑构件和所述线圈图案并且包括磁性材料的主体。

11.根据权利要求10所述的线圈组件，所述线圈组件还包括设置在所述主体的外表面上的外电极。

12.一种制造线圈组件的方法，包括：

准备支撑构件，所述支撑构件形成有通路孔；

在所述通路孔中填充导电金属以形成通路；

在所述支撑构件的顶表面和底表面上形成金属层；

在所述金属层上形成第一抗蚀剂，所述第一抗蚀剂具有第一开口图案，所述第一开口图案具有线圈形状；

在所述第一抗蚀剂上形成第二抗蚀剂，所述第二抗蚀剂具有第二开口图案，所述第二开口图案具有比所述第一开口图案的宽度大的宽度并且具有线圈形状；

在所述第一开口图案和所述第二开口图案中设置导电金属；以及

通过同一工艺去除所述第一抗蚀剂和所述第二抗蚀剂以及所述金属层的设置在所述第一抗蚀剂下面的区域来形成线圈图案，所述线圈图案包括分别设置在所述支撑构件的所述顶表面和所述底表面上的第一线圈图案和第二线圈图案，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案通过所述通路彼此电连接。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，设置所述导电金属的步骤包括同时在所述第一开口图案和所述第二开口图案中设置第一金属。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一金属不同于所述金属层所包含的金属。

15.一种制造线圈组件的方法，包括：

准备支撑构件，所述支撑构件形成有通路孔；

在所述通路孔中填充导电金属以形成通路；

在所述支撑构件的顶表面和底表面上形成金属层；

在所述金属层上形成第一抗蚀剂，所述第一抗蚀剂具有第一开口图案，所述第一开口图案具有线圈形状；

在所述第一开口图案中设置导电金属；

在所述第一抗蚀剂上形成第二抗蚀剂，所述第二抗蚀剂具有第二开口图案，所述第二开口图案具有比所述第一开口图案的宽度大的宽度并且具有线圈形状；

在所述第二开口图案中设置导电金属；以及

通过同一工艺去除所述第一抗蚀剂和所述第二抗蚀剂以及所述金属层的设置在所述第一抗蚀剂下面的区域来形成线圈图案，所述线圈图案包括分别设置在所述支撑构件的所述顶表面和所述底表面上的第一线圈图案和第二线圈图案，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案通过所述通路彼此电连接。

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