CN108962720A - 一种硅片的干燥方法 - Google Patents

一种硅片的干燥方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108962720A
CN108962720A CN201710350286.XA CN201710350286A CN108962720A CN 108962720 A CN108962720 A CN 108962720A CN 201710350286 A CN201710350286 A CN 201710350286A CN 108962720 A CN108962720 A CN 108962720A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
clamping device
lifting
plummer
water surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710350286.XA
Other languages
English (en)
Inventor
徐亚志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zing Semiconductor Corp
Original Assignee
Zing Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zing Semiconductor Corp filed Critical Zing Semiconductor Corp
Priority to CN201710350286.XA priority Critical patent/CN108962720A/zh
Publication of CN108962720A publication Critical patent/CN108962720A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned

Abstract

本发明提供一种硅片的干燥方法，该方法包括连续提拉支承有硅片的承载台，使完全浸泡在纯水中的硅片逐渐提拉出水面；自远离水面的方向连续提拉位于水面上方的夹紧装置；在硅片部分提拉出水面的预定时刻，提拉中的夹紧装置抓取提拉中的承载台上的所述硅片，并继续提拉夹紧装置，使所述硅片继续提拉出水面，直至所述硅片完全从水面中拉出。本发明避免了在将硅片从纯水中提拉出来的过程中硅片有短暂的停留，进而避免了在硅片上形成水迹残留。

Description

一种硅片的干燥方法
技术领域
本发明涉及硅片清洗技术领域，特别涉及一种硅片的干燥方法。
背景技术
目前，硅片清洗工艺多采用提拉工艺来干燥硅片。在提拉过程中利用纯水的表面张力将硅片表面的水去除，以减少甚至防止硅片表面形成水迹残留。清洗机采用提拉工艺干燥硅片时，先低速提拉用于承载硅片的承载台，使完全浸泡在纯水中的硅片低速地拉出水面；待承载台提拉到一定位置后，停止提拉承载台，此时部分硅片已从纯水中拉出，等待位于水面上的夹紧装置(例如机械手)夹取硅片；然后，夹紧装置夹紧硅片，待夹紧装置夹紧硅片后再提拉夹紧装置，即继续提拉硅片，使硅片脱离承载台并将硅片低速地拉出水面，直至硅片完全从纯水中拉出。在前述过程中，承载台仅与硅片位于纯水中的部分相接触，夹紧装置仅与硅片位于水面上的部分相接触。然而，发明人发现，采用这种提拉工艺干燥后的硅片表面仍然会形成水迹残留。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅片的干燥方法，以解决现有的硅片的干燥方法容易产生水迹残留的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种硅片干燥法方法，包括：连续提拉支承有硅片的承载台，使完全浸泡在纯水中的硅片逐渐提拉出水面；自远离水面的方向连续提拉位于水面上方的夹紧装置；在硅片部分提拉出水面的预定时刻，提拉中的夹紧装置抓取提拉中的承载台上的所述硅片，并继续连续提拉夹紧装置，使所述硅片继续提拉出水面，直至所述硅片完全从水面中拉出。
可选的，所述夹紧装置抓取所述硅片前，连续提拉支承有硅片的承载台的平均速度小于提拉位于水面上方的夹紧装置的平均速度。
可选的，匀速提拉所述承载台，匀速提拉所述夹紧装置。
可选的，提拉所述承载台的速度为0.3～0.7mm/s，提拉所述夹紧装置的速度为0.6～1mm/s。
可选的，当支承有硅片的承载台延迟预定时间，再连续提拉所述夹紧装置。
可选的，在延迟预定时间前，自靠近水面的方向牵引位于水面上方的夹紧装置。
可选的，开始提拉所述夹紧装置的位置到所述夹紧装置抓取所述硅片的位置之间的距离为10～15cm。
可选的，所述夹紧装置抓取所述硅片前，提拉所述承载台的平均速度大于提拉所述夹紧装置的平均速度。
可选的，匀速提拉所述承载台，匀速提拉所述夹紧装置。
可选的，所述夹紧装置抓取所述硅片后，提拉所述夹紧装置的速度大于提拉所述承载台的速度。
可选的，所述夹紧装置在抓取硅片前，所述夹紧装置用于抓取硅片的部分处于释放状态；所述夹紧装置在抓取硅片后，所述夹紧装置用于抓取硅片的部分处于夹紧状态。本发明提供的一种硅片的干燥方法，具有以下有益效果：
连续提拉支承有硅片的承载台，使完全浸泡在纯水中的硅片逐渐提拉出水面，自远离水面的方向连续提拉位于水面上方的夹紧装置，在硅片部分提拉出水面的预定时刻，提拉中的夹紧装置抓取提拉中的承载台上的所述硅片，并继续提拉夹紧装置，使所述硅片继续提拉出水面，直至所述硅片完全从水面中拉出。由于夹紧装置在抓取承载台上的硅片时，在同时提拉夹紧装置和承载台，因此硅片由承载台支承变换为由夹紧装置抓取的这一过程中，仍旧在将硅片从纯水中提拉出来，避免了在将硅片从纯水中提拉出来的过程中硅片有短暂的停留，进而避免了在硅片上形成水迹残留。
附图说明
图1是本发明一实施例中硅片完全浸泡在纯水中的示意图；
图2是本发明一实施例中夹紧装置恰好抓取硅片的示意图；
图3是本发明一实施例中硅片从纯水中完全提拉出来的示意图。
附图标记说明：
10-纯水；
20-硅片；
P-水面；
30-承载台；
40-夹紧装置；
A-起点；
B-上限点；
C-下限点；
D-终点；
E-抓取点。
具体实施方式
如背景技术所述，在采用提拉工艺干燥硅片时，硅片表面仍会形成水迹残留。发明人进行了大量的研究，发现当部分硅片浸泡在纯水中，部分硅片漏出水面时，纯水与硅片表面相接触部分的张力对于硅片表面的干燥结果有较大的影响。特别是硅片露出水面后，硅片提拉出水面过程中若有停顿，将影响纯水与硅片表面相接触部分的张力，导致硅片表面形成水迹残留。清洗机采用提拉工艺干燥硅片时，停止提拉用于承载硅片的承载台后，夹紧装置再夹取硅片并继续提拉硅片，在硅片由承载台支承变换为由夹紧装置夹紧的这一过程中，硅片从纯水中提拉出来的过程有短暂的停留，且此时恰有部分硅片停留在纯水中，部分硅片露出水面，因此干燥后的硅片表面极易有水迹残留。基于此，发明人提出了一种硅片的干燥方法，避免在将硅片从纯水中提拉出来的过程中硅片有短暂的停留这一问题。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的硅片的干燥方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
参考图1至图3，其中图1是硅片完全浸泡在纯水中的示意图，图2是夹紧装置恰好抓取硅片的示意图，图3是硅片从纯水中完全提拉出来的示意图。
本实施例提供一种硅片干燥法方法，所述方法包括：
连续提拉支承有硅片的承载台30，使完全浸泡在纯水中的硅片20(参考图1)逐渐提拉出水面P；
自远离水面P的方向连续提拉位于水面P上方的夹紧装置40；
在硅片部分提拉出水面P的预定时刻，提拉中的夹紧装置40抓取提拉中的承载台30上的所述硅片20(参考图2)，并继续提拉夹紧装置40，从而使所述硅片20继续提拉出水面P，直至所述硅片20完全从水面P中拉出(参考图3)。
由于夹紧装置40在抓取承载台30上的硅片20时，在同时提拉夹紧装置40和承载台30，因此硅片20由承载台30支承变换为由夹紧装置40夹紧的这一过程中，仍旧在将硅片20从纯水中提拉出来，避免了在将硅片20从纯水中提拉出来的过程中硅片20有短暂的停留，进而避免了在硅片20上形成水迹残留。
如下具体说明逐渐从纯水中提拉硅片的过程。从纯水中提拉硅片的过程实际上是提拉承载台和夹紧装置的过程，因此提拉硅片的过程与提拉承载台和夹紧装置的过程相对应。也就是说，提拉硅片的起点对应着提拉载片台的起点，提拉硅片的终点对应着提拉夹紧装置的终点，硅片由承载台支承转换为由夹紧装置抓取的位置，与夹紧装置开始夹紧硅片的位置相对应。
具体的，参考图1至图3，起点A对应开始提拉硅片20的位置，终点D对应结束提拉硅片20的位置。其中，在起点A与终点D之间的抓取点E对应夹紧装置40开始抓取硅片20的位置。上限点B对应承载台30的上限位置，即结束提拉承载台30的位置，上限点B位于终点D和抓取点E之间。下限点C对应夹紧装置40的下限位置，即开始提拉夹紧装置40的位置，下限点C位于起点A和抓取点E之间。可以理解，硅片20的起点A既对应开始提拉硅片20的位置，也对应开始提拉承载台30的位置；硅片20的终点D既对应结束提拉硅片20的位置，也对应结束提拉夹紧装置40的位置。在提拉夹紧装置40的过程中，夹紧装置40抓取硅片20与提升夹紧装置40是同时进行的。
硅片20自起点A提拉至终点D的过程中，优选的，所述夹紧装置40抓取所述硅片20前，提拉所述承载台30的平均速度小于提拉所述夹紧装置40的速度。在这种情况下，应当提拉承载台30，使硅片20位于下限点C和抓取点E之间后，再提拉夹紧装置40。在这一过程中，进一步地，可匀速提拉所述承载台30，也可匀速提拉所述夹紧装置40。优选的，提拉承载台30的速度为0.5mm/s，提拉所述夹紧装置40的速度为0.8mm/s。进一步地，还可以延迟预定时间，再连续提拉所述夹紧装置40，例如延迟10s后，再连续提拉所述夹紧装置40。再进一步地，在延迟预定时间前，自靠近水面P的方向牵引位于水面P上方的夹紧装置40。再进一步地，开始提拉所述夹紧装置40的位置到所述夹紧装置40抓取所述硅片20的位置之间的距离为13.5cm。应当可以理解，夹紧装置40在抓取硅片20后，提拉夹紧装置40的速度可为匀速也可为变速，在此不再赘述。应当可以理解，所述夹紧装置40抓取所述硅片20前，既对应硅片20位于起点A和抓取点E之间时，提拉所述承载台30的平均速度还可大于提拉所述夹紧装置40的平均速度。在这种情况下，应当提拉承载台30，当硅片20位于下限点C和起点A之间，再提拉夹紧装置。当然，也可匀速提拉所述承载台30，或者匀速提拉所述夹紧装置40。夹紧装置40抓取硅片20后，既对应硅片20位于抓取点E和终点D之间时，提拉夹紧装置40的速度可大于提拉所述承载台30的速度。
硅片20自起点A提拉至终点D的过程中，优选的，夹紧装置40在抓取硅片20前，夹紧装置40用于抓取硅片20的部分处于释放状态；夹紧装置40在抓取硅片20后，夹紧装置40用于抓取硅片20的部分处于夹紧状态。
本实施例中，逐渐从纯水中提拉承载台和夹紧装置的速度为0.05mm/s～3.0mm/s。硅片表面的水迹残留包括硅片表面的水渍蒸发后形成的印记，如仅在显微镜下才能看清的条状水迹。本实施例中的硅片的干燥方法可用于多片硅片的干燥，既可用于50片硅片的干燥，也可以用于单片硅片的干燥。本实施例中的硅片的干燥方法适用于300mm的硅片的干燥，也适用于其他尺寸的硅片的干燥。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (11)

1.一种硅片干燥法方法，其特征在于，包括：
连续提拉支承有硅片的承载台，使完全浸泡在纯水中的硅片逐渐提拉出水面；
自远离水面的方向连续提拉位于水面上方的夹紧装置；
在硅片部分提拉出水面的预定时刻，提拉中的夹紧装置抓取提拉中的承载台上的所述硅片，并继续连续提拉夹紧装置，使所述硅片继续提拉出水面，直至所述硅片完全从水面中拉出。
2.如权利要求1所述的硅片的干燥方法，其特征在于，所述夹紧装置抓取所述硅片前，连续提拉支承有硅片的承载台的平均速度小于提拉位于水面上方的夹紧装置的平均速度。
3.如权利要求2所述的硅片的干燥方法，其特征在于，匀速提拉所述承载台，匀速提拉所述夹紧装置。
4.如权利要求3所述的硅片的干燥方法，其特征在于，提拉所述承载台的速度为0.3～0.7mm/s，提拉所述夹紧装置的速度为0.6～1mm/s。
5.如权利要求4所述的硅片的干燥方法，其特征在于，当支承有硅片的承载台延迟预定时间，再连续提拉所述夹紧装置。
6.如权利要求5所述的硅片的干燥方法，其特征在于，在延迟预定时间前，自靠近水面的方向牵引位于水面上方的夹紧装置。
7.如权利要求6所述的硅片的干燥方法，其特征在于，开始提拉所述夹紧装置的位置到所述夹紧装置抓取所述硅片的位置之间的距离为10～15cm。
8.如权利要求1所述的硅片的干燥方法，其特征在于，所述夹紧装置抓取所述硅片前，提拉所述承载台的平均速度大于提拉所述夹紧装置的平均速度。
9.如权利要求8所述的硅片的干燥方法，其特征在于，匀速提拉所述承载台，匀速提拉所述夹紧装置。
10.如权利要求1所述的硅片的干燥方法，其特征在于，所述夹紧装置抓取所述硅片后，提拉所述夹紧装置的速度大于提拉所述承载台的速度。
11.如权利要求1所述的硅片的干燥方法，其特征在于，所述夹紧装置在抓取硅片前，所述夹紧装置用于抓取硅片的部分处于释放状态；所述夹紧装置在抓取硅片后，所述夹紧装置用于抓取硅片的部分处于夹紧状态。
CN201710350286.XA 2017-05-18 2017-05-18 一种硅片的干燥方法 Pending CN108962720A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710350286.XA CN108962720A (zh) 2017-05-18 2017-05-18 一种硅片的干燥方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710350286.XA CN108962720A (zh) 2017-05-18 2017-05-18 一种硅片的干燥方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108962720A true CN108962720A (zh) 2018-12-07

Family

ID=64462484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710350286.XA Pending CN108962720A (zh) 2017-05-18 2017-05-18 一种硅片的干燥方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108962720A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110544654A (zh) * 2019-08-27 2019-12-06 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅片处理装置和处理方法
CN112967922A (zh) * 2019-12-12 2021-06-15 有研半导体材料有限公司 一种12英寸硅抛光片加工的工艺方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1171858A (zh) * 1995-01-05 1998-01-28 施蒂格微技术有限公司 用于化学湿处理的装置
US20020083967A1 (en) * 1998-09-04 2002-07-04 Michael Rosano Method and apparatus for drying a substrate
JP2004140126A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 洗浄後の半導体基板の乾燥方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1171858A (zh) * 1995-01-05 1998-01-28 施蒂格微技术有限公司 用于化学湿处理的装置
US20020083967A1 (en) * 1998-09-04 2002-07-04 Michael Rosano Method and apparatus for drying a substrate
JP2004140126A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 洗浄後の半導体基板の乾燥方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110544654A (zh) * 2019-08-27 2019-12-06 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅片处理装置和处理方法
CN112967922A (zh) * 2019-12-12 2021-06-15 有研半导体材料有限公司 一种12英寸硅抛光片加工的工艺方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108962720A (zh) 一种硅片的干燥方法
EP1758158A3 (en) Silicon wafer surface defect evaluation method
EP2722423A3 (en) Silicon wafer and manufacturing method thereof
CN106233426B (zh) 贴合式soi晶圆的制造方法及贴合式soi晶圆
EP2259291A3 (en) Process for metallic contamination reduction in silicon wafers
ATE312693T1 (de) Holzbehandlungsprozess
TWI267915B (en) Method of manufacturing epitaxial silicon wafer
WO2024045384A1 (zh) Led衬底用超薄蓝宝石晶片的切割方法
CN102569531B (zh) 一种多晶硅片的钝化处理方法
JP6347232B2 (ja) シリコンウェーハの洗浄方法
CN105448648B (zh) 一种晶片流片方法
EP2835819A3 (en) Silicon carbide semiconductor device manufacturing method
WO2009028658A1 (ja) Ｉｇｂｔ用のシリコン単結晶ウェーハ及びｉｇｂｔ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法、ｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハの抵抗率保証方法
CN204657009U (zh) 一种硅片花篮夹持器
EP1959486A3 (en) Silicon wafer and its manufacturing method
CN104499054B (zh) 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
TW201841244A (zh) 半導體晶圓的洗淨方法
CN107116710A (zh) 晶片的制造方法
CN107963667A (zh) 一种无支撑MoS2纳米带的获取方法
CN104637805A (zh) 器件处理方法
CN208758185U (zh) 一种石墨舟清洗运载装置
CN110544654B (zh) 一种硅片处理装置和处理方法
JP2016197656A (ja) シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法
JP2008060102A (ja) 基板の洗浄乾燥方法
CN217351528U (zh) 一种金属表面处理的浸泡装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181207

RJ01 Rejection of invention patent application after publication