CN108901191A - 电磁屏蔽组件及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例是关于一种电磁屏蔽组件及显示装置，涉及电磁屏蔽技术领域，主要解决的技术问题是现有加固显示器中氧化铟锡ITO薄膜镜面反射率较高。主要采用的技术方案为：一种电磁屏蔽组件包括：氧化铟锡电磁屏蔽膜层；温度调节单元用于调节所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度。通过对氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热方式降低其的阻值，在具备相同电磁屏蔽的性能下，从而可以减小氧化铟锡电磁屏蔽膜层，相对于现有技术，电磁屏蔽组件的氧化铟锡电磁屏蔽膜层的厚度较薄，镜面反射率较低。

Description

电磁屏蔽组件及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及电磁屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁屏蔽组件及显示装置。

背景技术

氧化铟锡ITO一种N型氧化物半导体，氧化铟锡ITO薄膜可应用于军用的加固显示器中，氧化铟锡ITO薄膜通过镀膜技术形成电磁屏蔽层，可以起到电磁屏蔽的作用。

为了保证氧化铟锡ITO薄膜起到良好的电磁屏蔽的作用，氧化铟锡ITO薄膜需要具备一定的厚度，然后，随着氧化铟锡ITO薄膜厚度的增加，会导致氧化铟锡ITO薄膜镜面反射率的增高，降低了加固显示器的显示效果。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种电磁屏蔽组件及显示装置，主要解决的技术问题是现有加固显示器中氧化铟锡ITO薄膜镜面反射率较高。

为达到上述目的，本发明实施例主要提供如下技术方案：

一方面，本发明的实施例提供一种电磁屏蔽组件，包括：

氧化铟锡电磁屏蔽膜层；

温度调节单元，用于调节所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度。

本发明实施例的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中还包括：

温度检测单元，与所述温度调节单元电连接，所述温度调节单元根据所述温度检测单元检测的温度进行调温。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中所述温度检测单元的温度感测端设置于所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层，用于检测所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的膜层温度；

若所述膜层温度大于第一温度，所述温度检测单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；

若所述膜层温度小于第二温度，所述温度检测单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第二温度小于等于所述第一温度。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中所述温度检测单元的温度感测端用于检测环境温度；

若所述环境温度小于第三温度，所述温度检测单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；

若所述环境温度大于第四温度，所述温度检测单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第三温度大于等于所述第四温度。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中所述第三温度在45-55摄氏度。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中还包括：

电阻检测单元，所述电阻检测单元的电阻检测检测端与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层电连接，所述电阻检测单元的电阻输出端与所述温度调节单元电连接，所述温度调节单元根据所述电阻检测单元检测的电阻进行调温，使所述电阻检测单元检测的电阻调节至预定阻值范围内。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中若所述电阻检测单元检测的电阻大于第一阻值，所述温度调节单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；

若所述电阻检测单元检测的电阻小于第二阻值，所述温度调节单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第二阻值小于等于所述第一阻值。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中还包括：

导电率检测单元，所述导电率检测单元的导电率检测检测端与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层电连接，所述导电率检测单元的导电率输出端与所述温度调节单元电连接，所述温度调节单元根据所述导电率检测单元检测的导电率进行调温，使所述导电率检测单元检测的导电率调节至预定导电率范围内。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中还包括：

减反射玻璃层、衬底层；

所述减反射玻璃层、所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层、所述衬底层依次层叠；

所述温度调节单元包括电加热输出部、第一电极以及第二电极，分别与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层电连接，使所述第一电极、所述第二电极、所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层串联，所述电加热输出部的第一电极端电连接所述第一电极，所述电加热输出部的第二电极端电连接所述第二电极。

另一方面，本发明的实施例提供一种显示装置，包括：

显示组件；

上述的电磁屏蔽组件，其氧化铟锡电磁屏蔽膜层设置于所述显示组件的显示方向。

借由上述技术方案，本发明技术方案提供的电磁屏蔽组件及显示装置至少具有下列优点：

本发明实施例提供的技术方案中，电磁屏蔽组件的氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度受温度调节单元调节，通过对氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热方式降低其的阻值，在具备相同电磁屏蔽的性能下，从而可以减小氧化铟锡电磁屏蔽膜层，相对于现有技术，电磁屏蔽组件的氧化铟锡电磁屏蔽膜层的厚度较薄，镜面反射率较低。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明实施例的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1是本发明的实施例提供的一种电磁屏蔽组件的结构示意图；

图2是本发明的实施例提供的一种电磁屏蔽组件的电连接结构示意图；

图3是本发明的实施例提供的一种具体的电磁屏蔽组件的电连接结构示意图；

图4是本发明的实施例提供的一种具体的电磁屏蔽组件的电连接结构示意图；

图5是本发明的实施例提供的一种具体的电磁屏蔽组件的电连接结构示意图；

图6是本发明的实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图7是本发明的实施例提供的一种氧化铟锡电磁屏蔽膜层电阻和温度关系图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明实施例目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明实施例提出的电磁屏蔽组件及显示装置其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。

本实施例提供的一种电磁屏蔽组件，氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度可通过温度调节单元调节，通过提高其温度可以实现降低其的阻值的作用，从而可以选用较薄的氧化铟锡电磁屏蔽膜层满足电磁屏蔽需求。

图1为本发明提供的电磁屏蔽组件一实施例，请参阅图1，本发明的一个实施例提出的电磁屏蔽组件，包括：氧化铟锡电磁屏蔽膜层10以及温度调节单元(图中未示出)，温度调节单元用于调节所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度。

本发明实施例提供的技术方案中，电磁屏蔽组件的氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度受温度调节单元调节，通过对氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热方式降低其的阻值，在具备相同电磁屏蔽的性能下，从而可以减小氧化铟锡电磁屏蔽膜层，相对于现有技术，电磁屏蔽组件的氧化铟锡电磁屏蔽膜层的厚度较薄，镜面反射率较低，可满足显示装置的电磁屏蔽和高透光率的要求。

在具体的实施例中，电磁屏蔽组件还包括：减反射玻璃层20(anti-reflectiveglass、简写AR玻璃)、衬底层30，所述减反射玻璃层20、所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层10、所述衬底层30依次层叠。衬底层可以为玻璃衬底，氧化铟锡电磁屏蔽膜层可以通过镀膜技术制备于衬底层，减反射玻璃层通过光学胶粘贴于氧化铟锡电磁屏蔽膜层，减反射玻璃层是将玻璃表面单面或双面经过特殊覆膜工艺处理，透过率达80％以上，反射率小于3％的玻璃。有对光线近程高透光、远程慢反射的特性，减反射玻璃层可以进一步抑制氧化铟锡电磁屏蔽膜层的镜面反射率。

温度调节单元为电加热温度调节单元，例如，温度调节单元包括供电部件、发热元件，所述供电部件与所述发热元件电连接，用于向所述发热元件供电，以使发热元件发热，发热元件与氧化铟锡电磁屏蔽膜层直接接触，或在发热元件与氧化铟锡电磁屏蔽膜层之间设置导热部件，通过发热元件增加氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度，可以降低氧化铟锡电磁屏蔽膜层的阻值，以满足电磁屏蔽要求。又例如，如图1和图2所示，温度调节单元包括电加热输出部41、第一电极42以及第二电极43，分别与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层10电连接，使所述第一电极42、所述第二电极43、所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层10串联，具体的，所述第一电极与所述第二电极设置于所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的外周，所述电加热输出部41的第一电极端电连接所述第一电极42，所述电加热输出部41的第二电极端电连接所述第二电极43，电加热输出部包括电流调节输出调节器，通过调节电加热输出部向第一电极以及第二电极之间的氧化铟锡电磁屏蔽膜层输出的电流，可以调节氧化铟锡电磁屏蔽膜层自身的发热量，从而调节氧化铟锡电磁屏蔽膜层的自身温度。第一电极以及第二电极可分别为布设在氧化铟锡电磁屏蔽膜层两侧的银线。不同的型号的电磁屏蔽组件，可以根据需要设置温度调节单元对氧化铟锡电磁屏蔽膜层温度的调节值，以满足不同的电磁屏蔽需求。

电磁屏蔽组件在实际的使用中，会受到环境的温度的影响，环境的温度会随时可能发生变化，因此会导致其电磁屏蔽性能不稳定，进一步的，如图3所示，本发明的一些实施例中，电磁屏蔽组件还包括：温度检测单元50，温度检测单元50与所述温度调节单元40电连接，所述温度调节单元40根据所述温度检测单元50检测的温度进行调温，具体的可以使氧化铟锡电磁屏蔽膜层的电磁屏蔽性能维持稳定。一些实施例中，所述温度检测单元的温度感测端用于检测环境温度，例如所述温度检测单元的温度感测端外露，或与外壳抵触等；若所述环境温度小于第三温度，所述温度检测单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；若所述环境温度大于第四温度，所述温度检测单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第三温度大于等于所述第四温度。在一些实施例中，所述第三温度在45-55摄氏度。所述第四温度在45-55摄氏度。例如，第三温度和第四温度均设定为50摄氏度，当环境温度低于50摄氏度，温度检测单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，保证氧化铟锡电磁屏蔽膜层的阻抗要求，从而使其满足电磁屏蔽的性能。当环境温度高于50摄氏度，温度检测单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，受环境影响的氧化铟锡电磁屏蔽膜层可满足阻抗要求，以及电磁屏蔽的性能的要求。

容易理解的是，温度检测单元不局限于检测环境温度，更加精确控制的一些实施例中，所述温度检测单元的温度感测端设置于所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层，用于检测所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的膜层温度；若所述膜层温度大于第一温度，所述温度检测单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；若所述膜层温度小于第二温度，所述温度检测单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第二温度小于等于所述第一温度。第一温度和/或第二温度的温度可在45-55摄氏度，但不局限于此，根据具体电磁屏蔽需求而定。

除了采用温度检测控制之外，本发明提供的另一些实施例中，如图4所示，电磁屏蔽组件还包括：电阻检测单元60，所述电阻检测单元60的电阻检测检测端与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层电连接，所述电阻检测单元60的电阻输出端与所述温度调节单元40电连接，所述温度调节单元40根据所述电阻检测单元60检测的电阻进行调温，使所述电阻检测单元60检测的电阻调节至预定阻值范围内。具体的，若所述电阻检测单元检测的电阻大于第一阻值，所述温度调节单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；若所述电阻检测单元检测的电阻小于第二阻值，所述温度调节单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第二阻值小于等于所述第一阻值。作为电阻检测单元可以替代的实施例，如图5所示，电磁屏蔽组件还包括：导电率检测单元70，所述导电率检测单元70的导电率检测检测端与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层电连接，用于检测氧化铟锡电磁屏蔽膜层的导电率，所述导电率检测单元70的导电率输出端与所述温度调节单元40电连接，所述温度调节单元40根据所述导电率检测单元70检测的导电率进行调温，使所述导电率检测单元检测的导电率调节至预定导电率范围内。

图6为本发明提供的显示装置一实施例，请参阅图6，本发明的一个实施例提出的显示装置，包括：显示组件100以及电磁屏蔽组件200，电磁屏蔽组件包括：氧化铟锡电磁屏蔽膜层以及温度调节单元，温度调节单元用于调节所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度。氧化铟锡电磁屏蔽膜层设置于所述显示组件的显示方向。

氧化铟锡电磁屏蔽膜层对显示组件形成电磁屏蔽。使用中，电磁屏蔽组件的氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度受温度调节单元调节，通过对氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热方式降低其的阻值，可满足显示组件的电磁兼容性能指标，在具备相同电磁屏蔽的性能下，从而可以减小氧化铟锡电磁屏蔽膜层，相对于现有技术，电磁屏蔽组件的氧化铟锡电磁屏蔽膜层的厚度较薄，镜面反射率较低，可满足显示装置的电磁屏蔽和高透光率的要求。

该显示装置可以为：军用的加固显示器、显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

图7为本发明实施例中氧化铟锡电磁屏蔽膜层电阻和温度关系，横坐标为温度，纵坐标为电阻，由图可知，在0-150摄氏度，氧化铟锡电磁屏蔽膜层的电阻随温度增加而降低，显示装置在这个使用温度下，增加氧化铟锡电磁屏蔽膜层可以实现降低其的阻值，达到满足超薄氧化铟锡电磁屏蔽膜层下，显示组件的电磁兼容性能指标。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

可以理解的是，上述装置中的相关特征可以相互参考。另外，上述实施例中的“第一”、“第二”等是用于区分各实施例，而并不代表各实施例的优劣。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的装置解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。

本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的装置中的部件进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个装置中。可以把实施例中的部件组合成一个部件，以及此外可以把它们分成多个子部件。除了这样的特征中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何装置的所有部件进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的替代特征来代替。

此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。本发明的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以它们的组合实现。

应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或组件。位于部件或组件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件或组件。本发明可以借助于包括有若干不同部件的装置来实现。在列举了若干部件的权利要求中，这些部件中的若干个可以是通过同一个部件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种电磁屏蔽组件，其特征在于，包括：

氧化铟锡电磁屏蔽膜层；

温度调节单元，用于调节所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度。

2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽组件，其特征在于，还包括：

温度检测单元，与所述温度调节单元电连接，所述温度调节单元根据所述温度检测单元检测的温度进行调温。

3.根据权利要求2所述的电磁屏蔽组件，其特征在于，

所述温度检测单元的温度感测端设置于所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层，用于检测所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的膜层温度；

若所述膜层温度大于第一温度，所述温度检测单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；

若所述膜层温度小于第二温度，所述温度检测单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第二温度小于等于所述第一温度。

4.根据权利要求2所述的电磁屏蔽组件，其特征在于，

所述温度检测单元的温度感测端用于检测环境温度；

若所述环境温度小于第三温度，所述温度检测单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；

若所述环境温度大于第四温度，所述温度检测单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第三温度大于等于所述第四温度。

5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽组件，其特征在于，

所述第三温度在45-55摄氏度。

6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽组件，其特征在于，还包括：

电阻检测单元，所述电阻检测单元的电阻检测检测端与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层电连接，所述电阻检测单元的电阻输出端与所述温度调节单元电连接，所述温度调节单元根据所述电阻检测单元检测的电阻进行调温，使所述电阻检测单元检测的电阻调节至预定阻值范围内。

7.根据权利要求6所述的电磁屏蔽组件，其特征在于，

若所述电阻检测单元检测的电阻大于第一阻值，所述温度调节单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；

若所述电阻检测单元检测的电阻小于第二阻值，所述温度调节单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第二阻值小于等于所述第一阻值。

8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽组件，其特征在于，还包括：

导电率检测单元，所述导电率检测单元的导电率检测检测端与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层电连接，所述导电率检测单元的导电率输出端与所述温度调节单元电连接，所述温度调节单元根据所述导电率检测单元检测的导电率进行调温，使所述导电率检测单元检测的导电率调节至预定导电率范围内。

9.根据权利要求1所述的电磁屏蔽组件，其特征在于，还包括：

减反射玻璃层、衬底层；

所述减反射玻璃层、所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层、所述衬底层依次层叠；

所述温度调节单元包括电加热输出部、第一电极以及第二电极，分别与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层电连接，使所述第一电极、所述第二电极、所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层串联，所述电加热输出部的第一电极端电连接所述第一电极，所述电加热输出部的第二电极端电连接所述第二电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：

显示组件；

权利要求1-9中任一所述的电磁屏蔽组件，其氧化铟锡电磁屏蔽膜层设置于所述显示组件的显示方向。