CN108899289B - 可检测气体泄漏的密闭腔体 - Google Patents

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Abstract

本发明技术方案公开了一种可检测气体泄漏的密闭腔体，包括：上腔体，在上表面设有进气口和排气口；下腔体，所述下腔体的上表面与所述上腔体下表面贴合设置，形成一个密闭空间；密封圈，设置于所述上腔体与所述下腔体之间；第一沟槽，呈环形，位于所述上腔体下表面边缘，且位于所述密封圈的外侧；第二沟槽，呈环形，位于所述下腔体上表面边缘，且位于所述密封圈的外侧，所述第一沟槽和所述第二沟槽相对设置构成一个环形的闭合隔离结构。采用上述的密闭腔体，通过在密封圈外侧设置闭合隔离结构，形成净化气体屏障，可以及时检测出工艺气体的泄漏。

Description

可检测气体泄漏的密闭腔体
技术领域
本发明涉及半导体衬底的制造领域，尤其涉及可检测气体泄漏的密闭腔体。
背景技术
在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图案转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图案的精确度下降，而且在湿法腐蚀时容易发生侧向腐蚀。
增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石等材料的表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它可以将衬底表面由亲水变为疏水，其疏水基可以很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。
目前，涂布HMDS的方法主要采用高温气化涂布，首先向装有HMDS的容器内通入氮气，HMDS的挥发气体随着氮气进入到真空的放置有半导体衬底的密闭的腔体内，沉积在晶片表面。这种方法可以节省HMDS的用量、提高产量及节约成本。但是，由于HMDS具有人体毒性、腐蚀性及易燃易爆性，因此在涂布工艺中保障腔体的密封性的同时，及时检测出HMDS的泄漏非常重要。
发明内容
本发明技术方案要解决的技术问题是在涂布工艺中保障腔体的密封性的同时，及时检测出HMDS的泄漏。
为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种可检测气体泄漏的密闭腔体，包括：上腔体，在上表面设有进气口和排气口；下腔体，所述下腔体的上表面与所述上腔体下表面贴合设置，形成一个密闭空间；密封圈，设置于所述上腔体与所述下腔体之间；所述可检测气体泄露的密闭腔体还包括：第一沟槽，呈环形，位于所述上腔体下表面边缘，且位于所述密封圈的外侧；第二沟槽，呈环形，位于所述下腔体上表面边缘，且位于所述密封圈的外侧，所述第一沟槽和所述第二沟槽相对设置构成一个环形的闭合隔离结构。
可选的，所述上腔体的下表面中间区域呈现凹陷，所述下腔体的上表面的中间区域呈现凹陷，使所述下腔体的上表面与所述上腔体下表面贴合设置后形成密闭空间。
可选的，所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，还包括：净化气体出口，位于所述上腔体，且与所述第一沟槽连通；净化气体入口，位于所述下腔体，且与所述第二沟槽连通。
可选的，所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，还包括：第一气体通路，所述第一气体通路位于所述第一沟槽上侧的所述上腔体内部，且连通所述第一沟槽与所述净化气体出口；第二气体通路，所述第二气体通路位于所述第二沟槽下侧的所述下腔体内部，且连通所述第二沟槽与所述净化气体入口。
可选的，所述第一气体通路和所述第二气体通路的截面呈圆形或狭长的圆弧形，沿圆周分布。
可选的，所述第一气体通路和所述第二气体通路尺寸小于所述第一沟槽或所述第二沟槽的环宽。
可选的，所述第一气体通路和所述第二气体通路的个数为2个以上。
可选的，所述第一气体通路和所述第二气体通路分别为一个呈环形的槽。
可选的，所述第一气体通路的环宽小于所述第一沟槽的环宽，所述第二气体通路的环宽小于所述第二沟槽的环宽。
可选的，所述可检测气体泄漏的密闭腔体还包括：若干第三气体通路，所述第三气体通路位于所述上腔体凹陷内侧壁中，且与所述进气口连通；若干第四气体通路，所述第四气体通路位于所述上腔体凹陷内侧壁中，且与所述排气口连通。
与现有技术相比，本发明技术方案具有以下有益效果：
在不改变现有密闭腔体的密封性的基础上，在上腔体和下腔体的边缘分别开设环形的沟槽形成闭合隔离结构，后续可以向所述闭合隔离结构中通入净化气体来形成气体屏障，通过气体检测装置检测从所述密闭腔体排出的净化气体，当检测到有害气体的泄漏时，通过报警装置立即报警通知，提高了密闭腔体的安全性。
附图说明
图1为一种密闭腔体的结构示意图；
图2为本发明第一实施例的密闭腔体的结构示意图；
图3为本发明第一实施例的密闭腔体的竖向截面结构示意图；
图4为本发明的第一实施例一实例的上腔体的仰视图；
图5为本发明的第一实施例另一实例的上腔体的仰视图；
图6为本发明的第二实施例的密闭腔体的结构示意图；
图7为本发明的第二实施例一实例的上腔体的仰视图。
具体实施方式
现有的光刻工艺中，为改善衬底表面与光刻胶的黏合性，在衬底表面通过高温气体喷涂涂布增黏剂的涂底工艺是在一个密闭的腔体内进行。具体地，可以参照图1所示的密闭腔体的结构示意图。
如图1所示，密闭腔体1包括上腔体10和下腔体20。在所述上腔体10设有用于通入工艺气体的进气口11及用于在工艺进行前对所述密闭腔体1抽真空及在工艺中排出剩余的工艺气体的排气口12。在所述下腔体20设有用于承载半导体衬底的热板(未图示)。所述上腔体10和所述下腔体20之间隔着密封圈30紧密结合形成一个密闭的空间。衬底的涂底工艺在所述密闭腔体1内进行。
本发明的发明人经过研究发现，在所述上腔体10和所述下腔体20通过密封圈30结合的结合部位，如果所述密封圈30发生老化或设置不当，会导致工艺气体从所述结合部位泄漏。由于涂底工艺中所使用的工艺气体具有人体毒性、腐蚀性及易燃易爆性，若发生工艺气体的泄漏，则损害工作人员的身体健康，严重时会危及生命。
为解决所述技术问题，本发明提供一种可检测气体泄漏的密闭腔体，通过在上腔体10和下腔体20隔着密封圈30结合的外围设置可形成净化气体屏障的闭合隔离结构，可以及时检测出有害气体的泄漏。
下面结合实施例和附图对本发明技术方案进行详细说明。
第一实施例
图2为本发明第一实施例的密闭腔体的结构示意图；图3为本发明第一实施例的密闭腔体的竖向截面结构示意图。
参考图2，密闭腔体包括：上腔体100、下腔体200及密封圈300，所述下腔体200的上表面与所述上腔体100下表面贴合设置，形成一个密闭空间；所述密封圈300设置于所述上腔体100与所述下腔体200之间；所述上腔体100在上表面设有进气口101和排气口102。
本实施例中，所述进气口101用于通入工艺气体，所述排气口102用于在进行工艺之前对所述密闭腔体抽真空、以及在工艺过程中排放剩余的所述工艺气体。
本实施例中，所述密封圈300为弹性材质的O形环或金属材质的O型垫圈等。
继续参考图2，本发明的密闭腔体还包括：第一沟槽110和第二沟槽210，所述第一沟槽110位于所述上腔体100下表面边缘，且位于所述密封圈300的外侧；所述第二沟槽210位于所述下腔体200上表面边缘，且位于所述密封圈的外侧，所述第一沟槽110和所述第二沟槽210相对设置构成一个环形的闭合隔离结构120。所述上腔体100的下表面中间区域呈现凹陷，所述下腔体200的上表面的中间区域呈现凹陷，使所述下腔体200的上表面与所述上腔体100下表面贴合设置后形成密闭空间。
本实施例中，所述第一沟槽110呈环形设置于所述上腔体100下表面边缘。所述第二沟槽210呈环形设置于所述下腔体200上表面边缘。
再参考图2，密闭腔体还包括：净化气体出口103，设置在上腔体100的上部表面，且与所述第一沟槽110连通；净化气体入口203，设置在下腔体200的下部表面，且与所述第二沟槽210连通。
参考图3，密闭腔体还包括：第一气体通路110A和第二气体通路210A，所述第一气体通路110A位于所述第一沟槽110上侧的所述上腔体100内部，且连通所述第一沟槽110和净化气体出口103；所述第二气体通路210A位于所述第二沟槽210侧的所述下腔体200内部，且连通所述第二沟槽210和净化气体入口203。
继续参考图3，所述密闭腔体还包括：若干个第三气体通路101A和若干第四气体通路102A，所述第三气体通路101A位于所述上腔体100凹陷内侧壁中，且与所述进气口101连通；所述第四气体通路102A位于所述上腔体100凹陷内侧壁中，且与所述排气口102连通。在所述下腔体200内设有一个热板(未图示)，该热板用于承载半导体衬底。
图4为本发明的第一实施例一实例的上腔体100的仰视图。如图4所示，所述第一气体通路110A的截面呈圆形，在所述第一沟槽110的底部沿圆周分布。另外，第三气体通路101A、第四气体通路102A的截面呈圆形，在所述上腔体100的凹陷内侧壁沿圆周分布。
另外，虽未图示，本实施例中，第二气体通路210A的截面亦为圆形，在所述第二沟槽210的底部沿圆周分布。
本实施例中，所述第一气体通路110A和所述第二气体通路210A的尺寸即圆截面直径小于所述第一沟槽110或所述第二沟槽210的环宽。优选，所述第一气体通路110A和所述第二气体通路210A的圆截面直径为2mm以下，所述第一沟槽110或所述第二沟槽210的环宽为4mm以下。
图5为本发明的第一实施例另一实例的上腔体的仰视图。如图5所示，与图4的实例的不同点仅在于，所述第一气体通路110A的截面呈圆弧形，在所述第一沟槽110的底部沿圆周分布。
另外，虽未图示，所述第二气体通路210A的截面呈圆弧形，在所述第二沟槽210的底部沿圆周分布。
本实施例中，所述第一气体通路110A和所述第二气体通210A数量为至少2个。
本实施例中，在贴合上腔体100和下腔体200时，各第一气体通路110A和对应位置的所述第二气体通路210A相互对准配合。
在此实施例中的密闭腔体进行高温气化喷涂的工艺过程如下所述：
参考图2，在下腔体200内的热板上放置待处理的半导体衬底，上腔体100和下腔体200贴合形成密闭腔体。在工艺开始前，通过排气口102对密闭腔体内抽取真空。通过进气口101向密闭腔体内通入工艺气体，所述工艺气体在所述半导体衬底上沉积形成疏水层，剩余的工艺气体通过排气口102向外排出。同时，从净化气体入口203通入氮气，所述净化气体充满闭合隔离结构120内，并通过第一气体通路110A从净化气体出口103排出。在排出净化气体的管路上通过工艺气体检测装置400检测排出的净化气体中是否含有工艺气体，若检测出含有工艺气体，则通过报警装置500报警通知工作人员。本实施例中，所述工艺气体可以是六甲基二硅氮烷和氮气混合的气体。
第二实施例
图6为本发明的第二实施例的密闭腔体的结构示意图；图7为本发明的第二实施例一实例的上腔体的仰视图。
参考图6，本实施例与第一实施例的密闭腔体相比，其不同点在于，将净化气体出口103设置在上腔体100的外侧侧面，且与所述第一沟槽110连通；将净化气体入口203设置在下腔体200的外侧侧面，且与所述第二沟槽210连通。即：所述净化气体入口203与所述净化气体出口103分别设置在密闭腔体的两侧。
如图7所示，所述第一气体通路110A和所述第二气体通路(未图示)为分别为一个呈环形的槽，其环宽小于所述第一沟槽110或所述第二沟槽(未图示)的环宽。
优选，所述第一气体通路110A和所述第二气体通路210A的环宽为2mm以下，所述第一沟槽110或所述第二沟槽210的环宽为4mm以下。
除此之外，上腔体100、下腔体200的其它结构及针对半导体衬底的工艺过程均与第一实施例相同，在此实施例中不再赘述。
本发明的各实施例中，在不改变上腔体100和下腔体200的厚度的情况下，通过在上腔体100和下腔体200的结合部位设置闭合隔离结构120，向所述隔离结构通入净化气体来形成气体屏障，通过工艺气体检测装置400检测从所述密闭腔体排出的净化气体，当检测到工艺气体的泄漏时，通过报警装置500立即报警通知，提高了密闭腔体的安全性。
本发明虽然已以较佳实施方式公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施方式所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (9)

1.一种可检测气体泄漏的密闭腔体，包括：
上腔体，在上表面设有进气口和排气口；
下腔体，所述下腔体的上表面与所述上腔体下表面贴合设置，形成一个密闭空间；
密封圈，设置于所述上腔体与所述下腔体之间；
其特征在于，还包括：
第一沟槽，呈环形，位于所述上腔体下表面边缘，且位于所述密封圈的外侧；
第二沟槽，呈环形，位于所述下腔体上表面边缘，且位于所述密封圈的外侧，所述第一沟槽和所述第二沟槽相对设置构成一个环形的闭合隔离结构；
净化气体出口，位于所述上腔体，且与所述第一沟槽连通；
净化气体入口，位于所述下腔体，且与所述第二沟槽连通。
2.如权利要求1所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，其特征在于，所述上腔体的下表面中间区域呈现凹陷，所述下腔体的上表面的中间区域呈现凹陷，使所述下腔体的上表面与所述上腔体下表面贴合设置后形成密闭空间。
3.如权利要求2所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，其特征在于，还包括：
第一气体通路，所述第一气体通路位于所述第一沟槽上侧的所述上腔体内部，且连通所述第一沟槽与所述净化气体出口；
第二气体通路，所述第二气体通路位于所述第二沟槽下侧的所述下腔体内部，且连通所述第二沟槽与所述净化气体入口。
4.如权利要求3所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，其特征在于，所述第一气体通路和所述第二气体通路的截面呈圆形或狭长的圆弧形，沿圆周分布。
5.如权利要求4所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，其特征在于，所述第一气体通路和所述第二气体通路尺寸小于所述第一沟槽或所述第二沟槽的环宽。
6.如权利要求5所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，其特征在于，所述第一气体通路和所述第二气体通路的个数为2个以上。
7.如权利要求3所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，其特征在于，所述第一气体通路和所述第二气体通路分别为一个呈环形的槽。
8.如权利要求7所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，其特征在于，所述第一气体通路的环宽小于所述第一沟槽的环宽，所述第二气体通路的环宽小于所述第二沟槽的环宽。
9.如权利要求2所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，其特征在于，还包括：
若干第三气体通路，所述第三气体通路位于所述上腔体凹陷内侧壁中，且与所述进气口连通；
若干第四气体通路，所述第四气体通路位于所述上腔体凹陷内侧壁中，且与所述排气口连通。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114927440B (zh) * 2022-05-27 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 一种控温装置及半导体工艺设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101359590A (zh) * 2007-07-26 2009-02-04 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法及存储介质
CN105405787A (zh) * 2014-09-11 2016-03-16 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种能够形成密闭腔室的半导体热盘结构
CN108109936A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 沈阳芯源微电子设备有限公司 正压晶圆表面改性装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101359590A (zh) * 2007-07-26 2009-02-04 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法及存储介质
CN105405787A (zh) * 2014-09-11 2016-03-16 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种能够形成密闭腔室的半导体热盘结构
CN108109936A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 沈阳芯源微电子设备有限公司 正压晶圆表面改性装置

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