CN108873407A - 液晶清亮点测量方法、系统及电子设备 - Google Patents
液晶清亮点测量方法、系统及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108873407A CN108873407A CN201810683031.XA CN201810683031A CN108873407A CN 108873407 A CN108873407 A CN 108873407A CN 201810683031 A CN201810683031 A CN 201810683031A CN 108873407 A CN108873407 A CN 108873407A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid crystal
- measured
- point
- spectrogram
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 17
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
本发明实施例提供了一种液晶清亮点测量方法、系统及电子设备，涉及液晶技术领域。所述方法包括在基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图后，再对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点，然后确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。获取的谱图中的峰谷点对应的温度为第一待测液晶的清亮点，数据稳定性好，可以作为校验液晶品质的依据。
Description
技术领域
本发明涉及液晶技术领域，具体而言，涉及一种液晶清亮点测量方法、系统及电子设备。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)结构中，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和彩色滤光片(Color Filter，CF)侧基板中间夹杂着一层液晶。当光束通过这层液晶时，液晶本身会排排站立或扭转呈现不规则状，从而阻隔或使光束顺利通过。
液晶的清亮点会影响液晶的工作温度和储存温度，所以液晶的清亮点对于液晶面板至关重要。目前测量液晶清亮点的方法是利用偏光显微镜来进行测量。利用偏光显微镜来观察，将一定量的液晶置于一定的容器中，对该容器进行升温的动作，由于液晶是由十几种单体混合而成的，随着温度的升高，一部分液晶单体会先转变为液态，所以需要利用程序来定量计算，当转变的液晶占总面积一定百分比的时候，即作为液晶的清亮点。利用偏光显微镜测量得到的液晶清亮点并不是液晶最初转变的温度，而是转变一定时间的温度点，所以不能精确表示液晶的清亮点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶清亮点测量方法、系统及电子设备，以改善上述问题。为了实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种液晶清亮点测量方法，所述方法包括：基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图；对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点；确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。在本申请实施例中，在基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图后，再对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点，然后确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。获取的谱图中的峰谷点对应的温度为第一待测液晶的清亮点，数据稳定性好，可以作为校验液晶品质的依据。
可选的，基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图，包括：对所述第一待测液晶进行从预设开始温度起，以预设温度变化速率升温至预设结束温度，在所述预设结束温度下停留预设时间后再以所述预设温度变化速率降温至所述预设开始温度的操作，输出所述第一待测液晶的谱图。在本申请实施例中，对第一待测液晶进行先升温、停留预设时间再降温处理的操作后输出谱图，以实现输出的谱图更精确。
可选的，对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点，包括：对所述谱图进行分析，选取第一预设温度为起始点及第二预设温度为偏移点，获得所述谱图中的吸热曲线的峰谷点。在本申请实施例中，通过对所述谱图进行分析，选取第一预设温度为起始点及第二预设温度为偏移点的方式，获得所述谱图中的吸热曲线的峰谷点，更精确。
可选的，在基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图之后，所述方法还包括：获取所述谱图中的吸热曲线上在第一预设点的第一切线与所述吸热曲线上在第二预设点的第二切线的交点；确定所述交点对应的温度为所述第一待测液晶的第二清亮点。在本申请实施例中，通过获取所述谱图中的吸热曲线上在第一预设点和第二预设点各自对应的切线之间的交点的方式，确定交点对应的温度为第一待测液晶的第二清亮点，以便后续对比分析第一清亮点和第二清亮点的稳定性。
可选的，在确定所述交点对应的温度为所述第一待测液晶的第二清亮点之后，所述方法还包括：获得第二待测液晶的第三清亮点和第四清亮点；获得所述第一清亮点与所述第一待测液晶对应的第一参考清亮点之间的第一差值，及所述第二清亮点与所述第一参考清亮点之间的第二差值；获得所述第三清亮点与所述第二待测液晶对应的第二参考清亮点之间的第三差值，及所述第四清亮点与所述第二参考清亮点之间的第四差值；基于所述第一参考清亮点及所述第二参考清亮点，获得第一算术平均值、第一标准偏差、第一相对标准偏差及第一极差；基于所述第一清亮点及所述第三清亮点，获得第二算术平均值、第二标准偏差、第二相对标准偏差及第二极差；基于所述第一差值及所述第三差值，获得第三算术平均值；和/或，基于所述第二清亮点及所述第四清亮点，获得第四算术平均值、第三标准偏差、第三相对标准偏差及第三极差；和/或，基于所述第三差值及所述第四差值，获得第五算术平均值。
在本申请实施例中，获得的各个算术平均值、标准偏差、相对标准偏差及极差，便于对比分析相应的清亮点的稳定性。
另一方面，本发明实施例提供了一种液晶清亮点测量系统，包括：热分析装置，所述热分析装置内设置有盛有第一待测液晶的容器；计算装置，所述计算装置与所述热分析装置连接，所述计算装置，用于基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图；对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点；确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。
可选的，所述计算装置，用于对所述第一待测液晶进行从预设开始温度起，以预设温度变化速率升温至预设结束温度，在所述预设结束温度下停留预设时间后再以所述预设温度变化速率降温至所述预设开始温度操作，输出所述第一待测液晶的谱图。
可选的，所述计算装置，用于对所述第一待测液晶进行从预设开始温度起，以预设温度变化速率升温至预设结束温度，在所述预设结束温度下停留预设时间后再以所述预设温度变化速率降温至所述预设开始温度的操作，输出所述第一待测液晶的谱图。
可选的，所述计算装置，用于对所述谱图进行分析，选取第一预设温度为起始点及第二预设温度为偏移点，获得所述谱图中的吸热曲线的峰谷点。
又一方面，本发明实施例提供了一种电子设备，包括处理器和存储器，所述处理器和所述存储器通过总线电连接；所述存储器中存储有程序代码；所述处理器，用于通过所述总线从所述存储器中读取并运行所述程序代码，执行上述的方法。
本发明实施例提供了一种液晶清亮点测量方法、系统及电子设备，所述方法包括在基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图后，再对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点，然后确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。获取的谱图中的峰谷点对应的温度为第一待测液晶的清亮点，数据稳定性好，可以作为校验液晶品质的依据。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明实施例了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的一种液晶清亮点测量方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的液晶清亮点测量方法中的谱图中的峰谷点示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种液晶清亮点测量方法的流程图；
图4为本发明实施例提供的液晶清亮点测量方法中的谱图中的峰谷点和交点示意图；
图5为本发明实施例提供的液晶清亮点测量方法中应用实例测试结果示意图；
图6为本发明实施例提供的液晶清亮点测量系统的结构框图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参阅图1，本发明实施例提供了一种液晶清亮点测量方法，所述方法包括：步骤S200、步骤S210和步骤S220。
步骤S200：基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图。
于本发明的一种具体实施方式中，步骤S200可以包括：对所述第一待测液晶进行从预设开始温度起，以预设温度变化速率升温至预设结束温度，在所述预设结束温度下停留预设时间后再以所述预设温度变化速率降温至所述预设开始温度的操作，输出所述第一待测液晶的谱图。
在本实施例中，以第一待测液晶为例，所述预设开始温度可以为室温，例如30℃。所述预设温度变化速率为10℃/分。该第一待测液晶的熔点加上30℃后的温度值设置为所述预设结束温度。因液晶态测试的为清亮点，故也可以将所述预设结束温度修正为等于或大于第一待测液晶的清亮点加上30℃后的温度值，即Tend≥T2，T2＝T1+30℃，Tend为所述预设结束温度，T1为所述第一待测液晶的清亮点，因液晶含有水分等液体，需降低炉体内的液体残留，所以预设结束温度可以设置为120℃。预设时间为10分钟。具体地，对所述第一待测液晶从30℃起以10℃/min的升温速率升温到120℃，在120℃下停留10min后再以10℃/min的速率降至30℃，输出所述第一待测液晶的谱图，如图2所示，横坐标为温度，单位为℃，纵坐标为吸热速率，单位为mW。
在本申请实施例中，对第一待测液晶进行先升温、停留预设时间再降温处理的操作后输出谱图，以实现输出的谱图更精确。
步骤S210：对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点。
于本发明的一种具体实施方式中，步骤S210可以包括：对所述谱图进行分析，选取第一预设温度为起始点及第二预设温度为偏移点，获得所述谱图中的吸热曲线的峰谷点。
在本实施例中，所述第一预设温度60℃，第二预设温度为90℃。具体地，对所述谱图进行分析，选取60℃为起始点及90℃为偏移点，获得所述谱图中的吸热曲线的峰谷点。对应结果如图2所示，P1为峰谷点。
在本申请实施例中，通过对所述谱图进行分析，选取第一预设温度为起始点及第二预设温度为偏移点的方式，获得所述谱图中的吸热曲线的峰谷点，更精确。
步骤S220：确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。
如图2所示，P1为峰谷点，峰谷点对应的温度为相应的横坐标值即75.09℃，确定75.09℃为所述第一待测液晶的第一清亮点。
进一步地，请参阅图3，在步骤S200之后，所述方法还可以包括：步骤S230和步骤S240。
步骤S230：获取所述谱图中的吸热曲线上在第一预设点的第一切线与所述吸热曲线上在第二预设点的第二切线的交点；
步骤S240：确定所述交点对应的温度为所述第一待测液晶的第二清亮点。
如图4所示，A1为第一预设点，A2为第二预设点，P2为在谱图中的吸热曲线上在A1的第一切线和A2的第二切线的交点。交点P2对应的温度为相应的横坐标值即72.18℃，确定72.18℃为所述第一待测液晶的第二清亮点。
在本申请实施例中，通过获取所述谱图中的吸热曲线上在第一预设点和第二预设点各自对应的切线之间的交点的方式，确定交点对应的温度为第一待测液晶的第二清亮点，以便后续对比分析第一清亮点和第二清亮点的稳定性。
进一步地，在步骤S240之后，所述方法还可以包括：
获得第二待测液晶的第三清亮点和第四清亮点；
获得所述第一清亮点与所述第一待测液晶对应的第一参考清亮点之间的第一差值，及所述第二清亮点与所述第一参考清亮点之间的第二差值；
获得所述第三清亮点与所述第二待测液晶对应的第二参考清亮点之间的第三差值，及所述第四清亮点与所述第二参考清亮点之间的第四差值；
基于所述第一参考清亮点及所述第二参考清亮点，获得第一算术平均值、第一标准偏差、第一相对标准偏差及第一极差；
基于所述第一清亮点及所述第三清亮点，获得第二算术平均值、第二标准偏差、第二相对标准偏差及第二极差；
基于所述第一差值及所述第三差值，获得第三算术平均值；和/或，基于所述第二清亮点及所述第四清亮点，获得第四算术平均值、第三标准偏差、第三相对标准偏差及第三极差；和/或，基于所述第三差值及所述第四差值，获得第五算术平均值。
在本申请实施例中，获得的各个算术平均值、标准偏差、相对标准偏差及极差，便于对比分析相应的清亮点的稳定性。
在本实施例中，为了进一步说明本发明实施例提供的液晶清亮点测量方法的更好的数据稳定性，分别对6个批次液晶样品即编号为1的第一待测液晶Sample 1、编号为2的第二待测液晶Sample 2、编号为3的第三待测液晶Sample3、编号为4的第四待测液晶Sample4、编号为5的第五待测液晶Sample5和编号为6的第六待测液晶Sample6进行测量，基于步骤S200-步骤S240，对应获得第一待测液晶Sample1、第二待测液晶Sample 2、第三待测液晶Sample3、第四待测液晶Sample 4、第五待测液晶Sample5和第六待测液晶Sample 6各自对应的谱图，从各自对应的谱图中获得各自对应的峰谷点对应的温度和交点对应的温度，具体结果如表1所示。
如表1所示，利用偏光显微镜(Polarizing Optical Microscope，POM)对第一待测液晶Sample 1、第二待测液晶Sample 2、第三待测液晶Sample3、第四待测液晶Sample 4、第五待测液晶Sample5和第六待测液晶Sample 6测量，分别获得第一待测液晶对应的第一参考清亮点为75.3℃，第二待测液晶对应的第二参考清亮点为74.8℃，第三待测液晶对应的第三参考清亮点为75.2℃，第四待测液晶对应的第四参考清亮点为74.9℃，第五待测液晶对应的第五参考清亮点为74.6℃，第六待测液晶对应的第六参考清亮点为74.8℃。以第一待测液晶Sample 1为例，基于步骤S200-步骤S220，获得其谱图中的峰谷点对应的温度为75.7℃，与第一参考清亮点75.3℃之间的差值为-0.4；再执行步骤S230-S240，获得其谱图中的交点对应的温度为73.8℃，与第一参考清亮点75.3℃之间的差值为1.5，以此类推……，获得各个待测液晶各自对应的峰谷点对应的温度、交点对应的温度及差值。
对应表1中的第三列，计算得出第一参考清亮点、第二参考清亮点、第四参考清亮点、第五参考清亮点、第六参考清亮点的算术平均值、标准偏差、相对标准偏差及极差分别为74.9℃、27％、0.35％和0.7。对应表1中的第四列，计算得出第一待测液晶的谱图中峰谷点对应的温度、第二参考清亮点的谱图中峰谷点对应的温度、第四参考清亮点的谱图中峰谷点对应的温度、第五参考清亮点的谱图中峰谷点对应的温度、第六参考清亮点的谱图中峰谷点对应的温度的算术平均值、标准偏差、相对标准偏差及极差分别为75.5℃、35％、0.46％和0.9。对应表1中的第五列，对应差值的算术平均值为-0.5。对应表1中的第六列，计算得出第一待测液晶的谱图中交点对应的温度、第二参考清亮点的谱图中交点对应的温度、第四参考清亮点的谱图中交点对应的温度、第五参考清亮点的谱图中交点对应的温度、第六参考清亮点的谱图中交点对应的温度的算术平均值、标准偏差、相对标准偏差及极差分别为77.9℃、71％、0.98％和1.6。对应表1中的第七列，对应差值的算术平均值为2.0。表明峰谷点对应的温度数据稳定性更好，与POM方法的数据具有相关性。
表1本发明实施例提供的液晶清亮点测量方法与POM对比结果
此外，本发明实施例提供的液晶清亮点测量方法已经应用于液晶的入料检验中，如图5为所示，横线C1表示规格下限，横线C2表示规格上限，虚线C3表示本发明实施例提供的液晶清亮点测量方法得到的清亮点，实折线C4表示COA值，COA即Certificate ofanalysis，COA表示供应商的出货检验报告，可以得出，本发明实施例提供的液晶清亮点测量方法得到的清亮点相对稳定。
本发明实施例提供了一种液晶清亮点测量方法，所述方法包括在基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图后，再对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点，然后确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。获取的谱图中的峰谷点对应的温度为第一待测液晶的清亮点，数据稳定性好，可以作为校验液晶品质的依据。
请参阅图6，本发明实施例提供了一种液晶清亮点测量系统300，包括：热分析装置310，所述热分析装置310内设置有盛有第一待测液晶的容器；计算装置320，所述计算装置与所述热分析装置连接，所述计算装置，用于基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图；对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点；确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。
在本实施例中，热分析装置310可以为差示扫描量热仪(Differential ScanningCalorimetry，DSC)。计算装置320可以为电脑。DSC和电脑连接。将实验室的黄光灯开启，白光灯关闭，提供液晶所需的测试环境，制作6份样品即第一待测液晶、第二待测液晶、第三待测液晶、第四待测液晶、第五待测液晶和第六待测液晶。样品做定量化处理，目的是保证每次测试条件一致。样品定量方式如下：利用10微升的移液枪，每次取固定量的样品。用移液枪取第一待测液晶即10微升的液晶样品，将所取样品完全打入样品盘中，此样品盘的材质不能与液晶发生反应，且密闭性要好，目的是防止液体有泄露进DSC腔体的可能性。利用手动封盘器将盛有样品盘固定于上下盖所构成的容器中。开启氮气开关，并将流量调至50ml/min。开启DSC，打开DSC测试软件。将盛有样品的样品盘放入DSC仪器腔体的样品放置处。计算装置320基于预设的温度变化规则对第一待测液晶进行温度变化处理，点击开始测试按钮，输出所述第一待测液晶的谱图；对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点；确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。
所述计算装置320，用于对所述第一待测液晶进行从预设开始温度起，以预设温度变化速率升温至预设结束温度，在所述预设结束温度下停留预设时间后再以所述预设温度变化速率降温至所述预设开始温度操作，输出所述第一待测液晶的谱图。
进一步地，所述计算装置320，用于对所述第一待测液晶进行从预设开始温度起，以预设温度变化速率升温至预设结束温度，在所述预设结束温度下停留预设时间后再以所述预设温度变化速率降温至所述预设开始温度的操作，输出所述第一待测液晶的谱图。
进一步地，所述计算装置320，用于对所述谱图进行分析，选取第一预设温度为起始点及第二预设温度为偏移点，获得所述谱图中的吸热曲线的峰谷点。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的液晶清亮点测量系统的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本发明实施例提供了一种液晶清亮点测量系统，包括：热分析装置，所述热分析装置内设置有盛有第一待测液晶的容器；计算装置，所述计算装置与所述热分析装置连接，所述计算装置，用于基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图；对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点；确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。数据稳定性好，可以作为校验液晶品质的依据。
本发明实施例提供了一种电子设备，包括处理器和存储器，所述处理器和所述存储器通过总线电连接；所述存储器中存储有程序代码；所述处理器，用于通过所述总线从所述存储器中读取并运行所述程序代码，执行上述的方法。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种液晶清亮点测量方法，其特征在于，所述方法包括：
基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图；
对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点；
确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图，包括：
对所述第一待测液晶进行从预设开始温度起，以预设温度变化速率升温至预设结束温度，在所述预设结束温度下停留预设时间后再以所述预设温度变化速率降温至所述预设开始温度的操作，输出所述第一待测液晶的谱图。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点，包括：
对所述谱图进行分析，选取第一预设温度为起始点及第二预设温度为偏移点，获得所述谱图中的吸热曲线的峰谷点。
4.根据权利要求1-3中任一权项所述的方法，其特征在于，在基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图之后，所述方法还包括：
获取所述谱图中的吸热曲线上在第一预设点的第一切线与所述吸热曲线上在第二预设点的第二切线的交点；
确定所述交点对应的温度为所述第一待测液晶的第二清亮点。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在确定所述交点对应的温度为所述第一待测液晶的第二清亮点之后，所述方法还包括：
获得第二待测液晶的第三清亮点和第四清亮点；
获得所述第一清亮点与所述第一待测液晶对应的第一参考清亮点之间的第一差值，及所述第二清亮点与所述第一参考清亮点之间的第二差值；
获得所述第三清亮点与所述第二待测液晶对应的第二参考清亮点之间的第三差值，及所述第四清亮点与所述第二参考清亮点之间的第四差值；
基于所述第一参考清亮点及所述第二参考清亮点，获得第一算术平均值、第一标准偏差、第一相对标准偏差及第一极差；
基于所述第一清亮点及所述第三清亮点，获得第二算术平均值、第二标准偏差、第二相对标准偏差及第二极差；
基于所述第一差值及所述第三差值，获得第三算术平均值；和/或，基于所述第二清亮点及所述第四清亮点，获得第四算术平均值、第三标准偏差、第三相对标准偏差及第三极差；和/或，基于所述第三差值及所述第四差值，获得第五算术平均值。
6.一种液晶清亮点测量系统，其特征在于，包括：
热分析装置，所述热分析装置内设置有盛有第一待测液晶的容器；
计算装置，所述计算装置与所述热分析装置连接，所述计算装置，用于基于预设的温度变化规则，对第一待测液晶进行温度变化处理，输出所述第一待测液晶的谱图；对所述谱图进行分析，获得所述谱图中的峰谷点；确定所述峰谷点对应的温度为所述第一待测液晶的第一清亮点。
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述计算装置，用于对所述第一待测液晶进行从预设开始温度起，以预设温度变化速率升温至预设结束温度，在所述预设结束温度下停留预设时间后再以所述预设温度变化速率降温至所述预设开始温度操作，输出所述第一待测液晶的谱图。
8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述计算装置，用于对所述第一待测液晶进行从预设开始温度起，以预设温度变化速率升温至预设结束温度，在所述预设结束温度下停留预设时间后再以所述预设温度变化速率降温至所述预设开始温度的操作，输出所述第一待测液晶的谱图。
9.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述计算装置，用于对所述谱图进行分析，选取第一预设温度为起始点及第二预设温度为偏移点，获得所述谱图中的吸热曲线的峰谷点。
10.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述处理器和所述存储器通过总线电连接；所述存储器中存储有程序代码；所述处理器，用于通过所述总线从所述存储器中读取并运行所述程序代码，执行如权利要求1-5任一权项所述的方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810683031.XA CN108873407A (zh) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | 液晶清亮点测量方法、系统及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810683031.XA CN108873407A (zh) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | 液晶清亮点测量方法、系统及电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108873407A true CN108873407A (zh) | 2018-11-23 |
Family
ID=64295482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810683031.XA Pending CN108873407A (zh) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | 液晶清亮点测量方法、系统及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108873407A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1884437A (zh) * | 2006-05-18 | 2006-12-27 | 复旦大学 | 一种含偶氮苯基团的液晶化合物及其制备方法 |
| CN1966579A (zh) * | 2006-11-14 | 2007-05-23 | 北京工业大学 | 含超分子液晶结构的聚酰胺液晶与尼龙共混物的制备方法 |
| CN103224626A (zh) * | 2013-04-08 | 2013-07-31 | 东北大学 | 一种金属配合液晶聚合物及其制备方法 |
| CN107879999A (zh) * | 2017-10-19 | 2018-04-06 | 华晨汽车集团控股有限公司 | 一种液晶环氧树脂及其制备方法和应用 |
-
2018
- 2018-06-27 CN CN201810683031.XA patent/CN108873407A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1884437A (zh) * | 2006-05-18 | 2006-12-27 | 复旦大学 | 一种含偶氮苯基团的液晶化合物及其制备方法 |
| CN1966579A (zh) * | 2006-11-14 | 2007-05-23 | 北京工业大学 | 含超分子液晶结构的聚酰胺液晶与尼龙共混物的制备方法 |
| CN103224626A (zh) * | 2013-04-08 | 2013-07-31 | 东北大学 | 一种金属配合液晶聚合物及其制备方法 |
| CN107879999A (zh) * | 2017-10-19 | 2018-04-06 | 华晨汽车集团控股有限公司 | 一种液晶环氧树脂及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 唐洪 等: "液晶材料性能测试方法", 《中华人民共和国电子行业军用标准 SJ 20746-1999》 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Svoboda et al. | Applicability of Fraser–Suzuki function in kinetic analysis of complex crystallization processes | |
| Reading et al. | Modulated differential scanning calorimetry | |
| US20160041112A1 (en) | Method for analysis of thermal resistance | |
| Svoboda | How to determine activation energy of glass transition | |
| Šesták | The quandary aspects of non-isothermal kinetics beyond the ICTAC kinetic committee recommendations | |
| Svoboda et al. | Kissinger equation versus glass transition phenomenology | |
| Kossoy | Effect of thermal inertia-induced distortions of DSC data on the correctness of the kinetics evaluated | |
| CN107941739A (zh) | 一种sbs改性沥青性能指标快速判定方法 | |
| Adhikari et al. | Heterogeneous dynamics and dynamic heterogeneities at the glass transition probed with single molecule spectroscopy | |
| Cui et al. | Combining Nordtest method and bootstrap resampling for measurement uncertainty estimation of hematology analytes in a medical laboratory | |
| CN101603921B (zh) | 一种折射率色散特性的检测系统及其检测方法 | |
| Pauwels et al. | Quantification of the expected shelf-life of certified reference materials | |
| Artiaga et al. | Estimating the reversing and non‐reversing heat flow from standard DSC curves in the glass transition region | |
| CN108873407A (zh) | 液晶清亮点测量方法、系统及电子设备 | |
| Toda et al. | Superheated melting kinetics of metastable chain-folded polymer crystals | |
| Luszczyk et al. | Isotope and Pressure Dependence of Liquid− Liquid Equilibria in Polymer Solutions. 7. Solute and Solvent H/D Isotope Effects in Polystyrene− Propionitrile Solutions | |
| Mather et al. | Structural response of nematic liquid crystals to weak transient shear flows | |
| Garden et al. | Understanding temperature-modulated calorimetry through studies of a model system | |
| Defernez et al. | Infrared spectroscopy: instrumental factors affecting the long-term validity of chemometric models | |
| Marti et al. | Heat capacity functions of polystyrene in glassy and in liquid amorphous state and glass transition: DSC and TMDSC study | |
| CN108918412A (zh) | 光学材料用光学分析仪器及测试方法 | |
| CN107894407A (zh) | 一种改性沥青sbs掺量快速测试方法 | |
| Svoboda | The peak‐shift method for the description of structural relaxation in glassy materials: a critical review | |
| Peters et al. | Practical estimation of the uncertainty of analytical measurement standards | |
| Weckenmann et al. | Experimental investigation of droplet injections in the vicinity of the critical point |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181123 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |