CN108833039B - 带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法及终端设备 - Google Patents

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Abstract

本发明适用于电磁干扰试验评估技术领域，提供了一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法及终端设备，所述方法包括：通过从受试用频装备单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线上选取的带外基础频点，获得三阶互调新频率，根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，确定带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，同理，确定预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，根据三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合确定三阶互调阻塞干扰效应指数，评估用频装备带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应，解决现有对于工作于复杂电磁环境中用频装备，难以单纯通过单频电磁辐射敏感度测试评价其带外电磁环境适应性的问题。

Description

带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法及终端设备
技术领域
本发明属于电磁干扰试验评估技术领域，尤其涉及一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法及终端设备。
背景技术
用频装备接收灵敏度高、对信号频率具有较强的选择性，虽然接收灵敏度能够达到-100dBm以上，一旦干扰信号频率远离其工作频率，临界干扰场强则迅速提升，一般10V/m的单频干扰信号难以对其造成阻塞干扰，但是，天线接收频率范围很宽，不仅接收用频装备的有用信号，远离工作频率的强电磁辐射信号也将混入其中，这些信号经过限幅滤波器、低噪声放大器等一系列非线性器件后，虽然强度会相对衰减，但不同频率的干扰信号会互相调制，产生的新频率成分有可能落于用频装备的工作频带内，造成接收机阻塞，使其产生互调阻塞干扰的辐射场强远低于单频阻塞干扰临界场强。因此，对于工作于复杂电磁环境中的用频装备，难以单纯通过单频电磁辐射敏感度测试评价其带外电磁环境适应性。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法及终端设备，解决现有对于工作于复杂电磁环境中的用频装备，难以单纯通过单频电磁辐射敏感度测试评价其带外电磁环境适应性的问题。
本发明实施例的第一方面提供了一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，包括：
利用单频电磁辐射敏感度试验确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线；
根据所述用频装备工作频率从所述变化曲线上选取三个带外基础频点，将所述三个带外基础频点两两组合，获得三阶互调新频率；
若获得的三阶互调新频率均在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合；
根据获得的临界干扰场强组合，确定所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
根据所述三个带外基础频点之一和预设带外频点，获得三阶互调新频率，若获得的三阶互调新频率在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合，根据获得的临界干扰场强组合确定所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
根据所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子、所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合，确定三阶互调阻塞干扰效应指数，根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数评估所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应。
本发明实施例的第二方面提供了一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置，包括：
变化曲线确定单元，用于利用单频电磁辐射敏感度试验确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线；
带外基础频点选取单元，用于根据所述用频装备工作频率从所述变化曲线上选取三个带外基础频点，将所述三个带外基础频点两两组合，获得三阶互调新频率；
三阶互调临界阻塞干扰实验单元，用于若获得的三阶互调新频率均在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合；
第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元，用于根据获得的临界干扰场强组合，确定所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元，用于根据所述三个带外基础频点之一和预设带外频点，获得三阶互调新频率，若获得的三阶互调新频率在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合，根据获得的临界干扰场强组合确定所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测单元，用于根据所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子、所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合，确定三阶互调阻塞干扰效应指数，根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数评估所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应。
本发明实施例的第三方面提供了一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述方法的步骤。
本发明实施例的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述方法的步骤。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本发明实施例通过从受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线上选取的带外基础频点，获得三阶互调新频率，根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，确定带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，同理，确定预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，根据上述三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合，进一步确定三阶互调阻塞干扰效应指数，评估用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应，预测准确率高，解决现有对于工作于复杂电磁环境中的用频装备，难以单纯通过单频电磁辐射敏感度测试评价其带外电磁环境适应性的问题，为科学评价用频装备复杂电磁环境适应性奠定理论基础。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法的示意流程图；
图2是本发明实施例提供的一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置示意性框图；
图3是本发明另一实施例提供的一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置示意性框图；
图4是本发明实施例提供的一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备的示意性框图。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
参见图1，图1是本发明实施例提供的一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法的示意流程图，在该实施例中，以终端的角度触发为例进行说明，这里，终端可以为智能手机、平板电脑等移动终端。如图1所示，在该实施例中，终端的处理过程可以包括以下步骤：
S101：利用单频电磁辐射敏感度试验确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线。
这里，利用单频电磁辐射敏感度试验确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏(f-f0)的变化曲线，其中，f0为上述用频装备的工作频率。
在上述确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线之后，还可以显示该变化曲线，方便相关人员审核，也可以保存该变化曲线，便于后续处理。
S102：根据所述用频装备工作频率从所述变化曲线上选取三个带外基础频点，将所述三个带外基础频点两两组合，获得三阶互调新频率。
具体地，为确定三阶互调阻塞干扰因子αi，从上述变化曲线上选择三个带外干扰频率，使其两两组合的三阶互调新频率落入受试用频装备工作频带内，设：f1＝f0±Δ，f2＝f0±xΔ，f3＝f0±2Δ，三个等式中同时取“+”号或“-”号，则2f1-f2＝f0±(2-x)Δ、2f1-f3＝f0、2f2-f3＝f0±2(x-1)Δ，为尽量减少未知量，可以取x＝4/3。则f1＝f0±Δ，f2＝f0±4Δ/3，f3＝f0±2Δ，三阶互调信号频率分别为f0±2Δ/3、f0、f0±2Δ/3。
S103：若获得的三阶互调新频率均在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合。
这里，从上述曲线上选出靠近用频装备工作频率的三个带外基础频点，使其两两组合产生的三阶互调新频率落入受试用频装备工作频带内，分别进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，确定临界干扰场强组合[E1(f1、f2)、E2(f1、f2)]、[E1(f1、f3)、E3(f1、f3)]和[E2(f2、f3)、E3(f2、f3)]。
S104：根据获得的临界干扰场强组合，确定所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子。
具体地，在达到临界干扰状态时，根据以下表达式
Figure BDA0001695281310000061
Figure BDA0001695281310000062
Figure BDA0001695281310000063
其中，Ef0代表干扰信号频率为f0±2Δ/3时的单频临界干扰场强，E10、E20、E30分别代表干扰信号频率为f1＝f0±Δ，f2＝f0±4Δ/3，f3＝f0±2Δ时的单频临界干扰场强。联立求解式(1)～式(3)即可求出3个基础频点f1＝f0±Δ，f2＝f0±4Δ/3，f3＝f0±2Δ对应的三阶互调阻塞干扰因子αi。
S105：根据所述三个带外基础频点之一和预设带外频点，获得三阶互调新频率，若获得的三阶互调新频率在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合，根据获得的临界干扰场强组合确定所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子。
这里，利用基础频点f3(或f2)与其它带外干扰频率f4组合，使2f3-f4＝f落入受试用频装备的工作频带内，分别调节2个干扰信号的辐射场强使受试装备出现临界阻塞干扰，此时干扰场强组合为[E3(f3、f4)、E4(f3、f4)]，则根据表达式：
Figure BDA0001695281310000064
利用式(4)可求出频点f4对应的三阶互调阻塞干扰因子α4。改变基础频点或其它已确定三阶互调阻塞干扰因子的带外频点，使三阶互调干扰频率2f3-f4＝f落入受试用频装备工作频带内的位置，以此类推，可以试验确定其它带外频点的三阶互调阻塞干扰因子。
值得说明的是：由于三阶互调阻塞干扰因子αi不仅与带外干扰信号频率fi有关，而且强烈依赖于用频装备的工作频率f0，而用频装备的工作频率可调，准确描绘三阶互调阻塞干扰因子随用频装备的工作频率f0、带外干扰信号频率fi的变化关系，工作量巨大。为此，作为工程近似，可认为三阶互调阻塞干扰因子αi随带外干扰信号频率fi与用频装备工作频率f0的差值Δfi＝fi-f0(辐射频偏)变化，在受试用频装备可用工作频段中部进行试验，确定三阶互调阻塞干扰因子αi随辐射频偏Δfi＝fi-f0的变化规律。
S106：根据所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子、所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合，确定三阶互调阻塞干扰效应指数，根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数评估所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应。
具体地，以带外基础频点f1、f2为例，确定带外基础频点f1、f2对应的三阶互调阻塞干扰效应指数。设空间不同频率的电磁辐射场强分别为Ei(fi)、信号场路耦合及到达非线性器件前的传递函数为Ai(fi)，则信号到达非线性器件时的电平为：
Si(fi)＝Ai(fi)Ei(fi) i＝0,1,2,3,… (5)
其中：i＝0表示与受试用频装备工作频率相同的信号，i为其它值分别代表带内、带外干扰信号。由于用频装备工作频率不同，其滤波、检波频率随之改变，因此，Ai(fi)不仅与信号频率有关，也与受试用频装备的工作频率f0有关。
若受试用频装备工作频率为f0时的敏感系数为Bi(fi)，对应的单频电磁辐射临界干扰场强为Ei0(fi)，受试用频装备在敏感元件处的临界干扰电平值为C0，C0为与受试用频装备工作频率f0相关的常数，与干扰频率f相关的变化因素均包含在敏感系数Bi(fi)中，则：
A1B1E10＝A2B2E20＝A3B3E30＝…＝A0B0E00＝C0 (6)
考虑到受试用频装备选频特性强、通频带宽度有限，带外信号产生的二阶互调信号落入受试用频装备通频带内并干扰其正常工作的概率较小。若带外信号f1、f2均与工作频率相差不大，三阶互调信号反而较易落入受试用频装备的通频带内导致其出现阻塞效应。
带外干扰信号f1、f2产生的三阶互调信号落入受试用频装备通频带内并导致阻塞效应主要有二种组合，即2f1-f2或2f2-f1。2f1+f2、2f2+f1或3f1、3f2落入受试用频装备通频带内导致阻塞效应的概率比二阶互调信号还要小很多，不予考虑。
以2f1-f2落入受试用频装备工作频带内为例，带外信号f1、f2产生的三阶互调干扰信号可表示为：
Figure BDA0001695281310000083
其中D是与受试用频装备工作频率f0有关的三阶互调非线性系数。
若三阶互调干扰信号落在受试用频装备工作频带内，干扰信号频率2f1-f2，敏感系数为Bf，对应的单频电磁辐射临界干扰场强为Ef0，只有三阶互调干扰信号大于等于对应的单频干扰信号时才能出现三阶互调阻塞干扰。一般情况下，将三阶互调干扰电平值与单频临界干扰电平值C0的比值定义为三阶互调阻塞干扰效应指数R3，当R3≥1时出现三阶互调干扰，联立式(5)、式(6)、式(7)求解可得：
Figure BDA0001695281310000081
考虑到用频装备通频带很窄，忽略带内信号传递函数的差异，由式(6)可得：
B0E00＝BfEf0 (9)
引入与受试用频装备工作频率f0、带外干扰信号频率fi有关的新参数——三阶互调阻塞干扰因子αi，令：
αi＝(C0 2B0D)1/3/Bi (10)
联立求解式(8)～式(10)，则三阶互调阻塞干扰效应指数R可表示为：
Figure BDA0001695281310000082
若效应指数R≥1，则受试用频装备出现阻塞干扰，反之，则能够正常工作。
在上述根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数确定所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰情况之后，还可以试验验证预测是否正确，利用受试通信电台在工作频率60MHz测试确定的三阶互调阻塞干扰因子，假定其随电磁辐射频偏的变化关系不随受试通信电台工作频率变化而变化，即α(f，f0)＝α(Δf＝f-f0)，改变受试通信电台工作频率为70MHz，测试其带外三阶互调阻塞干扰临界电场强度组合，按式(11)计算三阶互调阻塞干扰效应指数R，验证效应预测的准确性。
为全面验证三阶互调阻塞干扰效应预测的准确性，根据上述受试超短波通信电台三阶互调阻塞干扰因子随辐射频偏的变化规律，既选择了三阶互调阻塞干扰因子相对稳定的基础频点(频偏36kHz、48kHz和72kHz的两两组合)，又选择了初始变化频段(频偏48kHz与96kHz组合)和最大变化率频段(频偏134kHz、154kHz、164kHz与72kHz的组合)，验证结果如表1所示，效应指数R测试值在0.77～1.31之间，预测误差小于1dB，验证了三阶互调阻塞干扰效应预测模型的准确性。
表1三阶互调阻塞干扰效应预测模型试验验证
Figure BDA0001695281310000091
从以上描述可知，本发明带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，解决现有对于工作于复杂电磁环境中的用频装备，难以单纯通过单频电磁辐射敏感度测试评价其带外电磁环境适应性的问题，为科学评价用频装备复杂电磁环境适应性奠定理论基础。
此外，在一个具体示例中，根据表达式
Figure BDA0001695281310000092
Figure BDA0001695281310000093
和
Figure BDA0001695281310000094
确定所述三个带外基础频点f1、f2、f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α1、α2和α3，其中，[E1(f1、f2)、E2(f1、f2)]、[E1(f1、f3)、E3(f1、f3)]和[E2(f2、f3)、E3(f2、f3)]为确定的临界干扰场强组合，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，Ef0为干扰信号频率为2f1-f2时的单频临界干扰场强，E10、E20、E30分别为干扰信号频率为f1、f2、f3时的单频临界干扰场强。
此外，在一个具体示例中，根据表达式
Figure BDA0001695281310000101
确定所述预设带外频点f4对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α4，其中，α3为所述三个带外基础频点中一个带外基础频点f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，E′f0为干扰信号频率为2f3-f4时的单频临界干扰场强，[E3(f3、f4)、E4(f3、f4)]为确定的临界干扰场强组合，E30、E40分别为干扰信号频率为f3、f4时的单频临界干扰场强。
此外，在一个具体示例中，根据表达式
Figure BDA0001695281310000102
确定所述三个带外基础频点f1、f2、f3中任意两个带外基础频点f1、f2对应的三阶互调阻塞干扰效应指数R，其中，α1为带外频点f1对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，α2为带外频点f2对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，Ef0为干扰信号频率为2f1-f2时的单频临界干扰场强，E1、E2分别为干扰信号频率为f1、f2时对应的辐射场强，E10、E20分别为干扰信号频率为f1、f2时的单频临界干扰场强。
此外，在一个具体示例中，所述根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数确定所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰情况包括：
若所述三阶互调阻塞干扰效应指数达到预设阈值，则判定所述用频装备出现带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰；
所述方法还包括：
若所述用频装备出现带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰，则进行干扰告警。
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
对应于上文实施例所述的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，图2示出了本发明实施例提供的一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置的示意性框图。本实施例的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置200包括的各单元用于执行图1对应的实施例中的各步骤，具体请参阅图1及图1对应的实施例中的相关描述，此处不赘述。本实施例的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置200包括变化曲线确定单元201、带外基础频点选取单元202、三阶互调临界阻塞干扰实验单元203、第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元204、第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元205及带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测单元206。
其中，变化曲线确定单元201，用于利用单频电磁辐射敏感度试验确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线。带外基础频点选取单元202，用于根据所述用频装备工作频率从所述变化曲线上选取三个带外基础频点，将所述三个带外基础频点两两组合，获得三阶互调新频率。三阶互调临界阻塞干扰实验单元203，用于若获得的三阶互调新频率均在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合。第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元204，用于根据获得的临界干扰场强组合，确定所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子。第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元205，用于根据所述三个带外基础频点之一和预设带外频点，获得三阶互调新频率，若获得的三阶互调新频率在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合，根据获得的临界干扰场强组合确定所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子。带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测单元206，用于根据所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子、所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合，确定三阶互调阻塞干扰效应指数，根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数评估所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应。
从以上描述可知，本发明实施例带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置，解决现有对于工作于复杂电磁环境中的用频装备，难以单纯通过单频电磁辐射敏感度测试评价其带外电磁环境适应性的问题，为科学评价用频装备复杂电磁环境适应性奠定理论基础。
参见图3，图3是本发明另一实施例提供的另一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置的示意性框图。本实施例的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置300包括变化曲线确定单元301、带外基础频点选取单元302、三阶互调临界阻塞干扰实验单元303、第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元304、第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元305、带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测单元306及干扰告警单元307。
其中，变化曲线确定单元301、带外基础频点选取单元302、三阶互调临界阻塞干扰实验单元303、第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元304、第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元305及带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测单元306具体请参阅图2及图2对应的实施例中变化曲线确定单元201、带外基础频点选取单元202、三阶互调临界阻塞干扰实验单元203、第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元204、第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元205及带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测单元206的相关描述，此处不赘述。
进一步的，所述第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元304，还用于根据表达式
Figure BDA0001695281310000121
和
Figure BDA0001695281310000131
确定所述三个带外基础频点f1、f2、f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α1、α2和α3，其中，[E1(f1、f2)、E2(f1、f2)]、[E1(f1、f3)、E3(f1、f3)]和[E2(f2、f3)、E3(f2、f3)]为确定的临界干扰场强组合，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，Ef0为干扰信号频率为2f1-f2时的单频临界干扰场强，E10、E20、E30分别为干扰信号频率为f1、f2、f3时的单频临界干扰场强。
进一步的，所述第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元305，还用于根据表达式
Figure BDA0001695281310000132
确定所述预设带外频点f4对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α4，其中，α3为所述三个带外基础频点中一个带外基础频点f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，E′f0为干扰信号频率为2f3-f4时的单频临界干扰场强，[E3(f3、f4)、E4(f3、f4)]为确定的临界干扰场强组合，E30、E40分别为干扰信号频率为f3、f4时的单频临界干扰场强。
进一步的，所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测单元306，还用于根据表达式
Figure BDA0001695281310000133
确定所述三个带外基础频点f1、f2、f3中任意两个带外基础频点f1、f2对应的三阶互调阻塞干扰效应指数R，其中，α1为带外频点f1对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，α2为带外频点f2对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，Ef0为干扰信号频率为2f1-f2时的单频临界干扰场强，E1、E2分别为干扰信号频率为f1、f2时对应的辐射场强，E10、E20分别为干扰信号频率为f1、f2时的单频临界干扰场强。
进一步的，所述根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数确定所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰情况包括：
若所述三阶互调阻塞干扰效应指数达到预设阈值，则判定所述用频装备出现带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰。
所述干扰告警单元307，用于若所述用频装备出现带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰，则进行干扰告警。
从以上描述可知，本发明实施例通过从受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线上选取的带外基础频点，获得三阶互调新频率，根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，确定带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，同理，确定预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，根据上述三阶互调阻塞干扰因子和辐射干扰场强组合进一步确定三阶互调阻塞干扰效应指数，评估用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应，预测准确率高，解决现有对于工作于复杂电磁环境中的用频装备，难以单纯通过单频电磁辐射敏感度测试评价其带外电磁环境适应性的问题，为科学评价用频装备复杂电磁环境适应性奠定理论基础。
参见图4，图4是本发明一个实施例提供的一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备的示意框图。如图4所示，该实施例的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4包括：处理器40、存储器41以及存储在所述存储器41中并可在所述处理器40上运行的计算机程序42，例如带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测程序。所述处理器40执行所述计算机程序42时实现上述各个带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法实施例中的步骤，例如图1所示的步骤101至106。或者，所述处理器40执行所述计算机程序42时实现上述各装置实施例中各单元的功能，例如图3所示单元301至307的功能。
所述计算机程序42可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器41中，并由所述处理器40执行，以完成本发明。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序42在所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4中的执行过程。例如，所述计算机程序42可以被分割成变化曲线确定单元、带外基础频点选取单元、三阶互调临界阻塞干扰实验单元、第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元、第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元、带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测单元及干扰告警单元，各单元具体功能如下：
利用单频电磁辐射敏感度试验确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线；
根据所述用频装备工作频率从所述变化曲线上选取三个带外基础频点，将所述三个带外基础频点两两组合，获得三阶互调新频率；
若获得的三阶互调新频率均在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合；
根据获得的临界干扰场强组合，确定所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
根据所述三个带外基础频点之一和预设带外频点，获得三阶互调新频率，若获得的三阶互调新频率在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合，根据获得的临界干扰场强组合确定所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
根据所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子、所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合，确定三阶互调阻塞干扰效应指数，根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数评估所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应。
进一步的，根据表达式
Figure BDA0001695281310000151
Figure BDA0001695281310000152
和
Figure BDA0001695281310000153
确定所述三个带外基础频点f1、f2、f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α1、α2和α3，其中，[E1(f1、f2)、E2(f1、f2)]、[E1(f1、f3)、E3(f1、f3)]和[E2(f2、f3)、E3(f2、f3)]为确定的临界干扰场强组合，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，Ef0为干扰信号频率为2f1-f2时的单频临界干扰场强，E10、E20、E30分别为干扰信号频率为f1、f2、f3时的单频临界干扰场强。
进一步的，根据表达式
Figure BDA0001695281310000161
确定所述预设带外频点f4对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α4，其中，α3为所述三个带外基础频点中一个带外基础频点f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，E′f0为干扰信号频率为2f3-f4时的单频临界干扰场强，[E3(f3、f4)、E4(f3、f4)]为确定的临界干扰场强组合，E30、E40分别为干扰信号频率为f3、f4时的单频临界干扰场强。
进一步的，根据表达式
Figure BDA0001695281310000162
确定所述三个带外基础频点f1、f2、f3中任意两个带外基础频点f1、f2对应的三阶互调阻塞干扰效应指数R，其中，α1为带外频点f1对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，α2为带外频点f2对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，Ef0为干扰信号频率为2f1-f2时的单频临界干扰场强，E1、E2分别为干扰信号频率为f1、f2时对应的辐射场强，E10、E20分别为干扰信号频率为f1、f2时的单频临界干扰场强。
进一步的，所述根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数确定所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰情况包括：
若所述三阶互调阻塞干扰效应指数达到预设阈值，则判定所述用频装备出现带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰；
各单元具体功能还包括：
若所述用频装备出现带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰，则进行干扰告警。
上述方案，解决现有对于工作于复杂电磁环境中的用频装备，难以单纯通过单频电磁辐射敏感度测试评价其带外电磁环境适应性的问题，为科学评价用频装备复杂电磁环境适应性奠定理论基础。
所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备可包括，但不仅限于，处理器40、存储器41。本领域技术人员可以理解，图4仅仅是带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4的示例，并不构成对带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。
所称处理器40可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
所述存储器41可以是所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4的内部存储单元，例如带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4的硬盘或内存。所述存储器41也可以是所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4的外部存储设备，例如所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4上配备的插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card，SMC)，安全数字(Secure Digital，SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，所述存储器41还可以既包括所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备4的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器41用于存储所述计算机程序以及所述带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备所需的其他程序和数据。所述存储器41还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
在本发明所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括是电载波信号和电信信号。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，利用单频电磁辐射敏感度试验确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线，其特征在于，包括：
根据所述用频装备工作频率从所述变化曲线上选取三个带外基础频点，将所述三个带外基础频点两两组合，获得三阶互调新频率；
若获得的三阶互调新频率均在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合；
根据获得的临界干扰场强组合，确定所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
根据所述三个带外基础频点之一和预设带外频点，获得三阶互调新频率，若获得的三阶互调新频率在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合，根据获得的临界干扰场强组合确定所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
根据所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子、所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合，确定三阶互调阻塞干扰效应指数，根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数评估所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应。
2.如权利要求1所述的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，其特征在于，还包括：
根据表达式
Figure FDA0002605398130000011
Figure FDA0002605398130000021
和
Figure FDA0002605398130000022
确定所述三个带外基础频点f1、f2、f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α1、α2和α3，其中，[E1(f1、f2)、E2(f1、f2)]、[E1(f1、f3)、E3(f1、f3)]和[E2(f2、f3)、E3(f2、f3)]为确定的临界干扰场强组合，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，Ef0为干扰信号频率为2f1-f2时的单频临界干扰场强，E10、E20、E30分别为干扰信号频率为f1、f2、f3时的单频临界干扰场强。
3.如权利要求1所述的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，其特征在于，还包括：
根据表达式
Figure FDA0002605398130000023
确定所述预设带外频点f4对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α4，其中，α3为所述三个带外基础频点中一个带外基础频点f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，E′f0为干扰信号频率为2f3-f4时的单频临界干扰场强，[E3(f3、f4)、E4(f3、f4)]为确定的临界干扰场强组合，E30、E40分别为干扰信号频率为f3、f4时的单频临界干扰场强。
4.如权利要求1所述的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，其特征在于，还包括：
根据表达式
Figure FDA0002605398130000024
确定所述三个带外基础频点f1、f2、f3中任意两个带外基础频点f1、f2对应的三阶互调阻塞干扰效应指数R，其中，α1为带外频点f1对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，α2为带外频点f2对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，Ef0为干扰信号频率为2f1-f2时的单频临界干扰场强，E1、E2分别为干扰信号频率为f1、f2时对应的辐射场强，E10、E20分别为干扰信号频率为f1、f2时的单频临界干扰场强。
5.如权利要求1所述的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，其特征在于，所述根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数评估所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应包括：
若所述三阶互调阻塞干扰效应指数达到预设阈值，则判定所述用频装备出现带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰；
所述方法还包括：
若所述用频装备出现带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰，则进行干扰告警。
6.一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置，包括变化曲线确定单元，用于利用单频电磁辐射敏感度试验确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线，其特征在于，该装置还包括：
带外基础频点选取单元，用于根据所述用频装备工作频率从所述变化曲线上选取三个带外基础频点，将所述三个带外基础频点两两组合，获得三阶互调新频率；
三阶互调临界阻塞干扰实验单元，用于若获得的三阶互调新频率均在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合；
第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元，用于根据获得的临界干扰场强组合，确定所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元，用于根据所述三个带外基础频点之一和预设带外频点，获得三阶互调新频率，若获得的三阶互调新频率在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合，根据获得的临界干扰场强组合确定所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；
带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测单元，用于根据所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子、所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合，确定三阶互调阻塞干扰效应指数，根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数评估所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应。
7.如权利要求6所述的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置，其特征在于，还包括：
所述第一三阶互调阻塞干扰因子确定单元，还用于根据表达式
Figure FDA0002605398130000041
和
Figure FDA0002605398130000042
确定所述三个带外基础频点f1、f2、f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α1、α2和α3，其中，[E1(f1、f2)、E2(f1、f2)]、[E1(f1、f3)、E3(f1、f3)]和[E2(f2、f3)、E3(f2、f3)]为确定的临界干扰场强组合，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，Ef0为干扰信号频率为2f1-f2时的单频临界干扰场强，E10、E20、E30分别为干扰信号频率为f1、f2、f3时的单频临界干扰场强。
8.如权利要求6所述的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测装置，其特征在于，还包括：
所述第二三阶互调阻塞干扰因子确定单元，还用于根据表达式
Figure FDA0002605398130000043
确定所述预设带外频点f4对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α4，其中，α3为所述三个带外基础频点中一个带外基础频点f3对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E00为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，E′f0为干扰信号频率为2f3-f4时的单频临界干扰场强，[E3(f3、f4)、E4(f3、f4)]为确定的临界干扰场强组合，E30、E40分别为干扰信号频率为f3、f4时的单频临界干扰场强。
9.一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一项所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述方法的步骤。
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