CN108831993B - 一种阻变存储器及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阻变存储器及制备方法，所述阻变存储器包括：底电极、顶电极以及设置在所述底电极与所述顶电极之间的介质层；其中，所述介质层的材料为掺杂量子点的生物基材料。本发明通过将量子点作为光响应单元掺杂在生物基材料中，从而赋予存储器光响应属性。本发明所述阻变存储器具有光响应性好、功耗低、存储密度高、质量轻的特点，而且有利于多级存储体系的开发。
Description
技术领域
本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种阻变存储器及制备方法。
背景技术
存储器是一类具有记忆功能的电子元器件，是半导体市场核心组成之一。据半导体权威调研机构IC Insights最新报告显示，2017年全球存储器市场增长率约为10%，消费额达853亿美元。存储器消费品主要为动态随机存储器（DRAM）和闪存（NAND Flash），分别占57%和41%。
阻变存储器（resistive random access memory阻变随机存储器，RRAM）作为一种新型的存储器，由于结构非常简单，具有非易失性、可反复擦写、读写速度快等优点，引起了广泛关注。RRAM是采用其活性层在电激励下展现出两种稳定的电阻来存储信息，高电阻和低电阻状态分别对应计算机二进制运算中的“0”和“1”。
近年来，生物分子（蛋白质、多肽、多糖、DNA、RNA和病毒等）为RRAM领域带来了新的活力与希望。2016年哈佛医学院著名遗传学家Church在材料学顶级杂志Nat. Mater.上发表了一篇名为《Nucleic acid memory》的评述性文章，翔实的论述了DNA分子在存储人类遗传信息方面展现出目前商用存储器无法比拟的存储性能，包括超长的存储时间、极高的存储密度以及极小的存储功耗。文章从存储密度、保留时间、功耗等方面比较了DNA存储器与目前商用存储器的性能差异，展现出核酸作为存储器的优越性。2017年，特拉维夫大学的Gazit教授在顶级杂志Science上撰写了以肽为活性层制备半导体器件的综述文章，翔实地论述了以肽为功能单元制备半导体器件的优越性。
目前，已有一些利用蛋白（蚕丝蛋白、丝胶、铁蛋白）作为活性层制备的阻变存储器。由于蛋白分子本身良好的生物相容性、可降解性、透明性、低密度等优点，因此基于蛋白的阻变存储器展现出良好的性能，如较大的电流开关比、低密度、高生物相容性等特点。随着大数据和人工智能的不断发展，对下一代存储器的性能提出了更高的要求，尤其是应当具备智能可调属性。目前已报道的蛋白基RRAM的读写操作都是通过电激励来完成，调控方式过于单一，不利于开发成为智能的存储设备。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种阻变存储器及制备方法，旨在解决现有技术中阻变存储器的调控方式过于单一的问题。
本发明的技术方案如下：
一种阻变存储器，其中，包括：
底电极、顶电极以及设置在所述底电极与所述顶电极之间的介质层；
其中，所述介质层的材料为掺杂量子点的生物基材料。
所述的阻变存储器，其中，所述底电极为ITO电极、AZO电极中的一种。
所述的阻变存储器，其中，所述量子点为碳量子点、钙钛矿量子点、二硫化钼量子点中的一种或多种。
所述的阻变存储器，其中，所述生物基材料为蚕丝蛋白、铁蛋白、壳聚糖中的一种或多种。
所述的阻变存储器，其中，所述顶电极为Al电极、Ag电极、Au电极、Pt电极中的一种。
一种阻变存储器的制备方法，其中，包括：
步骤A、通过磁控溅射法将底电极材料溅射在基底上，制备得到底电极；
步骤B、通过旋涂法将介质层材料旋涂在所述底电极上，制备得到介质层；其中，所述介质层的材料为掺杂量子点的生物基材料；
步骤C、通过蒸镀法将顶电极材料蒸镀在介质层上，制备得到顶电极。
所述的阻变存储器的制备方法，其中，所述基底为PET基底。
所述的阻变存储器的制备方法，其中，所述步骤B具体包括：
步骤B1、将量子点溶液与生物基材料溶液混合后得到介质层材料溶液；
步骤B2、将介质层材料溶液旋涂在底电极上；
步骤B3、进行退火处理，在底电极上制备得到介质层。
所述的阻变存储器的制备方法，其中，所述介质层材料中的量子点的浓度为0.2-2mg/mL。
所述的阻变存储器的制备方法，其中，所述介质层材料中的生物基材料的浓度为5-15 mg/mL。
有益效果：本发明提供一种阻变存储器，其中，所述阻变存储器中的介质层为掺杂量子点的生物基材料。本发明通过将量子点作为光响应单元掺杂在生物基材料中，从而赋予存储器光可调属性。本发明所述阻变存储器具有光响应性好、功耗低、质量轻、存储密度高的特点，有利于多级存储体系的开发。
附图说明
图1是本发明实施例1的碳量子点-蚕丝蛋白阻变存储器的存储性能和光响应性测试图。
图2是本发明实施例1的碳量子点-蚕丝蛋白阻变存储器的稳定性测试图。
具体实施方式
本发明提供一种阻变存储器及制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种阻变存储器，包括：
底电极、顶电极以及设置在所述底电极与所述顶电极之间的介质层；
其中，所述介质层的材料为掺杂量子点的生物基材料。
本发明提供的阻变存储器是一种具有电极-介质层-电极垂直结构的存储器，其中，介质层为掺杂量子点的生物基材料。所述量子点是一种光致发光材料，具有荧光产率高、化学稳定性强、生物相容性好等优点。所述生物基材料是一种具有电致电阻转变行为、不易进行化学修饰的大分子生物基材料，并具有可降解性、密度小、生物相容性好的特点。本发明在所述生物基材料中掺杂所述量子点作为阻变存储器的介质层材料，通过借助量子点的光致发光特性，从而使介质层具有一定的光响应属性，进而赋予存储器光控属性。
优选的，所述底电极为ITO电极、AZO电极中的一种。所优选的底电极具有导电率高、光透过率高、机械硬度高和化学稳定性好的特点。
优选的，所述量子点为碳量子点、钙钛矿量子点、二硫化钼量子点中的一种或多种。所优选的量子点具有良好的生物相容性和水溶性，有利于提高掺杂所述量子点的生物基材料的光响应性，进而提高阻变存储器的光响应灵敏度。
优选的，所述生物基材料为蚕丝蛋白、铁蛋白、壳聚糖中的一种或多种。所优选的生物基材料具有可降解性好、透明性高、密度低等优点。以上述生物基材料制备的阻变存储器具有较大的电流开关比、低密度等良好的性能，有利于多级存储体系的开发，并能显著提升存储器的存储密度。
优选的，所述顶电极为Al电极、Ag电极、Au电极、Pt电极中的一种。本发明所优选的顶电极具有导电性好、稳定好的特点。需要指出的是，本发明不限于上述顶电极，本领域技术人员可以根据实际需要对顶电极进行选择。
本发明还提供一种阻变存储器的制备方法，其中，包括：
步骤A、通过磁控溅射法将底电极材料溅射在基底上，制备得到底电极；
步骤B、通过旋涂法将介质层材料旋涂在所述底电极上，制备得到介质层；其中，所述介质层的材料为掺杂量子点的生物基材料；
步骤C、通过蒸镀法将顶电极材料蒸镀在介质层上，制备得到顶电极。
本发明通过旋涂法将掺杂量子点的生物基材料制备成阻变存储器的介质层，并结合磁控溅射法制备底电极和蒸镀法制备顶电极，从而制备得到了灵敏度高、存储密度高、各层厚度均匀的光响应的阻变存储器。
所述步骤A具体包括：
A1、将柔性基底贴上根据器件需要定制的掩膜版，随后放入磁控溅射仪中；
A2、设置源基距为8-15cm，仪器真空度为1×10-6-4×10-6Pa，氩气压强为0.3-0.4Pa；
A3、控制在0.05-0.1埃/秒的溅射速度下将底电极材料溅射在基底上，制备得到底电极。
所述基底为聚对苯二甲酸乙二酯（PET）基底。本发明所优选的PET基底为透明性好、柔性高，便于对制备的阻变存储器进行加光，提高阻变存储器的光响应性。
本发明所述蒸镀速度为0.05-0.1埃/秒，有利于形成厚度均匀的底电极层。优选地，所述底电极厚度为80-120nm。
所述步骤B具体包括：
步骤B1、将量子点溶液与生物基材料溶液混合得到介质层材料，所述量子点溶液与所述生物基材料溶液均为水溶液，利用已知浓度的生物基材料溶液、已知浓度的量子点溶液和水配置所需浓度的介质层材料。
优选的，所述介质层材料中的量子点的浓度为0.2-2 mg/mL；所述介质层材料中的生物基材料的浓度为5-15 mg/mL。过高的量子点浓度会使得所制备的介电层的电阻急剧减小，丧失电阻转变能力，而过低的量子点使得所制备的存储器的光调节能力失效；过高的生物基材料浓度制备的器件无法观察到电阻转变效应，过低的生物基材料浓度会使得所制备的器件稳定性下降。最优选的，所述量子点浓度为0.5 mg/mL，所述生物基材料浓度为10mg/mL。本发明所述最优选的量子点溶液与所述生物基材料溶液的浓度能够使所制备的存储器的稳定性、电阻转变能力、光调节能力达到最佳。
所述步骤B2中，所述介质层材料是量子点水溶液与生物基材料水溶液混合得到的介质层材料水溶液，能够通过旋涂法在底电极上制备一层介质层。通过控制旋涂速率、旋涂时间的长短、生物基材料和量子点的浓度和比例等条件来制备不同厚度的介质层，进而优化存储器的存储性能和光响应能力。优选的，所述旋涂速率为1000-5000r/min；所述旋涂时间为10-60s。
步骤B3、进行退火处理，在底电极上制备得到介质层。需要指出的是，过高的退火处理温度会使得生物基材料发生变性，降低其存储性能。优选的，所述退火处理的温度不超过60℃。
所述步骤C中，通过蒸镀法将顶电极材料蒸镀在介质层上，制备得到顶电极。步骤C是利用热蒸镀仪在介质层之上蒸镀一层顶电极材料，其中，蒸镀仪的真空度设置为1×10-5-4×10-5Pa，加热温度和蒸镀速率是本领域技术人员可根据所采用的电极材料进行确定。优选的，所述顶电极的厚度为30-50nm。
特别地，本发明还提供一种生物基材料的处理方法，包括以下步骤：
将剪碎的蚕茧用0.02M的碳酸钠溶液溶解，煮沸30-90分钟，除去蚕茧中含有的丝胶，将残留的纤维用大量的去离子水冲洗，并在室温下隔夜干燥，得到蚕丝蛋白粗产品。本发明通过控制煮丝的时间为30-90分钟，从而能获得具有β折叠结构的蚕丝蛋白，此时蚕丝蛋白具有更好的机械性能。
将蚕丝蛋白粗产品用9.3M的溴化锂溶液完全溶解，随后转移至透析袋中，用超纯水透析3天，并每12小时更换一次超纯水，得到蚕丝蛋白透析液。所述透析袋为截留分子量为3000的透析袋。由于蚕丝蛋白的分子量在10000-250000之间，因此通过所述透析袋可虑出其他分子量小的分子和杂质，保留下所需要的蚕丝蛋白，提高蚕丝蛋白的纯度。
将蚕丝蛋白透析液在转速为10000-12000转/分钟的条件下进行离心处理，静置后得到的上层清液即为蚕丝蛋白溶液。本发明通过离心处理能够沉淀出肉眼不可见的不溶物，进一步提高蛋白纯度。
下面通过具体的实施例来对本发明的技术方案进行说明。
实施例1
1、制备蚕丝蛋白溶液
将剪碎的蚕茧用0.02M的碳酸钠溶液溶解，然后煮沸60分钟，除去蚕茧中含有的丝胶，将残留的纤维用大量的去离子水冲洗，并在室温下隔夜干燥，得到蚕丝蛋白粗产品。
将蚕丝蛋白粗产品用9.3M的溴化锂溶液完全溶解，随后转移至截留分子量为3000的透析袋用超纯水透析3天，并每12小时更换一次超纯水，得到蚕丝蛋白透析液。
将蚕丝蛋白透析液在转速为12000转/分钟的条件下进行离心处理，静置后得到的上层清液即为蚕丝蛋白溶液。
2、制备碳量子点-蚕丝蛋白阻变存储器
将擦拭干净的PET柔性基底贴上根据器件需要定制的掩膜版，随后放入磁控溅射仪中；设置源基距为12cm，仪器真空度为3×10-6Pa，氩气压强为0.3Pa；控制在0.07埃/秒的蒸镀速度下将ITO材料溅射至PET柔性基底上，制备得到100nm的ITO电极。
将配制好的碳量子点水溶液与蚕丝蛋白水溶液混合得到碳量子点浓度为0.5mg/mL、蚕丝蛋白浓度为10 mg/mL的碳量子点-蚕丝蛋白介质层材料水溶液；控制旋涂速率为5000r/min将碳量子点-蚕丝蛋白在ITO电极上旋涂40s；在温度为40℃的条件下进行退火处理，在底电极上制备得到介质层。
放入真空度为3×10-5Pa的蒸镀仪中，设置加热温度为120℃，蒸镀速率为2-3埃/秒，利用热蒸镀仪在介质层之上蒸镀得到40nm的Al电极。
3、对所制备的存储器进行测试
将本实施例所制备的存储器通过使用吉时利4200和安捷伦4155C半导体参数分析仪来进行测试。
测试结果请参见图1、图2。图1为本实施例的碳量子点-蚕丝蛋白阻变存储器的存储性能和光响应性测试图。从图中可以看出，本实施例所制备的碳量子点-蚕丝蛋白阻变存储器在不同的光照条件下产生了相应的电阻转变，说明本实施例所制备的存储器是一种光可调的阻变存储器。图2为本实施例的碳量子点-蚕丝蛋白阻变存储器的稳定性测试图。从图中可以看出，本实施所制备的碳量子点-蚕丝蛋白阻变存储器在高电阻和低电阻状态下在一段时间内表现出了良好的稳定性。
综上所述，本发明提供一种阻变存储器，其中，所述阻变存储器中的介质层为掺杂量子点的生物基材料。本发明通过将量子点作为光响应单元掺杂在生物基材料中，从而赋予存储器光可调属性。本发明所述阻变存储器具有良好的光响应属性、质量轻、存储密度高的特点，而且所述介质层具有良好的可降解性和生物相容性，有利于多级存储体系的开发。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (5)
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括：
底电极、顶电极以及设置在所述底电极与所述顶电极之间的介质层；
其中，所述介质层的材料为掺杂量子点的生物基材料；
所述量子点为光致发光量子点；
所述量子点为碳量子点；
所述生物基材料为蚕丝蛋白；
所述阻变存储器通过如下制备方法得到，包括：
步骤A、通过磁控溅射法将底电极材料溅射在基底上，制备得到底电极；
步骤B、通过旋涂法将介质层材料旋涂在所述底电极上，制备得到介质层；
步骤C、通过蒸镀法将顶电极材料蒸镀在介质层上，制备得到顶电极；
所述步骤B具体包括：
步骤B1、将量子点溶液与生物基材料溶液混合后得到介质层材料溶液；
步骤B2、将介质层材料溶液旋涂在底电极上；
步骤B3、进行退火处理，在底电极上制备得到介质层；
所述介质层材料中的量子点的浓度为0.5mg/mL；
所述介质层材料中的生物基材料的浓度为10mg/mL；
所述阻变存储器为光可调的阻变存储器。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极为ITO电极、AZO电极中的一种。
3.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极为Al电极、Ag电极、Au电极、Pt电极中的一种。
4.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A、通过磁控溅射法将底电极材料溅射在基底上，制备得到底电极；
步骤B、通过旋涂法将介质层材料旋涂在所述底电极上，制备得到介质层；其中，所述介质层的材料为掺杂量子点的生物基材料；
步骤C、通过蒸镀法将顶电极材料蒸镀在介质层上，制备得到顶电极；
所述量子点为光致发光量子点；
所述步骤B具体包括：
步骤B1、将量子点溶液与生物基材料溶液混合后得到介质层材料溶液；
步骤B2、将介质层材料溶液旋涂在底电极上；
步骤B3、进行退火处理，在底电极上制备得到介质层；
所述介质层材料中的量子点的浓度为0.5mg/mL；
所述介质层材料中的生物基材料的浓度为10mg/mL；
所述量子点为碳量子点；
所述生物基材料为蚕丝蛋白；
所述阻变存储器为光可调的阻变存储器。
5.根据权利要求4所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述基底为PET基底。
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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| Bistable resistive memory behavior in gelatin-CdTe quantum dot composite film;Sreedevi Vallabhapurapu, et al;《AIP Conference Proceedings》;20180508;第1953卷(第1期);摘要、第030271(2)页第1段至030271(3)页第2段 * |
| Recombinant azurin-CdSe/ZnS hybrid structures for nanoscale resistive random access memory device;Ajay Kumar Yagati,et al;《Biosensors and Bioelectronics》;20161115;第90卷;摘要、第24页左栏最后1段至25页右栏第1段、第27页右栏第1段及图4-5 * |
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