CN108807677A - 一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108807677A
CN108807677A CN201810519742.3A CN201810519742A CN108807677A CN 108807677 A CN108807677 A CN 108807677A CN 201810519742 A CN201810519742 A CN 201810519742A CN 108807677 A CN108807677 A CN 108807677A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
prepared
electron transport
solar cell
composite electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810519742.3A
Other languages
English (en)
Inventor
周欢萍
王立刚
严纯华
孙聆东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Peking University
Original Assignee
Peking University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University filed Critical Peking University
Priority to CN201810519742.3A priority Critical patent/CN108807677A/zh
Publication of CN108807677A publication Critical patent/CN108807677A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明申请的一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法。其特征为使用了使用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层，电池的结构特征为具备透明的顶电极和金属对电极，使用有机小分子、聚合物、无机物等做为空穴传输材料。该种钙钛矿太阳能电池具有很高的热稳定性，此外其光电转换性能也较为优良。

Description

一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能 电池及其制备方法
技术领域
本发明申请涉及一种利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层
的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
有机无机杂化钙钛矿太阳能电池是近些年发展出的一种光电转换效率极高可以媲美商用化的硅基和铜铟镓硒太阳能电池的新型太阳能电池，由于其可以直接通过溶液法制备，具有明显的成本优势。然而由于其组分为大尺寸带电荷量少的离子，决定了其结构稳定性很差。在光照、热应激、电场等条件下其组分很容易发生迁移。一般常规的有机小分子或者聚合物的传输层无法有效阻挡扩散的钙钛矿组分和金属电极扩散导致的接触，这些扩散会导致产生短路的通路，器件的效率会明显的下降，直至器件完全失效。
原子层沉积法一般使用两种前驱体，可将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，并且新一层膜和前一层膜之间是紧密关联的，使用该方法制备的传输层材料非常致密，可以有效覆盖基底材料，有效的阻挡钙钛矿组分和金属电极的相互扩散。但原子层沉积法在沉积过程中会使用水、四氯化钛这类前驱体，这类前驱体会导致钙钛矿活性层的破坏。富勒烯衍生物电子传输层材料具备良好的稳定性和传输性能，然而单一的富勒烯衍生物的电子传输层也无法有效阻挡钙钛矿组分和顶电极的扩散。因为利用富勒烯衍生物/原子层沉积法制备的TiO2复合传输层同时具备致密和传导性能优良的双重优点，利用该复合传输层制备的钙钛矿太阳能电池具备较高的效率和良好的稳定性。
发明内容
本发明申请即是针对现在上述已有的钙钛矿太阳能电池的不足，发明了一种基于富勒烯/二氧化钛复合电子传输层材料的钙钛矿太阳能电池。由于该复合电子传输层材料非常致密，可以有效的阻挡钙钛矿组分和顶电极的相互扩散。因而该器件具备良好的热稳定性，在85℃加热的条件下也可以保持原有效率的80％以上，且其原始效率也可以达到10％。
本发明申请的一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法其特征为使用了使用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层，电池的结构特征为具备透明的顶电极，和金属背电极，使用有机小分子、聚合物、无机物等做为空穴传输材料。该种钙钛矿太阳能电池具有很高的热稳定性，此外其光电转换性能也较为优良。
一种利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池，其制备方法包括如下的步骤：
(1)步骤一，清洗透明导电基底ITO、FTO等。
(2)步骤二，在透明导电基底上通过旋涂、喷涂或者电化学的方法在透明导电基底上制备窗口层如NiO、PTAA、PEDOT等，即第一层传输层材料。
(3)步骤三，通过两步法或者一步法的方法制备钙钛矿光活性层，其厚度介于200-2000nm之间。
(4)步骤四，在钙钛矿光活性层材料上，将富勒烯衍生物的非极性溶剂的溶液通过旋涂、喷涂等工艺制备成第二层传输层材料的薄膜。
(5)步骤五，利用原子层沉积系统，以TiCl4、水作为前驱体，基底在50-200C的条件下，沉积一层厚度为5-200nm厚的TiO2。
(6)步骤六，在高真空的条件下，通过蒸镀、溅射等工艺将低功函的金属电极沉积在第富勒烯/二氧化钛复合电子传输层上。
(7)步骤七，使用适当的封装方法将制备好的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池组件封装好，隔绝水氧，提升其稳定性。
步骤三所指的钙钛矿光活性层其主要制备原料包括，PbI2、MAI、FAI、CsI、PbBr2、PbCl2等。
步骤三中所指的两步法是指先通过旋涂喷涂等工艺先制备卤化铅的薄膜，再在制备好的卤化铅的薄膜上涂上阳离子的前驱体溶液。一步法是指将好的钙钛矿薄膜的前驱体溶液通过一次性成膜的方法制备。
上述方法制备得到的利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池，具有以下的优点：该复合电子传输层材料非常致密，可以有效的阻挡钙钛矿组分和顶电极的相互扩散。因而该器件具备良好的热稳定性，在85℃加热的条件下也可以保持原有效率的80％左右，且其原始效率也可以达到10％。
附图说明
图1：利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能示意图及半电池的扫描电镜照片，实验参数见“实施例一”。
图2：利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率测试曲线，实验参数见“实施例二”。
图3：利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池的在85℃加热的条件下光电转换效率变化情况，实验参数见“实施例三”。
具体实施方式
以下结合具体的实施方式，对本发明申请所述一种利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法进行描述，目的是为了公众更好的理解所述的技术内容，而不是对所述技术内容的限制，事实上，在以相同或近似的原理对所述的太阳能电池及其制备方法进行的改进，都在本发明申请所要求保护的技术方案之内。
实施例一
使用丙酮、乙醇、异丙醇清洗透明导电基底FTO，将2.0％质量含量的醋酸镍的乙醇溶液通过旋涂的工艺涂覆成膜，400℃退火30min。称取550mg PbI2，20mg CsI，将其溶于1mLDMF溶剂中，另配制3mL异丙醇的碘甲脒溶液。在NiO的基底上，利用旋涂法先制备PbI2的薄膜，70℃退火10min，再将碘甲脒的异丙醇溶液旋涂在PbI2的薄膜上，160℃退火15min后即可制备出钙钛矿光活性层。先将富勒烯的衍生物的非极性溶剂的溶液涂在钙钛矿层上。利用原子层沉积系统，在基底温度为100℃的条件下，使用TiCl4和水做为前驱体经多个循环后沉积一层约50nm厚的TiO2层，将该复合传输层置于扫描电镜中，观察其形貌。
图1是利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池的结构示意图及半电池的扫描电镜照片。由图1所示该类型器件自下而上分别是导电基底、空穴传输层、钙钛矿活性层、富勒烯衍生物层、原子层沉积法制备的TiO2、金属电极。由扫描电镜的结果可以看到该复合传输层表面平整。
实施例二
使用丙酮、乙醇、异丙醇清洗透明导电基底FTO，将2.0％质量含量的醋酸镍的乙醇溶液通过旋涂的工艺涂覆成膜，400℃退火30min。称取550mg PbI2，20mg CsI，将其溶于1mLDMF溶剂中，另配制3mL异丙醇的碘甲脒溶液。在NiO的基底上，利用旋涂法先制备PbI2的薄膜，70℃退火10min，再将碘甲脒的异丙醇溶液旋涂在PbI2的薄膜上，160℃退火15min后即可制备出钙钛矿光活性层。先将富勒烯的衍生物的非极性溶剂的溶液涂在钙钛矿层上。利用原子层沉积系统，在基底温度为100℃的条件下，使用TiCl4和水做为前驱体经多个循环后沉积一层约50nm厚的TiO2层，在高真空的条件下，将金属银电极沉积在该复合传输层上，测试其光电转换效率曲线。
图2是利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池的光电转化效率测试曲线。测试方法为：是在一个标准太阳光下，通过对器件进行电压-电流曲线扫描，由图可知，该类型的太阳能电池的光电转化效率较高，可达10％以上，表现出优良的光电转换性能。
实施例三
使用丙酮、乙醇、异丙醇清洗透明导电基底FTO，将2.0％质量含量的醋酸镍的乙醇溶液通过旋涂的工艺涂覆成膜，400℃退火30min。称取550mg PbI2，20mg CsI，将其溶于1mLDMF溶剂中，另配制3mL异丙醇的碘甲脒溶液。在NiO的基底上，利用旋涂法先制备PbI2的薄膜，70℃退火10min，再将碘甲脒的异丙醇溶液旋涂在PbI2的薄膜上，160℃退火15min后即可制备出钙钛矿光活性层。先将富勒烯的衍生物的非极性溶剂的溶液涂在钙钛矿层上。利用原子层沉积系统，在基底温度为100℃的条件下，使用TiCl4和水做为前驱体经多个循环后沉积一层约50nm厚的TiO2层，在高真空的条件下，将金属银电极沉积在该复合传输层上，测试其光电转换效率曲线。并将该太阳能电池组件置于85℃的热台上，每隔一段时间测试其光电转换效率的变化。
图3是利用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池的热稳定性测试结果。将器件置于85℃的热台上，每隔一段时间取下测试其光电转换效率，测试方法为：是在一个标准太阳光下，通过对器件进行电压-电流曲线扫描，由图可知，该类型的太阳能电池展现出了良好的稳定性，在连续加热超过1000小时后，热可保持原有效率的75％以上。
上述实施实例结合附图对本发明进行了描述，本发明的具体实施不受上述实例的限制，基于上述发明所进行的非本质性的改动仍属于该发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法其特征为使用了使用原子层沉积法制备的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层，电池的结构特征为具备透明的顶电极和金属背电极，使用有机小分子、聚合物、无机物等做为空穴传输材料。该种钙钛矿太阳能电池具有很高的热稳定性，此外其光电转换性能也较为优良。
2.如权利要求1所指的钙钛矿光活性层其主要制备原料包括，PbI2、MAI、FAI、CsI、PbBr2、PbCl2。
3.如权利要求1所指钙钛矿光活性层其制备方法有一步法、两步法。
4.一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法包括如下的步骤：
(1)步骤一，清洗透明导电基底ITO、FTO等。
(2)步骤二，在透明导电基底上通过旋涂、喷涂或者电化学的方法在透明导电基底上制备窗口层如NiO、PTAA、PEDOT，即第一层传输层材料。
(3)步骤三，通过两步法或者一步法的方法制备钙钛矿光活性层，其厚度介于200-2000nm之间。
(4)步骤四，在钙钛矿光活性层材料上，将富勒烯衍生物的非极性溶剂的溶液通过旋涂、喷涂等工艺制备成第二层传输层材料的薄膜。
(5)步骤五，利用原子层沉积系统，以TiCl4、水做为前驱体，基底在50-200℃的条件下，沉积一层厚度为5-200nm厚的TiO2。
(6)步骤六，在高真空的条件下，通过蒸镀、溅射等工艺将低功函的金属电极沉积在第富勒烯/二氧化钛复合电子传输层上。
(7)步骤七，使用适当的封装方法将制备好的富勒烯/二氧化钛复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池组件封装好，隔绝水氧，提升其稳定性。
5.权利要求4所述的方法制备得到的一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池。
CN201810519742.3A 2018-05-28 2018-05-28 一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Pending CN108807677A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810519742.3A CN108807677A (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810519742.3A CN108807677A (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108807677A true CN108807677A (zh) 2018-11-13

Family

ID=64090439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810519742.3A Pending CN108807677A (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108807677A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109518162A (zh) * 2018-12-18 2019-03-26 同济大学 一种仿生网粒体结构薄膜材料的制备方法
CN109841703A (zh) * 2019-01-30 2019-06-04 暨南大学 一种高稳定、低暗电流全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法
CN110190192A (zh) * 2019-05-31 2019-08-30 中南大学 一种反式有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN111785835A (zh) * 2020-07-24 2020-10-16 西安电子科技大学 一种复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113675342A (zh) * 2021-08-02 2021-11-19 云南农业大学 一种高性能p-i-n型碳基钙钛矿太阳能电池
CN117939978A (zh) * 2024-03-07 2024-04-26 深圳黑晶光电技术有限公司 一种钙钛矿/电子传输层一体化成膜方法及叠层电池

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236500A (zh) * 2013-04-22 2013-08-07 河北工业大学 双电子传输层结构的反向聚合物太阳能电池
CN104810478A (zh) * 2014-12-27 2015-07-29 镇江市双利光电科技有限公司 一种锡钙钛矿结构的太阳能电池以及制作方法
CN105280827A (zh) * 2015-10-16 2016-01-27 湖北大学 钙钛矿型太阳能电池的制备方法
CN106299141A (zh) * 2016-09-23 2017-01-04 宁波大学 一种复合电子传输层结构的钙钛矿太阳能电池的制造方法
CN107068867A (zh) * 2017-04-01 2017-08-18 南京邮电大学 一种钙钛矿太阳能电池

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236500A (zh) * 2013-04-22 2013-08-07 河北工业大学 双电子传输层结构的反向聚合物太阳能电池
CN104810478A (zh) * 2014-12-27 2015-07-29 镇江市双利光电科技有限公司 一种锡钙钛矿结构的太阳能电池以及制作方法
CN105280827A (zh) * 2015-10-16 2016-01-27 湖北大学 钙钛矿型太阳能电池的制备方法
CN106299141A (zh) * 2016-09-23 2017-01-04 宁波大学 一种复合电子传输层结构的钙钛矿太阳能电池的制造方法
CN107068867A (zh) * 2017-04-01 2017-08-18 南京邮电大学 一种钙钛矿太阳能电池

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109518162A (zh) * 2018-12-18 2019-03-26 同济大学 一种仿生网粒体结构薄膜材料的制备方法
CN109841703A (zh) * 2019-01-30 2019-06-04 暨南大学 一种高稳定、低暗电流全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法
CN109841703B (zh) * 2019-01-30 2021-06-11 暨南大学 一种全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法
CN110190192A (zh) * 2019-05-31 2019-08-30 中南大学 一种反式有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN110190192B (zh) * 2019-05-31 2020-09-08 中南大学 一种反式有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN111785835A (zh) * 2020-07-24 2020-10-16 西安电子科技大学 一种复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113675342A (zh) * 2021-08-02 2021-11-19 云南农业大学 一种高性能p-i-n型碳基钙钛矿太阳能电池
CN117939978A (zh) * 2024-03-07 2024-04-26 深圳黑晶光电技术有限公司 一种钙钛矿/电子传输层一体化成膜方法及叠层电池

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yang et al. Highly efficient perovskite solar modules by scalable fabrication and interconnection optimization
CN108807677A (zh) 一种利用原子层沉积法制备的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
Sun et al. Ultrahigh‐performance self‐powered flexible double‐twisted fibrous broadband perovskite photodetector
Yun et al. New-generation integrated devices based on dye-sensitized and perovskite solar cells
EP3172776B9 (en) Mesoscopic framework for organic-inorganic perovskite based photoelectric conversion device and method for manufacturing the same
Susrutha et al. Recent advances in flexible perovskite solar cells
Albrecht et al. Monolithic perovskite/silicon-heterojunction tandem solar cells processed at low temperature
US20220367739A1 (en) Solar cell comprising a metal-oxide buffer layer and method of fabrication
Lenzmann et al. Recent advances in dye-sensitized solar cells
CN104134711B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
Zhang et al. PVDF-HFP additive for visible-light-semitransparent perovskite films yielding enhanced photovoltaic performance
Wang et al. Boosting the photocurrent density of p-type solar cells based on organometal halide perovskite-sensitized mesoporous NiO photocathodes
Kanda et al. Interface optoelectronics engineering for mechanically stacked tandem solar cells based on perovskite and silicon
Barichello et al. The effect of water in Carbon-Perovskite Solar Cells with optimized alumina spacer
Jiang et al. Co‐Electrodeposited Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cell and Cu2ZnSnS4 Solar Cell–BiVO4 Tandem Device for Unbiased Solar Water Splitting
CN105161622A (zh) 一种基于石墨烯透明电极的太阳能电池
KR102372238B1 (ko) 일체형 탠덤 태양전지 및 그 제조방법
Hwang et al. Electrochemically deposited CZTSSe thin films for monolithic perovskite tandem solar cells with efficiencies over 17%
CN102214518B (zh) 阵列串接式太阳能电池模组的结构及其制造方法
CN106098948A (zh) 单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法
KR20160127253A (ko) 금속 나노선을 광전극으로 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법
Jung et al. Adjusted Bulk and Interfacial Properties in Highly Stable Semitransparent Perovskite Solar Cells Fabricated by Thermocompression Bonding between Perovskite Layers
KR101022543B1 (ko) 태양전지용 반도체 전극, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는태양 전지
JP2008277422A (ja) 積層型光電変換装置
Ringleb et al. Harnessing the potential of porous ZnO photoanodes in dye-sensitized solar cells by atomic layer deposition of Mg-doped ZnO

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20181113

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication