CN108807665B - 一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法 - Google Patents
一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108807665B CN108807665B CN201810415270.7A CN201810415270A CN108807665B CN 108807665 B CN108807665 B CN 108807665B CN 201810415270 A CN201810415270 A CN 201810415270A CN 108807665 B CN108807665 B CN 108807665B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zno
- zno layer
- nanowire
- magnetron sputtering
- preparing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 72
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，所述Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层、第三ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有Ag纳米线。本发明的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器通过在ZnO层中包裹金属纳米线来增强器件的性能，该ZnO层的厚度小，有效地降低了制备的成本和器件的尺寸；通过在ZnO层中包裹金属纳米线，可以提高ZnO阻变存贮器的相应速率，赋予阻变存贮器良好的稳定性。
Description
技术领域
本发明属于传感技术领域，具体涉及一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法。
背景技术
存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，其主要功能是存储各种数据和程序。大数据、云计算、物联网等技术的发展，使得存储分析信息的需求呈爆炸式增长，在集成电路产业中，半导体存储器颇为重要，其广泛应用于信息、安全、国防等领域，因此，不断提高存储器的性能成为信息技术发展的关键之一。
ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的宽禁带金属氧化物，其原料低廉易得，制备工艺简单，具有优异的光电性能和优良的压电性、气敏性、压敏性及湿敏性，是一种性能优异的的导体材料。目前的常见的ZnO阻变存贮器，主要是通过掺杂和引入金属插入层来增强器件的性能，但这存在一定的缺点，例如金属插入层的厚度过大，造成器件的体积较大；器件的相应速率较低，器件稳定性较差。
因此，需要一种相应速率高、具有良好稳定性的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器。
发明内容
本发明的目的是提供一种相应速率高、具有良好稳定性的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法。
本发明采用的技术方案是：一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层、第三ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有Ag纳米线。
优选的，所述Pt薄膜的厚度为30-200nm。更优选的，Pt薄膜的厚度为50nm。
优选的，所述第一ZnO层的厚度为10-30nm。
优选的，所述Ag纳米线的直径为10-100nm，长度为5-200μm。更优选的，Ag纳米线的直径为30nm，长度为5-100μm。更优选的，Ag纳米线的体积占第二ZnO层体积的1-10％。
优选的，所述第二ZnO层的厚度为20-120nm；所述第三ZnO层的厚度为150-350nm。更优选的，第二ZnO层的厚度为200nm；第三ZnO层的厚度为150nm。
优选的，所述电极为Pt电极或Al电极，电极的厚度为30-200nm。更优选的，电极的厚度为50nm。
本发明还提供了Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的制备方法，包括以下步骤：
1)在衬底上制备Pt薄膜；
2)在Pt薄膜上制备第一ZnO层；
3)在第一ZnO层上旋涂Ag纳米线；
4)在Ag纳米线上制备第二ZnO层，使ZnO完全包裹Ag纳米线；
5)在第二ZnO层上制备第三ZnO层；
6)在第三ZnO层上制备电极，得到Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器。
优选的，步骤1)中，采用磁控溅射制备Pt薄膜，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3-1×10-6Pa，溅射温度为300-600℃，溅射功率为300-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa。
优选的，步骤2)中，采用磁控溅射制备第一ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3-1×10-6Pa，溅射温度为400-600℃，溅射功率为350-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa。
优选的，步骤4)中，采用磁控溅射制备第二ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3-1×10-6Pa，溅射功率为300-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa，然后在真空为1×10-3-1×10-6Pa下，升温至300℃退火30-240min，使ZnO完全包裹Ag纳米线。
优选的，步骤5)中，采用磁控溅射制备第三ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3-1×10-6Pa，溅射温度为400-600℃，溅射功率为350-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa。
优选的，步骤6)中，采用磁控溅射制备电极，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3-1×10-6Pa，溅射温度为300-600℃，溅射功率为300-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa。
本发明的有益效果是：本发明的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器通过在ZnO层中包裹金属纳米线来增强器件的性能，该ZnO层的厚度小，有效地降低了制备的成本和器件的尺寸；通过在ZnO层中包裹金属纳米线，可以提高ZnO阻变存贮器的相应速率，赋予阻变存贮器良好的稳定性。
附图说明
图1为Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的结构示意图，其中11为衬底，12为Pt薄膜，13为第一ZnO层，14为Ag纳米线，15为第二ZnO层，16为第三ZnO层，17为电极。
图2为Ag纳米线溅射ZnO薄膜的照片。
具体实施方式
本发明提供了一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层、第三ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有Ag纳米线。
本发明还提供了Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的制备方法，包括以下步骤：
1)在衬底上采用磁控溅射制备Pt薄膜；
2)在Pt薄膜上采用磁控溅射制备第一ZnO层；
3)在第一ZnO层上旋涂Ag纳米线；
4)在Ag纳米线上采用磁控溅射制备第二ZnO层，使ZnO完全包裹Ag纳米线；
5)在第二ZnO层上采用磁控溅射制备第三ZnO层；
6)在第三ZnO层上采用磁控溅射制备电极，得到Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器。
本发明制备的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的结构示意图如图1所示，其中11为衬底，12为Pt薄膜，13为第一ZnO层，14为Ag纳米线，15为第二ZnO层，16为第三ZnO层，17为电极。
在本发明中，步骤4)中，Ag纳米线上采用磁控溅射制备第二ZnO层，照片如图2所示。由图2可知，Ag纳米线穿插于第二ZnO层中。
实施例1
一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的制备方法，包括以下步骤：
1)在衬底上采用磁控溅射制备Pt薄膜，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3Pa，溅射温度为300℃，溅射功率为300W，Ar气的气压为0.01Pa，Pt薄膜的厚度为30nm；
2)在Pt薄膜上采用磁控溅射制备第一ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3Pa，溅射温度为400℃，溅射功率为350W，Ar气的气压为0.01Pa，第一ZnO层的厚度为10nm；
3)在第一ZnO层上旋涂Ag纳米线，其中，Ag纳米线的直径为10nm，长度为5μm；
4)在Ag纳米线上采用磁控溅射制备第二ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3Pa，溅射功率为300W，Ar气的气压为0.01Pa，然后在真空为1×10-3Pa下，升温至300℃退火30min，使ZnO完全包裹Ag纳米线，第二ZnO层的厚度为20nm；
5)在第二ZnO层上采用磁控溅射制备第三ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3Pa，溅射温度为400℃，溅射功率为350W，Ar气的气压为0.01Pa，第三ZnO层的厚度为150nm；
6)在第三ZnO层上采用磁控溅射制备Pt电极，得到Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，其中磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-3Pa，溅射温度为300℃，溅射功率为300W，Ar气的气压为0.01Pa，电极的厚度为30nm。
实施例2
一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的制备方法，包括以下步骤：
1)在衬底上采用磁控溅射制备Pt薄膜，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为5×10-3Pa，溅射温度为350℃，溅射功率为400W，Ar气的气压为1Pa，Pt薄膜的厚度为50nm；
2)在Pt薄膜上采用磁控溅射制备第一ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为5×10-3Pa，溅射温度为450℃，溅射功率为350W，Ar气的气压为1Pa，第一ZnO层的厚度为12nm；
3)在第一ZnO层上旋涂Ag纳米线，其中，Ag纳米线的直径为20nm，长度为10μm；
4)在Ag纳米线上采用磁控溅射制备第二ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-4Pa，溅射功率为400W，Ar气的气压为1Pa，然后在真空为1×10-4Pa下，升温至300℃退火60min，使ZnO完全包裹Ag纳米线，第二ZnO层的厚度为30nm；
5)在第二ZnO层上采用磁控溅射制备第三ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为5×10-3Pa，溅射温度为450℃，溅射功率为350W，Ar气的气压为1Pa，第三ZnO层的厚度为200nm；
6)在第三ZnO层上采用磁控溅射制备Al电极，得到Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，其中磁控溅射过程控制的条件为：真空为5×10-3Pa，溅射温度为350℃，溅射功率为400W，Ar气的气压为1Pa，电极的厚度为50nm。
实施例3
一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的制备方法，包括以下步骤：
1)在衬底上采用磁控溅射制备Pt薄膜，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-4Pa，溅射温度为400℃，溅射功率为500W，Ar气的气压为0.01Pa，Pt薄膜的厚度为50nm；
2)在Pt薄膜上采用磁控溅射制备第一ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-4Pa，溅射温度为400℃，溅射功率为500W，Ar气的气压为0.01Pa，第一ZnO层的厚度为20nm；
3)在第一ZnO层上旋涂Ag纳米线，其中，Ag纳米线的直径为30nm，长度为50μm；
4)在Ag纳米线上采用磁控溅射制备第二ZnO层，得到Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-4Pa，溅射功率为550W，Ar气的气压为0.01Pa，然后在真空为1×10-4Pa下，升温至300℃退火60min，使ZnO完全包裹Ag纳米线，第二ZnO层的厚度为20nm；
5)在第二ZnO层上采用磁控溅射制备第三ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-4Pa，溅射温度为400℃，溅射功率为500W，Ar气的气压为0.01Pa，第三ZnO层的厚度为250nm；
6)在第三ZnO层上采用磁控溅射制备Pt电极，其中磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-4Pa，溅射温度为400℃，溅射功率为500W，Ar气的气压为0.01Pa，电极的厚度为50nm。
实施例4
一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的制备方法，包括以下步骤：
1)在衬底上采用磁控溅射制备Pt薄膜，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-5Pa，溅射温度为500℃，溅射功率为450W，Ar气的气压为5Pa，Pt薄膜的厚度为100nm；
2)在Pt薄膜上采用磁控溅射制备第一ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-5Pa，溅射温度为450℃，溅射功率为450W，Ar气的气压为5Pa，第一ZnO层的厚度为25nm；
3)在第一ZnO层上旋涂Ag纳米线，其中，Ag纳米线的直径为80nm，长度为120μm；
4)在Ag纳米线上采用磁控溅射制备第二ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为6×10-5Pa，溅射功率为500W，Ar气的气压为2Pa，然后在真空为6×10-5Pa下，升温至300℃退火120min，使ZnO完全包裹Ag纳米线，第二ZnO层的厚度为100nm；
5)在第二ZnO层上采用磁控溅射制备第三ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-5Pa，溅射温度为450℃，溅射功率为450W，Ar气的气压为5Pa，第三ZnO层的厚度为25nm；
6)在第三ZnO层上采用磁控溅射制备Pt电极，得到Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，其中磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-5Pa，溅射温度为500℃，溅射功率为450W，Ar气的气压为5Pa，电极的厚度为150nm。
实施例5
一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的制备方法，包括以下步骤：
1)在衬底上采用磁控溅射制备Pt薄膜，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-6Pa，溅射温度为600℃，溅射功率为550W，Ar气的气压为10Pa，Pt薄膜的厚度为200nm；
2)在Pt薄膜上采用磁控溅射制备第一ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-6Pa，溅射温度为600℃，溅射功率为550W，Ar气的气压为10Pa，第一ZnO层的厚度为30nm；
3)在第一ZnO层上旋涂Ag纳米线，其中，Ag纳米线的直径为100nm，长度为200μm；
4)在Ag纳米线上采用磁控溅射制备第二ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-6Pa，溅射功率为550W，Ar气的气压为10Pa，然后在真空为1×10-6Pa下，升温至300℃退火240min，使ZnO完全包裹Ag纳米线，第二ZnO层的厚度为120nm；
5)在第二ZnO层上采用磁控溅射制备第三ZnO层，其中，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-6Pa，溅射温度为600℃，溅射功率为550W，Ar气的气压为10Pa，第三ZnO层的厚度为350nm；
6)在第三ZnO层上采用磁控溅射制备Al电极，得到Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，其中磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-6Pa，溅射温度为600℃，溅射功率为550W，Ar气的气压为10Pa，电极的厚度为200nm。
Claims (7)
1.一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层、第三ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有Ag纳米线；
所述Ag纳米线的直径为10-100nm，长度为5-200μm；
所述Ag纳米线的体积占第二ZnO层体积的1-10％；
所述Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器的制备方法，包括以下步骤：
1)在衬底上制备Pt薄膜；
2)在Pt薄膜上制备第一ZnO层；
3)在第一ZnO层上旋涂Ag纳米线；
4)在Ag纳米线上制备第二ZnO层，使ZnO完全包裹Ag纳米线；
5)在第二ZnO层上制备第三ZnO层；
6)在第三ZnO层上制备电极，得到Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器；
采用磁控溅射制备第二ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-6-1×10-3Pa，溅射功率为300-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa，然后在真空为1×10-6-1×10-3Pa下，升温至300℃退火30-240min，使ZnO完全包裹Ag纳米线。
2.根据权利要求1所述的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述Pt薄膜的厚度为30-200nm。
3.根据权利要求1所述的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述第一ZnO层的厚度为10-30nm。
4.根据权利要求1所述的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述第二ZnO层的厚度为20-120nm；所述第三ZnO层的厚度为150-350nm。
5.根据权利要求1所述的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述电极为Pt电极或Al电极，电极的厚度为30-200nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，采用磁控溅射制备Pt薄膜，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-6-1×10-3Pa，溅射温度为300-600℃，溅射功率为300-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，采用磁控溅射制备第一ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10-6-1×10-3Pa，溅射温度为400-600℃，溅射功率为350-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810415270.7A CN108807665B (zh) | 2018-05-03 | 2018-05-03 | 一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810415270.7A CN108807665B (zh) | 2018-05-03 | 2018-05-03 | 一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108807665A CN108807665A (zh) | 2018-11-13 |
| CN108807665B true CN108807665B (zh) | 2022-05-03 |
Family
ID=64093165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810415270.7A Active CN108807665B (zh) | 2018-05-03 | 2018-05-03 | 一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108807665B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8325507B2 (en) * | 2010-09-29 | 2012-12-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memristors with an electrode metal reservoir for dopants |
| CN105932155A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-09-07 | 西安交通大学 | 一种柔性透明的薄膜型电阻开关及制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101570903B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2015-11-20 | 한양대학교 산학협력단 | 전자빔 조사를 이용한 저항변화층의 제조방법 및 저항 변화 메모리 소자의 제조방법 |
-
2018
- 2018-05-03 CN CN201810415270.7A patent/CN108807665B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8325507B2 (en) * | 2010-09-29 | 2012-12-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memristors with an electrode metal reservoir for dopants |
| CN105932155A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-09-07 | 西安交通大学 | 一种柔性透明的薄膜型电阻开关及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108807665A (zh) | 2018-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI431762B (zh) | 電阻式記憶體元件及其製作方法 | |
| Huang et al. | Nonpolar resistive switching in the Pt/MgO/Pt nonvolatile memory device | |
| CN102779944B (zh) | 一种透明导电薄膜 | |
| CN104445047B (zh) | 一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法 | |
| Ren et al. | Highly transparent conductive ITO/Ag/ITO trilayer films deposited by RF sputtering at room temperature | |
| CN103490009A (zh) | 一种基于氧化石墨烯的柔性阻变存储器及其制备方法 | |
| Sohn et al. | Novel transparent conductor with enhanced conductivity: hybrid of silver nanowires and dual-doped graphene | |
| Liu et al. | A new method for fabricating ultrathin metal films as scratch-resistant flexible transparent electrodes | |
| CN108807665B (zh) | 一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法 | |
| TW201234920A (en) | Electrochromic layer, coated article having same, and method for making the article | |
| CN203617055U (zh) | 一种复合电极结构的氧化锌压敏电阻器 | |
| CN104600193B (zh) | 超高反常霍尔灵敏度薄膜材料、制备方法、磁传感器及元件 | |
| CN105226183B (zh) | 一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法 | |
| CN105845196B (zh) | 锰锡氧化物类透明导电氧化物及利用其的多层透明导电膜以及其制备方法 | |
| CN108193179B (zh) | 一种多层红外透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN105845752A (zh) | 一种应用于柔性光电器件的透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN108682739A (zh) | 一种金属量子点增强ZnO阻变存贮器及其制备方法 | |
| CN105489270B (zh) | 一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN102134704A (zh) | 一种多层透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用 | |
| KR20150075173A (ko) | 투명 전도성 산화물과 은 나노 와이어를 포함하는 투명 전극 및 그 제조방법 | |
| CN113023719A (zh) | 一种低方阻、超洁净石墨烯透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN102117882B (zh) | 一种降低相变存储器单元操作功耗的方法 | |
| CN103276365B (zh) | 一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法 | |
| CN208000937U (zh) | 一种磁阻传感器 | |
| WO2015096644A1 (zh) | 金属掺杂锗碲基阻变存储材料及制备方法和阻变单元器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240227 Address after: 529100 floor 3 and 4, side B, building 107, phase I, new fortune environmental protection electroplating base, yamen Town, Xinhui District, Jiangmen City, Guangdong Province Patentee after: DINGXIANG (JIANGMEN) ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No.22, Dongcheng village, Pengjiang district, Jiangmen City, Guangdong Province Patentee before: WUYI University Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |