CN108767082B - 一种聚苯乙烯隔热量子点led灯珠及其制作方法 - Google Patents
一种聚苯乙烯隔热量子点led灯珠及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108767082B CN108767082B CN201810401831.8A CN201810401831A CN108767082B CN 108767082 B CN108767082 B CN 108767082B CN 201810401831 A CN201810401831 A CN 201810401831A CN 108767082 B CN108767082 B CN 108767082B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glue
- layer
- quantum dot
- polystyrene
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 title claims abstract description 53
- 239000011324 bead Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 12
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003373 AgInS2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020698 PbZrO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠及其制作方法,该灯珠包括支架、LED芯片、隔热层、量子点层,所述支架上表面设置有凹槽,凹槽上表面的支架上设置有LED芯片,LED芯片上方依次设置有隔热层、荧光粉层、量子点层、隔离层;所述隔热层是由PS聚苯乙烯或PS聚苯乙烯胶水构成;将PS聚苯乙烯粉末放入凹槽内,再加热支架,使PS聚苯乙烯融化,或将PS聚苯乙烯粉末加热融化后灌入凹槽内,PS聚苯乙烯冷却后形成隔热层;或将PS聚苯乙烯与胶水混合后,形成10‑30wt%的PS聚苯乙烯胶水,PS聚苯乙烯胶水灌入凹槽内,再通过80‑200℃4‑8h固化后形成隔热层。本发明具有热稳定性好、色域高、光损低、光效高的特点。
Description
技术领域
本发明涉及一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠及其制作方法,尤其是一种具有热稳定性好、色域高、光损低、光效高的聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠及其制作方法。
背景技术
量子点(QuantumDot)又叫纳米晶,是一种把导带电子、价带空穴及激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构,通常由II-VI族或III-V族元素组成,粒径介于1~10nm之间,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。量子点荧光粉具有较宽的吸收谱和较窄的激发谱,具有比传统荧光粉,更优秀的光电性能,NTSC 高达140%。通过改变量子点颗粒尺寸和化学组成,可以使发射光谱覆盖整个可见光区域。
现有LED灯珠是将红、绿荧光粉或者黄色荧光粉与封装胶混合,然后点涂在蓝光芯片上,通过光色复合形成白光LED。该LED存在着下述缺陷:
①目前商用的荧光粉大都为YAG粉或硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON,色域仅能达到72%-93%;
②荧光粉的激发效率低,提高色域只能通过增加用量来实现,远远不能满足当今社会对更低能耗、更高能效以及更高色域的要求;
③将量子点粉与胶混合直接点涂在芯片表面,会由于芯片发热导致量子点失效。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有热稳定性好、色域高、光损低、光效高的聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠及其制作方法。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠,包括支架、LED芯片、隔热层、量子点层;
所述支架上表面设置有凹槽,凹槽上表面的支架上设置有LED芯片,LED芯片上方依次设置有隔热层、荧光粉层、量子点层、隔离层;
所述隔热层是由PS聚苯乙烯或PS聚苯乙烯胶水构成;将PS聚苯乙烯粉末放入凹槽内,再加热支架,使PS聚苯乙烯融化,或将PS聚苯乙烯粉末加热融化后灌入凹槽内,PS聚苯乙烯冷却后形成隔热层;或将PS聚苯乙烯与胶水混合后,形成10-30wt%的PS聚苯乙烯胶水,PS聚苯乙烯胶水灌入凹槽内;隔热层覆盖在LED芯片和支架上表面;
所述荧光粉层由荧光粉与胶水构成;荧光粉与胶水混合形成荧光胶,荧光胶灌入支架上,再通过加热固化荧光胶,形成荧光粉层;
所述量子点层由量子点粉与胶水构成;将量子点粉与胶水混合形成量子点胶水,量子点胶水灌入支架内的凹槽中,流匀固化后形成量子点层;
所述隔离层为聚酰亚胺薄膜、PET薄膜、PET为基材的复合膜、PMMA薄膜或聚乙烯醇薄膜中的一种或多种;
所述支架底部设置有支架焊盘,该灯珠通过焊盘与PCB电路板上配合的电路板焊盘焊接;
所述胶水为UV固化胶类、环氧树脂类、有机硅胶类、聚氨酯类中的一种或两种;
所述量子点粉的材质为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的一种或多种混合;
该灯珠内包含一个或多个LED芯片;所述LED芯片为正装芯片、倒装芯片、垂直芯片中的一种;
所述PS聚苯乙烯融化成膜的温度为150℃-300℃;
所述荧光粉层、所述量子点层、所述隔离层的固化温度为80℃-200℃。
一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠制作方法,包括以下步骤:
步骤一、将LED芯片通过固晶胶或锡膏,固定在凹槽上表面的支架上;
步骤二、将PS聚苯乙烯粉末放入支架的凹槽内,并将支架加热至150-300℃3-5min,使PS聚苯乙烯粉末融化、流匀后在支架和LED芯片上表面形成隔热层;
步骤三、将荧光粉与胶水混合,得到荧光胶;再将荧光胶添加到LED支架的凹槽内,并将支架加热到80-200℃2-8h,使荧光粉固化形成荧光粉层;
步骤四、将隔离剂滴加到荧光粉层的上表面,并将支架加热到80-200℃ 0.5-4h,使隔离剂固化形成隔离层。
本发明提供了一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠及其制作方法,具有热稳定性好、色域高、光损低、光效高的特点。
附图说明
为了便于本领域技术人员理解,下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为本发明一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠的四层灯珠结构示意图;
图2为本发明一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠的荧光隔离层灯珠结构示意图;
图3为本发明一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠的全量子点灯珠结构示意图。
具体实施方式
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠,参见图1,包括支架1、LED芯片2、隔热层3、量子点层5;
所述支架1上表面设置有凹槽,凹槽上表面的支架1上设置有LED芯片2, LED芯片2上方依次设置有隔热层3、荧光粉层4、量子点层5、隔离层6;
所述隔热层3是由PS聚苯乙烯或PS聚苯乙烯胶水构成;将PS聚苯乙烯粉末放入凹槽内,再加热支架1,使PS聚苯乙烯融化,或将PS聚苯乙烯粉末加热融化后灌入凹槽内,PS聚苯乙烯冷却后形成隔热层3;或将PS聚苯乙烯与胶水混合后,形成10-30wt%的PS聚苯乙烯胶水,PS聚苯乙烯胶水灌入凹槽内,再通过80-200℃4-8h固化后形成隔热层3;
所述荧光粉层4由荧光粉与胶水构成;荧光粉与胶水混合形成荧光胶,荧光胶灌入支架1上,再通过加热固化荧光胶,形成荧光粉层4;
所述量子点层5由量子点粉与胶水构成;将量子点粉与胶水混合形成量子点胶水,量子点胶水灌入支架1内的凹槽中,流匀固化后形成量子点层5;
所述隔离层6为聚酰亚胺薄膜、PET薄膜、PET为基材的复合膜、PMMA薄膜或聚乙烯醇薄膜中的一种或多种;
所述支架1底部设置有支架焊盘,该灯珠通过焊盘与PCB电路板上配合的电路板焊盘焊接,PCB电路板通过电路板焊盘、支架焊盘对LED芯片2供电;
所述胶水为UV固化胶类、环氧树脂类、有机硅胶类、聚氨酯类中的一种或两种;
所述量子点粉的材质为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的一种或多种混合;
该灯珠内包含一个或多个LED芯片2;所述LED芯片2为正装芯片、倒装芯片、垂直芯片中的一种;
所述PS聚苯乙烯融化成膜的温度为150℃-300℃;
所述荧光粉层4、所述量子点层5、所述隔离层6的固化温度为80℃-200℃。
一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠制作方法,包括以下步骤:
步骤一、将LED芯片2通过固晶胶或锡膏,固定在凹槽上表面的支架1上;
步骤二、将PS聚苯乙烯粉末放入支架1的凹槽内,并将支架1加热至 150-300℃3-5min,使PS聚苯乙烯粉末融化、流匀后在支架1和LED芯片2上表面形成隔热层3;
步骤三、将荧光粉与胶水混合,得到荧光胶;再将荧光胶添加到LED支架1 的凹槽内,并将支架1加热到80-200℃2-8h,使荧光粉固化形成荧光粉层4;
步骤四、将隔离剂滴加到荧光粉层4的上表面,并将支架1加热到80-200℃ 0.5-4h,使隔离剂固化形成隔离层。
实施例1:
荧光隔离层灯珠,荧光粉层4下方与量子点层5接触,荧光粉层4上方直接与空气接触;荧光粉层4具有将量子点层5与空气隔离作用;
一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠,参见图2,包括支架1、LED芯片2、隔热层3、荧光粉层4、量子点层5;
所述支架1上表面设置有凹槽,凹槽上表面的支架1上设置有LED芯片2, LED芯片2上方依次设置有隔热层3、量子点层5、荧光粉层4;
实施例2:
全量子点灯珠,该灯珠内设置有量子点层5,未设置有荧光粉层4;LED芯片2激发不同发射波长的量子点与胶水混合固化在该灯珠上,再在量子点层5 上方设置隔离层6;
一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠,参见图3,包括支架1、LED芯片2、隔热层3、量子点层5、隔离层6;
所述支架1上表面设置有凹槽,凹槽上表面的支架1上设置有LED芯片2, LED芯片2上方依次设置有隔热层3、量子点层5、隔离层6;
本发明的工作原理:
本发明使用低热导率的PS聚苯乙烯制备隔热层3用于阻隔LED芯片2工作时热量向量子点层5传导,由此可以提升该灯珠的稳定性。优势如下:
①量子点由于自身的特性可以通过调控量子点的尺寸和颗粒大小从而精确控制量子点的发射光谱和色纯度,进而能够发出颜色更纯、光转化效率更高的优质白光;
②使用PS聚苯乙烯制作隔热层将量子点层5与LED芯片2隔绝开,减少量子点层5的温度,避免高温对量子点粉的性能影响,提高该灯珠的热稳定性,进而延长LED发光器件的使用寿命;
③PS聚苯乙烯的热导率低,PS聚苯乙烯的热导率为0.04-0.15W/(m·K), 几乎不受温度而变化,透光率达88%~92%、折射率为1.59~1.60,可以透过可见光波长的光,使该灯珠光损较低,光效高。
本发明提供了一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠及其制作方法,具有热稳定性好、色域高、光损低、光效高的特点。
以上内容仅仅是对本发明结构所作的举例和说明,所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠,包括支架(1)、LED芯片(2)、隔热层(3)、量子点层(5),其特征在于;
所述支架(1)上表面设置有凹槽,凹槽上表面的支架(1)上设置有LED芯片(2),LED芯片(2)上方依次设置有隔热层(3)、荧光粉层(4)、量子点层(5)、隔离层(6);
所述隔热层(3)是将PS聚苯乙烯与胶水混合后,形成10-30wt%的PS聚苯乙烯胶水,PS聚苯乙烯胶水灌入凹槽内,再通过80-200℃4-8h固化后形成隔热层(3);
所述荧光粉层(4)由荧光粉与胶水构成;荧光粉与胶水混合形成荧光胶,荧光胶灌入支架(1)上,再通过加热固化荧光胶,形成荧光粉层(4);
所述量子点层(5)由量子点粉与胶水构成;将量子点粉与胶水混合形成量子点胶水,量子点胶水灌入支架(1)内的凹槽中,流匀固化后形成量子点层(5);
所述隔离层(6)为聚酰亚胺薄膜、PET薄膜、PET为基材的复合膜、PMMA薄膜或聚乙烯醇薄膜中的一种或多种;
所述支架(1)底部设置有支架焊盘,该灯珠通过焊盘与PCB电路板上配合的电路板焊盘焊接;
所述胶水为UV固化胶类、环氧树脂类、有机硅胶类、聚氨酯类中的一种或两种;
所述量子点粉的材质为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的一种或多种混合;
该灯珠内包含一个或多个LED芯片(2);所述LED芯片(2)为正装芯片、倒装芯片、垂直芯片中的一种;
所述PS聚苯乙烯融化成膜的温度为150℃-300℃;
所述荧光粉层(4)、所述量子点层(5)、所述隔离层(6)的固化温度为80℃-200℃。
2.一种聚苯乙烯隔热量子点LED灯珠制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将LED芯片(2)通过固晶胶或锡膏,固定在凹槽上表面的支架(1)上;
步骤二、将PS聚苯乙烯与胶水混合后,形成10-30wt%的PS聚苯乙烯胶水,PS聚苯乙烯胶水灌入凹槽内,再通过80-200℃ 4-8h固化后形成隔热层(3);
步骤三、将荧光粉与胶水混合,得到荧光胶;再将荧光胶添加到LED支架(1)的凹槽内,并将支架(1)加热到80-200℃ 2-8h,使荧光粉固化形成荧光粉层(4);
步骤四、将隔离剂滴加到荧光粉层(4)的上表面,并将支架(1)加热到80-200℃ 0.5-4h,使隔离剂固化形成隔离层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810401831.8A CN108767082B (zh) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 一种聚苯乙烯隔热量子点led灯珠及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810401831.8A CN108767082B (zh) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 一种聚苯乙烯隔热量子点led灯珠及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108767082A CN108767082A (zh) | 2018-11-06 |
CN108767082B true CN108767082B (zh) | 2020-03-20 |
Family
ID=64008694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810401831.8A Active CN108767082B (zh) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 一种聚苯乙烯隔热量子点led灯珠及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108767082B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109256452B (zh) * | 2018-11-19 | 2020-10-30 | 合肥惠科金扬科技有限公司 | Led器件的制作方法及led器件 |
CN112233567A (zh) * | 2019-06-27 | 2021-01-15 | 成都辰显光电有限公司 | 色彩转化组件及其制作方法、显示面板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101093868A (zh) * | 2007-06-15 | 2007-12-26 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 一种led封装结构 |
KR101778161B1 (ko) * | 2011-01-26 | 2017-09-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR102191211B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2020-12-15 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
CN207009474U (zh) * | 2017-02-20 | 2018-02-13 | 天津市中环量子科技有限公司 | 一种多层封装的量子点led结构 |
CN107565003B (zh) * | 2017-07-31 | 2019-04-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点led封装结构 |
-
2018
- 2018-04-28 CN CN201810401831.8A patent/CN108767082B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108767082A (zh) | 2018-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103066188B (zh) | 一种蓝光激发碳点发光的白光led及其制备方法 | |
CN204375790U (zh) | 一种全无机白光贴片led封装结构 | |
CN108767082B (zh) | 一种聚苯乙烯隔热量子点led灯珠及其制作方法 | |
CN100565000C (zh) | 利用yag透明陶瓷制备白光led的方法 | |
CN101707235A (zh) | 高温共烧陶瓷封装大功率集成led光源 | |
CN106935693A (zh) | 一种五面发光的量子点csp背光源及其制备方法 | |
CN109285938B (zh) | 一种高热稳定的芯片级led封装方法及其产品 | |
JP4516378B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
CN108615722A (zh) | 一种背光模组用蓝光芯片、绿光芯片高色域led灯珠 | |
WO2017049963A1 (zh) | 一种具备多热流通道的白光led模组及其制备方法 | |
CN101123834A (zh) | 一种led的制造方法 | |
CN105870294B (zh) | 一种高功率led的封装方法及封装结构 | |
CN105226146A (zh) | 液态量子点led及其制备方法 | |
CN206322725U (zh) | 一种量子点白光led器件 | |
CN105431503A (zh) | 大功率高温白光led封装及其制作方法 | |
CN205752229U (zh) | 一种高功率led的封装结构 | |
CN206349387U (zh) | 基于陶瓷金属基板的led灯珠结构 | |
CN110556464A (zh) | 发光二极管封装结构及封装方法 | |
CN205050875U (zh) | 一种led线路板 | |
CN104993033A (zh) | 分布式ⅲ族氮化物发光半导体的emc金属接合装置及封装方法 | |
KR100855556B1 (ko) | 발광다이오드 | |
CN204905292U (zh) | 一种具备多热流通道的白光led模组 | |
CN204885208U (zh) | 分布式ⅲ族氮化物发光半导体的emc金属接合装置 | |
CN104465958A (zh) | 高压白光led及其制作方法 | |
CN206460968U (zh) | 投影装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |