CN108763789B - 基于忆容器的回转忆感器电路 - Google Patents
基于忆容器的回转忆感器电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108763789B CN108763789B CN201810554893.2A CN201810554893A CN108763789B CN 108763789 B CN108763789 B CN 108763789B CN 201810554893 A CN201810554893 A CN 201810554893A CN 108763789 B CN108763789 B CN 108763789B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistor
- memory
- circuit
- operational amplifier
- gyrator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/36—Circuit design at the analogue level
- G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于忆容器的回转忆感器电路。电路由两个集成运放、电阻和一个忆容器构成。其中集成运放以及电阻构成了电感回转器,回转器起到将容性负载转换为感性负载的功能,当从该电路输入端看去时,电路呈现电感特性。本发明电路结构简单,仅仅包括回转电路以及忆容器两部分,忆感值继承了忆容值变化的特点,同样具有记忆功能,且记忆功能会随着信号频率的变化而变化,完全符合记忆器件的特性。
Description
技术领域
本发明属于电路设计技术领域,涉及一种忆感器等效电路,满足忆感器电流与磁通间紧致滞回曲线特性。
背景技术
发明内容
针对现有技术的不足,本发明利用回转电路将容性负载回转成感性负载的特性,在回转电路的负载端接入忆容器,实现了忆容器到忆感器之间的转化,从而搭建出基于忆容器回转忆感器电路。
本发明设计了一种基于忆容器的回转忆感器等效电路。电路包含两个集成运放、若干电阻以及一个忆容器等效模型。其中集成运放以及电阻构成了电感回转器,回转器起到将容性负载转换为感性负载的功能,当从该电路输入端看去时,电路呈现电感特性。其中回转器具体电路连接关系如下:
回转器电路采用两级运算放大器,其中一级运算放大器的正向输入端分别连接第一电阻的一端、第二电阻的一端和第三电阻的一端,第一电阻的另一端接一级运算放大器的输出端,第二电阻的另一端接地,第三电阻的另一端为回转忆感器电路的一个信号端,回转忆感器电路的另一个信号端接地;一级运算放大器的负向输入端通过第四电阻与一级运算放大器的输出端连接,同时一级运算放大器的负向输入端与第五电阻的一端连接,第五电阻的另一端分别连接二级运算放大器的正向输入端、第六电阻的一端和忆容器的一端,第六电阻的另一端接二级运算放大器的输出端,二级运算放大器的输出端还通过第七电阻与二级运算放大器的负向输入端连接,二级运算放大器的负向输入端还与第八电阻的一端连接,第八电阻的另一端、忆容器的另一端接地,所述的第一电阻、第四电阻、第六电阻、第七电阻的阻值均为51欧姆,第二电阻、第五电阻、第八电阻的阻值均为1000欧姆,第三电阻的阻值为2000欧姆。
忆容器模型作为回转器的负载,使用的忆容器模型为压控型忆容器,其数学模型为:
本发明使用的忆容器数学模型为:
即忆容:
综合回转器电路特性以及负载忆容器忆容值,经计算得此回转忆感器电路的等效忆感值为:
LM=R2CM
本发明的有益效果:该回转忆感器电路结构简单,仅仅包括回转电路以及忆容器两部分,其中第一部分回转电路采用了两个集成运算放大器和若干电阻,利用集成运放的虚短虚断的特性,实现回转电路负载端口和输入端口之间的阻抗转换,在负载端接入容性器件时,通过这个阻抗变换器,输入端呈现电感特性。第二部分忆容器模型根据HP忆阻器数学模型形式推导得出。由实际器件的数学模型推导出的忆容器模型更具现实意义。由以上两部分组成的电路实现了忆容到忆感的转化,其中忆感值继承了忆容值变化的特点,同样具有记忆功能,且记忆功能会随着信号频率的变化而变化,完全符合记忆器件的特性。在记忆器件应用在仿真、分析等方面研究中,此电路提供了一种新的等效器件。
附图说明
图1是回转器端口示意图。
图2是回转忆感器的等效电路框图。
图3是回转忆感器电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本电路作更进一步的详细说明。
如图1和图2所示,回转忆感器包括回转器电路和忆容器两部分。回转器是一种有源非互易的新型二端口网络原件,特性表现为它能将2-2’端口的电压(电流)“回转”为1-1’端口上的电流(电压),可以把2-2’端口的电容回转为1-1’端口的电感。端口量之间的关系为:
回转系数g具有电导的量纲。
本回转忆感器的回转器电路采用两级理想运算放大器组成。图3电路中电阻r=2kΩ(第三电阻)、R0=51Ω(第一电阻、第四电阻、第六电阻、第七电阻)、R=1kΩ(第二电阻、第五电阻、第八电阻)。根据理想运算放大器“虚短”、“虚断”原理可列出两个集成运放同相输入端和反相输入端的电压电流公式分别为:
设两个集成运放的输出电压分别为Uo1、Uo2,回转器的1-1’端口电压电流分别为U1、I1,2-2’端口的电压电流分别为U2、I2,根据电路原理知识可列各节点电压电流方程组:
解上述方程组,得:
回转电感的另一个组成部分为一个忆容器,该忆容器模型是荷控忆容器的形式。该忆容器数学模型是根据HP忆阻器的忆阻数学模型推导得出的。HP忆阻器的数学模型为:
由此可得忆阻:
其中,a=ROFF,b=(ROFF-RON)μvRON/D2。类比压控忆容器模型以及上述HP忆阻器忆阻表达式可得出忆容器的一种数学模型:
回转忆感器是由上述回转器电路和忆容器两部分组成。回转器的负载端接入阻抗ZL,则输入阻抗为:
所以当该回转器的负载是一个忆容器时,回转器电路的输入阻抗为:
在回转器的2-2’端接一个电容元件,在1-1’端看入时,整个电路可以等效为一个电感元件,等效电感为:L=C/g2=CR2。现在回转器的输出2-2’端口接入忆容器,从1-1’端看入时,整个电路的等效忆感值为:
本领域的普通技术人员应当认识到,以上实施例仅是用来验证本发明,而并非作为对本发明的限定,只要是在本发明的范围内,对以上实施例的变化、变形都将落在本发明的保护范围内。
Claims (2)
1.基于忆容器的回转忆感器电路,其特征在于:包括集成运算放大构成的回转器电路和忆容器,由回转器电路将容性负载回转成感性负载的特性,在回转器电路负载端接入忆容器,从输入端口看进去,整个电路呈现出忆感特性;
所述的回转器电路采用两级运算放大器,其中一级运算放大器的正向输入端分别连接第一电阻的一端、第二电阻的一端和第三电阻的一端,第一电阻的另一端接一级运算放大器的输出端,第二电阻的另一端接地,第三电阻的另一端为回转忆感器电路的一个信号端,回转忆感器电路的另一个信号端接地;一级运算放大器的负向输入端通过第四电阻与一级运算放大器的输出端连接,同时一级运算放大器的负向输入端与第五电阻的一端连接,第五电阻的另一端分别连接二级运算放大器的正向输入端、第六电阻的一端和忆容器的一端,第六电阻的另一端接二级运算放大器的输出端,二级运算放大器的输出端还通过第七电阻与二级运算放大器的负向输入端连接,二级运算放大器的负向输入端还与第八电阻的一端连接,第八电阻的另一端、忆容器的另一端接地,所述的第一电阻、第四电阻、第六电阻、第七电阻的阻值均为51欧姆,第二电阻、第五电阻、第八电阻的阻值均为1000欧姆,第三电阻的阻值为2000欧姆。
2.根据权利要求1所述的回转忆感器电路,其特征在于:所述的忆容器为压控忆容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810554893.2A CN108763789B (zh) | 2018-06-01 | 2018-06-01 | 基于忆容器的回转忆感器电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810554893.2A CN108763789B (zh) | 2018-06-01 | 2018-06-01 | 基于忆容器的回转忆感器电路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108763789A CN108763789A (zh) | 2018-11-06 |
CN108763789B true CN108763789B (zh) | 2022-05-31 |
Family
ID=64001893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810554893.2A Active CN108763789B (zh) | 2018-06-01 | 2018-06-01 | 基于忆容器的回转忆感器电路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108763789B (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103531230A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 湘潭大学 | 一种基于忆阻器的浮地忆容器和忆感器模拟器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8767438B2 (en) * | 2012-03-19 | 2014-07-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memelectronic device |
CN104681710A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-06-03 | 中国科学院物理研究所 | 一种电磁转换器件 |
-
2018
- 2018-06-01 CN CN201810554893.2A patent/CN108763789B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103531230A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 湘潭大学 | 一种基于忆阻器的浮地忆容器和忆感器模拟器 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
The gyrator for transforming nano memristor into meminductor;Shao-Fu Wang;《Circuit World》;20161107;第42卷(第4期);第197-199页 * |
基于忆阻器的记忆元件模型的研究;吴梦雯;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》;20150715(第07期);C042-374 * |
忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真;曹新亮;《固体电子学研究与进展》;20140425;第34卷(第2期);第120-123页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108763789A (zh) | 2018-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103559328B (zh) | 一种忆容器的实现电路及其实现方法 | |
WO2004097868A3 (en) | Charge balancing circuit for double-layer capacitors | |
CN104868916B (zh) | 模数转换器及其控制方法 | |
Khateb et al. | Shadow filters based on DDCC | |
Yuce et al. | Commercially available active device based grounded inductor simulator and universal filter with improved low frequency performances | |
CN106603220A (zh) | 一种三阶忆阻有源带通滤波器混沌电路 | |
CN108763789B (zh) | 基于忆容器的回转忆感器电路 | |
Maheshwari et al. | Grounded capacitor first-order filters including canonical forms | |
Singh et al. | New meminductor emulators using single operational amplifier and their application | |
Aggarwal et al. | New memristor-less, resistor-less, two-OTA based grounded and floating meminductor emulators and their applications in chaotic oscillators | |
CN109462467B (zh) | 一种含有隐藏吸引子的四维混沌系统及其实现电路 | |
Paul et al. | Realization of inverse active filters using single current differencing buffered amplifier | |
CN106685376A (zh) | 一种分数阶电感电路 | |
CN204559546U (zh) | 模数转换器 | |
Srivastava et al. | A new configuration for simulating passive elements in floating state employing VDCCs and grounded passive elements | |
Singh et al. | New grounded immittance simulators employing a single CFCC | |
Arora | Realization of current-mode universal filter utilising minimum active elements and only grounded passive components | |
CN115765964A (zh) | 一种具有同构调幅功能的三角波忆阻保守信号发生器 | |
CN110046472B (zh) | 基于电流传输器的二次非线性磁控忆阻模拟器 | |
CN109670221A (zh) | 一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路 | |
CN111611528B (zh) | 电流值可变的电流积分和电荷共享的多位卷积运算模组 | |
CN106788263A (zh) | 一种分数阶电容电路 | |
WO2017201763A1 (zh) | 采样装置 | |
Fouda et al. | Series and parallel circuit models containing memristors and inverse memristors | |
CN207304499U (zh) | 开关电容减法电路和传感器设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |