CN108701745A - 热交换器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种热交换器(1)，其包括肋状结构(4)和具有至少一个具有p‑掺杂的P型半导体(8)和n‑掺杂的P型半导体(9)珀耳帖元件(7)的热电调温装置(6)。通过各自具有电绝缘的基础层(13)和导电的连接层(14)的连接结构(12)，实现了热交换器(1)的提高的效率和更高负荷能力，其中，基础层(13)设置在肋状结构(4)处并且连接层(14)设置在基础层(13)上，其中，为了电连接，相关的半导体(8、9)安装在连接层(14)上。此外，本发明涉及一种由这种肋状结构(4)以及调温装置(6)组成的组件(21)，调温装置(6)的半导体(8、9)借助于这种连接结构(12)相互电接触并且安装在肋状结构(4)上。

Description

热交换器

技术领域

本发明涉及一种具有肋状结构和热电调温装置的热交换器。本发明此外涉及一种具有这种调温装置和这种肋状结构的热交换器的组件。

背景技术

热交换器通常用于与流体交换热。在此，可设想的是，热交换器设有电热源。在此缺点是，在这种类型的热源运行时导致浪费地产生热，导致相对低的效率和/或相对高的能量消耗。

原则上可设想的是，热交换器设有布置在流动腔中的肋状结构，与其进行热交换的流体流过该流动腔。这种类型的肋状结构通常由板制成并且用于与流体更好的热交换，并且由此特别地提高热交换器的效率。

通常，可通过使用具有珀耳帖元件的热电调温装置实现热交换器的更好的效率和/或热交换器的可替选的设计方案，珀耳帖元件以已知的方式实现以“泵送”热的方式的热交换。在此，这种类型的珀耳帖元件包括多个半导体，其以确定的方式相互电接触。这一方面要求确定的半导体元件彼此电接触并且另一方面要求其它半导体元件彼此电绝缘。为了特别是避免珀耳帖元件的不期望的短路，因此通常的是，珀耳帖元件在相对的端部处构造成电绝缘。为此，通常使用电绝缘的板(由于其有利的导热能力性能)特别是使用陶瓷板。然而，这种类型的板是相对刚性的组织，其在相应的热负荷时、特别是在大的和/或快速的温度变化时可导致珀耳帖元件或调温装置的热应力和损坏。此外，这种类型的板表现出热障碍，其不利地影响调温装置的效率。这也适用于具有相对好的导热能力的陶瓷板。

发明内容

因此，本发明提出的目的是，为上述类型的热交换器以及为这种热交换器的组件给出更好的或至少另一实施形式，其特别是通过更高的效率和/或更好的使用寿命和/或更高的负荷能力表征。

根据本发明，该目标通过独立权利要求的对象实现。从属权利要求的主题是有利的实施形式。

本发明基于这样的基本想法，即，在具有肋状结构和具有至少一个珀耳帖元件的热电调温装置的热交换器中，将珀耳帖元件的半导体安装到肋状结构处并且通过基础层与肋状结构电绝缘。即，珀耳帖元件的半导体直接安装在肋状结构处，从而特别是使用肋状结构的可变形的、特别是可弹性变形的性能，以相应地以可相对于彼此运动的方式布置珀耳帖元件的半导体。由此，在热交换器或珀耳帖元件运行时导致珀耳帖元件与热变化的更好匹配，特别是导致更好的机械收缩和/或膨胀。即，改善珀耳帖元件以及由此热交换器的负荷能力以及使用寿命。此外，通过使用用于电绝缘的基础层，可省去用于电绝缘的独立的板，从而改善了珀耳帖元件的热交换并且由此提高了效率。

相应于本发明的想法，热交换器在此具有流动腔，其可被以下被称为第一流体的流体穿流。肋状结构布置在流动腔中并且可被第一流体穿流。第一流体与热传递腔进行热交换，其中，在肋状结构和优选地与流动腔分离的热传递腔之间，布置用于在热传递腔和流动腔之间进行热传递的热电调温装置。热电调温装置具有至少一个这种珀耳帖元件，其中，珀耳帖元件具有多个半导体，即，p-掺杂的P型半导体和n-掺杂的N型半导体。电绝缘的基础层是连接结构的组成部分，连接结构此外具有导电的连接层。在此，连接结构布置在肋状结构的面对珀耳帖元件的一侧。根据本发明，基础层设置在肋状结构处，而连接层被施加在基础层的背离肋状结构的一侧。也就是说，基础层使连接层相对于肋状结构电绝缘。在连接层处安装这种P型半导体和用于与该半导体电接触的这种N型半导体，其中，这些半导体布置在连接层的背离基础层的一侧。也就是说，P型半导体与N型半导体的电接触通过连接层实现，连接层借助于基础层与肋状结构电绝缘。由此，半导体在热机械负载时可与肋状结构一起运动，并且由此特别是防止或至少减小了热应力。相应地，实现了珀耳帖元件以及由此热交换器的所述更长的使用寿命和更高的负荷能力。

此外，通过肋状结构(通常含金属)进行热交换并且由此提供更好的热交换可能性并且由此导致珀耳帖元件的以及由此相应地相关的调温装置或热交换器的更好效率。在此，设置多个这种连接结构，其中，这种P型半导体和这种N型半导体通过相应的连接结构相互电接触。

肋状结构优选地由金属或金属合金制成。特别是可设想，肋状结构由铝或铝合金或由铜或铜合金制成。

原则上，可任意设计半导体在与连接层相对的一侧可能必要的电接触。为此，例如分别可使用电连接元件，例如导电的板元件等。

原则上可任意设计肋状结构的其它可能必要的电接触。例如可设想，在流动腔中的不同的肋状结构相互电接触。也可设想，肋状结构借助于在半导体的背离肋状结构的一侧延伸的电连接部电接触。

原则上，基础层可为与肋状结构相连接的层。在此优选的是，基础层材料配合地与肋状结构相连接，例如粘接。可替选地或附加地，该连接可至少部分地以化学的键合和/或物理连接方式，例如机械爪为基础。在优选的实施形式中，通过氧化在肋状结构上设置基础层。也就是说，肋状结构通过相应的氧化设有基础层。例如可设想的是，通过氧化反应将基础层施加到肋状结构上，特别是通过相应的氧化涂覆肋状结构。如此利用基础层涂覆肋状结构，特别地导致产生如下电绝缘层：该电绝缘层可非常薄、例如厚度在几微米的范围内。即，这种基础层提供充分高的电绝缘，并且同时、特别是通过薄的构造方案给出相对少的热交换障碍。

证实为有利的实施形式是，基础层特别是通过相应地与肋状结构连接而具有与肋状结构相似的伸展和收缩性能，这导致在基础结构和肋状结构之间并且由此在半导体和肋状结构之间的稳定连接。即，相应地实现在肋状结构和基础层之间的热稳定的连接，其导致半导体的相应可移动的布置方案。

同样优选的实施形式是，肋状结构通过还原-氧化反应设有基础层。也就是说，基础层通过还原-氧化反应与肋状结构相连接。由此，也得到在基础层和肋状结构之间的稳定连接，其中，基础层有利地具有与肋状结构相似的伸展和/或收缩性能，这在温度变化的情况中、特别是在热机械负载时导致相应的稳定性。

此外，氧化或使用还原-氧化反应导致产生含金属的肋状结构的相应电绝缘的层。即，在肋状结构上局部地产生氧化的层。

在此，特别优选的是，通过肋状结构的氧化或还原-氧化反应在肋状结构处制造基础层。也就是说，通过以下方式实现基础层：即，肋状结构局部地在基础层的区域中被氧化，或者经受还原-氧化反应。即，这种基础层整体地设置在肋状结构处。此外，由此不需要基础层与肋状结构的独立连接。

例如，如果肋状结构由铝制成或含铝，基础层例如可以铝阳极氧化的方式被施加到肋状结构上。

原则上，可为至少两个这种连接层分配这种共同的基础层。也就是说，这种基础层使至少两个这种连接层相对于肋状结构电绝缘。在此可设想，肋状结构在面对半导体的一侧完全地或至少在连接结构的重要区域中完全地设有基础层。这使设有至少一个基础层的肋状结构变得简单。此外，由此至少减小了在连接层和肋状结构之间的短路风险。

肋状结构也可仅仅在连接层的区域中分别设有这种基础层。即，在这种情况中，特别是为相应的连接层分配与其它连接层的基础层分离的这种自身的基础层。在此优选的是，基础层比连接层更大，特别是具有更大的横截面。由此，特别是防止或至少减少在连接层和肋状结构之间的短路。由此，也实现了基础层的更好的热匹配，因为其不是在肋状结构的更小表面上进行匹配。

可在传递腔侧任意设计借助于热电调温装置或珀耳帖元件辅助的在流动腔、确切地说第一流体与热传递腔之间的热交换。例如，可通过与流动腔、确切地说第一流体交换热的实心体实现热传递腔。

也可设想的是，热传递腔可被第二流体穿流并且由管限制，其中，热电调温装置、特别是珀耳帖元件布置在肋状结构和管之间。由管限制的热传递腔在此优选地与流动腔流体分离。在此，第二流体可为与第一流体不同的流体。

也可设想的实施形式是，热传递腔可被第二流体穿流并且由板结构限制，其中，热调温装置、特别是珀耳帖元件的半导体布置在肋状结构和板结构之间。在此，由板结构限制的热传递腔优选地也与流动腔流体分离。有利地，板结构具有不平整的、例如波形的形状并且可被第二流体穿流。即，板结构特别地也可构造成布置在热传递腔中的肋状结构。

特别是也可设想，板结构以与肋状结构相似的方式与珀耳帖元件的半导体相连接和/或以相似的方式接触半导体。也就是说，在板结构的面对珀耳帖元件、特别是半导体的一侧设置多个这种连接结构。在此，板结构设有基础层，其中，在基础层的背离板结构的一侧，施加用于使这种P型半导体与这种N型半导体电接触的连接层。

优选地，基础层具有柔性，使得基础层在热交换器、特别是热电调温装置运行时、特别优选地在热交换器的整个运行周期期间确切地说在肋状结构处保持其电绝缘性能。在此，一方面注意特别是在相关的连接层的区域中肋状结构的柔性，并且另一方面注意如下部件的柔性，即，半导体在背离肋状结构的一侧与该部件相连接。即，基础层的柔性优选地就此与肋状结构和/或部件的柔性相匹配。在此，基础层的柔性特别是与肋状结构的基础原材料、确切地说制成肋状结构的材料的厚度相关。该厚度例如在30μm至200μm的范围内。同样适用于所述部件。

优选地，同样适用于连接层的柔性。也就是说，如以上解释的那样，使连接层在其柔性方面与肋状结构和/或部件相匹配。特别是，可使连接层在其柔性方面与相关基础层相匹配，从而在热交换器运行期间、特别优选地在热交换器的整个运行持续时间期间保持获得在连接层和相关的基础层之间的连接，和/或使连接层保持导电。

如果不仅肋状结构而且所述部件实施成柔性的，则例如通过柔性的弯曲补偿约5μm至50μm的最大移动。如果肋状结构或所述部件是刚性的，例如构造成管，则例如通过柔性弯曲补偿例如100μm至1000μm的最大移动。即，在其柔性方面相应地匹配基础层和/或连接层。有利地，匹配成，使得柔性允许弯曲，而不损失基础层或连接层的上述性能。

原则上，连接层可由任意材料制成，只要连接层具有用于使相关的半导体电接触的充分高的导电性。特别是可设想，连接层由金属或金属合金制成。在此有利的是，连接层具有比肋状结构的传导性更高的导电性。即，连接层特别是具有比铝或铝合金的导电性更高的导电性。

在此，连接层原则上可具有任意形状。在此，特别优选的是，连接层具有从面对基础层的一侧延伸到背离基础层的一侧的厚度，该厚度比连接层的横向于厚度延伸的宽度和/或横向于厚度且横向于宽度延伸的长度小至少10倍。换句话说，连接层构造成尽可能薄且宽。在此，连接层的薄的构造方案导致连接层的相应有利的柔性，以特别是平衡热应力。宽的连接层构造方案同时用于在连接层之内高的导电性，以在相关的半导体之间建立充分高的电连接。

基础层优选地具有至少1W/m K的导热能力。优选的实施形式是，基础层具有至少几W/m K、例如至少1-50W/m K的导热能力。由此，不减小或相对少地减小在相关的半导体和肋状结构之间的热交换。在此，在与肋状结构化学和/或物理连接时，基础层优选地具有在1W/m K至10W/m K之间的、特别是在1W/m K至5W/m K之间的导热能力。这种通过氧化、特别是铝阳极氧化、确切地说还原-氧化反应构造的基础层优选地具有在1W/m K至50W/m K之间的、特别是在10W/m K至50W/m K之间的导热性。

基础层的厚度优选地比100μm更薄，特别是在1μm至100μm之间。特别优选的实施形式是，基础层具有在30μm至50μm之间的厚度。

优选的是，在相应的连接层和相关的半导体之间未布置其它组成部分，除了可以为了使连接层与半导体机械连接所需的组成部分。也就是说，半导体直接安装在相应的连接层处是优选的。由此，除了在调温装置与肋状结构或流动腔之间更好的热交换，得到刚性较低的构造方案。较低刚性的构造方案导致更好地消除热引起的负载，并且由此导致更好的热机械稳定性。

与此相似，优选的是，相应的连接结构直接设置在基础层处和/或肋状结构直接设有基础层。

原则上，可任意构造和/或成型肋状结构。优选地，肋状结构由板部件制成且优选地是一体的。特别是，板部件可通过变形制成肋状结构。除了成本适宜的制造方案，这导致更好的导热能力以及重量减小。

优选的实施形式是，肋状结构具有多个第一基础区段和第二基础区段，其彼此间隔开并且通过肋状结构的侧边相互连接。在此，相应的第一基础区段设有基础层，相反地，第二基础区段布置在第一基础区段的背离调温装置的一侧。特别是，第一基础区段和第二基础区段可平行地延伸。

优选地，邻近的第一基础区段和第二基础区段分别通过侧边相互连接。在此，邻近的第一基础区段和第二基础区段分别具有共同的这种侧边，其中，使基础区段与两个邻近的基础区段相连接的两个侧边从相应的基础区段伸出。显然这不是一定适用于最外部的基础区段。

证实为有利的变型方案是，第一基础区段彼此间隔开。此外有利的变型方案是，第二基础区段彼此间隔开。这分别导致更好地消除热引起的负荷、特别是应力，并且由此导致肋状结构以及由此调温装置和热交换器的更好的热机械稳定性。

根据有利的变型方案，肋状结构的邻近的侧边布置成彼此倾斜。肋状结构的这种类型的构造方案导致肋状结构的更高的柔性和弹性，并且由此导致更好地消除热负载、特别是应力。在此，从相应的基础区段伸出的侧边可彼此面对和/或与相关的基础区段形成锐角。

可理解的是，除了热交换器，由这种肋状结构和这种调温装置组成的组件也属于本发明的范围，在调温装置中，调温装置的半导体通过连接结构安装在肋状结构处。

从从属权利要求、附图和根据附图的相关附图描述中得到本发明的其它重要特征和优点。

可理解的是，以上所述的和以下还将解释的特征不仅可使用在相应给出的组合中，而且可使用在其它组合中或单独地使用，只要不脱离本发明的范围。

附图说明

在图中示出并在以下描述中详细解释本发明的优选的实施例，其中，相同的附图标记表示相同的或相似的或功能相同的部件。

其中，分别示意性地：

图1示出了穿过热交换器的纵截面，

图2示出了穿过热交换器的横截面，

图3示出了在另一实施例中的热交换器的视图，

图4示出了在另一实施例中的图1中的截面，

图5示出了在另一实施例中的图4中的视图。

具体实施方式

在图1中示出了热交换器1，其可应用在此外未示出的机动车中。热交换器1具有流动腔2和与流动腔2流体地分离的热传递腔3。流动腔2被第一流体穿流，而热传递腔3被第二流体穿流。在此，在热交换器1中在第一流体和第二流体之间进行热交换。在流动腔2中布置肋状结构4，其在所示出的纵截面中具有Ω形。热传递腔3被管5限制，管5也限制流动腔2或者布置在流动腔2中。在肋状结构4和管5或热传递腔3之间布置具有珀耳帖元件7的热电调温装置6。珀耳帖元件7具有多个-p-掺杂的P型半导体8和n-掺杂的N型半导体9，其在所示出的示例中沿着管5交替地布置。为了使以珀耳帖元件7的形式的半导体8、9电连接，在此P型半导体8和N型半导体9分别相互电连接。在半导体8、9的面对特别是构造成平管5'的管5的一侧，相关的P型半导体8和N型半导体9借助于导电的连接元件10相互电连接。由于管5制成导电的或例如由金属制成，在管5和连接元件10之间布置电绝缘的板11，以防止在连接元件10之间短路。在此，管5在面对半导体8、9的一侧完全被板11(其例如可为陶瓷板11')覆盖。

在肋状结构4的面对珀耳帖元件7和半导体8、9的一侧，设置多个连接结构12。相应的连接结构12具有电绝缘的基础层13以及导电的连接层14。在所示出的示例中，基础层14构造成独立的元件并且设置在肋状结构4处。在背离肋状结构4的相应的基础层13的一侧并且由此在相应的基础层13的面对半导体8、9的一侧，施加这种连接层14，其特别地材料配合地与基础层13相连接。导电的连接层14分别将这种P型半导体8与这种N型半导体9相互电连接。在此，连接结构12彼此间隔开，从而相应的半导体对、也就是说这种P型半导体8和这种相关的N型半导体9被分配以这种连接结构12。即，在面对肋状结构4的一侧，珀耳帖元件7的半导体8、9借助于连接结构12相互电接触并且相对于含金属的肋状结构4电绝缘。

相关的半导体8、9安装在相关的连接层4处，使得半导体8、9通过连接结构12与肋状结构4机械连接。即，弹性的且柔性的肋状结构4在珀耳帖元件7中用于平衡和消除可能在热交换器1、特别是珀耳帖元件7的运行时产生的热应力。

在此，基础层13可通过氧化、还原-氧化反应、特别是通过铝阳极氧化制造在肋状结构4上，或者借助于通过化学和/或物理键合外部地将所述层施加在肋状结构4上。

在图2中，示出了在连接层14和相关的半导体8、9之间的区域中穿过热交换器1的横截面。在图2中首先可看出，除了沿着管5邻近的半导体8、9，珀耳帖元件7也具有相对于其横向地间隔开的半导体8、9，该半导体8、9也通过这种连接结构12电接触并且安装在肋状结构4处。此外，从图2和图1中得到，不仅基础层13而且连接层14构造成薄的。也就是说，在连接层14中，从面对基础层13的一侧延伸到背离基础层13的一侧的、连接层14的厚度15或者连接层厚度15明显小于横向于连接层厚度15延伸的连接层宽度16和横向于连接层厚度15且横向于连接层宽度16延伸的连接层长度17。连接层14的薄的形状同时用于连接层14的灵活构造方案和充分的导电性。在此，连接层14的厚度15优选地为几微米、例如1-100μm。

基础层14也具有显著小于基础层宽度22和平行于连接层14的相应尺寸延伸的基础层长度23的基础层厚度8。在此，基础层厚度18优选地在1μm至100μm之间、特别是在30μm至50μm之间。在此，基础层13大于相关的连接层14，特别是具有比相关的连接层14更大的横截面。由此，实现连接结构14相对于肋状结构4的更好的电绝缘，特别是避免或至少减少例如由于边界缺陷和/或定位不精确性引起的特别是短路。

在图3中，示出与图2中相似的视图，其中，在图3中视图稍微倾斜并且相应地以空间方式示出。在图3中示出了这样的实施例：其基本上通过以下方式与在图2中示出的实施例区别，即，肋状结构4不具有Ω形的构造方案，而是构造成波形的。在此，在邻近的、面对半导体8、9的、波形地构造的肋状结构4的波谷的区域中，布置这种半导体8、9并且设置这种相关的连接结构12，连接结构12使相关的半导体8、9电接触、与肋状结构4电绝缘并且机械地与肋状结构4相连接。此外，在该实施例中，设置用于至少两个这种连接层14的这种共同的基础层13，其中，在所示出的示例中，为所有连接结构14分配这种共同的基础层13，基础层13在肋状结构4的整个面对半导体8、9的可见表面上、特别是完全在该表面上延伸。也就是说，肋状结构4不是分别局部地设有被分配给相应连接层14的基础层13，而是完全地设有这种基础层13，其被分配给至少两个这种连接层14、特别是所有连接层14，并且相对于肋状结构4电绝缘。在此，相对于多个单个的基础层13，肋状结构4可简化地设有这种共同的基础层13。

在图4中示出了热交换器1的另一实施例。图4中的热交换器1与在图1中示出的热交换器1基本上不同之处在于，相应的连接结构12的基础层13的设计方案。在图4中以虚线示出了基础层13并且其为肋状结构4的组成部分。也就是说，相应的连接结构12的基础结构13是肋状结构4的整体的组成部分。基础结构13在肋状结构4处的整体的设计方案优选地通过肋状结构4的氧化或还原-氧化反应实现。也就是说，通过相应地处理肋状结构4实现相应的基础层13。由此，在基础层13和肋状结构4的柔性和/或热膨胀或收缩性能之间给出特别有利的匹配或相似性。在此，为了更好地示出，在肋状结构4的整个厚度上示出相应的基础层13，然而不一定为这种情况。也就是说，相应的基础层13可具有在相关的区域中小于肋状结构4的厚度的基础层厚度18，其中，基础层厚度18优选地在相关的区域中小于肋状结构4的厚度。在该实施例中，基础层厚度18优选地也在1μm至100μm之间，优选地在30μm至50μm之间。

在图5中示出了热交换器1的另一实施例。该实施例与在图4中示出的实施例的区别特别是在于，在热传递腔3中布置板结构19，其如肋状结构4那样构造成肋状结构并且具有Ω形。在此，板结构19限制热传递腔3并且可被第二流体穿流。热传递腔3和流动腔2通过分离结构20流体地且热地分离，其中，分离结构20在珀耳帖元件7的邻近的半导体8、9之间延伸。

此外，从图5中得到，在半导体8、9和板结构19之间也设置这种连接结构12，其中，相应的连接结构12通过连接层14和基础层3与相关的半导体8、9电接触，与板结构19电绝缘并且与板结构19机械以及热连接。也就是说，在半导体8、9或珀耳帖元件7的两侧，这种连接结构12用于电接触半导体8、9并且用于使半导体8、9相对于肋状结构4或板结构19电绝缘，以及用于使半导体8、9与肋状结构4或板结构19机械连接。由此，得到相对于热负载特别稳定的热交换器构造方案。

在所示出的示例中，至少一个基础层13以及连接层14在其柔性方面与肋状结构4中的特别是在连接结构12的区域中的肋状结构相匹配，和/或与布置在背离基础层13的半导体8、9的一侧的部件5、19相匹配，即在此与管5或板结构19相匹配。在此，这些匹配特别是与肋状结构4或部件5、19的厚度相关，和/或与制造肋状结构4或部件5、19的材料相关。在刚性的管5和柔性的肋状结构4中，柔性使得通过柔性的弯曲补偿约5μm至50μm之间的移动，而不失去基础层13的电绝缘性能以及连接层14的导电性能，并且不断开相应的连接。在柔性的板结构19和柔性的肋状结构4中，基础层13和连接层14的柔性使得通过柔性的弯曲补偿约100μm至1000μm的移动，而不失去基础层13的电绝缘性能以及连接层14的导电性能，并且不断开相应的连接。肋状结构4与这种连接结构12和珀耳帖元件7的相关的半导体8、9一起形成组件2，其中，在图2和3中可看出这种组件。

在图1、图2、图4和图5中示出的肋状结构4分别具有多个第一基础区段24，其彼此间隔开并且分别设有这种基础层13。相应的肋状结构4此外具有多个第二基础区段25，其布置在背离调温装置6的第一基础区段24的一侧并且与其间隔开。两个侧边26ab从相应的基础区段24、25伸出，侧边26ab使第一基础区段24与邻近的第二基础区段25相连接，并且反之亦然。由此，这种侧边26ab从相应的第一基础区段24伸出，但是，侧边26ab也从邻近的第二基础区段25伸出。在所示出的示例中，侧边26相对于相关联的基础区段24、25倾斜地延伸。此外，从相应的基础区段24、25伸出的侧边26彼此面对并且与基础区段24、25一起形成锐角。

在图5中示出的示例中，板结构19与肋状结构4相似地构造。也就是说，板结构19同样具有第一基础区段和第二基础区段24、25，其通过以上描述的方式通过侧边26相互连接，其中，第一基础区段24分别设有这种基础层13。

Claims (17)

1.一种热交换器(1)，其具有：

-可被第一流体穿流的流动腔(2)，

-布置在所述流动腔(2)中并且可被所述第一流体穿流的肋状结构(4)，

-用于与所述第一流体进行热交换的热传递腔(3)，

-布置在所述肋状结构(4)和所述热传递腔(3)之间的、用于在所述热传递腔(3)和所述流动腔(2)之间进行热传递的热电调温装置(6)，

-其中，所述调温装置(6)具有至少一个具有彼此电接触的p-掺杂的P型半导体(8)和n-掺杂的N型半导体(9)的珀耳帖元件，

-其中，在所述肋状结构(4)的面对所述珀耳帖元件(7)的一侧设置有多个连接结构(12)，

-其中，所述相应的连接结构(12)具有电绝缘的基础层(13)以及导电的连接层(14)，

-其中，所述肋状结构(4)设有所述基础层(13)，

-其中，所述连接层(14)被施加在所述基础层(13)的背离所述肋状结构(4)的一侧，

-其中，这种P型半导体(8)和用于与所述半导体(8、9)电接触的这种N型半导体(9)在所述连接层(14)的一侧安装在所述连接层(14)的背离所述基础层(13)的一侧。

2.根据权利要求1所述的热交换器，其特征在于，所述肋状结构(4)通过氧化设有所述基础层(13)。

3.根据权利要求2所述的热交换器，其特征在于，所述肋状结构(4)通过还原-氧化反应设有所述基础层(13)。

4.根据权利要求2或3所述的热交换器，其特征在于，通过所述肋状结构(4)的氧化或还原-氧化反应制造所述基础层(13)。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述基础层(13)以铝阳极氧化的方式施加到所述肋状结构(4)上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述热传递腔(3)被第二流体穿流并且由管(5)限制，其中，所述热电调温装置(6)布置在所述肋状结构(4)和所述管(5)之间。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述热传递腔(3)被第二流体穿流并且由板结构(19)限制，其中，所述热调温装置(6)布置在所述肋状结构(4)和所述板结构(9)之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述基础层(13)大于所述相关的连接层(14)，特别是具有比所述相关的连接层(14)更大的横截面。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的热交换器，其特征在于，为至少两个这种连接层(14)分配这种共同的基础层(13)。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述基础层(13)具有柔性，所述柔性与所述肋状结构(4)相匹配和/或与布置在所述半导体(8、9)的背离所述基础层(13)的一侧的部件(5、19)相匹配。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述连接层(14)具有柔性，所述柔性与所述肋状结构(4)、特别是所述基础层(13)和/或与布置在所述半导体(8、9)的背离所述基础层(13)的一侧的组件(5、9)相匹配。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述基础层(13)具有至少1W/(mK)的导热能力。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述连接层(14)具有从面对所述基础层(13)的一侧延伸到背离所述基础层(13)的一侧的连接层厚度(15)，所述厚度比所述连接层(14)的横向于所述连接层厚度(15)延伸的宽度(16)和/或横向于所述连接层厚度(15)且横向于所述宽度(16)延伸的长度小至少10倍。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述基础层(13)具有1μm至100μm的基础层厚度(18)。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的热交换器，其特征在于，

-所述肋状结构(4)具有设有所述基础层(13)的多个第一基础区段(24)，

-所述肋状结构(4)具有多个第二基础区段(25)，所述第二基础区段(25)在第一基础区段(24)的背离所述调温装置(6)的一侧布置成与所述第一基础区段(24)间隔开，

-所述肋状结构(4)具有从所述基础区段(24、25)伸出的侧边(26)，所述侧边(26)使所述基础区段(24、25)相互连接，

-从所述相应的基础区段(24、25)伸出的所述侧边(26)彼此倾斜地延伸。

16.根据权利要求15所述的热交换器，其特征在于，所述肋状结构(4)一体地由板制成。

17.一种组件(21)，由根据权利要求1至16中任一项所述的热交换器(1)的肋状结构(4)和调温装置(6)组成，其中，所述调温装置(6)的半导体(8、9)通过这种连接结构(12)安装在所述肋状结构(4)处并且相互电接触。