CN108687653A - 研磨垫及研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种研磨垫及研磨方法，该研磨垫适用于研磨制程且包括研磨层、黏着层以及至少一热量存储材料。研磨层具有彼此相对的研磨面及背面。黏着层配置于研磨层的背面上。至少一热量存储材料所配置的区域位于黏着层的上方。本发明的研磨垫及研磨方法使得在研磨制程期间，可调降研磨垫的温度，以避免黏着层在研磨制程期间发生因高温而劣化、变形或黏性下降的问题进而影响研磨制程的稳定性。

Description

研磨垫及研磨方法
技术领域
本发明涉及一种研磨垫及研磨方法，尤其涉及一种在研磨制程期间的温度可被调降的研磨垫以及使用所述研磨垫的研磨方法。
背景技术
在产业的元件制造过程中，研磨制程是现今较常使用来使被研磨的物件表面达到平坦化的一种技术。在研磨制程中，物件的表面及研磨垫之间可选择提供一研磨液，以及通过物件与研磨垫彼此进行相对运动所产生的机械摩擦来进行平坦化。研磨垫的各层间的界面通常使用黏着层来紧密黏贴，但是在研磨制程期间研磨垫的温度会因磨擦所产生的热而升高，使得黏着层容易发生劣化、变形或黏性下降，进而影响研磨制程的稳定性。
因此，仍有需求提供得以调降研磨制程期间的研磨垫的温度的手段，以供产业所选择。
发明内容
本发明提供一种研磨垫及研磨方法，使得在研磨制程期间，可调降研磨垫的温度，以避免黏着层在研磨制程期间发生因高温而劣化、变形或黏性下降的问题。
本发明的研磨垫适用于研磨制程且包括研磨层、黏着层以及至少一热量存储材料。研磨层具有彼此相对的研磨面及背面。黏着层配置于研磨层的背面上。至少一热量存储材料所配置的区域位于黏着层的上方。
本发明的研磨垫适用于研磨制程且包括研磨层、基底层、第一黏着层、第二黏着层、以及至少一热量存储材料。基底层配置于研磨层下方。第一黏着层配置于研磨层与基底层之间。第二黏着层配置于基底层下方。至少一热量存储材料所配置的区域位于第一黏着层与第二黏着层之间。
本发明的研磨方法适用于研磨物件，且包括以下步骤。提供研磨垫，其中研磨垫如上所述的任一种研磨垫。对物件施加压力以压置于研磨垫上。对物件及研磨垫提供相对运动以进行研磨制程。
基于上述，在本发明的研磨垫中，通过至少一热量存储材料所配置的区域位于黏着层的上方，或者通过至少一热量存储材料所配置的区域位于第一黏着层与第二黏着层之间，使得在使用本发明的研磨垫进行研磨制程时，本发明的研磨垫因机械摩擦所造成的温度升高的程度能降低，因而避免黏着层在研磨制程期间发生因高温而劣化、变形或黏性下降的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的研磨垫的上视示意图；
图2是沿图1中剖线I-I’的剖面示意图；
图3是本发明的研磨垫与现有研磨垫的研磨物件的研磨时间与研磨垫温度的关系图；
图4是依照本发明的第二实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图；
图5是本发明的两种热量存储材料的温度与热流率的关系图；
图6是依照本发明的第三实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图；
图7是依照本发明的第四实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图；
图8是依照本发明的第五实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图；
图9是依照本发明的第六实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图；
图10是依照本发明的一实施方式的研磨方法的流程图。
附图标记说明
100、200、300、400、500、600：研磨垫；
110、210、310、410、510、610：研磨层；
120、220、320：黏着层；
130、330、430、530、630：热量存储材料；
230a:第一热量存储材料；
230b:第二热量存储材料；
140、240、340、440、540、640：包覆层；
350：界面层；
420a、520a、620a：第一黏着层；
420b、520b、620b：第二黏着层；
460、560、660：基底层；
A：研磨轨迹区域；
B：非研磨轨迹区域；
BS：背面；
C：旋转中心；
D：沟槽深度；
G：沟槽；
Gb：底部；
H、K、L、M：热量存储区域；
Ht、Kt、Lt、Mt：顶边缘；
Kb、Lb、Mb：底边缘；
PS：研磨面；
S10、S12、S14：步骤；
T：厚度。
具体实施方式
图1是本发明的第一实施方式的研磨垫的上视示意图。图2是沿图1中剖线I-I’的剖面示意图。详细而言，图1中的剖线I-I’是沿着半径方向而设置，也即图2是沿半径方向的剖面示意图。
请同时参照图1及图2，本实施方式的研磨垫100包括研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B，其中非研磨轨迹区域B包围环绕研磨轨迹区域A。详细而言，研磨垫100适用于研磨制程以研磨物件，而当使用研磨垫100对物件进行研磨程序时，物件实质上是放置在研磨轨迹区域A内。另外，研磨垫100具有旋转中心C，且研磨垫100是以旋转中心C为中心沿着逆时针或顺时针方向旋转。旋转中心C例如是位于研磨垫100的中心点。
另一方面，在本实施方式中，研磨垫100包括研磨层110、多个沟槽G、黏着层120以及热量存储材料130。必须一提的是，为了清楚标示研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B，图1中省略绘示了沟槽G。
研磨层110具有研磨面PS以及相对于研磨面PS的背面BS。在本实施方式中，当使用研磨垫100对物件进行研磨程序时，物件会与研磨层110的研磨面PS接触。另外，在本实施方式中，研磨层110例如是由聚合物基材所构成，其中聚合物基材可以是聚酯(polyester)、聚醚(polyether)、聚氨酯(polyurethane)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丁二烯(polybutadiene)、或其余通过合适的热固性树脂(thermosetting resin)或热塑性树脂(thermoplastic resin)所合成的聚合物基材，但本发明并不限于此。
沟槽G配置于研磨层110的研磨面PS中。在本实施方式中，沟槽G的底部Gb距离研磨面PS具有沟槽深度D。另外，在本实施方式中，虽然研磨垫100的沿半径方向的剖面包括多个沟槽G(如图2所示)，但本发明并不以此为限，只要研磨垫100包括至少一个沟槽G即落入本发明的范畴。此外，沟槽G的分布形状可以例如是同心圆、不同心圆、椭圆、多角环、螺旋环、不规则环、平行线状、放射线状、放射弧状、螺旋状、点状、XY格子。
黏着层120配置于研磨层110的背面BS上。也就是说，在本实施方式中，黏着层120黏附于研磨层110的背面BS上。另外，在本实施方式中，黏着层120包括(但不限于)：无载体胶或双面胶。黏着层120的材料例如是压克力系胶、硅酮系胶、橡胶系胶、环氧树脂系胶或聚胺酯系胶，但本发明并不限于此。
热量存储材料130配置于热量存储区域H中。在本实施方式中，热量存储区域H位于黏着层120的上方且不与沟槽G的底部Gb接触。如前文所述，沟槽G具有沟槽深度D，而热量存储区域H的顶边缘Ht与研磨面PS之间的距离大于D。除此之外，顶边缘Ht与研磨面PS之间的距离可选择为小于或等于1.5D，使热量存储材料130所配置的区域较大，以达到有效降低研磨垫温度的效果。从另一观点而言，在本实施方式中，热量存储区域H的顶边缘Ht不会与沟槽G的底部Gb相接触或重叠。
另外，在本实施方式中，热量存储材料130分散在研磨层110的材料中。也就是说，在本实施方式中，热量存储材料130是分布在部分的研磨层110中，且制造研磨层110的方法包括使热量存储材料130与构成研磨层110的材料相混合的步骤。具体来说，热量存储材料130是分布在与研磨面PS间有大于D的距离的位置以下的研磨层110中，而研磨层110中包括热量存储材料130的部分及不包括热量存储材料130的部分例如是分别以灌注法组合而成。从另一观点而言，在本实施方式中，热量存储区域H是位在部分的研磨层110中。
另外，可视需求而选择形成包覆热量存储材料130的包覆层140。详细而言，在本实施方式中，包覆层140的材料不与研磨层110的材料或热量存储材料130进行化学反应。具体而言，在本实施方式中，包覆层140的材料例如是有机材料，包括有酚醛类树脂、脲醛树脂、聚苯乙烯或聚酰胺等，但本发明并不限于此。
另外，在本实施方式中，热量存储材料130包括无机热量存储材料、有机热量存储材料或其组合。详细而言，所述无机热量存储材料包括(但不限于)：盐类水合物，例如是三水合醋酸钠(CH3COONa·3H2O)或六水合氯化钙(CaCl2·6H2O)；所述有机热量存储材料包括(但不限于)：多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烃化合物，其中多元醇例如是三羟甲基丙烷(TMP，C6H14O3)，脂肪醇例如是1-十四烷醇(C14H30O)，脂肪酸例如是月桂酸(Lauric acid，CH3(CH2)10COOH)或癸酸(Capric acid，CH3(CH2)8COOH)，烷烃化合物例如是正二十烷(C20H42)、正二十一烷(C21H44)、正二十二烷(C22H46)、正二十三烷(C23H48)或正二十四烷(C24H50)。
值得一提的是，热量存储材料130会在特定的温度或温度范围内发生吸热反应进而吸收周围的热量，从而达成调降周围温度的目的。详细而言，在本实施方式中，热量存储材料130在特定温度会发生吸热反应，而所述特定温度是介于研磨垫100在研磨制程期间所具有的最低温度Tmin与最高温度Tmax之间。也就是说，在本实施方式中，热量存储材料130必会在研磨制程期间发生吸热反应。如此一来，在本实施方式中，通过研磨垫100包括热量存储材料130，使得在研磨制程期间，机械摩擦所产生的热量可被热量存储材料130吸收，藉此研磨垫100因机械摩擦所造成的温度升高的程度会降低，而达成有效调降研磨垫100的温度的目的。图3是本发明的研磨垫与现有研磨垫的研磨物件的研磨时间与研磨垫温度的关系图，由图3可知，在对物件进行研磨的研磨制程期间，与现有研磨垫相比，本发明的研磨垫具有较低的温度。
详细而言，最低温度Tmin可以是常温水的温度(约25℃至35℃之间)或是经过冷却后的水的温度(例如10℃以下)。这是因为最低温度Tmin是研磨垫100在机台闲置状态下进行清洗程序时或者下一个物件进到研磨垫100前进行清洗程序时的表面温度，其中所述清洗程序可使用常温水或经过冷却后的水来进行。另外，最高温度Tmax则视不同研磨制程而定。举例来说，在氧化物研磨制程期间，研磨垫的最高温度约65℃；在铜研磨制程期间，研磨垫的最高温度约为55℃；在钨研磨制程期间，研磨垫的最高温度约为80℃。另外，所述特定温度可以是一个固定的温度或是一温度范围。
进一步而言，在本实施方式中，在发生吸热反应之后，热量存储材料130的物理状态或分子结构会改变。举例来说，在一实施方式中，热量存储材料130在发生吸热反应之后的分子间排列比发生吸热反应之前的分子间排列松散。换言之，热量存储材料130在发生吸热反应之前的分子间排列比发生吸热反应之后的分子间排列紧密。举另一例来说，在一实施方式中，热量存储材料130因发生吸热反应而从第一固体状态转变为第二固体状态，其中第一固体状态与第二固体状态的分子排列不同，例如晶体排列不同。
值得说明的是，如前文所述，在本实施方式中，通过研磨垫100包括热量存储材料130，使得研磨垫100在研磨制程期间的温度可被调降。如此一来，通过配置有热量存储材料130的热量存储区域H位于黏着层120的上方，使得配置于热量存储区域H下方的黏着层120不会在研磨制程期间发生因高温而劣化、变形或黏性下降的问题，以维持研磨制程的稳定性。
另一方面，在本实施方式中，通过配置有热量存储材料130的热量存储区域H不与沟槽G的底部Gb接触，使得当使用研磨垫100对物件进行研磨程序时，能够避免物件与热量存储材料130接触而导致刮伤及影响研磨品质。
在图2的实施方式中，虽然在研磨垫100中，配置有热量存储材料130的热量存储区域H不与沟槽G的底部Gb接触，但本发明并不限于此。上述热量存储区域H的顶边缘Ht与研磨面PS之间的距离的选择，可取决于研磨垫100使用时对于研磨层110的磨耗程度。在其他实施方式中，热量存储区域H的顶边缘Ht距离研磨面PS为D/2、2D/3、3D/4、4D/5、或D，藉此以在这些实施方式中避免物件与热量存储材料130接触而导致刮伤及影响研磨品质。此外，在其他实施方式中，对于某些特定的研磨制程，物件可能不易被刮伤，或是选择不易刮伤物件的热量存储材料130，则热量存储材料130可选择分布于研磨垫100的整个研磨层110中。
另外，在本实施方式中，研磨垫100包括包覆热量存储材料130的包覆层140，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，在与热量存储材料130相混合的研磨层110的材料能够将热量存储材料130密封于其中的情况下，研磨垫100可不包括包覆热量存储材料130的包覆层140。
在上述第一实施方式中，研磨垫100包括配置在研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中的一种热量存储材料130，但本发明并不限于此。研磨轨迹区域A相对于非研磨轨迹区域通常具有较高的温度，故在其他实施方式中，研磨垫100所包括的热量存储材料130也可选择仅配置于研磨轨迹区域A，以达成在研磨制程期间，研磨垫100的温度被调降的程度能够更加平均的效果。另外，在其他实施方式中，研磨垫也可包括分别配置在研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中的不同的热量存储材料。以下，将参照图4进行详细说明。
图4是依照本发明的第二实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图。图4的研磨垫200的上视示意图请参考图1，其中图4的剖面位置可参考图1中的剖线I-I’的位置。请同时参照图4及图2，图4的研磨垫200与图2的研磨垫100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明皆可参照前文而不再赘述。另外，研磨层210以及黏着层220可与前述第一实施方式中的对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将针对两者之间的差异处进行说明。
请参照图4，在本实施方式中，研磨垫200包括第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b，且第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b皆配置于热量存储区域H中。从另一观点而言，在本实施方式中，第一热量存储材料230a配置于研磨轨迹区域A内，而第二热量存储材料230b配置于非研磨轨迹区域B内。也就是说，在本实施方式中，研磨垫200的不同区域内配置有不同的热量存储材料。
另外，在本实施方式中，第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b皆分散在研磨层210的材料中。也就是说，在本实施方式中，第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b是分布在研磨层210中，且制造研磨层210的方法包括分别形成对应研磨轨迹区域A及非研磨轨迹区域B的结构部分，其中形成对应研磨轨迹区域A的结构部分的方法例如包括：使第一热量存储材料230a与构成研磨层210的材料相混合的步骤，而形成对应非研磨轨迹区域B的结构部分的方法例如包括：使第二热量存储材料230b与构成研磨层210的材料相混合的步骤。具体来说，第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b是分布在与研磨面PS间有大于D的距离的位置以下的研磨层210中。另外，在一实施方式中，研磨层210的制造方法例如包括：在分别形成对应研磨轨迹区域A的结构部分及对应非研磨轨迹区域B的结构部分后，将两结构相拼接组合，其中两结构例如是以黏着剂或是热融合方式进行接合。在另一实施方式中，研磨层210的制造方法例如包括：使用灌注法形成对应研磨轨迹区域A的结构部分，再使用灌注法形成对应非研磨轨迹区域B的结构部分，则此时对应非研磨轨迹区域B的结构部分会与已形成的对应研磨轨迹区域A的结构部分相连接为一体。而研磨层210中包括第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b的部分及不包括第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b的部分例如是分别以灌注法组合而成。从另一观点而言，在本实施方式中，热量存储区域H是位在部分的研磨层210中。
另外，可视需求而选择形成包覆第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b的包覆层240，而包覆层240的特性及材料如前述第一实施方式中的包覆层140所述，故于此不再赘述。
另外，在本实施方式中，第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b分别包括无机热量存储材料、有机热量存储材料或其组合。详细而言，所述无机热量存储材料包括(但不限于)：盐类水合物，例如是三水合醋酸钠(CH3COONa·3H2O)或六水合氯化钙(CaCl2·6H2O)；所述有机热量存储材料包括(但不限于)：多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烃化合物，其中多元醇例如是三羟甲基丙烷(TMP，C6H14O3)，脂肪醇例如是1-十四烷醇(C14H30O)，脂肪酸例如是月桂酸(Lauric acid，CH3(CH2)10COOH)或癸酸(Capric acid，CH3(CH2)8COOH)，烷烃化合物例如是正二十烷(C20H42)、正二十一烷(C21H44)、正二十二烷(C22H46)、正二十三烷(C23H48)或正二十四烷(C24H50)。
值得一提的是，第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b会在不同的特定温度或不同的温度范围内发生吸热反应进而吸收周围的热量，从而达成调降周围温度的目的。详细而言，在本实施方式中，第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b在不同的特定温度会发生吸热反应，而所述不同的特定温度皆是介于研磨垫200在研磨制程期间所具有的最低温度Tmin与最高温度Tmax之间。也就是说，在本实施方式中，第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b皆会在研磨制程期间发生吸热反应。如图5所示，第一热量存储材料230a与第二热量存储材料230b会在最低温度Tmin与最高温度Tmax之间的不同温度下发生吸热反应。如此一来，在本实施方式中，通过研磨垫200包括第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b，使得在研磨制程期间，机械摩擦所产生的热量可被第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b吸收，藉此研磨垫200因机械摩擦所造成的温度升高的程度会降低，而达成有效调降研磨垫200的温度的目的，如图3所示。另外一提的是，所述特定温度可以是一个固定的温度或是一温度范围。
进一步而言，发明人发现当利用研磨垫对物件进行研磨程序时，研磨垫的不同区域间有温度高低的落差，也即研磨垫具有温度梯度或不均匀的温度分布。有鉴于此，在本实施方式中，研磨垫200通过在研磨轨迹区域A及非研磨轨迹区域B内分别配置有在不同的特定温度会发生吸热反应的第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b，使得在研磨制程期间，研磨垫200的温度被调降的程度能够更加平均。举例而言，在研磨垫200于研磨制程期间对应至研磨轨迹区域A内的温度高于对应至非研磨轨迹区域B内的温度的一实施方式中，研磨垫200通过包括特性如图5所示的第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b，第一热量存储材料230a相较于第二热量存储材料230b具有较低的吸热反应温度，或是第一热量存储材料230a相较于第二热量存储材料230b具有较大的吸热量(如图5所示吸热峰所占面积)，使得研磨垫200的温度被调降的程度能够更加平均。
另外，在本实施方式中，在发生吸热反应之后，第一热量存储材料230a的物理状态或分子结构及第二热量存储材料230b的物理状态或分子结构会改变，此特性与前述第一实施方式中的热量存储材料130相同，因此相关描述已于前述第一实施方式中进行详尽地说明，故于此不再赘述。
值得说明的是，如前文所述，在本实施方式中，通过研磨垫200包括第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b，使得研磨垫200在研磨制程期间的温度可平均地被调降。如此一来，通过配置有第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b的热量存储区域H位于黏着层220的上方，使得配置于热量存储区域H下方的黏着层220不会在研磨制程期间发生因高温而劣化、变形或黏性下降的问题，以维持研磨制程的稳定性。
另一方面，在本实施方式中，通过配置有第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b的热量存储区域H不与沟槽G的底部Gb接触，使得当使用研磨垫200对物件进行研磨程序时，能够避免物件与第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b接触而导致刮伤及影响研磨品质。
在图4的实施方式中，虽然在研磨垫200中，配置有第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b的热量存储区域H不与沟槽G的底部Gb接触，但本发明并不限于此。上述热量存储区域H的顶边缘Ht与研磨面PS之间的距离的选择，可取决于研磨垫200使用时对于研磨层210的磨耗程度。在其他实施方式中，热量存储区域H的顶边缘Ht距离研磨面PS为D/2、2D/3、3D/4、4D/5、或D，藉此以在这些实施方式中避免物件与第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b接触而导致刮伤及影响研磨品质。此外，在其他实施方式中，对于某些特定的研磨制程，物件可能不易被刮伤，或是选择不易刮伤物件的第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b，则第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b可选择分布于研磨垫200的整个研磨层210中。
另外，在本实施方式中，研磨垫200包括包覆第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b的包覆层240，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，在与第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b相混合的研磨层210的材料能够将第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b密封于其中的情况下，研磨垫200可不包括包覆第一热量存储材料230a及第二热量存储材料230b的包覆层240。
在前述第一实施方式中，热量存储材料130是分散在对应热量存储区域H内的研磨层110的材料中，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，热量存储材料也可以是于热量存储区域H内形成界面层的型式存在于研磨垫中。以下，将参照图6进行详细说明。
图6是依照本发明的另一实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图。图6的研磨垫300的上视示意图请参考图1，其中图6的剖面位置可参考图1中的剖线I-I’的位置。请同时参照图6及图2，图6的研磨垫300与图2的研磨垫100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明皆可参照前文而不再赘述。另外，研磨层310以及黏着层320可与前述第一实施方式中的对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将针对两者之间的差异处进行说明。
请参照图6，在本实施方式中，热量存储材料330配置于热量存储区域H中。详细而言，在本实施方式中，热量存储材料330于热量存储区域H内形成了界面层350。也就是说，在本实施方式中，热量存储区域H涵盖了整个由热量存储材料330所形成的界面层350。在本实施方式中，界面层350位于黏着层320的上方。在本实施方式中，界面层350配置于黏着层320与研磨层310之间。另外，如前文所述，由于热量存储区域H不与沟槽G的底部Gb接触，故配置在热量存储区域H内的界面层350也不与沟槽G的底部Gb接触。
在一实施方式中，界面层350及研磨层310例如是使用同一模具来制作。详细而言，制造界面层350及研磨层310的方法例如包括：使用灌注法将热量存储材料330注入模具中以形成界面层350后，使用灌注法将欲形成研磨层310的材料注入已形成有界面层350的模具中。但本发明并不限于上述界面层350及研磨层310的制造方法，本发明也可选择以其他制造方法完成界面层350及研磨层310的结构。
另外，可视需求而选择形成包覆热量存储材料330的包覆层340，而包覆层340的特性及材料如前述第一实施方式中的包覆层140所述，故于此不再赘述。
另外，在本实施方式中，热量存储材料330包括无机热量存储材料、有机热量存储材料或其组合。详细而言，所述无机热量存储材料包括(但不限于)：盐类水合物，例如是三水合醋酸钠(CH3COONa·3H2O)或六水合氯化钙(CaCl2·6H2O)；所述有机热量存储材料包括(但不限于)：多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烃化合物，其中多元醇例如是三羟甲基丙烷(TMP，C6H14O3)，脂肪醇例如是1-十四烷醇(C14H30O)，脂肪酸例如是月桂酸(Lauric acid，CH3(CH2)10COOH)或癸酸(Capric acid，CH3(CH2)8COOH)，烷烃化合物例如是正二十烷(C20H42)、正二十一烷(C21H44)、正二十二烷(C22H46)、正二十三烷(C23H48)或正二十四烷(C24H50)。
值得一提的是，热量存储材料330会在特定的温度或温度范围内发生吸热反应进而吸收周围的热量，从而达成调降周围温度的目的。详细而言，在本实施方式中，热量存储材料330在特定温度会发生吸热反应，而所述特定温度是介于研磨垫300在研磨制程期间所具有的最低温度Tmin与最高温度Tmax之间。也就是说，在本实施方式中，热量存储材料330必会在研磨制程期间发生吸热反应。如此一来，在本实施方式中，通过研磨垫300包括热量存储材料330，使得在研磨制程期间，机械摩擦所产生的热量可被热量存储材料330吸收，藉此研磨垫300因机械摩擦所造成的温度升高的程度会降低，而达成有效调降研磨垫300的温度的目的，如图3所示。另外一提的是，所述特定温度可以是一个固定的温度或是一温度范围。
另外，在本实施方式中，在发生吸热反应之后，热量存储材料330的物理状态或分子结构会改变，此特性与前述第一实施方式中的热量存储材料130相同，因此相关描述已于前述第一实施方式中进行详尽地说明，故于此不再赘述。
值得说明的是，如前文所述，在本实施方式中，通过研磨垫300包括热量存储材料330，使得研磨垫300在研磨制程期间的温度可被调降。如此一来，通过配置有热量存储材料330的热量存储区域H位于黏着层320的上方，使得配置于热量存储区域H下方的黏着层320不会在研磨制程期间发生因高温而劣化、变形或黏性下降的问题，以维持研磨制程的稳定性。
另外，在本实施方式中，研磨垫300包括包覆热量存储材料330的包覆层340，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，在发生吸热反应后的热量存储材料330不易流动而污染研磨层310或黏着层320的情况下，研磨垫300可不包括包覆热量存储材料330的包覆层340。
另外，基于第二及第三实施方式的内容可知，第三实施方式的研磨垫300也可采用与第二实施方式的研磨垫200相同概念的设计，通过于研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中分别配置不同的热量存储材料，取代原本配置于研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中的一种热量存储材料330，以达成在研磨制程期间，研磨垫300的温度被调降的程度能够更加平均的效果。附带一提的是，研磨轨迹区域A相对于非研磨轨迹区域B通常具有较高的温度，研磨垫300所包括的热量存储材料330也可选择仅配置于研磨轨迹区域A，同样也可达成在研磨制程期间，研磨垫300的温度被调降的程度能够更加平均的效果。
图7是依照本发明的另一实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图。图7的研磨垫400的上视示意图请参考图1，其中图7的剖面位置可参考图1中的剖线I-I’的位置。请同时参照图7及图2，图7的研磨垫400与图2的研磨垫100相似，差异主要在于两者的研磨垫构造不相同，因此使用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，且相关说明皆可参照前文而不再赘述。另外，研磨层410可与前述第一实施方式中的对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将针对两者之间的差异处进行说明。
请参照图7，研磨垫400包括配置于研磨层410下方的基底层460。详细而言，在本实施方式中，基底层460用于衬垫研磨垫400中的研磨层410，且基底层460的材料例如为聚氨酯、聚丁二烯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物、或聚丙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物，但本发明并不限于此。
研磨垫400包括配置于研磨层410与基底层460之间的第一黏着层420a。详细而言，在本实施方式中，第一黏着层420a用以将研磨层410与基底层460相黏。另外，在本实施方式中，第一黏着层420a包括(但不限于)：无载体胶、双面胶、热熔胶或湿气硬化胶。第一黏着层420a的材料例如是压克力系胶、硅酮系胶、橡胶系胶、环氧树脂系胶或聚胺酯系胶，但本发明并不限于此。
研磨垫400包括配置于基底层460下方的第二黏着层420b。详细而言，在本实施方式中，第二黏着层420b黏附于基底层460的远离第一黏着层420a的背面上。也就是说，基底层460位于第一黏着层420a与第二黏着层420b之间。另外，在本实施方式中，第二黏着层420b包括(但不限于)：无载体胶或双面胶。第二黏着层420b的材料例如是压克力系胶、硅酮系胶、橡胶系胶、环氧树脂系胶或聚胺酯系胶，但本发明并不限于此。
热量存储材料430配置于热量存储区域K中。在本实施方式中，热量存储区域K位于第一黏着层420a与第二黏着层420b之间。详细而言，在本实施方式中，热量存储区域K涵盖了整个基底层460。也就是说，基底层460具有厚度T，则热量存储区域K的顶边缘Kt与底边缘Kb之间具有T的距离。
另外，在本实施方式中，热量存储材料430分散在基底层460的材料中。也就是说，在本实施方式中，热量存储材料430是分布在基底层460中，且制造基底层460的方法包括使热量存储材料430与构成基底层460的材料相混合的步骤。
另外，可视需求而选择形成包覆热量存储材料430的包覆层440，而包覆层440的特性及材料如前述第一实施方式中的包覆层140所述，故于此不再赘述。
另外，在本实施方式中，热量存储材料430包括无机热量存储材料、有机热量存储材料或其组合。详细而言，所述无机热量存储材料包括(但不限于)：盐类水合物，例如是三水合醋酸钠(CH3COONa·3H2O)或六水合氯化钙(CaCl2·6H2O)；所述有机热量存储材料包括(但不限于)：多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烃化合物，其中多元醇例如是三羟甲基丙烷(TMP，C6H14O3)，脂肪醇例如是1-十四烷醇(C14H30O)，脂肪酸例如是月桂酸(Lauric acid，CH3(CH2)10COOH)或癸酸(Capric acid，CH3(CH2)8COOH)，烷烃化合物例如是正二十烷(C20H42)、正二十一烷(C21H44)、正二十二烷(C22H46)、正二十三烷(C23H48)或正二十四烷(C24H50)。
值得一提的是，热量存储材料430会在特定的温度或温度范围内发生吸热反应进而吸收周围的热量，从而达成调降周围温度的目的。详细而言，在本实施方式中，热量存储材料430在特定温度会发生吸热反应，而所述特定温度是介于研磨垫400在研磨制程期间所具有的最低温度Tmin与最高温度Tmax之间。也就是说，在本实施方式中，热量存储材料430必会在研磨制程期间发生吸热反应。如此一来，在本实施方式中，通过研磨垫400包括热量存储材料430，使得在研磨制程期间，机械摩擦所产生的热量可被热量存储材料430吸收，藉此研磨垫400因机械摩擦所造成的温度升高的程度会降低，而达成有效调降研磨垫400的温度的目的，如图3所示。另外一提的是，所述特定温度可以是一个固定的温度或是一温度范围。
另外，在本实施方式中，在发生吸热反应之后，热量存储材料430的物理状态或分子结构会改变，此特性与前述第一实施方式中的热量存储材料130相同，因此相关描述已于前述第一实施方式中进行详尽地说明，故于此不再赘述。
值得说明的是，如前文所述，在本实施方式中，通过研磨垫400包括热量存储材料430，使得研磨垫400在研磨制程期间的温度可被调降。如此一来，通过配置有热量存储材料430的热量存储区域K位于第一黏着层420a与第二黏着层420b之间，使得配置于热量存储区域K两侧的第一黏着层420a与第二黏着层420b不会在研磨制程期间发生因高温而劣化、变形或黏性下降的问题，以维持研磨制程的稳定性。
另外，在本实施方式中，研磨垫400包括包覆热量存储材料430的包覆层440，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，在与热量存储材料430相混合的基底层460的材料能够将热量存储材料430密封于其中的情况下，研磨垫400可不包括包覆热量存储材料430的包覆层440。
另外，基于第一至第四实施方式的内容可知，第四实施方式的研磨垫400可采用与第一至第三实施方式的研磨垫100～300相同概念的设计，在第一黏着层420a的上方形成配置有热量存储材料的热量存储区域。
另外，基于第二及第四实施方式的内容可知，第四实施方式的研磨垫400也可采用与第二实施方式的研磨垫200相同概念的设计，通过于研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中分别配置不同的热量存储材料，取代原本配置于研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中的一种热量存储材料430，以达成在研磨制程期间，研磨垫400的温度被调降的程度能够更加平均的效果。附带一提的是，研磨轨迹区域A相对于非研磨轨迹区域B通常具有较高的温度，研磨垫400所包括的热量存储材料430也可选择仅配置于研磨轨迹区域A，同样也可达成在研磨制程期间，研磨垫400的温度被调降的程度能够更加平均的效果。
在上述第四实施方式中，热量存储区域K涵盖了整个基底层460，但本发明并不限于此。发明人发现根据各黏着层所选择的材料不同，各具有不同的黏着强度，且各黏着层对于研磨制程期间所产生的热量抵抗能力也相对不同，因此热量存储区域K不必然需要涵盖整个基底层460。有鉴于此，在其他实施方式中，热量存储区域K也可位在部分的基底层中。以下，将参照图8、图9进行详细说明。
图8是依照本发明的第五实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图。图8的研磨垫500的上视示意图请参考图1，其中图8的剖面位置可参考图1中的剖线I-I’的位置。请同时参照图8及图7，图8的研磨垫500与图7的研磨垫400相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明皆可参照前文而不再赘述。另外，研磨层510、第一黏着层520a、第二黏着层520b、热量存储材料530及包覆层540可与前述第四实施方式中的对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将针对两者之间的差异处进行说明。
请参照图8，在本实施方式中，配置有热量存储材料530的热量存储区域L位于第一黏着层520a与第二黏着层520b之间。详细而言，在本实施方式中，热量存储区域L位于邻近于第一黏着层520a的部分的基底层560中。也就是说，在本实施方式中，热量存储区域L是位于第一黏着层520a的下方。从另一观点而言，在本实施方式中，基底层560具有厚度T，则热量存储区域L的顶边缘Lt与底边缘Lb之间具有T/3至小于T的距离。
另外，在本实施方式中，制造基底层560的方法包括使热量存储材料530与构成基底层560的材料相混合的步骤，且基底层560中包括热量存储材料530的部分及不包括热量存储材料530的部分例如是分别以灌注法组合而成。
值得说明的是，在本实施方式中，由于热量存储材料530必会在研磨制程期间发生吸热反应，故通过研磨垫500包括热量存储材料530，使得在研磨制程期间，机械摩擦所产生的热量可被热量存储材料530吸收，藉此研磨垫500因机械摩擦所造成的温度升高的程度会降低，而达成有效调降研磨垫500的温度的目的，如图3所示。如此一来，通过配置有热量存储材料530的热量存储区域L位于邻近于第一黏着层520a的部分的基底层560中，使得配置于热量存储区域L上方的第一黏着层520a不会在研磨制程期间发生因高温而劣化、变形或黏性下降的问题，以维持研磨制程的稳定性。
另外，在本实施方式中，研磨垫500包括包覆热量存储材料530的包覆层540，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，在与热量存储材料530相混合的基底层560的材料能够将热量存储材料530密封于其中的情况下，研磨垫500可不包括包覆热量存储材料530的包覆层540。
另外，基于第一至第三、第五实施方式的内容可知，第五实施方式的研磨垫500可采用与第一至第三实施方式的研磨垫100～300相同概念的设计，于第一黏着层520a的上方形成配置有热量存储材料的热量存储区域。
另外，基于第二及第五实施方式的内容可知，第五实施方式的研磨垫500也可采用与第二实施方式的研磨垫200相同概念的设计，通过于研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中分别配置不同的热量存储材料，取代原本配置于研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中的一种热量存储材料530，以达成在研磨制程期间，研磨垫500的温度被调降的程度能够更加平均的效果。附带一提的是，研磨轨迹区域A相对于非研磨轨迹区域B通常具有较高的温度，研磨垫500所包括的热量存储材料530也可选择仅配置于研磨轨迹区域A，同样也可达成在研磨制程期间，研磨垫500的温度被调降的程度能够更加平均的效果。
另外，基于第三及第五实施方式的内容可知，第五实施方式的研磨垫500也可采用与第三实施方式的研磨垫300相同概念的设计，通过使热量存储材料530于热量存储区域L内形成介于基底层与第一黏着层之间的界面层，取代原本第五实施方式中热量存储材料530设置成分散在对应热量存储区域L内的基底层560的材料中，以达到同样的发明效果，即研磨垫500在研磨制程期间的温度可被调降的效果。
图9是依照本发明的第六实施方式的研磨垫沿半径方向的剖面示意图。图9的研磨垫600的上视示意图请参考图1，其中图9的剖面位置可参考图1中的剖线I-I’的位置。请同时参照图9及图8，图9的研磨垫600与图8的研磨垫500相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明皆可参照前文而不再赘述。另外，研磨层610、第一黏着层620a、第二黏着层620b、热量存储材料630及包覆层640可与前述第五实施方式中的对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将针对两者之间的差异处进行说明。
请参照图9，在本实施方式中，配置有热量存储材料630的热量存储区域M位于第一黏着层620a与第二黏着层620b之间。详细而言，在本实施方式中，热量存储区域M位于邻近于第二黏着层620b的部分的基底层660中。也就是说，在本实施方式中，热量存储区域M是位于第二黏着层620b的上方。从另一观点而言，在本实施方式中，基底层660具有厚度T，则热量存储区域M的顶边缘Mt与底边缘Mb之间具有T/3至小于T的距离。
另外，在本实施方式中，制造基底层660的方法包括使热量存储材料630与构成基底层660的材料相混合的步骤，且基底层660中包括热量存储材料630的部分及不包括热量存储材料630的部分例如是分别以灌注法组合而成。
值得说明的是，在本实施方式中，由于热量存储材料630必会在研磨制程期间发生吸热反应，故通过研磨垫600包括热量存储材料630，使得在研磨制程期间，机械摩擦所产生的热量可被热量存储材料630吸收，藉此研磨垫600因机械摩擦所造成的温度升高的程度会降低，而达成有效调降研磨垫600的温度的目的，如图3所示。如此一来，通过配置有热量存储材料630的热量存储区域M位于邻近于第二黏着层620b的部分的基底层660中，使得配置于热量存储区域M上方的第二黏着层620b不会在研磨制程期间发生因高温而劣化、变形或黏性下降的问题，以维持研磨制程的稳定性。
另外，在本实施方式中，研磨垫600包括包覆热量存储材料630的包覆层640，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，在与热量存储材料630相混合的基底层660的材料能够将热量存储材料630密封于其中的情况下，研磨垫600可不包括包覆热量存储材料630的包覆层640。
另外，基于第一至第三、第六实施方式的内容可知，第六实施方式的研磨垫600可采用与第一至第三实施方式的研磨垫100～300相同概念的设计，于第一黏着层620a的上方形成配置有热量存储材料的热量存储区域。
另外，基于第二及第六实施方式的内容可知，第六实施方式的研磨垫600也可采用与第二实施方式的研磨垫200相同概念的设计，通过于研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中分别配置不同的热量存储材料，取代原本配置于研磨轨迹区域A与非研磨轨迹区域B中的一种热量存储材料630，以达成在研磨制程期间，研磨垫600的温度被调降的程度能够更加平均的效果。附带一提的是，研磨轨迹区域A相对于非研磨轨迹区域B通常具有较高的温度，研磨垫600所包括的热量存储材料630也可选择仅配置于研磨轨迹区域A，同样也可达成在研磨制程期间，研磨垫600的温度被调降的程度能够更加平均的效果。
另外，基于第三及第六实施方式的内容可知，第六实施方式的研磨垫600也可采用与第三实施方式的研磨垫300相同概念的设计，通过使热量存储材料630于热量存储区域M内形成介于基底层与第二黏着层之间的界面层，取代原本第六实施方式中热量存储材料630设置成分散在对应热量存储区域M内的基底层660的材料中，以达到同样的发明效果，即研磨垫600在研磨制程期间的温度可被调降的效果。
如前文所述，根据各黏着层所选择的材料不同，各具有不同的黏着强度，且各黏着层对于研磨制程期间所产生的热量抵抗能力也相对不同。有鉴于此，根据前述第五和第六实施方式的内容，任何所属技术领域中具有通常知识者应可理解，本发明的研磨垫也可同时包括：位于邻近于第一黏着层的部分的基底层及邻近于第二黏着层的部分的基底层中的配置有热量存储材料的两个热量存储区域，或者位于基底层与第一黏着层之间及基底层与第二黏着层之间的两个界面层。
图10是依照本发明的一实施方式的研磨方法的流程图。此研磨方法适用于研磨物件。详细而言，此研磨方法可应用于制造工业元件的研磨制程，例如是应用于电子产业的元件，其可包括半导体、集成电路、微机电、能源转换、通讯、光学、存储碟片、及显示器等元件，而制作这些元件所使用的物件可包括半导体晶圆、ⅢⅤ族晶圆、存储元件载体、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但并非用以限定本发明的范围。
请参照图10，首先，进行步骤S10，提供研磨垫。详细而言，在本实施方式中，研磨垫可以是前述实施方式中所述的任一种研磨垫，例如研磨垫100/200/300/400/500/600。而所述研磨垫100/200/300/400/500/600的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。
接着，进行步骤S12，对物件施加压力。藉此，物件会被压置于所述研磨垫上，并与所述研磨垫接触。详细而言，如前文所述，物件会与研磨层110/210/310/410/510/610的研磨面PS接触。另外，对物件施加压力的方式例如是使用能够固持物件的载具来进行。
之后，进行步骤S14，对所述物件及所述研磨垫提供相对运动，以利用所述研磨垫对所述物件进行研磨制程，而达到平坦化的目的。详细而言，对物件及研磨垫提供相对运动的方法例如是：通过承载台进行旋转来带动固定于承载台上的研磨垫旋转。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (34)

1.一种研磨垫，适用于研磨制程，其特征在于，所述研磨垫包括：
研磨层，具有彼此相对的研磨面及背面；
黏着层，配置于所述研磨层的所述背面上；以及
至少一热量存储材料，所述至少一热量存储材料所配置的区域位于所述黏着层的上方。
2.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料分散在所述研磨层的材料中。
3.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料于所述至少一热量存储材料所配置的区域内形成界面层，所述界面层位于所述黏着层的上方。
4.根据权利要求1所述的研磨垫，还包括至少一沟槽，配置于所述研磨层的所述研磨面中，其中所述至少一热量存储材料所配置的区域不与所述至少一沟槽底部接触。
5.根据权利要求4所述的研磨垫，其中所述至少一沟槽的底部距离所述研磨面具有沟槽深度D，且所述至少一热量存储材料所配置的区域的顶边缘与所述研磨面之间具有大于D且小于或等于1.5D的距离。
6.根据权利要求1所述的研磨垫，其中在所述研磨制程期间，所述研磨垫的最低温度为Tmin且最高温度为Tmax，其中所述至少一热量存储材料在介于Tmin与Tmax之间的温度发生吸热反应。
7.根据权利要求6所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料在所述吸热反应之后的分子间排列比所述吸热反应之前的分子间排列松散。
8.根据权利要求6所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料因发生所述吸热反应而从第一固体状态转变为第二固体状态，所述第一固体状态与所述第二固体状态的分子排列不同。
9.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料包括无机热量存储材料、有机热量存储材料或其组合。
10.根据权利要求9所述的研磨垫，其中所述无机热量存储材料包括盐类水合物。
11.根据权利要求9所述的研磨垫，其中所述有机热量存储材料包括多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烃化合物。
12.根据权利要求1所述的研磨垫，还包括包覆层，所述包覆层包覆所述至少一热量存储材料。
13.根据权利要求12所述的研磨垫，其中所述包覆层的材料不与所述研磨层的材料或所述至少一热量存储材料进行化学反应。
14.根据权利要求1所述的研磨垫，还包括研磨轨迹区域与非研磨轨迹区域，所述研磨轨迹区域配置第一热量存储材料，所述非研磨轨迹区域配置第二热量存储材料，其中在所述研磨制程期间，所述研磨垫的最低温度为Tmin且最高温度为Tmax，所述第一热量存储材料及所述第二热量存储材料分别在介于Tmin与Tmax之间的不同温度发生吸热反应。
15.根据权利要求14所述的研磨垫，其中所述第一热量存储材料的吸热反应温度低于所述第二热量存储材料的吸热反应温度。
16.根据权利要求14所述的研磨垫，其中所述第一热量存储材料的吸热量高于所述第二热量存储材料的吸热量。
17.一种研磨垫，适用于研磨制程，其特征在于，所述研磨垫包括：
研磨层；
基底层，配置于所述研磨层下方；
第一黏着层，配置于所述研磨层与所述基底层之间；
第二黏着层，配置于所述基底层下方；以及
至少一热量存储材料，所述至少一热量存储材料所配置的区域位于所述第一黏着层与所述第二黏着层之间。
18.根据权利要求17所述的研磨垫，其中所述基底层具有厚度T，且所述至少一热量存储材料所配置的区域的顶边缘与底边缘之间具有T/3至T的距离。
19.根据权利要求17所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料分散在所述基底层的材料中。
20.根据权利要求19所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料所配置的区域涵盖整个所述基底层或位于以下位置中的至少一者：
(a)邻近于所述第一黏着层的部分的所述基底层；
(b)邻近于所述第二黏着层的部分的所述基底层。
21.根据权利要求17所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料于所述至少一热量存储材料所配置的区域内形成界面层，所述界面层位于以下位置中的至少一者：
(c)所述基底层与所述第一黏着层之间；
(d)所述基底层与所述第二黏着层之间。
22.根据权利要求17所述的研磨垫，其中在所述研磨制程期间，所述研磨垫的最低温度为Tmin且最高温度为Tmax，其中所述至少一热量存储材料在介于Tmin与Tmax之间的温度发生吸热反应。
23.根据权利要求22所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料在所述吸热反应之后的分子间排列比在所述吸热反应之前的分子间排列松散。
24.根据权利要求22所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料因发生所述吸热反应而从第一固体状态转变为第二固体状态，所述第一固体状态与所述第二固体状态的分子排列不同。
25.根据权利要求17所述的研磨垫，其中所述至少一热量存储材料包括无机热量存储材料、有机热量存储材料或其组合。
26.根据权利要求25所述的研磨垫，其中所述无机热量存储材料包括盐类水合物。
27.根据权利要求25所述的研磨垫，其中所述有机热量存储材料包括多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烃化合物。
28.根据权利要求17所述的研磨垫，还包括包覆层，所述包覆层包覆所述的至少一热量存储材料。
29.根据权利要求28所述的研磨垫，其中所述包覆层的材料不与所述基底层的材料或所述至少一热量存储材料进行化学反应。
30.根据权利要求17所述的研磨垫，还包括研磨轨迹区域与非研磨轨迹区域，所述研磨轨迹区域配置第一热量存储材料，所述非研磨轨迹区域配置第二热量存储材料，其中在所述研磨制程期间，所述研磨垫的最低温度为Tmin且最高温度为Tmax，所述第一热量存储材料及所述第二热量存储材料分别在介于Tmin与Tmax之间的不同温度发生吸热反应。
31.根据权利要求30所述的研磨垫，其中所述第一热量存储材料的吸热反应温度低于所述第二热量存储材料的吸热反应温度。
32.根据权利要求30所述的研磨垫，其中所述第一热量存储材料的吸热量高于所述第二热量存储材料的吸热量。
33.一种研磨方法，适用于研磨物件，其特征在于，包括：
提供研磨垫，所述研磨垫根据权利要求1至16中任一项所述的研磨垫；
对所述物件施加压力以压置于所述研磨垫上；以及
对所述物件及所述研磨垫提供相对运动以进行所述研磨制程。
34.一种研磨方法，适用于研磨物件，其特征在于，包括：
提供研磨垫，所述研磨垫根据权利要求17至32中任一项所述的研磨垫；
对所述物件施加压力以压置于所述研磨垫上；以及
对所述物件及所述研磨垫提供相对运动以进行所述研磨制程。
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