CN108649102A - 一种双面太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种双面太阳能电池的制备方法，在衬底层的一侧沉积BSG，在衬底层的另一侧沉积缓冲层，并在缓冲层表面沉积PSG。由于通常情况下PSG的扩散温度要低于BSG的扩散温度，在同一温度同时对PSG与BSG进行扩散时PSG的扩散速度会大于BSG的扩散速度。在将PSG设置在缓冲层表面后在使PSG扩散成n型扩散层时，PSG中的磷原子会扩散进缓冲层，该缓冲层可以减缓PSG的扩散速度，从而使得在预设的温度下PSG的扩散速度与BSG的扩散速度相同，进而实现PSG与BSG的同时扩散，即在一次扩散过程中同时在衬底层的两侧分别形成n型掺杂层和p型掺杂层，从而减少双面太阳能电池的制备时间，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种双面太阳能电池的制备方法。
背景技术
随着科技不断的进步，光伏行业得到了极大的发展，太阳能电池在如今也有了广泛的应用。随着太阳能电池技术的不断进步，双面太阳能电池的制作工艺也越来越成熟，同时双面太阳能电池的应用也越来越广泛。
对于双面太阳能电池来说，顾名思义，太阳能电池的受光侧与背光侧均能吸收光能，并将吸收的光能直接转换成电能。对于现阶段的双面太阳能电池来说，在太阳能电池的两侧分别形成有高低结结构和p-n结结构，从而使得太阳能电池的两个面均可以接收光能并将接收的光能直接转换成电能，从而实现发电。
在现有技术中，在制备双面太阳能电池时，通常需要先在衬底层的一个表面进行磷扩散形成n型扩散层，再在衬底层的另一面进行硼扩散形成p型扩散层。即在制作太阳能电池的过程中需要进行两次高温扩散从而制成双面太阳能电池。
但是在现有技术中，进行两侧高温扩散从而分别形成n型扩散层与p型扩散层会极大的延长双面太阳能电池的制备时间，增加双面太阳能电池的制作成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种双面太阳能电池的制备方法，可以有效减少双面太阳能电池的制备时间，降低成本。
为解决上述技术问题，本发明提供一种双面太阳能电池的制备方法，所述方法包括：
在衬底层一侧的表面沉积BSG；
在所述衬底层另一侧的表面沉积缓冲层；
在所述缓冲层表面沉积PSG；
以预设的温度同时加热所述BSG与所述PSG，以在所述衬底层一侧扩散成p型扩散层，并在所述衬底层另一侧扩散成n型扩散层，以在所述衬底层两侧分别形成高低结结构与p-n结结构；
在所述n型扩散层表面印刷并烧结成第一电极，并在所述p型扩散层表面印刷并烧结成第二电极，以制成所述双面太阳能电池。
可选的，所述缓冲层为以下任意一种或任意组合：氧化硅缓冲层、碳化硅缓冲层、氮化硅缓冲层。
可选的，所述p型扩散层为p+扩散层；所述n型扩散层为n+扩散层。
可选的，在所述在衬底层一侧的表面沉积BSG之前，所述方法还包括：
在所述衬底层两个表面进行制绒。
可选的，在所述以预设的温度同时加热所述BSG与所述PSG，以在所述衬底层一侧扩散成p型扩散层，并在所述衬底层另一侧扩散成n型扩散层之后，所述方法还包括：
在所述p型扩散层表面沉积第一钝化层，并在所述n型扩散层表面沉积第二钝化层；
所述在所述p型扩散层表面印刷并烧结成第一电极，并在所述n型扩散层表面印刷并烧结成第二电极包括：
在所述第一钝化层表面印刷并烧结成所述第一电极，所述第一电极与所述p型扩散层相接触；
在所述第二钝化层表面印刷并烧结成所述第二电极，所述第二电极与所述n型扩散层相接触。
可选的，所述第一钝化层为氧化铝钝化层。
可选的，所述衬底层为n型硅衬底层。
可选的，所述在衬底层一侧的表面沉积BSG包括：
在所述衬底层一侧的表面沉积所述BSG；其中，所述BSG的厚度的取值范围为80nm至140nm，包括端点值；所述BSG中硼原子的含量的取值范围为30％至50％，包括端点值；
所述在所述衬底层另一侧的表面沉积缓冲层包括：
在所述衬底层另一侧的表面沉积氧化硅缓冲层；其中，所述氧化硅缓冲层的厚度的取值范围为60nm至80nm，包括端点值；
所述在所述缓冲层表面沉积PSG包括：
在所述氧化硅缓冲层表面沉积所述PSG；其中，所述PSG的厚度的取值范围为60nm至80nm，包括端点值；所述PSG中磷原子的含量的取值范围为30％至50％，包括端点值；
所述以预设的温度同时加热所述BSG与所述PSG包括：
以预设的所述温度同时加热所述BSG与所述PSG至预设的时间；其中，所述温度的取值范围为950℃至1000℃，包括端点值；所述时间的取值范围为10min至30min，包括端点值。
本发明所提供的一种双面太阳能电池的制备方法，在衬底层的一侧沉积BSG，在衬底层的另一侧沉积缓冲层，并在缓冲层表面沉积PSG。由于通常情况下PSG的扩散温度要低于BSG的扩散温度，在同一温度同时对PSG与BSG进行扩散时PSG的扩散速度会大于BSG的扩散速度。在将PSG设置在缓冲层表面后在使PSG扩散成n型扩散层时，PSG中的磷原子会扩散进缓冲层，该缓冲层可以减缓PSG的扩散速度，从而使得在预设的温度下PSG的扩散速度与BSG的扩散速度相同，进而实现PSG与BSG的同时扩散，即在一次扩散过程中同时在衬底层的两侧分别形成n型掺杂层和p型掺杂层，从而减少双面太阳能电池的制备时间，降低成本。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池制备方法的流程图；
图2为本发明实施例所提供的一种沉积时双面太阳能电池的结构示意图；
图3为本发明实施例所提供的一种扩散时双面太阳能电池的结构示意图；
图4为本发明实施例所制备的双面太阳能电池的结构示意图；
图5为本发明实施例所提供的一种具体的双面太阳能电池制备方法的流程图；
图6为本发明实施例所提供的一种制绒时双面太阳能电池的结构示意图；
图7为本发明实施例所提供的一种具体的双面太阳能电池的结构示意图；
图8为本发明实施例所提供的另一种具体的双面太阳能电池制备方法的流程图。
图中：1.衬底层、2.BSG、3.缓冲层、4.PSG、5.p型扩散层、51.第一钝化层、6.n型扩散层、61.第二钝化层、71.第一电极、72.第二电极。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种双面太阳能电池的制备方法。在现有技术中，由于硼扩散的反应温度与磷扩散的反应温度不同，在同一温度下无法保证硼扩散时的扩散速度与磷扩散时的扩散速度相同，所以在制备双面太阳能电池时，通常需要先在衬底层的一个表面进行磷扩散形成n型扩散层，再在衬底层的另一面进行硼扩散形成p型扩散层。即在制作太阳能电池的过程中需要进行两次高温扩散从而制成双面太阳能电池。由于在扩散过程中通常需要将双面太阳能电池的半成品在接近1000度左右的高温环境下进行扩散，若进行多次高温扩散容易对双面太阳能电池造成热损伤，从而使得双面太阳电池的性能显著下降。
而本发明所提供的一种双面太阳能电池的制备方法，在衬底层的一侧沉积BSG，在衬底层的另一侧沉积缓冲层，并在缓冲层表面沉积PSG。由于通常情况下PSG的扩散温度要低于BSG的扩散温度，在同一温度同时对PSG与BSG进行扩散时PSG的扩散速度会大于BSG的扩散速度。在将PSG设置在缓冲层表面后在使PSG扩散成n型扩散层时，PSG中的磷原子会扩散进缓冲层，该缓冲层可以减缓PSG的扩散速度，从而使得在预设的温度下PSG的扩散速度与BSG的扩散速度相同，进而实现PSG与BSG的同时扩散，即在一次扩散过程中同时在衬底层的两侧分别形成n型掺杂层和p型掺杂层，从而减少双面太阳能电池的制备时间，降低成本。同时仅仅进行一次高温扩散，可以显著减少在高温扩散时对双面太阳能电池的热损伤，提高双面太阳能电池的性能。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1、图2、图3与图4，图1为本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池制备方法的流程图；图2为本发明实施例所提供的一种沉积时双面太阳能电池的结构示意图；图3为本发明实施例所提供的一种扩散时双面太阳能电池的结构示意图；图4为本发明实施例所制备的双面太阳能电池的结构示意图。
参见图1，在本发明实施例中，双面太阳能电池制备方法包括：
S101：在衬底层一侧的表面沉积BSG。
参见图2，在本步骤中，BSG即为硼硅玻璃，即将硼源与二氧化硅混合后所得到的玻璃。根据硼源类型的不同，可以采用不同的方法在衬底层1一侧的表面沉积BSG2，有关BSG2的具体沉积方法在本发明实施例中不做具体限定，视具体情况而定。通常情况下，在本发明实施例中采用PECVD(等离子增强化学气相沉积)的方法在衬底层1一侧的表面沉积上述BSG2。有关BSG2中硼源的具体类型在本发明实施例中并不做具体限定，有关BSG2的具体参数将在下述发明实施例中做详细介绍。
S102：在衬底层另一侧的表面沉积缓冲层。
在本步骤中，会在与设置上述BSG2的衬底层1表面相对的另一侧表面沉积缓冲层3。上述缓冲层3的作用将减缓设置在缓冲层3表面的PSG(磷硅玻璃)中磷原子的扩散速度。在本发明实施例中，所述缓冲层3为以下任意一种或任意组合：氧化硅缓冲层、碳化硅缓冲层、碳化硅缓冲层。即上述缓冲层3可以具体为在衬底层1另一侧表面沉积氧化硅(SiOx)、碳化硅(SiC)、氮化硅(Si3N4)，或者其他材料，甚至于上述多种材料的混合所构成的缓冲层3。有关缓冲层3的具体材质在本发明实施例中并不做具体限定，只要能减缓设置在缓冲层3表面PSG4中磷原子的扩散速度即可。有关缓冲层3的具体参数将在下述发明实施例中做详细介绍。
S103：在缓冲层表面沉积PSG。
在本步骤中，会在缓冲层3表面沉积PSG4。所述PSG即为磷硅玻璃，即将磷源与二氧化硅混合后所得到的玻璃。根据磷源类型的不同，可以采用不同的方法在缓冲层3表面沉积PSG4，有关PSG4的具体沉积方法在本发明实施例中不做具体限定，视具体情况而定。通常情况下，在本发明实施例中采用PECVD的方法在缓冲层3表面沉积上述PSG4。有关PSG4中磷源的具体类型在本发明实施例中并不做具体限定，有关PSG4的具体参数将在下述发明实施例中做详细介绍。
参见图2，在本步骤之后，会在衬底层1的一侧表面沉积BSG2，而在衬底层1的另一侧表面形成“衬底层1-缓冲层3-PSG4”的结构，其中缓冲层3位于衬底层1与PSG4之间。
在本发明实施例中，可以先在衬底层1的一侧沉积BSG2，再在衬底层1的另一侧沉积上述缓冲层3与PSG4；也可以先在衬底层1的另一侧沉积上述缓冲层3与PSG4，再在衬底层1的一侧沉积BSG2；还可以在衬底层1的两侧同时沉积上述结构。即在本发明实施例中可以先执行S101，再顺序执行S102与S103；也可以先顺序执行S102与S103，再执行S101；还可以同时S101与S102，并仅在S102执行后在执行S103，详细内容视具体情况而定，在此不做具体限定。
S104：以预设的温度同时加热BSG与PSG，以在衬底层一侧扩散成p型扩散层，并在衬底层另一侧扩散成n型扩散层，以在衬底层两侧分别形成高低结结构与p-n结结构。
参见图3，在本步骤中，会以一个预设的温度同时加热上述BSG2与PSG4，即在同一温度下使得BSG2中的硼原子扩散以形成p型扩散层5；同时在同一温度下使得PSG4中的磷原子扩散以形成n型扩散层6。有关上述预设温度的具体参数将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
需要说明的是，在本步骤中使得PSG4中磷原子发生扩散的温度要大于现有技术中使得PSG4中磷原子发生扩散的温度，从而使得PSG4的扩散速度要大于现有技术中的扩散速度。但是在本发明实施例中由于上述缓冲层3的存在，可以降低PSG4中磷原子的扩散速度，从而延长n型扩散层6的形成时间，使得磷原子的扩散速度与硼原子的扩散速度相同，使得n型扩散层6的形成时间与p型扩散层5的形成时间相同，从而实现在一次扩散过程中同时在衬底层1的两侧分别形成n型扩散层6与p型扩散层5，从而在衬底层1两侧分别形成高低结结构与p-n结结构。
上述高低结结构与p-n结结构的具体位置与上述衬底层1的具体类型有关。在现阶段常使用的衬底层1为硅质衬底层，而n型硅衬底层与p型硅衬底层相比，n型硅衬底层具有少子寿命高、扩散长度大等特点。相比于p型硅衬底层来说，n型硅衬底层的稳定性更高，所以在本发明实施例中，上述衬底层1优选为n型硅衬底层。相应的，上述p型扩散层5与n型硅衬底层会形成p-n结结构，而上述n型扩散层6与n型硅衬底层会形成高低结结构，其具体为n+n型高低结结构。需要说明的是，此时n型扩散层6中电子的浓度需要高于n型硅衬底层中电子浓度；
若在本发明实施例中上述衬底层1具体为p型硅衬底层，相应的，上述n型扩散层6与p型硅衬底层会形成p-n结结构，而上述p型扩散层5与p型硅衬底层会形成高低结结构，其具体为p+p型高低结结构。需要说明的是，此时p型扩散层5中电子的浓度需要高于p型硅衬底层中电子浓度。
作为优选的，在发明实施例中，可以进一步提高BSG2中硼原子的浓度，以在上述衬底层1的一侧形成p+扩散层，即p型重掺杂层；同时也可以进一步提高PSG4中磷原子的浓度，以在上述衬底层1的另一侧形成n+扩散层，即n型重掺杂层。对于n型重掺杂层来说，其掺杂费米能级进入了导带。但是根据衬底层1的具体组成以及磷源种类的不同，n+扩散层的掺杂浓度会有较大的不同，在本发明实施例中对于n+扩散层的具体掺杂浓度并不做具体限定；同理，对于p型重掺杂层来说，其掺杂费米能级进入了价带。但是根据衬底的具体组成以及硼源种类的不同，p+扩散层的掺杂浓度会有较大的不同，在本发明实施例中对于p+扩散层的具体掺杂浓度同样不做具体限定。
S105：在n型扩散层表面印刷并烧结成第一电极，并在p型扩散层表面印刷并烧结成第二电极，以制成双面太阳能电池。
参见图4，在本步骤中，会在n型扩散层6表面印刷并烧结成第一电极71，以及在p型扩散层5表面印刷并烧结成第二电极72。其中第一电极71需要与n型扩散层6相接触以实现电连接，相应的第二电极72需要与p型扩散层5相接触以实现电连接。上述第一电极71与第二电极72通常情况下即为设置在双面太阳能电池两侧的栅线。有关第一电极71与第二电极72的具体结构可以参照现有技术，在本发明实施例中不做具体限定。
本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池的制备方法，在衬底层1的一侧沉积BSG2，在衬底层1的另一侧沉积缓冲层3，并在缓冲层3表面沉积PSG4。由于通常情况下PSG4的扩散温度要低于BSG2的扩散温度，在同一温度同时对PSG4与BSG2进行扩散时PSG4的扩散速度会大于BSG2的扩散速度。在将PSG4设置在缓冲层3表面后在使PSG4扩散成n型扩散层时，PSG4中的磷原子会扩散进缓冲层3，该缓冲层3可以减缓PSG4的扩散速度，从而使得在预设的温度下PSG4的扩散速度与BSG2的扩散速度相同，进而实现PSG4与BSG2的同时扩散，即在一次扩散过程中同时在衬底层1的两侧分别形成n型掺杂层和p型掺杂层，从而减少双面太阳能电池的制备时间，降低成本。同时仅仅进行一次高温扩散，可以显著减少在高温扩散时对双面太阳能电池的热损伤，提高双面太阳能电池的性能。
在本发明中，可以通过制绒或设置钝化层等步骤进一步提高双面太阳能电池的转换效率。详细内容烦请参照下述发明实施例。
请参考图5、图6与图7，图5为本发明实施例所提供的一种具体的双面太阳能电池制备方法的流程图；图6为本发明实施例所提供的一种制绒时双面太阳能电池的结构示意图；图7为本发明实施例所提供的一种具体的双面太阳能电池的结构示意图。
参见图5，在本发明实施例中，双面太阳能电池制备方法包括：
S201：在衬底层两个表面进行制绒。
参见图6，在本步骤中，可以分别在衬底层1两侧的两个表面制绒，以在衬底层1两侧的两个表面形成金字塔状绒面或虫孔状绒面，从而提高衬底层1表面的陷光作用。上述金字塔状绒面或虫孔状绒面可以使照射到太阳能电池的光线发生漫反射而不会发生镜面反射，上述绒面可以避免外界光线直接反射出太阳能电池，从而增加太阳能电池的光吸收率。有关制绒的具体实施方式有很多种，在本发明实施例中不做具体限定，只要能在衬底层1两侧的表面进行制绒，提高衬底层1表面的陷光作用即可。
S202：在衬底层一侧的表面沉积BSG。
S203：在衬底层另一侧的表面沉积缓冲层。
S204：在缓冲层表面沉积PSG。
S205：以预设的温度同时加热BSG与PSG，以在衬底层一侧扩散成p型扩散层，并在衬底层另一侧扩散成n型扩散层，以在衬底层两侧分别形成高低结结构与p-n结结构。
在本发明实施例中，上述S202至S205与上述发明实施例中S101至S104基本相同，详细内容请参照上述发明实施例，在此不再进行赘述。
S206：在p型扩散层表面沉积第一钝化层，并在n型扩散层表面沉积第二钝化层。
参见图7，在本步骤中，会分别在n型扩散层6与p型扩散层5表面沉积钝化层，其中在p型扩散层5表面沉积的钝化层为第一钝化层51，在n型扩散层6表面沉积的钝化层为第二钝化层61。
有关沉积上述第一钝化层51与第二钝化层61的具体方法可以参照现有技术，在此不再进行赘述。上述第一钝化层51与第二钝化层61可以减少太阳能电池表面的载流子复合速率，提高太阳能电池的转换效率。通常情况下，将第一钝化层51与第二钝化层61的厚度控制在一定范围内还可以使第一钝化层51与第二钝化层61起到减反膜的作用。减反膜又称增透膜，减反膜通常利用前后两个表面所反射的光之间相互干涉相消，以此来增加外接光线的透光量。在太阳能电池中将第一钝化层51与第二钝化层61的厚度控制在一定范围内可以让第一钝化层51与第二钝化层61起到减反膜的作用。
当然，在本发明实施例中也可以在第一钝化层51的表面与第二钝化层61的表面分别设置减反膜来增加太阳能电池对外界网线的吸收量，有关上述第一钝化层51、第二钝化层61以及减反膜的具体参数可以参照现有技术在此不再进行赘述。
在本发明实施例中，上述第一钝化层51优选为氧化铝钝化层，即上述第一钝化层51优选为将氧化铝(Al2O3)沉积在p型扩散层5表面所形成的第一钝化层51。由于氧化铝钝化层自身固定有大量负电荷，可以阻止太阳能电池中电子向p型扩散层5移动，从而降低载流子在p型扩散层5的复合速度，进而进一步增加太阳能电池的转换效率。
S207：在第一钝化层表面印刷并烧结成第一电极，第一电极与p型扩散层相接触。
在本步骤中，会在第一钝化层51的表面印刷并烧结第一电极71。在印刷过程中，在第一钝化层51表面印刷的浆料中含有腐蚀剂，可以腐蚀掉印刷区域的第一钝化层51，从而使得浆料与p型扩散层5相接触，在烧结后使得第一电极71与p型扩散层5相接触以相互电连接。
在本发明实施例中，S206与S207之间并没有先后顺序，可以先执行S206再执行S207；也可以先执行S207再执行S206，或者同时执行S206与S207，在本发明实施例中并不做具体限定。
S208：在第二钝化层表面印刷并烧结成第二电极，第二电极与n型扩散层相接触。
与S207相类似，在本步骤中，会在第二钝化层61的表面印刷并烧结第二电极72。在印刷过程中，在第二钝化层61表面印刷的浆料中含有腐蚀剂，可以腐蚀掉印刷区域的第二钝化层61，从而使得浆料与n型扩散层6相接触，在烧结后使得第二电极72与n型扩散层6相接触以相互电连接。
本发明实施例所提供的一种双面电池的制备方法，在沉积BSG2与PSG4之间先对衬底层1两侧的表面进行制绒可以有效增加太阳能电池对外界光线的吸收效率，同时在n型扩散层6与p型扩散层5表面分别设置有上述第一钝化层51与第二钝化层61可以有效减小复合中心以及载流子在太阳能电池表面的复合效率，从而进一步提高太阳能电池的转换效率。
在本发明实施例中，有关上述BSG2、PSG4、缓冲层3的具体参数将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图8，图8为本发明实施例所提供的另一种具体的双面太阳能电池制备方法的流程图。
参见图8，在本发明实施例中，双面太阳能电池制备方法包括：
S301：在衬底层两个表面进行制绒。
本步骤与上述发明实施例中S201基本相同，详细内容请参照上述发明实施例，在此不再进行赘述。
S302：在衬底层一侧的表面沉积BSG。
在本步骤中，所述BSG2的厚度的取值范围为80nm至140nm，包括端点值。即在本发明实施例中BSG2的厚度可以恰好为80nm或140nm。
上述BSG2中硼原子的含量的取值范围为30％至50％，包括端点值。即在本发明实施例中BSG2中硼原子的含量可以正好占BSG2的30％或50％。通常情况下，通过硼原子为上述含量的BSG2所扩散成的p型扩散层5为p+扩散层。
S303：在衬底层另一侧的表面沉积氧化硅缓冲层。
在本步骤中，所述氧化硅缓冲层的厚度的取值范围为60nm至80nm，包括端点值。即在本发明实施例中所沉积的氧化硅缓冲层的厚度可以恰好为60nm或80nm。
S304：在氧化硅缓冲层表面沉积PSG。
在本步骤中，所述PSG4的厚度的取值范围为60nm至80nm，包括端点值。即在本发明实施例中PSG4的厚度可以恰好为60nm或80nm。
上述PSG4中磷原子的含量的取值范围为30％至50％，包括端点值。即在本发明实施例中PSG4中磷原子的含量可以正好占PSG4的30％或50％。通常情况下，通过磷原子为上述含量的PSG4所扩散成的n型扩散层6为n+扩散层。
S305：以预设的所述温度同时加热所述BSG与所述PSG至预设的时间。
在本步骤中，所述温度的取值范围为950℃至1000℃，包括端点值。即在本发明实施例中，会在950℃至1000℃的温度区间内同时加热上述BSG2与PSG4，使得BSG2扩散成p+扩散层，并且使得PSG4与上述氧化硅缓冲层扩散成n+扩散层。当然，上述温度可以恰为950℃或1000℃。
在本步骤中，所述时间的取值范围为10min至30min，包括端点值。即在本发明实施例中会同时加热上述BSG2与PSG410min至30min，从而使得BSG2中硼原子与PSG4中磷原子发生扩散。当然，上述时间可以恰为10min或30min。
在本步骤中，会在衬底层1的两侧分别形成n+扩散层与p+扩散层，从而在衬底层1两侧分别形成高低结结构与p-n结结构。
S306：在p型扩散层表面沉积第一钝化层，并在n型扩散层表面沉积第二钝化层。
S307：在第一钝化层表面印刷并烧结成第一电极，第一电极与p型扩散层相接触。
S308：在第二钝化层表面印刷并烧结成第二电极，第二电极与n型扩散层相接触。
在本发明实施例中，上述S306至S308分别与上述发明实施例中S206至S208基本相同，详细内容请参照上述发明实施例，在此不再进行赘述。
本发明实施例所提供的一种双面电池的制备方法，公开了具体的参数，可以使得在衬底层1的两侧同时形成n+扩散层与p+扩散层，从而实现BSG2与PSG4的高温共扩散，减少双面太阳能电池的制备时间，降低成本。同时仅仅进行一次高温扩散，可以显著减少在高温扩散时对双面太阳能电池的热损伤，提高双面太阳能电池的性能。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种双面太阳能电池的制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (8)
1.一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底层一侧的表面沉积BSG；
在所述衬底层另一侧的表面沉积缓冲层；
在所述缓冲层表面沉积PSG；
以预设的温度同时加热所述BSG与所述PSG，以在所述衬底层一侧扩散成p型扩散层，并在所述衬底层另一侧扩散成n型扩散层，以在所述衬底层两侧分别形成高低结结构与p-n结结构；
在所述n型扩散层表面印刷并烧结成第一电极，并在所述p型扩散层表面印刷并烧结成第二电极，以制成所述双面太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层为以下任意一种或任意组合：氧化硅缓冲层、碳化硅缓冲层、氮化硅缓冲层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述p型扩散层为p+扩散层；所述n型扩散层为n+扩散层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在衬底层一侧的表面沉积BSG之前，所述方法还包括：
在所述衬底层两个表面进行制绒。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述以预设的温度同时加热所述BSG与所述PSG，以在所述衬底层一侧扩散成p型扩散层，并在所述衬底层另一侧扩散成n型扩散层之后，所述方法还包括：
在所述p型扩散层表面沉积第一钝化层，并在所述n型扩散层表面沉积第二钝化层；
所述在所述p型扩散层表面印刷并烧结成第一电极，并在所述n型扩散层表面印刷并烧结成第二电极包括：
在所述第一钝化层表面印刷并烧结成所述第一电极，所述第一电极与所述p型扩散层相接触；
在所述第二钝化层表面印刷并烧结成所述第二电极，所述第二电极与所述n型扩散层相接触。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一钝化层为氧化铝钝化层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底层为n型硅衬底层。
8.根据权利要求1至7任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述在衬底层一侧的表面沉积BSG包括：
在所述衬底层一侧的表面沉积所述BSG；其中，所述BSG的厚度的取值范围为80nm至140nm，包括端点值；所述BSG中硼原子的含量的取值范围为30％至50％，包括端点值；
所述在所述衬底层另一侧的表面沉积缓冲层包括：
在所述衬底层另一侧的表面沉积氧化硅缓冲层；其中，所述氧化硅缓冲层的厚度的取值范围为60nm至80nm，包括端点值；
所述在所述缓冲层表面沉积PSG包括：
在所述氧化硅缓冲层表面沉积所述PSG；其中，所述PSG的厚度的取值范围为60nm至80nm，包括端点值；所述PSG中磷原子的含量的取值范围为30％至50％，包括端点值；
所述以预设的温度同时加热所述BSG与所述PSG包括：
以预设的所述温度同时加热所述BSG与所述PSG至预设的时间；其中，所述温度的取值范围为950℃至1000℃，包括端点值；所述时间的取值范围为10min至30min，包括端点值。
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|---|---|
| CN (1) | CN108649102A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109324428A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-02-12 | 三明学院 | 硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备 |
| CN113161230A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-07-23 | 安徽安芯电子科技股份有限公司 | 磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103794679A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-05-14 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种背接触太阳能电池的制备方法 |
| CN104319308A (zh) * | 2014-09-16 | 2015-01-28 | 上饶光电高科技有限公司 | 一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法 |
| CN105576083A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-05-11 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种基于apcvd技术的n型双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN107425091A (zh) * | 2016-05-24 | 2017-12-01 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 双面电池的掺杂方法 |
| CN107484432A (zh) * | 2015-04-15 | 2017-12-15 | 默克专利股份有限公司 | 可同时抑制在共扩散方法中的磷扩散的可丝网印刷的硼掺杂糊料 |
-
2018
- 2018-05-09 CN CN201810438270.9A patent/CN108649102A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103794679A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-05-14 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种背接触太阳能电池的制备方法 |
| CN104319308A (zh) * | 2014-09-16 | 2015-01-28 | 上饶光电高科技有限公司 | 一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法 |
| CN107484432A (zh) * | 2015-04-15 | 2017-12-15 | 默克专利股份有限公司 | 可同时抑制在共扩散方法中的磷扩散的可丝网印刷的硼掺杂糊料 |
| CN105576083A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-05-11 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种基于apcvd技术的n型双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN107425091A (zh) * | 2016-05-24 | 2017-12-01 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 双面电池的掺杂方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 黄汉尧: "《半导体器件工艺原理》", 30 June 1980, 国防工业出版社 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109324428A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-02-12 | 三明学院 | 硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备 |
| CN109324428B (zh) * | 2018-11-07 | 2021-11-12 | 三明学院 | 硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备 |
| CN113161230A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-07-23 | 安徽安芯电子科技股份有限公司 | 磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺 |
| CN113161230B (zh) * | 2020-12-14 | 2022-05-17 | 安徽安芯电子科技股份有限公司 | 磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺 |
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