CN108628752B - 一种数据存储方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种数据存储方法和装置，涉及芯片存储技术领域。所述方法，包括：当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。解决了现有的NAND FLASH固化存储区域对固有配置信息的存储方式可靠性不够高的技术问题。取得了提高NAND FLASH固化存储区域中存储的固有配置信息的可靠性的有益效果。
Description
技术领域
本发明涉及本发明涉及芯片存储技术领域，具体涉及一种数据存储方法和装置。
背景技术
根据实现的技术架构的不同，闪存芯片可以分为NOR flash、NAND flash和DINORflash等几种类型。相比于其他几种类型的闪存，NAND flash能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，因此，它是实现大容量数据存储器的理想数据存储介质。NAND FLASH作为一种非易失性存储介质，它以半导体作为记忆载体，比传统的存储设备更能承受温度的变化、机械的振动和冲击，可靠性更高，易于实现高速度、低功耗的存储系，是解决大容量存储技术的理想方案。
NAND FLASH中芯片的固有配置信息需要在出厂前固化到芯片的FUSEROM(固化存储区域)中去，以便用户能够正常的使用芯片，而且这些信息是用户不可更改的，所以需要尽可能的提高这些数据的读写操作可靠性。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种数据存储方法和相应的一种数据存储装置。
依据本发明的一个方面，提供了一种数据存储方法，包括：
当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；
将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
可选地，当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数的步骤，包括：
当接收到固有配置信息时，获取所述目标NAND Flash中的所述固化存储区域中所包含的各存储页的存储量；
根据接收到的固有化配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。
可选地，将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中
目标个数的存储块中的步骤，包括：
将所述固有配置信息以目标NAND Flash中各存储页的存储量为单位进行拆分；
将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
可选地，还包括：
当从所述固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取所述固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。
可选地，所述预设电压条件为在进行读取操作时，所述目标存储页对应的读取电压在第一低压范围内，而所述目标存储页所在存储块中其他存储页对应的电压在第一高压范围内；所述第一高压范围与所述第一低压范围之间的差值不小于预设数值。
根据本发明的另一方面，提供了一种数据存储装置，包括：
目标个数确定模块，用于当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；
存储模块，用于将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
可选地，所述目标个数确定模块，包括：
存储量获取子模块，用于当接收到固有配置信息时，获取所述目标NAND Flash中的所述固化存储区域中所包含的各存储页的存储量；
目标个数确定子模块，用于根据接收到的固有化配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。
可选地，所述存储模块，包括：
拆分子模块，用于将所述固有配置信息以目标NAND Flash中各存储页的存储量为单位进行拆分；
存储子模块，用于将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
可选地，还包括：
数据读取模块，用于当从所述固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取所述固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。
可选地，所述预设电压条件为在进行读取操作时，所述目标存储页对应的读取电压在第一低压范围内，而所述目标存储页所在存储块中其他存储页对应的电压在第一高压范围内；所述第一高压范围与所述第一低压范围之间的差值不小于预设数值。
根据本发明的一种数据存储方法和装置，可以当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。由此解决了现有的NAND FLASH固化存储区域对固有配置信息的存储方式可靠性不够高的技术问题。取得了提高NAND FLASH固化存储区域中存储的固有配置信息的可靠性的有益效果。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1示出了根据本发明一个实施例的一种数据存储方法的步骤流程图；
图1A示出了根据本发明一个实施例的一种NAND Flash物理存储单元的阵列组织结构示意图；
图1B示出了根据本发明一个实施例的一种NAND FLASH的存储阵列示意图；
图1C示出了根据本发明一个实施例的一种阈值电压与判定电压的分布示意图；
图1D示出了根据本发明一个实施例的一种BLOCK的结构示意图；
图2示出了根据本发明一个实施例的一种数据存储方法的步骤流程图；
图3示出了根据本发明一个实施例的一种数据存储装置的结构示意图；以及
图4示出了根据本发明一个实施例的一种数据存储装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
实施例一
详细介绍本发明实施例提供的一种数据存储方法。
参照图1，示出了本发明实施例中一种数据存储方法的步骤流程图。
步骤110，当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数。
步骤120，将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
在NAND FLASH的存储阵列中，通过实验测试得到可靠性比较高的区域都是居于存储阵列中间的部分，因此芯片中比较重要，可靠性要求较高的数据存储都要优先放置于存储阵列中间部分的BLOCK中。
如图1A为一种Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构，其中的Device为装置，page register为页寄存器。简单解释就是：
1、一个Nand flash由很多个块(Block)组成，块的大小一般是128KB(Kilo-bytes，千字节)、256KB或者是512KB。图1A中所示的块大小是128KB。而且block的基本单元是page(页)。通常来说,每一个block由16、32或64个page组成。大多数的NAND Flash器件每一个page(页)内包含512个字节(或称为256个字)的Data area(数据存储区域)。每一个page内包含有一个扩展的16字节的Spare area(备用区域)。NAND Flash的读取和烧录以页为基础。NAND Flash的擦除操作是基于block的。在NAND Flash上有三种基本的操作：读取一个页,烧录一个页和擦除一个块。
其中，块也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。本发明实施例中的存储块即为上述的块。页是Nand Flash的数据读取和数据存储的基本/最小单位。本发明实施例中的存储页即为上述的页。
2、每个块里面又包含了很多页(page)。每个页的大小：
老的nand flash，页大小是256B，512B，这类的nand flash被称作small block，地址周期只有4个。对于现在常见的nand flash页大小多数是2KB，被称作big block，对应的发读写命令地址，一共5个周期(cycle)，更新的nand flash是4KB。
3、每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域(spare area)/冗余区域(redundant area)，而Linux系统中，一般叫做OOB(Out Of Band)，这个区域，是最初基于Nand Flash的硬件特性：数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC(Error CodeCorrection,或者Error Checking and Correcting)，所以设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。
其中，页是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位。
Nand Flash数据存储单元的整体架构：
简单说就是，常见的nand flash，内部只有一个芯片(chip)，每个chip只有一个plane(平面)。而有些复杂的，容量更大的nand flash，内部有多个chip，每个chip有多个plane。这类的nand flash，往往也有更加高级的功能。
如图1B所示，对于NAND FLASH的存储阵列，需要对应的WL(Word Line，字线)和BL(Bit Line，位线)去选择相应的CELL(存储单元)，所以每条横向的WL和纵向的BL都贯穿整个存储阵列，这样NAND FLASH的存储阵列中不同存储区域上对应的WL和BL的负载和驱动能力都是不一样的，则进一步会导致FLASH进行读写擦的情况也会出现差别，速度有快有慢，效率有高有低；从而出现有些CELL的编程太强，阈值电压过大，有些CELL的编程太弱，阈值电压过低，有些CELL的擦除太弱，阈值电压太低，没有达到完全擦除的状态等等。所以编程擦除的能力太强和太弱都会影响最终CELL的阈值电压，这些CELL的阈值电压分布就如图1C中的阴影区域，这些阴影区域的CELL阈值电压与判定电压VCGRV之间的余量都不是最合适的，而阈值电压分布在中间的区域与判定电压VCGRV的余量才是最合适的，能够保证更正确高效的读写擦其中的CELL数据状态。其中的，Wordline Driver可以理解为WL驱动，GlobalWordline可以理解为全局WL，Sense Amplifier可以理解为感测放大器，Best Margin为最合适的余量。
从以上的分析可以看到位于阵列中间位置的模块所看到的WL和BL的负载，驱动等一些状态是最居中平均的，从而能够保证这些CELL在进行读写擦等操作的时候会位于阈值电压的中间区域，与判定电压VCGRV的余量最合适，所以位于阵列中间的模块可靠性是最好的。
在NAND FLASH的存储阵列中，通过实验测试得到可靠性比较高的区域都是居于存储阵列中间的部分，因此芯片中比较重要，可靠性要求较高的数据存储都要优先放置于存储阵列中间部分的BLOCK中。
如前述，在NAND Flash中存储数据时是以存储页为单位进行操作，那么在本申请中，当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数。其中的固有配置信息可以包括需要在出厂前固化到目标NAND Flash中的配置信息，以便用户能够正常的使用目标NAND Flash，而且这些配置信息是用户不可更改的。例如，芯片的生产商在加工芯片的过程中可以对芯片进行一些设置即为固有配置信息，等等。在本申请中可以根据需求在本步骤之前，或者是本步骤之前的任一步骤之前设定固有配置信息具体包含的内容，对此本申请不加以限定。
例如，可以根据目标NAND Flash中各存储页的存储空间，以及接收到的固有配置信息的大小，确定在目标NAND Flash中存储当前接收到的固有配置信息所需存储页的目标个数。例如，可以计算接收到的固有配置信息的大小与目标NAND Flash中各存储页的存储空间的比值，然后取大于等于该比值的最大整数作为在目标NAND Flash中存储当前接收到的固有配置信息所需存储页的目标个数。
在确定了在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数之后，则可以将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域(FUSE ROM)中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
如前述，在NAND FLASH中，越靠近芯片中心位置的block的可靠性越高，而且在本申请中的固有化配置信息也是对可靠性要求较高的数据，那么则需要将固有化配置信息存储至目标NAND FLASH中的固化存储区域中。其中的固化存储区域可以位于目标NAND FLASH的中间区域。在本申请中固化存储区域也可以根据需求在本步骤之前，或者是本步骤之前的任一步骤之前进行设定，对此本申请不加以限定。
在FUSEROM中的每个BLOCK中只存储一个PAGE的有效数据，如图1D所示一个BLOCK为例，在该BLOCK中一共有64个PAGE，如果让该block中所有的PAGE存储的数据都一样，那么则可以保证纵向的每条STRING(存储单元串)中64个CELL的数据状态都是一样的，这样在FUSEROM中所有STRING总共只有两种情况，一种是STRING全部为ERASE CELL(擦除存储单元)，即CELL代表的数据全部为“1”；一种是STRING全部为PROGRAM CELL(编程存储单元)，CELL全部被编程，阈值电压增大，所代表的数据全部为“0”。其中的SGD与SGS为STRING的漏极选择开关(Select Gate of Drain)和源极选择开关(Select Gate of Source)，WLDD与WLDS分别为漏极冗余字线和源极冗余字线，WL0-WL63分别对应为同一BLOCK中编号为0-63的各PAGE对应的字线。
那么，在给PAGE编程的时候，如果每个PAGE写入的数据都是一样的，这样每个PAGE写入数据时各个CELL上下左右及周围的CELL状态都是一样的，对于每个CELL做编程时，周围的CELL对它的影响都是固定的，从而可以明显提高每个CELL数据的准确与稳定性。
而且，每条STRING上的数据只有全“0”和全“1”两种，不会在一条STRING上出现部分ERASE CELL和部分PROGRAM CELL的情况；这样BLOCK中仅有这两种最为极限的情况，保证两种STRING的差异最大化，提高读写时区分“0”和“1”状态的最大余量，从而可以提高读写时的分辨率。
因此，在本申请中将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
例如，如果对于当前接收到的固有配置信息的大小为1200个字节，在目标NANDFlash中每个存储页的存储能力为512个字节。那么可以确定在目标NAND Flash中存储固有配置信息所需存储页的目标个数为3。假设在目标NAND Flash中每个存储块中包含16个存储页。
那么则可以将接收到的固有配置信息分别存入目标NAND Flash固化存储区域的三个存储块中，且其中一个存储块中每个存储页中都存储第1到第512个字节的固有配置信息，另一个存储块中每个存储页中都存储第513到第1024个字节的固有配置信息，而最后一个存储块中每个存储页中都存储第1025到第1200个字节的固有配置信息。
当然，也可以在其中一个存储块中的每个存储页中都存储第1到第400个字节的固有配置信息，另一个存储块中每个存储页中都存储第401到第800个字节的固有配置信息，而最后一个存储块中每个存储页中都存储第801到第1200个字节的固有配置信息，等等，对此本申请不加以限定。但需要保证固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
在本申请中，可以当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。由此可以尽量将信息相关性比较高的固有信息数据放在同一个存储快中，从而提高NAND FLASH固化存储区域中存储的固有配置信息的可靠性。
实施例二
详细介绍本发明实施例提供的一种数据存储方法。
参照图2，示出了本发明实施例中一种数据存储方法的步骤流程图。
步骤210，当接收到固有配置信息时，获取所述目标NAND Flash中的所述固化存储区域中所包含的各存储页的存储量。
步骤220，根据接收到的固有化配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。
在本申请中，为了方便根据接收到固有配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。那么在接收到固有配置信息时，可以获取目标NAND Flash中的固化存储区域中所包含的各存储页的存储量。具体的可以利用任何可用方式获取目标NAND Flash中的固化存储区域中所包含的各存储页的存储量，对此本申请不加以限定。其中各存储页的存储量也即各存储页能够存储的数据量大小，如前述的512个字节，等等。
然后即可以根据接收到的固有化配置信息以及获取的目标NAND Flash中的固化存储区域中所包含的各存储页的存储量，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。具体的可以计算接收到的固有化配置信息大小与各存储页存储量的比值，进而以大于等于该比值的最小整数作为目标个数。
例如，对于前述的固有配置信息的大小为1200个字节，假设在目标NAND Flash中每个存储页的存储能力为512个字节。那么目标个数为大于等于1200/512的最小整数，即为3。
步骤230，将所述固有配置信息以目标NAND Flash中各存储页的存储量为单位进行拆分。
例如，对于前述的固有配置信息的大小为1200个字节，目标NAND Flash中每个存储页的存储能力为512个字节，那么则可以将固有配置信息中的第1到第512个字节拆分为一个单位，将固有配置信息中的第513到第1024个字节拆分为一个单位，剩下的第1025到第2000个字节则可以单独成为一个单位。
步骤240，将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
例如，对于前述的固有配置信息以及目标NAND Flash，那么则可以将拆分后得到的三个单位分别存储至目标NAND Flash固化存储区域中的三个存储块中。其中的三个存储块可以为目标NAND Flash固化存储区域中连续的三个存储块，也可以为不连续的三个存储块，对此本申请不加以限定。当然，也可以按照目标NAND Flash固化存储区域中预先设定的存储顺序，将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中，对此本申请也不加以限定。需要保证的是，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
步骤250，当从所述固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取所述固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。
如前述，固化存储区域中的同一存储块中的每一页存储的固有配置信息是一样的，那么在后续从固化存储区域中读取所述固有配置信息时，针对同一存储块，只需要从该存储块的任一存储页中读取其中存储的固有配置信息即可，从而可以避免读取错误。
进一步的，在实际应用中，从同一存储块中不同存储页中读取数据时，各个WL上需要加的电压有所不同，选定的目标存储页上加的电压相对于非目标的存储页上加的电压要低很多；目标存储页的WL上永远不会加高压，对于整个PAGE的CELL状态影响可以降到最小，可以显著降低读取时可能出现的偏差。因此，在本申请中，当从固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。其中预设的目标存储页需要满足预设电压条件。其中的预设电压条件可以包括对目标存储页对应的WL上所加的电压值的限定，例如预设电压条件可以为目标存储页对应的WL上所加的电压值小于预设阈值，或者是目标存储页对应的WL上所加的电压值为其所属存储块中的最优值，等等。在本申请中可以根据需求在本步骤之前，或者是本步骤之前的任一步骤之前设定预设电压条件，对此本申请不加以限定。在本申请中，还可以根据预先的试验获取目标NAND Flash固化存储区域中各存储块中满足预设电压条件的目标存储页，对此本申请不加以限定。
那么，在每次读取FUSEROM中的数据时，只读取各存储块中固定的一个PAGE，从而可以使得每个CELL上所加的电压状态每次都是一样的，固定的PAGE上读取数据时WL上不会加高压，对于整条PAGE的CELL状态影响可以降到最小，从而显著降低读取数据时可能出现的偏差。
可选地，在本发明实施例中，所述预设电压条件为在进行读取操作时，所述目标存储页对应的读取电压在第一低压范围内，而所述目标存储页所在存储块中其他存储页对应的电压在第一高压范围内；所述第一高压范围与所述第一低压范围之间的差值不小于预设数值。
其中的预设数值以及第一低压范围和第一高压范围都可以根据需求在本步骤之前，或者是本步骤之前的任一步骤之前进行预先设定，对此本发明实施例不加以限定。
在本发明实施例中，可以设置预设差值较大，从而第一低压范围比第一高压范围小很多，进而可以保证除了目标存储单元外，其他存储单元的状态都是导通的。
其中目标存储页对应的读取电压即为前述的在从目标存储页读取数据时，目标存储页对应的WL上所加的电压值。在本申请中，为了尽可能降低读取数据时可能出现的偏差，可以直接设定预设电压条件为所述目标存储页对应的读取电压为所述目标存储页所在存储块中各存储页对应的读取电压的最小值。
在本申请中，可以当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。由此可以提高NAND FLASH固化存储区域中存储的固有配置信息的可靠性。
而且，在本申请中，还可以当接收到固有配置信息时，获取所述目标NAND Flash中的所述固化存储区域中所包含的各存储页的存储量；根据接收到的固有化配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。并且将所述固有配置信息以目标NAND Flash中各存储页的存储量为单位进行拆分；将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。从而可以进一步提高NAND FLASH固化存储区域中存储的固有配置信息的可靠性。
另外，在本申请中，当从所述固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取所述固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。并且所述预设电压条件为所述目标存储页对应的读取电压为所述目标存储页所在存储块中各存储页对应的读取电压的最小值。从而可以进一步降低从固化存储区域中读取数据时可能出现的偏差。
对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
实施例三
详细介绍本发明实施例提供的一种数据存储装置。
参照图3，示出了本发明实施例中一种数据存储装置的结构示意图。
目标个数确定模块310，用于当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数。
存储模块320，用于将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
在本申请中，可以当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。由此可以提高NAND FLASH固化存储区域中存储的固有配置信息的可靠性。
实施例四
详细介绍本发明实施例提供的一种数据存储装置。
参照图4，示出了本发明实施例中一种数据存储装置的结构示意图。
目标个数确定模块410，用于当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数。
可选地，在本发明实施例中，所述目标个数确定模块410，进一步可以包括：
存储量获取子模块411，用于当接收到固有配置信息时，获取所述目标NAND Flash中的所述固化存储区域中所包含的各存储页的存储量。
目标个数确定子模块412，用于根据接收到的固有化配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。
存储模块420，用于将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
可选地，在本发明实施例中，所述存储模块420，进一步可以包括：
拆分子模块421，用于将所述固有配置信息以目标NAND Flash中各存储页的存储量为单位进行拆分。
存储子模块422，用于将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
数据读取模块430，用于当从所述固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取所述固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。
可选地，在本发明实施例中，所述预设电压条件为所述目标存储页对应的读取电压为所述目标存储页所在存储块中各存储页对应的读取电压的最小值。
在本申请中，可以当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。由此可以提高NAND FLASH固化存储区域中存储的固有配置信息的可靠性。
而且，在本申请中，还可以当接收到固有配置信息时，获取所述目标NAND Flash中的所述固化存储区域中所包含的各存储页的存储量；根据接收到的固有化配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。并且将所述固有配置信息以目标NAND Flash中各存储页的存储量为单位进行拆分；将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。从而可以进一步提高NAND FLASH固化存储区域中存储的固有配置信息的可靠性。
另外，在本申请中，当从所述固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取所述固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。并且所述预设电压条件为所述目标存储页对应的读取电压为所述目标存储页所在存储块中各存储页对应的读取电压的最小值。从而可以进一步降低从固化存储区域中读取数据时可能出现的偏差。
对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
在此提供的算法和显示不与任何特定计算机、虚拟系统或者其它设备固有相关。各种通用系统也可以与基于在此的示教一起使用。根据上面的描述，构造这类系统所要求的结构是显而易见的。此外，本发明也不针对任何特定编程语言。应当明白，可以利用各种编程语言实现在此描述的本发明的内容，并且上面对特定语言所做的描述是为了披露本发明的最佳实施方式。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
本发明的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器(DSP)来实现根据本发明实施例的数据存储设备中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本发明还可以实现为用于执行这里所描述的方法的一部分或者全部的设备或者装置程序(例如，计算机程序和计算机程序产品)。这样的实现本发明的程序可以存储在计算机可读介质上，或者可以具有一个或者多个信号的形式。这样的信号可以从因特网网站上下载得到，或者在载体信号上提供，或者以任何其他形式提供。
应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
Claims (10)
1.一种数据存储方法，应用于NAND Flash固化存储区域，所述方法包括：
当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；
将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数的步骤，包括：
当接收到固有配置信息时，获取所述目标NAND Flash中的所述固化存储区域中所包含的各存储页的存储量；
根据接收到的固有化配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述固有配置信息存储至目标NANDFlash固化存储区域中目标个数的存储块中的步骤，包括：
将所述固有配置信息以目标NAND Flash中各存储页的存储量为单位进行拆分；
将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
当从所述固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取所述固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设电压条件为在进行读取操作时，所述目标存储页对应的读取电压在第一低压范围内，而所述目标存储页所在存储块中其他存储页对应的电压在第一高压范围内；所述第一高压范围与所述第一低压范围之间的差值不小于预设数值。
6.一种数据存储装置，包括：
目标个数确定模块，用于当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；
存储模块，用于将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述目标个数确定模块，包括：
存储量获取子模块，用于当接收到固有配置信息时，获取所述目标NAND Flash中的所述固化存储区域中所包含的各存储页的存储量；
目标个数确定子模块，用于根据接收到的固有化配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述存储模块，包括：
拆分子模块，用于将所述固有配置信息以目标NAND Flash中各存储页的存储量为单位进行拆分；
存储子模块，用于将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。
9.根据权利要求6-8任一项所述的装置，其特征在于，还包括：
数据读取模块，用于当从所述固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取所述固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述预设电压条件为在进行读取操作时，所述目标存储页对应的读取电压在第一低压范围内，而所述目标存储页所在存储块中其他存储页对应的电压在第一高压范围内；所述第一高压范围与所述第一低压范围之间的差值不小于预设数值。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102160121A (zh) * | 2008-09-22 | 2011-08-17 | 美光科技公司 | 编程存储器装置以增加数据可靠性 |
| CN102498522A (zh) * | 2009-09-15 | 2012-06-13 | 国际商业机器公司 | 用于减小固态器件中的写入放大的容器标记方案 |
| CN103473146A (zh) * | 2012-06-06 | 2013-12-25 | 慧荣科技股份有限公司 | 存储器控制方法、存储器控制器以及电子装置 |
| CN103811072A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统 |
| CN104220991A (zh) * | 2012-03-16 | 2014-12-17 | 马维尔国际贸易有限公司 | 用于允许数据在nand闪存上的有效存储的架构 |
| CN104951410A (zh) * | 2014-03-27 | 2015-09-30 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种芯片信息的访问方法和装置 |
| CN105138615A (zh) * | 2015-08-10 | 2015-12-09 | 北京思特奇信息技术股份有限公司 | 一种构建大数据分布式日志的方法和系统 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8526252B2 (en) * | 2009-03-17 | 2013-09-03 | Seagate Technology Llc | Quiescent testing of non-volatile memory array |
| CN103823766B (zh) * | 2014-03-03 | 2017-03-22 | 山西科泰航天防务技术股份有限公司 | Flash存储器的高效率存储方法 |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102160121A (zh) * | 2008-09-22 | 2011-08-17 | 美光科技公司 | 编程存储器装置以增加数据可靠性 |
| CN102498522A (zh) * | 2009-09-15 | 2012-06-13 | 国际商业机器公司 | 用于减小固态器件中的写入放大的容器标记方案 |
| CN104220991A (zh) * | 2012-03-16 | 2014-12-17 | 马维尔国际贸易有限公司 | 用于允许数据在nand闪存上的有效存储的架构 |
| CN103473146A (zh) * | 2012-06-06 | 2013-12-25 | 慧荣科技股份有限公司 | 存储器控制方法、存储器控制器以及电子装置 |
| CN103811072A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统 |
| CN104951410A (zh) * | 2014-03-27 | 2015-09-30 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种芯片信息的访问方法和装置 |
| CN105138615A (zh) * | 2015-08-10 | 2015-12-09 | 北京思特奇信息技术股份有限公司 | 一种构建大数据分布式日志的方法和系统 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Stable Greedy: Adaptive Garbage Collection for Durable Page-Mapping Multichannel SSDs;Chang, Li-Pin; Liu, Yu-Syun; Lin, Wen-Huei;《ACM TRANSACTIONS ON EMBEDDED COMPUTING SYSTEMS》;20160115;全文 * |
| 提高 MLC NAND Flash 存储系统;黄敏;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》;20170215;I137-25 * |
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