CN108624842B

CN108624842B - 掩模部件、掩模装置和蒸镀装置

Info

Publication number: CN108624842B
Application number: CN201810504456.XA
Authority: CN
Inventors: 戚海平; 黄俊杰; 王震; 张虎; 周猛
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2018-05-23
Filing date: 2018-05-23
Publication date: 2020-03-24
Anticipated expiration: 2038-05-23
Also published as: CN108624842A

Abstract

提供一种掩模部件，包括：部件主体；和设置于所述部件主体中的磁介质部。所述磁介质部被构造为：能够响应于磁场作用，使得所述部件主体在第一位置处受到的磁力大于所述部件主体在第二位置处受到的磁力，所述第一位置位于所述第二位置靠近所述部件主体的边缘的一侧。还提供一种包括该掩模部件的掩模装置和蒸镀装置。

Description

掩模部件、掩模装置和蒸镀装置

技术领域

本发明涉及显示器制造技术领域，尤其涉及一种掩模部件、包括该掩模部件的掩模装置和蒸镀装置。

背景技术

目前，比较成熟的工艺是使用蒸镀方法制作OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)显示器件。在该蒸镀方法中，在基板下方需要使用掩模装置，例如精细金属掩模条。掩模条上留有预先设计好的有效开口区域，通过该有效开口区域，有机材料沉积到基板上，形成预设图案。

随着大尺寸OLED显示器件越来越多，基板尺寸不断增加，掩模条的尺寸也随之增加。在蒸镀过程中，基板的自身重量较大，导致基板的下垂量较大，造成基板与掩模条之间容易形成间隙。在实际蒸镀过程中，由于该间隙的存在，会导致边缘混色等不良问题。

发明内容

为了解决上述问题的至少一个方面，本公开实施例提供一种掩模部件、包括该掩模部件的掩模装置和蒸镀装置。

根据本公开的一个方面，提供一种掩模部件，包括：

部件主体；和

设置于所述部件主体中的磁介质部，

其中，所述磁介质部被构造为：能够响应于磁场作用，使得所述部件主体在第一位置处受到的磁力大于所述部件主体在第二位置处受到的磁力，所述第一位置位于所述第二位置靠近所述部件主体的边缘的一侧。

可选地，所述第一位置位于所述部件主体的边缘位置，所述第二位置位于所述部件主体的远离所述边缘位置的中心位置。

可选地，所述磁介质部被构造为：能够响应于磁场作用，使得所述部件主体受到的磁力从所述第一位置朝向所述第二位置减小。

可选地，所述磁介质部沿第一方向的尺寸从所述第一位置朝向所述第二位置呈阶梯式减小或连续减小；和/或

所述磁介质部沿第二方向的尺寸从所述第一位置朝向所述第二位置呈阶梯式减小或连续减小；和/或

所述磁介质部沿第三方向的尺寸从所述第一位置朝向所述第二位置呈阶梯式减小，

其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向中的任意二者彼此垂直。

可选地，所述第三方向为所述部件主体的长度方向。

可选地，所述磁介质部包括磁性材料，以及所述磁性材料的量从所述第一位置朝向所述第二位置呈阶梯式减小或连续减小，和/或所述磁性材料的磁化率从所述第一位置朝向所述第二位置减小。

可选地，所述磁介质部的磁性材料包括：多个磁体，所述多个磁体的磁极同向排列。

可选地，所述部件主体包括凹槽，所述磁介质部的磁性材料填充于所述凹槽中。

可选地，所述凹槽的沿垂直于所述部件主体的上表面的方向的至少一个截面呈倒梯形形状。

根据本公开的另一方面，还提供一种掩模装置，包括：

掩模条；

设置在掩模条一侧的遮挡部件；和/或

设置在掩模条的所述一侧的支撑部件，

其中，所述遮挡部件和/或所述支撑部件为上述掩模部件。

可选地，所述磁介质部包括第一磁介质部，所述第一磁介质部在部件主体的上表面上的正投影与所述掩模条在所述部件主体的上表面上的正投影至少部分重叠。

根据本公开的又一方面，还提供一种蒸镀装置，包括：

根据上述掩模装置；和

设置在所述掩模装置一侧的磁场产生装置。

通过使用根据本发明实施例的掩模部件、掩模装置和蒸镀装置，可以改善因基板下垂导致的基板与掩模条贴合时产生的间隙异常的问题，提高产品良率。

附图说明

通过下文中参照附图对本发明所作的描述，本发明的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本发明有全面的理解。

图1是示出基板和掩模条在贴合之前的状态的示意图；

图2是示出基板和掩模条在贴合之后的状态的示意图；

图3是示出根据本公开的示例性实施例的掩模装置的结构的俯视示意图；

图4是本公开的一个示例性实施例的掩模部件的俯视示意图；

图5是图4中的掩模部件沿线A-A截取的剖面示意图；

图5A示意性示出凹槽的沿垂直于部件主体的上表面的方向的两个截面的形状；

图6是示出根据本公开的示例性实施例的掩模部件上的磁力线分布的示意图；

图7是示出根据本公开的示例性实施例的掩模部件上的磁力分布的示意图；

图8是示出根据本公开的示例性实施例的掩模部件上的磁力与间隙之间的关系的示意图；

图9是本公开的另一个示例性实施例的掩模部件的剖面示意图；

图10是本公开的又一个示例性实施例的掩模部件的俯视示意图；

图11是图10中的掩模部件沿线B-B截取的剖面示意图；

图12是本公开的又一个示例性实施例的掩模部件的俯视示意图；

图13是本公开的又一个示例性实施例的掩模部件的俯视示意图；

图14是示出图13中的掩模部件用于掩模装置的状态的侧视示意图；

图15是本公开的又一个示例性实施例的掩模部件的俯视示意图；

图16是根据本公开的示例性实施例的蒸镀装置的示意图；

图17是示出根据本公开实施例的蒸镀装置中设置不同极性的磁体的状态的示意图；

图18是示出根据本公开实施例的蒸镀装置中设置同极性的磁体的状态的示意图；和

图19是示出根据本公开实施例的蒸镀方法的流程图。

需要注意的是，为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层、结构或区域的尺寸可能被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。

另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。

在本文中，使用方向性表述“第一方向”、“第二方向”、“第三方向”来描述部件沿不同方向的尺寸。在下文中，使用第一方向来表示部件的厚度方向，使用第二方向来表示部件的宽度方向，使用第三方向来表示部件的长度方向。应该理解，这样的表示仅为示例性的描述，而不是对本发明的限制。

本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。

通常，按照物质在外磁场中表现出磁性的强弱，可将其分为抗磁性材料、顺磁性材料、铁磁性材料、反铁磁性材料和亚铁磁性材料。在本文中，除非另有说明，术语“强磁性材料”是指铁磁性材料和亚铁磁性材料。例如，铁磁性材料一般包括Fe、Co、Ni元素及其合金，稀土元件及其合金，以及一些Mn的化合物。再例如，常见的亚铁磁性材料包括磁铁矿(Fe₃O₄)、铁氧体等。

在相关技术中，采用蒸镀技术制备OLED显示器件的有机发光层。在OLED显示器件制备过程中，有机材料通过高温蒸镀沉积在位于蒸发源上方的基板上。为使有机材料按照设计蒸镀到特定的位置上，在基板下方需使用掩模板(例如，高精度金属掩模条，英文缩写为FMM)。掩模条上留有预先设计好的有效开口区域，通过该有效开口区域，有机材料沉积到基板上，形成预设图案。掩模条上有效开口区域的尺寸和位置直接影响蒸镀的精度。

例如，在使用精细金属掩模条的蒸镀方法中，通过蒸镀方式将有机材料按照预定程序蒸镀到玻璃基板上，利用FMM上的图形，蒸镀红、绿、蓝有机物到规定位置上。在蒸镀过程中，由于玻璃基板的自身重量较大，导致玻璃基板的下垂量也较大。在玻璃基板与精细掩模条贴合的过程中，在玻璃基板与精细掩模板的边缘处极易形成间隙。参照图1和图2，在贴合之前，玻璃基板1的整体形态为向下弯曲形态，最大下垂量为L1，例如，下垂量L1至少为500μm。在玻璃基板1与掩模条2接触过程中，由于玻璃基板1对掩模条2有向下压的力，玻璃基板1的下垂量会变为L2(实测：L2＜L1)。但是，由于玻璃基板1的中心位置(图中的P2位置)的下垂量最大而边缘位置(图中的P1位置)的下垂量最小，所以，在贴合完成后，会在玻璃基板1与掩模条2之间产生间隙G，具体地，玻璃基板1与掩模条2在中心位置处的间隙G_M最小而在边缘位置处的间隙G_P最大。也就是说，在玻璃基板与掩模条贴合过程中，会出现玻璃基板与掩模条在边缘位置处形成较大间隙的情况。在实际蒸镀过程中，由于该较大间隙的存在，会导致边缘混色等不良问题，直接影响了OLED制程良率。

根据本公开的一个示例性实施例，提供一种掩模装置30，如图3所示。掩模装置30可以包括：框架34；包含有效开口A的掩模条31；遮挡部件32，例如遮挡条，遮挡部件32遮挡在掩模条31的相互拼接处，用于避免蒸镀材料渗透；用于支撑掩模条31的支撑部件33，例如支撑条，支撑条33垂直于掩模条31和遮挡条32设置。可选地，遮挡条32与掩模条31在二者重叠区域连接在一起，支撑条33与遮挡条32在二者重叠区域连接在一起。

例如，形成掩模装置时，掩模条31相互拼接，遮挡条32遮挡在掩模条31的相互拼接处，支撑条33垂直于掩模条31和遮挡条32设置，遮挡条32与掩模条31在二者重叠区域连接在一起，支撑条33与遮挡条32在二者重叠区域连接在一起，此处连接方式不做限定，可以是焊接，也可以是其他方式，例如卡合等。支撑条33用于支撑掩模条31，支撑条33需要设置于掩模条31和框架34之间，而遮挡条32可以设置在掩模条31的远离框架的一面，也可以设置于支撑条33和掩模条31之间。可选地，遮挡条32还可以设置于支撑条33和框架34之间。

根据本公开的示例性实施例，还提供一种掩模部件，该掩模部件可以是遮挡部件32和/或支撑部件33。为了描述方便，下文将以遮挡部件32为例详细描述掩模部件，应理解的是，除非另有说明，下面的详细描述同样适用于支撑部件33。

参照图4和图5，示出了根据本公开的一个示例性实施例的遮挡部件。遮挡部件42可以包括：部件主体421；和磁介质部422，磁介质部422可以位于部件主体421中。

例如，遮挡部件42可以包括多个磁介质部422，每一个磁介质部422可以包括磁性材料，磁性材料的量从第一位置PS1朝向第二位置PS2呈阶梯式减小。其中，第一位置PS1可以位于部件主体421的边缘位置，第二位置PS2可以位于部件主体421的远离边缘位置的中心位置。结合图3所示，遮挡部件或支撑部件的部件主体的边缘位置可以为遮挡部件或支撑部件被框架支撑的位置。例如，边缘位置可以是邻近遮挡部件的端部的位置，或者可以是遮挡部件的端部至离遮挡部件的端部预定距离的位置的区间位置，该预定距离可以为遮挡部件的长度的四分之一至五分之一。中心位置可以是遮挡部件在自然状态下受重力作用下垂量最大的位置。例如，中心位置可以是遮挡部件的重心所在的位置。或者，中心位置可以是遮挡部件的几何中心所在的位置。例如，中心位置可以是离遮挡部件的端部的距离大致等于遮挡部件的长度的二分之一的位置。

本领域技术人员应理解，第一位置和第二位置可以不局限于上述位置，在其它实施例中，第一位置和第二位置可以是部件主体的其它位置，只要满足第一位置位于第二位置靠近部件主体的边缘的一侧的要求。

在本文中，“磁性材料的量”可以理解为磁性材料的质量、重量、体积和/或表面积。

在图5的实施例中，磁介质部422沿第一方向的尺寸从第一位置PS1朝向第二位置PS2呈阶梯式减小。可选地，磁介质部422沿第一方向的尺寸可以为磁介质部422的厚度。

虽然图示的实施例中设置有5个磁介质部422，磁介质部422的厚度从第一位置PS1朝向第二位置PS2呈阶梯式减小。但是，在其它实施例中，可以仅设置2个磁介质部422，例如，仅在遮挡部件42的边缘位置分别设置磁介质部422，在遮挡部件42的中心位置不设置磁介质部。

以此方式，响应于磁场作用(由设置于掩模装置上方的磁场产生装置60产生)，穿过磁介质部422的磁通量密度从第一位置朝向第二位置减小，使得穿过部件主体421的磁通量密度从第一位置朝向第二位置减小，如图6所示，特别地，图6中的虚线示意性表示磁力线，可以看出，穿过磁介质部422的磁力线从第一位置朝向第二位置逐渐变稀疏。应该理解，“磁通量密度”(即磁感应强度，也可以称为磁通密度)表示垂直穿过单位面积的磁力线的多少，它从数量上反映磁力线的疏密程度。

例如，在玻璃基板与根据本公开实施例的掩模装置贴合过程中，在磁场产生装置60的作用下，会在掩模装置上产生不同的磁吸附力F(由图7中的箭头表示)，如图7所示。如上，穿过磁介质部422的磁通量密度从第一位置朝向第二位置减小，相应地，产生的磁吸附力F从第一位置朝向第二位置减小。这样，可以改善因玻璃基板下垂导致的玻璃基板与掩模条贴合时产生的间隙异常的问题。

在其它实施例中，例如仅在遮挡部件42的边缘位置分别设置磁介质部422，在第一位置PS1处产生的磁吸附力为F1，在第二位置PS2产生的磁吸附力为F2，此时F1＞F2，即，第一位置处产生的磁吸附力F1大于第二位置处产生的磁吸附力F2。以此方式，也可以改善因玻璃基板下垂导致的玻璃基板与掩模条贴合时产生的间隙异常的问题。

进一步地，产生的磁吸附力F可以与在玻璃基板1与掩模条2之间产生的间隙G成正比。图8示出了磁吸附力F与间隙G成正比的一个示例，如图8所示，磁吸附力F的分布形态恰好与间隙G的分布形态一致。这样，可以根据不同位置的间隙G的大小设计或调解磁吸附力F的大小，从而可以提高改善间隙异常的精确度。

返回参照图4和图5，部件主体421可以包括凹槽4211，磁介质部422的磁性材料可以填充于凹槽4211中。在图示的实施例中，凹槽4211的数量为5个，相应地，磁介质部422的数量也为5个。但是，应该理解，在其它实施例中，部件主体421可以包括更少数量(例如3个、4个)或更多数量(例如6个、7个、8个、9个或更多个)的凹槽。相应地，磁介质部的数量也可以为更少数量(例如3个、4个)或更多数量(例如6个、7个、8个、9个或更多个)。凹槽和磁介质部的数量可以根据掩模条的尺寸以及间隙G的分布形态选择。

在一个示例中，凹槽4211的宽度w可以在3～20mm范围内取值，可选地，凹槽4211的宽度w可以在5～15mm范围内取值。例如，凹槽4211的宽度w可以为10mm。凹槽4211的深度d可以在0.5～15μm范围内取值，可选地，凹槽4211的深度d可以在1.0～10μm范围内取值。例如，凹槽4211的深度d可以为8μm。任意相邻两个凹槽4211之间的深度差可以在0.5～5μm范围内取值。可选地，任意相邻两个凹槽4211之间的深度差可以在0.8～4.5μm范围内取值。例如，任意相邻两个凹槽4211之间的深度差为1.5μm。也就是说，相邻两个凹槽中填充的磁性材料的高度差(即相邻两个磁介质部之间的厚度差)可以在0.5～5μm范围内，可选地，0.8～4.5μm范围内，例如1.5μm，这样，磁介质部422的厚度以0.5～5μm(可选地，0.8～4.5μm范围内，例如1.5μm)的差值从第一位置PS1朝向第二位置PS2呈阶梯式递减。

例如，凹槽4211内填充的磁性材料的磁性可以强于掩模条、遮挡部件、支撑部件等部件的材料的磁性。例如，磁性材料可以为强磁性材料，例如FeCr(Co)、FeCrMo、FeAlC、AlNi(Co)等。

在图5的实施例中，凹槽4211的截面为倒梯形形状。例如，凹槽4211包括位于部件主体421中的槽底部42111和位于部件主体421的表面的槽开口42112，凹槽4211在平行于部件主体421的表面的平面内的截面面积从槽底部42111朝槽开口42112逐渐增大。通过这样的设置方式，凹槽内填充的磁性材料从槽底部朝槽开口逐渐增多，可以提高磁吸附力，从而更好地改善间隙异常的问题。

进一步地，如图5A所示，示意性示出了部件主体421的上表面421S与凹槽4211的两个截面SS1、SS2。为了图示清楚，其中一个截面用虚线框示出。如图所示，凹槽4211的沿垂直于部件主体421的上表面421S的方向的两个截面SS1、SS2可以都呈倒梯形形状。通过这样的设置方式，使得凹槽内填充的磁性材料从槽底部朝槽开口逐渐增多，可以提高磁吸附力，从而更好地改善间隙异常的问题。本领域技术人员应理解，可以使凹槽4211的沿垂直于部件主体421的上表面421S的方向的两个截面SS1、SS2中的一个呈倒梯形形状，也可以使得凹槽内填充的磁性材料从槽底部朝槽开口逐渐增多。

在可替代的实施例中，如图9所示，磁介质部422包括磁性材料，磁性材料的量从第一位置PS1朝向第二位置PS2连续减小。例如，磁介质部422沿第一方向的尺寸从第一位置PS1朝向第二位置PS2连续减小。可选地，磁介质部422沿第一方向的尺寸可以为磁介质部422的厚度。

例如，凹槽4211包括2个三角形凹槽。示例性地，凹槽4211在中心位置处的深度可以为0μm，凹槽4211在两端的边缘位置处的深度可以为3～15μm，可选地，5～12μm，例如10μm。

根据一个示例性实施例，如图10和图11所示，磁介质部422包括磁性材料，磁性材料的量从第一位置PS1朝向第二位置PS2连续减小。例如，磁介质部422沿第二方向的尺寸从第一位置PS1朝向第二位置PS2连续减小。可选地，磁介质部422沿第二方向的尺寸可以为磁介质部422的宽度。

例如，凹槽4211包括2个三角形凹槽，形成类菱形结构。示例性地，凹槽4211的深度可以为1～10μm，可选地，3～8μm，例如，7μm。示例性地，凹槽4211在中心位置处的宽度可以为0μm，凹槽4211在两端的边缘位置处的宽度可以与遮挡部件(例如遮挡条)42的宽度相等或略小于遮挡部件42的宽度。

在可替代的实施例中，如图12所示，磁介质部422包括磁性材料，磁性材料的量从第一位置PS1朝向第二位置PS2呈阶梯式减小。例如，磁介质部422沿第二方向的尺寸从第一位置PS1朝向第二位置PS2呈阶梯式减小。可选地，磁介质部422沿第二方向的尺寸可以为磁介质部422的宽度。

根据一个示例性实施例，磁介质部422可以包括第一磁介质部422A和第二磁介质部422B，第一磁介质部422A和第二磁介质部422B可以分别设置在遮挡部件42的两侧，即设置在部件主体421的与掩模条31重叠的位置，即，第一磁介质部422A和第二磁介质部422B中任一个在部件主体421的上表面上的正投影与掩模条31在部件主体421的上表面上的正投影至少部分重叠，如图13和图14所示。这样，在产生磁吸附力时，可以更好地支撑掩模条以及其上方的玻璃基板，从而更好地改善间隙异常的问题。

本领域技术人员应理解，磁介质部422可以包括第一磁介质部422A和第二磁介质部422B中的一个，这样，在产生磁吸附力时，也可以更好地支撑掩模条以及其上方的玻璃基板，从而更好地改善间隙异常的问题。

第一磁介质部422A和第二磁介质部422B中的每一个都可以形成如图10和图11中的磁介质部类似的形状。例如，在该实施例中，凹槽的深度可以为1～10μm；凹槽在中心位置处的宽度可以为0μm，凹槽在两端的边缘位置处的宽度可以小于遮挡部件42的宽度的一半，例如，可以约等于遮挡部件42的宽度的三分之一或四分之一。例如，凹槽在两端的边缘位置处的宽度可以为0.2～1mm。

根据一个示例性实施例，如图15所示，磁介质部422包括磁性材料，磁性材料的量从第一位置PS1朝向第二位置PS2呈阶梯式减小。例如，磁介质部422沿第三方向的尺寸从第一位置PS1朝向第二位置PS2呈阶梯式减小。可选地，磁介质部422沿第三方向的尺寸可以为磁介质部422的长度。

例如，凹槽4211的横截面可以为矩形形状。示例性地，凹槽4211的深度可以为1～10μm，可选地，3～8μm，例如，7μm。凹槽4211的长度可以为3～20mm，可选地，5～16mm，例如，15mm。

在上述各个实施例中，为了产生与间隙G成正比的磁吸附力，使磁性材料的量从第一位置PS1朝向第二位置PS2呈阶梯式减小或连续减小。可替代地或附加地，可以使磁性材料的磁化率从第一位置朝向第二位置减小，以产生与间隙G成正比的磁吸附力。

磁化率是表征磁性材料属性的物理量，常用符号cm表示。某一物质的磁化率通常可以用体积磁化率或质量磁化率表示。例如，抗磁性材料的cm＜0，其值很小；顺磁性材料的cm＞0，其值很小；铁磁性材料(即强磁性材料)的cm＞0，其值很大。例如，铁晶体、镍晶体的磁化率一般在10⁶数量级，钴晶体的磁化率一般在10³数量级。

以图4和图5的实施例为例，填充在边缘位置PS1处的两个凹槽中的磁性材料可以具有第一磁化率，填充在中心位置PS2处的一个凹槽中的磁性材料可以具有第三磁化率，例如，填充在边缘位置PS1处的两个凹槽中的磁性材料可以为铁晶体材料，填充在中心位置PS2处的一个凹槽中的磁性材料可以为钴晶体材料。填充在边缘位置PS1与中心位置PS2之间的两个凹槽中的磁性材料可以具有第二磁化率。磁化率关系可以是：第一磁化率＞第二磁化率＞第三磁化率。可选地，第一磁化率、第二磁化率、第三磁化率可以以等差数列的方式递减。可替代地，第一磁化率、第二磁化率、第三磁化率可以以预设的差值递减。

在其它实施例中，可以设置更多数量的凹槽，相应地，设置凹槽中的磁性材料可以具有更多不同的磁化率。本发明对凹槽的数量、设置在凹槽中的磁性材料的数量、磁性材料的磁化率等并不限于上面的示例性描述。

通过这样的设置方式，可以使部件主体在边缘位置处受到的磁力大于中心位置处受到的磁力，或者，可以使部件主体受到的磁力从第一位置朝向第二位置减小，从而可以改善因玻璃基板下垂导致的玻璃基板与掩模条贴合时产生的间隙异常的问题。

在上述实施例中，在遮挡部件的部件主体中设置有多个凹槽，并且多个凹槽以相对于图示的中心平面P(如图9所示)对称的方式分布在部件主体中。可选地，多个凹槽可以不是对称分布的，凹槽的分布可以根据掩模条的尺寸以及间隙G的分布形态确定。

在上述实施例中，磁介质部包括设置在部件主体凹槽中的磁性材料。然而，应该理解，本发明不局限于此，磁介质部还可以以其它方式设置在部件主体的其它位置。

根据本公开的示例性实施例，还提供一种蒸镀装置。图16为根据本公开实施例的一种蒸镀装置的简化结构示意图。如图所示，该蒸镀装置可以包括蒸镀腔体161、蒸镀源162、待蒸镀基板163、掩模装置164以及磁场产生装置165。图16只是简单示意了蒸镀装置中几个重要部件的位置，并未完全画出蒸镀装置的详细结构，例如，并没有画出各个固定装置，或者其它功能装置，剩余的其它结构都可以根据需要进行设置，在此不做介绍。当然，除了图16中的结构外，蒸镀装置也可以是其它类似结构，为了方便说明，本文仅是以其中一种常见的蒸镀装置作为例子进行说明，并不用于限定本发明。

可选地，掩模装置164可以采用根据本公开的上述实施例的掩模装置。例如，在掩模装置的遮挡部件和/或支撑部件中设置有多个凹槽，在该多个凹槽中填充有磁性材料。

例如，磁场产生装置165可以为永磁体。或者，磁场产生装置165可以不采用永磁体，可以根据需要设置为能够调控磁场的装置，例如，磁场产生装置165可以为下列装置中的一种或组合：电磁铁或磁极转化装置。当磁性装置采用电磁铁时，需要时加电产生磁场，不需要时取消加电，磁场消失。当磁性装置采用磁极转化装置时，转到加磁位置，磁场出现，转到非加磁位置，磁场消失，可以用马达控制磁场的转化开关。相应地，凹槽中填充的磁性材料可以为强磁性材料，例如FeCr(Co)、FeCrMo、FeAlC、AlNi(Co)等。以此方式，在磁场产生装置165与磁性材料之间产生磁吸附力，从而改善间隙异常的问题。

可选地，磁场产生装置165可以包括第一磁体，凹槽中填充的磁性材料可以为第二磁体(例如经磁化的磁性材料)，即磁介质部可以包括设置在部件主体的凹槽中的第二磁体，并且第二磁体的磁极同向排列。例如，如图17所示，第一磁体175可以为N极朝下的磁体，各个磁介质部的第二磁体174可以均S极朝上排列，即第二磁体174的磁极均同向排列；或者第一磁体175可以为S极朝下的磁体，各个磁介质部的第二磁体174可以均N极朝上排列，以在第一磁体175与第二磁体174之间产生磁吸附力，从而改善间隙异常的问题。

可选地，第一磁体与第二磁体之间也可以产生排斥力。此时，第一磁体设置在第二磁体远离待蒸镀基板的一侧，以在第一磁体与第二磁体之间产生的磁排斥力，来补偿基板与掩模条之间的间隙。例如，如图18所示，第一磁体185可以为N极朝上的磁体，各个磁介质部的第二磁体184可以均N极朝下排列；或者，第一磁体185可以为S极朝上的磁体，各个磁介质部的第二磁体184可以均S极朝下排列。通过这样的排列方式，在第一磁体与第二磁体之间产生磁排斥力。同样地，产生的磁排斥力可以与在基板与掩模条之间产生的间隙G成正比，从而可以改善间隙异常的问题。

下面，对采用如本公开实施例提供的上述蒸镀装置进行蒸镀的蒸镀方法进行详细描述。如图19所示，为本公开实施例提供的采用上述蒸镀装置进行蒸镀的蒸镀方法的步骤流程图。

在步骤1901中，将待蒸镀基板和掩模装置放入蒸镀腔体内。

在步骤1902中，在未激活磁场产生装置的状态下，将待蒸镀基板和掩模条进行对位。

在步骤1903中，当对位完成后，激活磁场产生装置，在磁力作用下，掩模条与待蒸镀基板贴紧。

在步骤1904中，使用蒸镀源对待蒸镀基板进行蒸镀。

在步骤1905中，在蒸镀完成后，关闭磁场产生装置，移出掩模装置以及蒸镀完成的基板。

例如，在磁场产生装置为电磁铁的情况下，激活磁场产生装置可以包括给电磁铁通电，关闭磁场产生装置可以包括给电磁铁断电。例如，在磁场产生装置为永磁体的情况下，可以利用驱动装置移动永磁体，以使永磁体移动到掩模装置上方或从掩模装置上方移出。此时，激活磁场产生装置可以包括移动永磁体至掩模装置上方，关闭磁场产生装置可以包括将永磁体从掩模装置上方移出。

虽然本发明总体构思的一些实施例已被图示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本总体发明构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本发明的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims

1.一种掩模部件，包括：

部件主体；和

设置于所述部件主体中的磁介质部，

2.根据权利要求1所述的掩模部件，其中，所述第一位置位于所述部件主体的边缘位置，所述第二位置位于所述部件主体的远离所述边缘位置的中心位置。

3.根据权利要求1或2所述的掩模部件，其中，所述磁介质部被构造为：能够响应于磁场作用，使得所述部件主体受到的磁力从所述第一位置朝向所述第二位置减小。

4.根据权利要求3所述的掩模部件，其中，所述磁介质部沿第一方向的尺寸从所述第一位置朝向所述第二位置呈阶梯式减小或连续减小；和/或

5.根据权利要求4所述的掩模部件，其中，所述第三方向为所述部件主体的长度方向。

6.根据权利要求3所述的掩模部件，其中，所述磁介质部包括磁性材料，

以及其中，所述磁性材料的量从所述第一位置朝向所述第二位置呈阶梯式减小或连续减小，和/或所述磁性材料的磁化率从所述第一位置朝向所述第二位置减小。

7.根据权利要求6所述的掩模部件，其中，所述磁介质部的磁性材料包括：多个磁体，所述多个磁体的磁极同向排列。

8.根据权利要求6所述的掩模部件，其中，所述部件主体包括凹槽，所述磁介质部的磁性材料填充于所述凹槽中。

9.根据权利要求8所述的掩模部件，其中，所述凹槽的沿垂直于所述部件主体的上表面的方向的至少一个截面呈倒梯形形状。

10.一种掩模装置，包括：

掩模条；

设置在掩模条一侧的遮挡部件；和/或

设置在掩模条的所述一侧的支撑部件，

其中，所述遮挡部件和/或所述支撑部件为权利要求1-9中任一项所述的掩模部件。

11.根据权利要求10所述的掩模装置，其中，所述磁介质部包括第一磁介质部，所述第一磁介质部在部件主体的上表面上的正投影与所述掩模条在所述部件主体的上表面上的正投影至少部分重叠。

12.一种蒸镀装置，包括：

根据权利要求10或11所述的掩模装置；和

设置在所述掩模装置一侧的磁场产生装置。