CN108598232A - 一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 7
- 229910009815 Ti3O5 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 2
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 2
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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Abstract
本发明公开了一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，它包括蓝宝石图形衬底以及沉积于所述蓝宝石图形衬底上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底上的第一Al2O3多层结构、沉积于所述第一Al2O3多层结构上的布拉格反射器以及沉积于所述布拉格反射器上的第二Al2O3多层结构。本发明不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，具有非常重要的商业价值。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构。
背景技术
GaN基LED现在已经广泛用于通用照明、交通信号指示、显示屏和背光源等领域。相比于传统光源，GaN基LED具有光电转换效率高、寿命长、损耗低、无污染等显著优势。在GaN基LED的大规模生产中，提高光效和降低成本始终是永远追求的目标，随着生产规模的不断扩大，生产成本也在不断降低。在提高光效方面，很多关键技术已经大量应用于大规模生产中，如图形衬底技术、缓冲层技术、高光效量子阱技术、散热技术等，对GaN基LED的发展起到了至关重要的作用。GaN基LED的大规模生产主要有三种衬底材料，蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底，而在这三种衬底材料中，蓝宝石衬底市场份额最大，在整个GaN基LED的大规模生产中具有引领和主导地位。大量的生产实践已经证明，蓝宝石衬底从平面衬底发展到图形衬底(PSS)，LED发光效率明显提高，对整个LED产业的发展起到了非常大的促进作用。为进一步提高LED发光效率，中国专利CN103022291A提出一种具有全方位反射镜的图形衬底，其特征在于，包括蓝宝石图形衬底和在所述蓝宝石图形衬底上的全方位反射镜层，所述蓝宝石图形衬底的单个图形结构为具有倾斜侧壁的圆台状，在所述圆台状图形的倾斜侧壁上有全方位反射镜层。该发明在蓝宝石图形衬底的基础上做出反射镜，能够将射向衬底的光利用全方位反射镜的反射原理反射回上表面，可以提高LED发光效率。但是，该发明的图形衬底单个图形结构为圆台状，而大规模生产中的图形衬底单个图形结构多为近似圆锥状，难以用于大规模生产。另外，由于反射镜材料与蓝宝石衬底存在晶格失配，会导致反射镜材料本身以及生长于反射镜之上的GaN材料晶体质量下降。
发明内容
本发明针对现有蓝宝石图形衬底技术存在的不足，提出一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，包括蓝宝石图形衬底以及沉积于所述蓝宝石图形衬底上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底上的第一Al2O3多层结构、沉积于所述第一Al2O3多层结构上的布拉格反射器、以及沉积于所述布拉格反射器上的第二Al2O3多层结构。
进一步地，所述第一Al2O3多层结构由m层Al2O3薄膜构成，2≤m≤10。
进一步地，所述布拉格反射器的周期数为12-48，每层的光学厚度为反射中心波长的四分之一，反射中心波长为450nm。
进一步地，所述第二Al2O3多层结构(1)由n层Al2O3薄膜构成,2≤n≤10。
进一步地，它通过以下方法制备得到：
(1)、在蓝宝石图形衬底(4)上沉积第一Al2O3多层结构(3)：将原子层沉积系统反应室抽真空，待压力小于3x10-5Torr后，把蓝宝石衬底从送样室转移至反应室，将反应室温度升高至200℃，以Ar为载气，以三甲基铝和水为反应源，待温度稳定后开始生长第一层Al2O3薄膜，周期数为I，1≤I≤1250；然后在150℃≤T≤250℃范围内调整反应室温度T，依次生长m层的Al2O3薄膜，2≤m≤10，每一层Al2O3薄膜的厚度为0.1～100nm；待生长完成后，将具有m层Al2O3薄膜的蓝宝石衬底在N2气氛下退火，退火温度为400℃，时间约为10min；
(2)、在具有第一Al2O3多层结构(3)的蓝宝石图形衬底(4)上沉积布拉格反射器结构(2)：采用电子束蒸发方法，以SiO2与Ti3O5为蒸发源，待真空度达到10-7Torr并且温度稳定在130℃后，开始交替蒸发SiO2层与Ti3O5层，布拉格反射器的周期数为12-48，每层的光学厚度为反射中心波长的四分之一，反射中心波长为450nm；
(3)、在具有第一Al2O3多层结构(3)和布拉格反射器结构(2)的蓝宝石图形衬底(4)上沉积第二Al2O3多层结构(1)：将原子层沉积系统反应室抽真空，待压力小于3x10-5Torr后，把蓝宝石衬底从送样室转移至反应室，将反应室温度升高至180℃，以Ar为载气，以三甲基铝和水为反应源，待温度稳定后开始生长第一层Al2O3，周期数为J，1≤J≤1250；然后在150℃≤T≤250℃范围内调整反应室温度T，依次生长n层的Al2O3薄膜，2≤n≤10，每一层Al2O3薄膜的厚度为0.1～100nm；待生长完成后，将具有n层Al2O3薄膜的蓝宝石衬底在N2气氛下退火，退火温度为400℃，时间约为10min。
本发明的有益效果是，
1、Al2O3多层结构在蓝宝石图形衬底和反射器材料之间起到缓冲层作用，提高了布拉格反射器材料的晶体质量，从而提高反射率。
2、Al2O3多层结构在布拉格反射器材料与GaN基LED材料之间起到缓冲作用，提高了GaN基LED材料的晶体质量，从而提高GaN基LED的发光效率。
3、本发明不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，具有非常重要的商业价值。
附图说明
图1是本发明一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构包括蓝宝石图形衬底4以及沉积于所述蓝宝石图形衬底4上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底4上的第一Al2O3多层结构3、沉积于所述第一Al2O3多层结构3上的布拉格反射器2、以及沉积于所述布拉格反射器2上的第二Al2O3多层结构1。
本发明提出一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，目的是既增加反射器功能，又能提高材料晶体质量，从而提高LED发光效率。具体实施步骤如下：
步骤1：在蓝宝石图形衬底4上沉积第一Al2O3多层结构3：将原子层沉积系统反应室抽真空，待压力小于3x10-5Torr后，把蓝宝石衬底从送样室转移至反应室，将反应室温度升高至200℃，以Ar为载气，以三甲基铝和水为反应源，待温度稳定后开始生长第一层Al2O3，周期数为I，1≤I≤1250，第一层Al2O3的厚度小于100nm。然后将反应室温度调整到温度T，150℃≤T≤250℃，通过在不同的温度下重复以上步骤生长不同层的Al2O3薄膜，共计生长m层Al2O3薄膜，2≤m≤10，每一层Al2O3薄膜的厚度为0.1～100nm。待生长完成后，将具有m层Al2O3薄膜的蓝宝石衬底在N2气氛下退火，退火温度为400℃，时间为10min。
步骤2：完成步骤1后，在具有第一Al2O3多层结构(3)的蓝宝石图形衬底(4)上沉积布拉格反射器结构(2)：采用电子束蒸发方法，以SiO2与Ti3O5为蒸发源，待真空度达到10- 7Torr并且温度稳定在130℃后，开始交替蒸发SiO2层与Ti3O5层，布拉格反射器的周期数为12-48，每层的光学厚度为反射中心波长的四分之一，反射中心波长为450nm。
步骤3：完成步骤2后，在具有第一Al2O3多层结构(3)和布拉格反射器结构(2)的蓝宝石图形衬底(4)上沉积第二Al2O3多层结构(1)，将原子层沉积系统反应室抽真空，待压力小于3x10-5Torr后，把蓝宝石衬底从送样室转移至反应室，将反应室温度升高至180℃，以Ar为载气，以三甲基铝和水为反应源，待温度稳定后开始生长第一层Al2O3，周期数为J，1≤J≤1250，第一层Al2O3的厚度小于100nm。然后将反应室温度调整到温度T，150℃≤T≤250℃，通过在不同的温度下重复以上步骤生长不同层的Al2O3薄膜，共计生长n层Al2O3薄膜，2≤n≤10，每一层Al2O3薄膜的厚度为0.1～100nm。待生长完成后，将具有n层Al2O3薄膜的蓝宝石衬底在N2气氛下退火，退火温度为400℃，时间为10min。
以上实例仅用于说明而非限制本发明技术方案。任何不脱离本发明范围的技术方案，均应涵盖在本发明专利保护范围之中。
Claims (5)
1.一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，包括蓝宝石图形衬底(4)以及沉积于所述蓝宝石图形衬底(4)上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底(4)上的第一Al2O3多层结构(3)、沉积于所述第一Al2O3多层结构(3)上的布拉格反射器(2)、以及沉积于所述布拉格反射器(2)上的第二Al2O3多层结构(1)。
2.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，第一Al2O3多层结构(3)由m层Al2O3薄膜构成，2≤m≤10。
3.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，所述布拉格反射器(2)的周期数为12-48，每层的光学厚度为反射中心波长的四分之一，反射中心波长为450nm。
4.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，第二Al2O3多层结构(1)由n层Al2O3薄膜构成,2≤n≤10。
5.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，它通过以下方法制备得到：
(1)、在蓝宝石图形衬底(4)上沉积第一Al2O3多层结构(3)：将原子层沉积系统反应室抽真空，待压力小于3x10-5Torr后，把蓝宝石衬底从送样室转移至反应室，将反应室温度升高至200℃，以Ar为载气，以三甲基铝和水为反应源，待温度稳定后开始生长第一层Al2O3薄膜，周期数为I，1≤I≤1250；然后在150℃≤T≤250℃范围内调整反应室温度T，依次生长m层的Al2O3薄膜，2≤m≤10，每一层Al2O3薄膜的厚度为0.1～100nm。待生长完成后，将具有m层Al2O3薄膜的蓝宝石衬底在N2气氛下退火，退火温度为400℃，时间约为10min。
(2)、在具有第一Al2O3多层结构(3)的蓝宝石图形衬底(4)上沉积布拉格反射器结构(2)：采用电子束蒸发方法，以SiO2与Ti3O5为蒸发源，待真空度达到10-7Torr并且温度稳定在130℃后，开始交替蒸发SiO2层与Ti3O5层，布拉格反射器的周期数为12-48，每层的光学厚度为反射中心波长的四分之一，反射中心波长为450nm。
(3)、在具有第一Al2O3多层结构(3)和布拉格反射器结构(2)的蓝宝石图形衬底(4)上沉积第二Al2O3多层结构(1)：将原子层沉积系统反应室抽真空，待压力小于3x10-5Torr后，把蓝宝石衬底从送样室转移至反应室，将反应室温度升高至180℃，以Ar为载气，以三甲基铝和水为反应源，待温度稳定后开始生长第一层Al2O3，周期数为J，1≤J≤1250；然后在150℃≤T≤250℃范围内调整反应室温度T，依次生长n层的Al2O3薄膜，2≤n≤10，每一层Al2O3薄膜的厚度为0.1～100nm。待生长完成后，将具有n层Al2O3薄膜的蓝宝石衬底在N2气氛下退火，退火温度为400℃，时间约为10min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810054953.4A CN108598232B (zh) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | 一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810054953.4A CN108598232B (zh) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | 一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108598232A true CN108598232A (zh) | 2018-09-28 |
| CN108598232B CN108598232B (zh) | 2024-05-10 |
Family
ID=63608530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810054953.4A Active CN108598232B (zh) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | 一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108598232B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117096238A (zh) * | 2023-10-18 | 2023-11-21 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种复合衬底及其制备方法、led芯片 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040021142A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-05 | Li-Hsin Kuo | Light emitting diode device |
| TW201027791A (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-16 | Ubilux Optoelectronics Corp | A manufacturing method of a semiconductor component that has uneven substrate |
| CN102169936A (zh) * | 2011-02-16 | 2011-08-31 | 亚威朗光电(中国)有限公司 | 图形衬底和led芯片 |
| CN102683532A (zh) * | 2011-03-11 | 2012-09-19 | 山东华光光电子有限公司 | 一种含有图形化dbr结构的衬底 |
| CN102832308A (zh) * | 2012-09-17 | 2012-12-19 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 用于制备led倒装芯片的图形化衬底 |
| CN103022291A (zh) * | 2011-09-24 | 2013-04-03 | 山东浪潮华光光电子有限公司 | 一种具有全方位反射镜的图形衬底及其制备方法 |
| CN202957284U (zh) * | 2012-09-17 | 2013-05-29 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 用于制备led倒装芯片的图形化衬底 |
| CN103219440A (zh) * | 2012-04-28 | 2013-07-24 | 江苏汉莱科技有限公司 | 一种高亮度发光二极管及其制备方法 |
| CN105261682A (zh) * | 2015-10-16 | 2016-01-20 | 山东元旭光电有限公司 | 一种蓝宝石复合衬底及其制备方法 |
| CN105428470A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-03-23 | 山东元旭光电有限公司 | 一种高亮度外延芯片结构及其制备方法 |
| CN205122627U (zh) * | 2015-10-16 | 2016-03-30 | 山东元旭光电有限公司 | 一种蓝宝石复合衬底 |
| CN205452333U (zh) * | 2016-06-23 | 2016-08-10 | 福建晶安光电有限公司 | 一种led灯的弧形六角星锥图形化蓝宝石衬底 |
| CN205488195U (zh) * | 2016-04-08 | 2016-08-17 | 安徽三安光电有限公司 | 一种半导体发光元件 |
| CN205645881U (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 安徽三安光电有限公司 | 一种具有背镀dbr层的发光二极管 |
| CN206322726U (zh) * | 2016-12-31 | 2017-07-11 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种激光刻蚀错位半球与odr结合的蓝宝石图形衬底 |
| CN207818602U (zh) * | 2018-01-19 | 2018-09-04 | 浙江大学 | 一种具有布拉格反射器的蓝宝石图形衬底结构 |
-
2018
- 2018-01-19 CN CN201810054953.4A patent/CN108598232B/zh active Active
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040021142A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-05 | Li-Hsin Kuo | Light emitting diode device |
| TW201027791A (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-16 | Ubilux Optoelectronics Corp | A manufacturing method of a semiconductor component that has uneven substrate |
| CN102169936A (zh) * | 2011-02-16 | 2011-08-31 | 亚威朗光电(中国)有限公司 | 图形衬底和led芯片 |
| CN102683532A (zh) * | 2011-03-11 | 2012-09-19 | 山东华光光电子有限公司 | 一种含有图形化dbr结构的衬底 |
| CN103022291A (zh) * | 2011-09-24 | 2013-04-03 | 山东浪潮华光光电子有限公司 | 一种具有全方位反射镜的图形衬底及其制备方法 |
| CN103219440A (zh) * | 2012-04-28 | 2013-07-24 | 江苏汉莱科技有限公司 | 一种高亮度发光二极管及其制备方法 |
| CN102832308A (zh) * | 2012-09-17 | 2012-12-19 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 用于制备led倒装芯片的图形化衬底 |
| CN202957284U (zh) * | 2012-09-17 | 2013-05-29 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 用于制备led倒装芯片的图形化衬底 |
| CN105261682A (zh) * | 2015-10-16 | 2016-01-20 | 山东元旭光电有限公司 | 一种蓝宝石复合衬底及其制备方法 |
| CN205122627U (zh) * | 2015-10-16 | 2016-03-30 | 山东元旭光电有限公司 | 一种蓝宝石复合衬底 |
| CN105428470A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-03-23 | 山东元旭光电有限公司 | 一种高亮度外延芯片结构及其制备方法 |
| CN205488195U (zh) * | 2016-04-08 | 2016-08-17 | 安徽三安光电有限公司 | 一种半导体发光元件 |
| CN205645881U (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 安徽三安光电有限公司 | 一种具有背镀dbr层的发光二极管 |
| CN205452333U (zh) * | 2016-06-23 | 2016-08-10 | 福建晶安光电有限公司 | 一种led灯的弧形六角星锥图形化蓝宝石衬底 |
| CN206322726U (zh) * | 2016-12-31 | 2017-07-11 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种激光刻蚀错位半球与odr结合的蓝宝石图形衬底 |
| CN207818602U (zh) * | 2018-01-19 | 2018-09-04 | 浙江大学 | 一种具有布拉格反射器的蓝宝石图形衬底结构 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| HAO GUO等: ""High performance GaN一based LEDs on patterned sapphire substrate with patternedcomposite Si02/A1203 passivation layers and Ti02/A1203 DBR backside reflector"", 《OPTICS EXPRESS》, 5 September 2013 (2013-09-05), pages 21456 * |
| 张克华: "高亮度 LED 衬底材料研究", 《功能材料》, 31 December 2009 (2009-12-31), pages 709 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117096238A (zh) * | 2023-10-18 | 2023-11-21 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种复合衬底及其制备方法、led芯片 |
| CN117096238B (zh) * | 2023-10-18 | 2024-04-09 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种复合衬底及其制备方法、led芯片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108598232B (zh) | 2024-05-10 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |