CN108574161A - 插入式连接器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种包括压入体(2)的插入式连接器(1)，该压入体(2)涂覆有第一含Ni层(3)和第二含Ni层(4)，其中第一和/或第二含Ni层是纳米晶体或非晶体层。

Description

插入式连接器
技术领域
本发明涉及一种插入式连接器。
背景技术
适于插入或压入电路板的孔中的插入式连接器由例如DE102008042824A1已知。该插入式连接器有近似圆柱形区域，插入电路板中的插入式连接器在该区域中建立与电路板的电接触，下文中，该区域将称为接触区域。传统的插入式连接器有压入体，该压入体能够由铜、青铜或CuSn6制成。压入体涂覆有两层，这两层布置成至少局部相互重叠，其中，外部层包括硫醇。该硫醇用作钝化剂或润滑剂，以便限制在压入过程中所需的压入力。这种插入式连接器的缺点是在接触区域中需要有机中间层，该有机中间层对电特性有不利影响。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺点。特别是，将提供一种插入式连接器，该插入式连接器能够使用较低压入力而压入电路板中，且制造简单。
该目的通过权利要求1的特征来实现。本发明的优选实施例能够由从属权利要求中得出。
根据本发明，提供了一种插入式连接器，该插入式连接器包括压入体，该压入体涂覆有第一含Ni层和第二含Ni层的，其中，第一和/或第二含Ni层是纳米晶体或非晶体层。
第一含Ni层和第二含Ni层有不同数量级的颗粒尺寸。特别是，一个层能够是微晶体，另一层能够是纳米晶体或非晶体。为了本发明目的，“微晶体”的意思是颗粒尺寸在从0.3μm至7μm的范围内，特别是从0.5μm至3μm。为了本发明目的，“纳米晶体”的意思是颗粒尺寸为从4nm至200nm，特别是从4nm至100nm，特别是从4nm至80nm，特别是4nm至60nm。为了本发明目的，“非晶体”的意思是不能通过常规方法(例如X射线衍射、电子衍射或透射电子显微镜)而检测到晶体。
特别是，含Ni层不含有任何可感知量的有机杂质。含Ni层优选是含有至少80％重量百分比的镍，特别是至少90％重量百分比的镍。含Ni层特别优选是含有至少95％重量百分比的镍，特别是至少97％重量百分比的镍。第一和第二含Ni层至少局部重叠，且它们优选是在其整个区域上重叠。
本发明的插入式连接器的优点是它能够通过电化学涂层来进行涂覆，例如带状电镀。通过有机助剂(organic auxiliary)产生的分离涂层并不是必须。因此，本发明的插入式连接器没有任何有机涂层，特别是在它压入电路板时与该电路板接触的接触区域中。
在优选实施例中，一个含Ni层是亚光镍，另一含Ni层是光亮镍。为了本发明目的，光亮镍是具有光滑和光泽表面的镍涂层。亚光镍具有亚光(即相对粗糙)的表面。已知电解质用于生产光亮镍或亚光镍。
在还一实施例中，本发明的插入式连接器的第一或第二含Ni层是非晶体层，它包含直至15％重量百分比的磷，特别是直至10％重量百分比的磷。非晶体含Ni层能够通过添加磷而稳定。
纳米晶体和/或非晶体层优选是具有从0.1至3μm的厚度，特别是从0.1至2.2μm，特别是从0.1至1μm，特别是从0.1至0.7μm，特别是从0.1至0.3μm。在压入体上的层顺序能够特别从表1中所示的层顺序中选择：
表1
在优选实施例中，本发明的插入式连接器的压入体包括铜、铜合金或钢。特别是，铜合金能够是由以下构成的合金：CuFe、FuFe2P、CuNiSn、CuNiSi、CuZn、CuSnZn、CuSn4、CuSn6或CuSn8。
在还一实施例中，由Cu或Sn构成的中间层能够布置在压入体和第一含Ni层之间。通过中间层还能够进一步降低表面粗糙度。
附图说明
下面将借助于工作示例和参考附图来说明本发明。附图是示意图，并且：
图1表示了根据本发明的插入式连接器，
图2表示了图1的插入式连接器的涂层顺序的示意图，
图3表示了插入式连接器的涂层的层顺序的第二工作示例，
图4表示了插入式连接器的涂层顺序的第三工作示例，
图5表示了插入式连接器的涂层的第四工作示例，
图6表示了摩擦测试的曲线图，
图7表示了摩擦测试的还一曲线图，
图8示意表示了光亮镍表面的截面的透射电子显微图，以及
图9示意表示了非晶体NiP表面的截面的透射电子显微图。
具体实施方式
图1表示了插入式连接器1，该插入式连接器1适合压入电路板的开口中，该电路板由铜制造，并涂覆有青铜和/或锡。插入式连接器1包括插针尖端10、具有压入区域11的压入主体2以及固定区域12。插入连接器1涂覆有两个含Ni层，这两个含Ni层至少局部重叠。压入区域11的圆柱形部分用作接触区域。
图2表示了插入式连接器1的层结构的第一工作示例。压入体2由CuSn6制成，并有Ra＝0.5μm的粗糙度。平均颗粒尺寸为0.8μm的第一含Ni层3布置在它的顶部上。最终表面由平均颗粒尺寸为30nm的纳米晶体第二含Ni层4形成。具有纳米晶体颗粒尺寸的第二含Ni层4增加了表面硬度，它在30nm的颗粒尺寸下具有205+/-7GPa的E模量和9.4+/-0.6GPa的压痕硬度(identation hardness)。第二含Ni层4的纳米晶体微结构产生更平滑的表面，该表面提高了滑动性能。这种层顺序特别适用于一次性插入操作。
图3表示了插入式连接器的层结构的另一工作示例。该层结构有在压入体2和第一含Ni层3之间的中间层5。该中间层5包括锡。它用作粘接层35，还用于使得压入体2的粗糙度变平。中间层是纳米晶体层，具有30nm的颗粒尺寸。也可选择，中间层5还能够包括铜。
图4表示了在压入体2上的层结构的第三工作示例，该层结构有三个含Ni层，其中，第一含Ni层3是纳米晶体层，第二含Ni层4是微晶体层，第三含Ni层6是非晶体层。非晶体层含有12％重量百分比的磷。这样的Ni-P层具有149+/-6GPa的E模量和9+/-0.7GPa的压痕硬度。非晶体层的表面具有对铜接触表面的恒定低摩擦阻力。通过这样的层结构能够最小化或防止对铜或青铜层的冷焊。非晶体层增加了抗摩擦氧化的稳定性和较低的层退化，因此非常适合重复插入操作。
图5表示了在压入体2上的层结构，该层结构有三个含Ni层以及中间层5。这三个含Ni层3、4、6与图4所示的工作示例的含Ni层相对应。中间层5包括锡。
图6表示了在铜插针和板之间的两个摩擦测试的结果，该板分别涂覆有亚光镍或光亮镍。时间标绘在水平轴上，摩擦系数(COF)标绘在竖直轴上。光亮镍的曲线表示磨合阶段，在磨合阶段中，在摩擦测试中摩擦系数增加，而在亚光镍的摩擦测试中，摩擦系数具有近似恒定值。
图7是曲线图，表示了在铜插针和板之间的还一摩擦测试的比较，该板涂覆有光亮镍或非晶体Ni-P层。非晶体Ni-P层的摩擦试验表示了恒定的低摩擦系数，而在光亮镍上的摩擦试验表示了增加的摩擦系数。在10次摩擦循环之后，在光亮镍的情况下发生Cu颗粒的转移，如在图8的显微镜检查的示意图中可见。在非晶体Ni-P层的情况下，在10次摩擦循环之后没有观察到材料向摩擦表面的转移，如图9中所示。
参考标号列表
1 插入式接触件
2 压入体
3 第一含Ni层
4 第二含Ni层
5 中间层
6 第三含Ni层
10 插针尖端
11 压入区域
12 固定区域

Claims (9)

1.一种包括压入体(2)的插入式连接器(1)，所述压入体(2)涂覆有第一含Ni层(3)和第二含Ni层(4)；
其中，第一含Ni层(3)和/或第二含Ni层(4)是纳米晶体层或非晶体层。
2.根据权利要求1所述的插入式连接器，其中：第一含Ni层(3)和第二含Ni层(4)中的一个是亚光镍，第一含Ni层(3)和第二含Ni层(4)中的另一个是光亮镍。
3.根据权利要求1所述的插入式连接器，其中：第一含Ni层(3)或第二含Ni层(4)是非晶体层，它含有直至15％重量百分比的磷，特别是直至10％重量百分比的磷。
4.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：纳米晶体和/或非晶体层的厚度是0.1-3μm，特别是0.1-2.2μm，特别是0.1-1μm，特别是0.1-0.7μm，特别是0.1-0.3μm。
5.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：第三含Ni层(6)布置在第二含Ni层(4)的顶部上。
6.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：第二含Ni层(4)是微晶体，第三含Ni层(6)是纳米晶体或非晶体。
7.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：压入体(2)包括铜、铜合金或钢。
8.根据权利要求7所述的插入式连接器，其中：铜合金是由以下构成的合金：CuFe、FuFe2P、CuNiSn、CuNiSi、CuZn、CuSnZn、CuSn4、CuSn6或CuSn8。
9.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：由Cu或Sn构成的中间层(5)布置在压入体(2)和第一含Ni层(3)之间。
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