CN108570656A - 一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜 - Google Patents

一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜 Download PDF

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Abstract

本发明提出了一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：S1.选取掺杂单晶硅或氧化硅晶片，作为衬底；S2.将清洗后干燥的衬底置于低压化学气相沉积设备腔中；S3.通入非活性气体，加热到750℃～850℃；S4.通入气体H2SiCl2和NH3，发生化学反应；获得初级氮化硅薄膜；S5.再通入非活性气体；S6.对沉积设备腔的温度进行降温，打开设备腔，将初级氮化硅薄膜顺序调换；S7.重复步骤S1～S5，发生化学反应，对沉积设备腔进行降温，获得氮化硅薄膜。本发明还公开了一种氮化硅薄膜。实施本发明的技术方案中，在保持氮化硅膜特性不变的情况下，制备得到的氮化硅膜厚度可大于400nm，薄膜不均匀度小于1％。

Description

一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜
技术领域
本发明涉及一种半导体材料领域，特别涉及一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜。
背景技术
氮化硅材料具备许多优异的性能，如高熔点、高硬度、强稳定性、低膨胀系数、良导热性、强抗热震性及优良的光学性能等，氮化硅块体材料及其薄膜能广泛应用于光电子、微电子、机械加工、化学工业、太阳能电池、航空航天及集成电路等行业。
在光学性能方面，氮化硅具有很宽透射光谱，和硅相比，可见光甚至紫外线光氮化硅均可透射，在红外光的传导中，氮化硅也可以做到超低损耗，硅的传导损耗为氮化硅的10倍以上。和二氧化硅相比，氮化硅在中远红外光谱具有更长波长的透射性，氮化硅对于光也有更好的约束性，同样的光学器件可以做到更小的尺寸，并且可以做成集成芯片更符合于光电子与微电子等领域的应用。
随着薄膜应用的普及，薄膜制备的技术也成为了高新加工技术中的重要部分。目前，比较普及的氮化硅薄膜的制备方法有等离子体化学气相沉积(PECVD)和低压化学气相沉积(LPCVD)法两种方法，其中LPCVD法生产的膜密度更高、纯度更高、物理化学特性更优良，而且由于其可以批量生产，所以被广泛的应用。由于LPCVD法的制备温度很高通常在600～800℃，而氮化硅薄膜应力会随着薄膜厚度增长而增加，最终会导致膜的破损，目前，通过改变薄膜沉积生长条件，如反应气体、反应温度、压强等条件，可以生产超厚氮化硅薄膜，但是膜的致密度、纯度、光学参数等特性均发生了改变，在保持膜特性不变的情况下，生产的氮化硅薄膜厚度均小于400纳米，而且由于气体的流动性，在反应腔中沉积生长的薄膜厚度会由于晶圆所在位置而不同，厚度的不均性会随着薄厚的增加而增加，所以如何在保持氮化硅膜特性不变的情况下生产超厚氮化硅膜并且使增加膜的均匀性是急需解决的问题。
发明内容
为了解决以上的问题，本发明提供一种保持氮化硅膜特性不变的情况下生产超厚氮化硅膜并且使增加膜的均匀性的氮化硅膜的制作的方法及氮化硅膜。
本发明的技术方案是这样实现的：
本发明公开了一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：
S1.选取掺杂单晶硅或氧化硅晶片，作为衬底；
S2.将清洗后干燥的衬底置于低压化学气相沉积设备腔中；
S3.通入非活性气体，将所述的衬底进行热处理，将所述的衬底加热到750℃～850℃；
S4.通入气体H2SiCl2和NH3，发生化学反应；获得初级氮化硅薄膜；
S5.在所述的沉积设备腔中，再通入非活性气体；
S6.对所述的沉积设备腔的温度进行降温，打开设备腔，将所述的初级氮化硅薄膜顺序调换；
S7.重复步骤S1～S5，发生化学反应，对所述的沉积设备腔进行降温，打开设备腔，获得氮化硅薄膜。
进一步地，所述的步骤S3，具体为：通入惰性气体和/或氮气和/或二氧化碳气体，将所述的衬底进行热处理，将所述的衬底加热到750℃～850℃后，抽真空。
进一步地，所述的步骤S4，具体是：通入气体H2SiCl2和NH3，在气压为180mTorr～220mTorr的条件下发生反应；反应持续的时间为：60分钟～130分钟；获得200nm～400nm的初级氮化硅薄膜。
进一步地，所述的步骤S4，具体是：通入气体H2SiCl2和NH3，在气压为200mTorr的条件下发生反应；反应持续的时间为：96分钟；获得350nm的初级氮化硅薄膜。
进一步地，所述的步骤S6，具体是：
将所述的沉积设备腔的温度降至420℃以下，打开设备腔，将所述的初级氮化硅薄膜顺序调换。
进一步地，所述的步骤S6，具体是：
将所述的沉积设备腔的温度降至380℃～420℃，打开设备腔，将所述的初级氮化硅薄膜顺序调换。
进一步地，所述的步骤S7，具体是：重复步骤S1～S5，发生化学反应，时长为60分钟～130分钟，所述的沉积设备腔温度降至420℃以下时，打开设备腔，获得氮化硅薄膜。
进一步地，所述的步骤S7，具体是：重复步骤S1～S5，化学反应时长为：114分钟，所述的沉积设备腔温度降至380℃～420℃时，打开设备腔，获得氮化硅薄膜。
本发明公开了一种氮化硅薄膜，所述的氮化硅薄膜由上述的方法制得。
进一步地，所述的氮化硅薄膜厚度为：400nm～800nm。
实施本发明的一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜，具有以下有益的技术效果：
在保持氮化硅膜特性不变的情况下，制备得到的氮化硅膜材料厚度可大于400nm，薄膜不均匀度小于1％。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例的氮化硅膜的制作的方法流程图；
图2为代号为N3的氮化硅膜的表面不均匀度测试结果图；
图3为六片氮化硅膜的厚度测试结果图；
图4为代号为N7的氮化硅膜的表面不均匀度测试结果图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明解决的问题是如何在不改变膜的特性下制备超厚氮化硅膜并且改善膜的均匀性，本文提供了一种超厚氮化硅薄膜制备方法，所述氮化硅膜的厚度可高于400nm，且在4英寸基底范围内，薄膜不均匀度小于1％，在多片基底制备时，不同基底间的薄膜厚度也小于1％。
其中不均匀度的计算方法为：薄膜不均匀度＝(最大值一最小值)/(平均值×2)×100％，当为同一基底时，最大值为同一基底上氮化硅膜测试点厚度最大值，最小值为同一基底上氮化硅膜测试点厚度最小值，平均值为同一基底上氮化硅膜测试点厚度平均值，计算公式为：平均值＝测试点膜厚度之和/测试点个数，其中测试点不少于41个；在不同基底间测试时，最大值为任一基底氮化硅膜厚度最大值，最小值为任一基底上氮化硅膜厚度最小值，平均值为所有基底上氮化硅膜厚度平均值，计算公式为：平均值＝测试基底膜厚度之和/基底数量，基底数量不少于5。
一种超厚氮化硅膜材料及其制备方法，超厚氮化硅膜具有很好的致密性、稳定性、绝缘性和抗腐蚀性，厚度高于七百纳米，可以用作防化学腐蚀膜、保护膜和光学膜，并且可以用于光波导、机械微腔等光学器件领域的制造。
请参阅图1，本发明的第一实施例，一种氮化硅薄膜的制作方法，
S1.选取掺杂单晶硅或氧化硅晶片，作为衬底；
S2.将清洗后干燥的衬底置于低压化学气相沉积设备腔中；
S3.通入非活性气体，将所述的衬底进行热处理，将所述的衬底加热到750℃～850℃后，更佳地，加热后，为了提高反应的纯净度，可以进行抽真空处理；
本文中，非活性气体取自非氧气的气体成分，包括：惰性气体和/或氮气和/或二氧化碳气体。
S4.通入气体H2SiCl2和NH3，发生化学反应；获得初级氮化硅薄膜；
S5.在所述的沉积设备腔中，再通入非活性气体；
S6.对所述的沉积设备腔的温度进行降温，打开设备腔，将所述的初级氮化硅薄膜顺序调换；
S7.重复步骤S1～S5，发生化学反应，对所述的沉积设备腔进行降温，打开设备腔，获得氮化硅薄膜。
将衬底置于低压化学气相沉积设备腔中，通入作为反应气体，通入作为加热及冷却保护气，进行气相沉积获得超厚氮化硅膜。
其中，控制反应时长、反应气体的组成和反应温度，通过两次气相沉积的过程，在保持氮化硅膜特性不变的情况下，可以在四英寸硅基底或其他半导体基底上制备得到氮化硅膜材料厚度大于400nm，同一基底及一次沉积不同基底上薄膜不均匀度均小于1％。
本发明的第二实施例，
第一号超厚氮化硅薄膜的氮化硅膜制备方法如下：
选取P型掺杂单晶硅衬底；
进行RCA标准清洗法，将清洗后干燥的衬底置于低压化学气相沉积设备腔中；
先通入N2，在N2的环境下，将P型掺杂单晶硅衬底加热至800℃后，抽真空处理；
通入反应气体H2SiCl2和NH3，反应气压为200mTorr，第一步反应时间为96分钟，制取获得350nm的初始氮化硅薄膜；
在N2的环境下，将设备腔温度降至400℃，打开设备腔，等设备腔完全打开时，将衬底顺序调换，重复上述过程，根据第一反应时间设置第二反应时间为114分钟，反应完成后等设备腔温度降400℃，打开设备腔，即可获得厚度为763nm第一号氮化硅薄膜，代号为N1。
本发明的第三实施例，
第二号超厚氮化硅薄膜的氮化硅膜制备方法如下：
选取P型掺杂单晶硅片，并以此作为衬底，进行RCA标准清洗法，清洗后干燥；将衬底置于低压化学气相沉积设备腔中；
先通入氦气，在氦气的环境下，将衬底加热至800℃，抽取氦气之后通入反应气体H2SiCl2和NH3，H2SiCl2为60mTorr，NH3为196mTorr，整个腔反应气压为200mTorr，第一步反应时间为96分钟，制取获得350nm的初始氮化硅薄膜；
在氦气的环境下，将设备腔温度降至400℃，打开设备腔，等设备腔完全打开时，将衬底顺序调换，重复上述过程，根据第一反应时间设置第二反应时间为110分钟，反应完成后等设备腔温度降400℃，打开设备腔即可获得厚度为763nm的第二号超厚氮化硅(Si3N4)薄膜，代号为N2。
本发明的第四实施例，
第三号超厚氮化硅薄膜的氮化硅膜制备方法如下：
选取P型掺杂单晶硅片，并以此作为衬底，进行RCA标准清洗法，清洗后干燥；将衬底置于低压化学气相沉积设备腔中。
先通入氩气，在氩气的环境下，将衬底加热至750℃，抽取氩气之后通入反应气体H2SiCl2和NH3，整个腔反应气压为180mTorr，第一步反应时间为110分钟，制取获得365nm的初始氮化硅薄膜；
在氩气的环境下，将设备腔温度降至410℃，打开设备腔，等设备腔完全打开时，将衬底顺序调换，重复上述过程，根据第一反应时间设置第二反应时间为120分钟，反应完成后等设备腔温度降381℃，打开设备腔即可获得厚度为765nm的第三号超厚氮化硅(Si3N4)薄膜，代号为N3。
本发明的第五实施例，
第四号超厚氮化硅薄膜的氮化硅膜制备方法如下：
选取N型掺杂单晶硅片，并以此作为衬底，进行RCA标准清洗法，清洗后干燥；将衬底置于低压化学气相沉积设备腔中。
先通入氪气，在氪气的环境下，将衬底加热至780℃，抽取氪气之后通入反应气体H2SiCl2和NH3，整个腔反应气压为190mTorr，第一步反应时间为95分钟，制取获得345nm的初始氮化硅薄膜；
在氪气的环境下，将设备腔温度降至390℃，打开设备腔，等设备腔完全打开时，将衬底顺序调换，重复上述过程，根据第一反应时间设置第二反应时间为118分钟，反应完成后等设备腔温度降410℃，打开设备腔即可获得厚度为773nm的第四号超厚氮化硅(Si3N4)薄膜，代号为N4。
本发明的第六实施例，
第五号超厚氮化硅薄膜的氮化硅膜制备方法如下：
选取P型掺杂单晶硅片，并以此作为衬底，进行RCA标准清洗法，清洗后干燥；将衬底置于低压化学气相沉积设备腔中。
先通入氙气，在氙气的环境下，将衬底加热至830℃，抽取氙气之后通入反应气体H2SiCl2和NH3，整个腔反应气压为210mTorr，第一步反应时间为95分钟，制取获得355nm的初始氮化硅薄膜；
在氙气的环境下，将设备腔温度降至410℃，打开设备腔，等设备腔完全打开时，将衬底顺序调换，重复上述过程，根据第一反应时间设置第二反应时间为111分钟，反应完成后等设备腔温度降420℃，打开设备腔即可获得厚度为767nm的第五号超厚氮化硅(Si3N4)薄膜，代号为N5。
本发明的第七实施例，
第六号超厚氮化硅薄膜的氮化硅膜制备方法如下：
选取氧化硅晶片，并以此作为衬底，进行RCA标准清洗法，清洗后干燥；将衬底置于低压化学气相沉积设备腔中。
先通入二氧化碳，在二氧化碳的环境下，将衬底加热至845℃，抽取二氧化碳之后通入反应气体H2SiCl2和NH3，整个腔反应气压为215mTorr，第一步反应时间为90分钟，制取获得358nm的初始氮化硅薄膜；
在二氧化碳的环境下，将设备腔温度降至419℃，打开设备腔，等设备腔完全打开时，将衬底顺序调换，重复上述过程，根据第一反应时间设置第二反应时间为104分钟，反应完成后等设备腔温度降419℃，打开设备腔即可获得厚度为764nm的第六号超厚氮化硅(Si3N4)薄膜，代号为N6。
本发明的第八实施例，
第七号氮化硅薄膜的氮化硅膜制备方法如下：
选取氧化硅晶片，并以此作为衬底，进行RCA标准清洗法，清洗后干燥；将衬底置于低压化学气相沉积设备腔中。
先通入氮气，在氮气的环境下，将衬底加热至790℃，抽取氮气之后通入反应气体H2SiCl2和NH3，整个腔反应气压为202mTorr，第一步反应时间为61分钟，制取获得206nm的初始氮化硅薄膜；
在二氧化碳的环境下，将设备腔温度降至419℃，打开设备腔，等设备腔完全打开时，将衬底顺序调换，重复上述过程，根据第一反应时间设置第二反应时间为74分钟，反应完成后等设备腔温度降419℃，打开设备腔即可获得厚度为456nm的第七号氮化硅(Si3N4)薄膜，代号为N7。
一种氮化硅薄膜，氮化硅薄膜由上述的方法制得。
氮化硅薄膜厚度为：400nm～780nm。
本发明提供的氮化硅薄膜在不改变氮化硅膜特性下厚度大于400nm，且具有良好均匀性，在四英寸基底范围内，薄膜厚度不均匀度低于1％，在不同基底之间，薄膜厚度不均匀度低于1％，较现有技术相比，在不改变氮化硅薄膜特性下制得了超厚氮化硅薄膜，且与其他方法相比，薄膜均匀度有明显提高。
本发明提供的方法可以运用LPCVD法，在不改变薄膜特性的情况下，大规模制备超厚氮化硅薄膜，尤其是高应力氮化硅薄膜，具有极大的潜力。
制备的氮化硅薄膜不仅可以用于保护层，还可以制备超低损耗光波导、光谐振腔、光机械器件等，应用于半导体、光电子、光检测、光通信和量子等领域。
关于薄膜表面的不均匀度的测试，取代号为N1的氮化硅薄膜进行光谱仪分析及性能表征测试，测试的结果如图2所示。
关于薄膜表面的不均匀度的测试，取代号为N7的氮化硅薄膜进行光谱仪分析及性能表征测试，测试的结果如图4所示。
设备型号：Filmstrips F50-EXR；
测试条件：室温；
波长范围：400～1700nm；
对于N1，均匀选取41个点，测试结果如图1所示，同一基底薄膜不均匀度为0.69％。
对于N7，均匀选取41个点，测试结果如图4所示，同一基底薄膜不均匀度为0.70％。
关于薄膜表面的厚度测试，取代号为N1、N2、N3、N4、N5、N6氮化硅薄膜进行测试，测量6个基底的中部厚度测量结果如图2所示，不同基底薄膜不均匀度为：0.78％，测试结果如图3所示。
经实践证实，大规模制造超厚氮化硅薄膜的氮化硅膜时，不同序号的相同厚度的衬底同一次生长时，由于生长的位置及顺序不同，导致生长的厚度不同，比如第一片和第十片可能会差几十个纳米，用了以上的方法，薄膜不均匀度仍小于1％。
实施本发明的一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜，具有以下有益的技术效果：
在保持氮化硅膜特性不变的情况下，可以在四英寸硅基底或其他半导体基底上制备得到氮化硅膜材料厚度大于400nm，薄膜不均匀度小于1％。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样，倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种氮化硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
S1.选取掺杂单晶硅或氧化硅晶片，作为衬底；
S2.将清洗后干燥的衬底置于低压化学气相沉积设备腔中；
S3.通入非活性气体，将所述的衬底进行热处理，将所述的衬底加热到750℃～850℃；
S4.通入气体H2SiCl2和NH3，发生化学反应；获得初级氮化硅薄膜；
S5.在所述的沉积设备腔中，再通入非活性气体；
S6.对所述的沉积设备腔的温度进行降温，打开设备腔，将所述的初级氮化硅薄膜顺序调换；
S7.重复步骤S1～S5，发生化学反应，对所述的沉积设备腔进行降温，打开设备腔，获得氮化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤S3，具体为：通入惰性气体和/或氮气和/或二氧化碳气体，将所述的衬底进行热处理，将所述的衬底加热到750℃～850℃后，抽真空。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤S4，具体是：通入气体H2SiCl2和NH3，在气压为180mTorr～220mTorr的条件下发生反应；反应持续的时间为：60分钟～130分钟；获得厚度为：200nm～400nm的初级氮化硅薄膜。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤S4，具体是：通入气体H2SiCl2和NH3，在气压为200mTorr的条件下发生反应；反应持续的时间为：96分钟；获得厚度为350nm的初级氮化硅薄膜。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤S6，具体是：
将所述的沉积设备腔的温度降至420℃以下，打开设备腔，将所述的初级氮化硅薄膜顺序调换。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤S6，具体是：
将所述的沉积设备腔的温度降至380℃～420℃，打开设备腔，将所述的初级氮化硅薄膜顺序调换。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤S7，具体是：重复步骤S1～S5，发生化学反应，时长为60分钟～130分钟，所述的沉积设备腔温度降至420℃以下时，打开设备腔，获得氮化硅薄膜。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤S7，具体是：重复步骤S1～S5，化学反应时长为：114分钟，所述的沉积设备腔温度降至380℃～420℃时，打开设备腔，获得氮化硅薄膜。
9.一种氮化硅薄膜，其特征在于，所述的氮化硅薄膜由权利要求1～8任一项权利要求所述的方法制得。
10.根据权利要求9所述的氮化硅薄膜，其特征在于，所述的氮化硅薄膜厚度为：400nm～800nm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4428975A (en) * 1983-01-28 1984-01-31 Motorola, Inc. Process for improving nitride deposition on a semiconductor wafer
US6147013A (en) * 1998-09-21 2000-11-14 Mosel Vitelic Inc. Method of LPCVD silicon nitride deposition
CN1706984A (zh) * 2004-06-04 2005-12-14 旺宏电子股份有限公司 氮化硅层的形成方法
CN101325160A (zh) * 2007-06-11 2008-12-17 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的成膜方法和装置
CN102394222A (zh) * 2011-11-24 2012-03-28 上海宏力半导体制造有限公司 防止晶圆表面形成固体颗粒的方法
CN102677018A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 东京毅力科创株式会社 热处理装置
CN104099579A (zh) * 2014-07-23 2014-10-15 国家纳米科学中心 一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法
JP2017139306A (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4428975A (en) * 1983-01-28 1984-01-31 Motorola, Inc. Process for improving nitride deposition on a semiconductor wafer
US6147013A (en) * 1998-09-21 2000-11-14 Mosel Vitelic Inc. Method of LPCVD silicon nitride deposition
CN1706984A (zh) * 2004-06-04 2005-12-14 旺宏电子股份有限公司 氮化硅层的形成方法
CN101325160A (zh) * 2007-06-11 2008-12-17 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的成膜方法和装置
CN102677018A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 东京毅力科创株式会社 热处理装置
CN102394222A (zh) * 2011-11-24 2012-03-28 上海宏力半导体制造有限公司 防止晶圆表面形成固体颗粒的方法
CN104099579A (zh) * 2014-07-23 2014-10-15 国家纳米科学中心 一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法
JP2017139306A (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法

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