CN108565231A - 干刻蚀设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种干刻蚀设备。该干刻蚀设备包括腔体、设于所述腔体内并相对间隔设置的上电极和下电极、设于所述腔体外并与下电极连接的多个运动轴以及设于所述腔体外与多个运动轴均连接的第一调节装置；所述运动轴用于控制下电极上下移动；所述第一调节装置用于带动多个运动轴同时运动，使下电极整体上下运动，从而调节所述下电极与上电极的间距，改变下电极与上电极之间的电场强度，进而改变干刻蚀设备的刻蚀效率，改善刻蚀的均匀性，提高生产良率。

Description

干刻蚀设备
技术领域
本发明涉及显示技术制程领域，尤其涉及一种干刻蚀设备。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(Color Filter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的LCD而言，LTPS TFT由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的TFT实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了TFT所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度。
在液晶显示及芯片制造行业，均采用干刻蚀(Dry Etch)工艺，在干刻蚀设备制程腔(process chamber)中在对产品进行刻蚀时，对刻蚀速率(Etch Rate)的均匀性具有很高的要求，保证刻蚀的一致性，然而现有的干刻蚀设备制程腔中的刻蚀速率均匀性较差，通过调整制程腔内的制程气体的配比来改善刻蚀速率的均匀性，改善空间有限，无法满足高品质的产品的生产。
发明内容
本发明的目的在于提供一种干刻蚀设备，刻蚀均匀性好，生产良率高。
为实现上述目的，本发明提供了一种干刻蚀设备，包括腔体、设于所述腔体内并相对间隔设置的上电极和下电极、设于所述腔体外并与下电极连接的多个运动轴以及设于所述腔体外与多个运动轴均连接的第一调节装置；
所述运动轴用于控制下电极上下移动；
所述第一调节装置用于带动多个运动轴同时运动，使下电极整体上下运动，从而调节所述下电极与上电极的间距。
所述干刻蚀设备还包括设于所述腔体外并与多个运动轴一一对应连接的多个第二调节装置。
所述干刻蚀设备还包括与所述腔体、第一调节装置及第二调节装置均电性连接的控制模块；所述控制模块用于获取腔体内的刻蚀速率，并根据刻蚀速率控制所述第一调节装置和第二调节装置调节所述下电极与上电极的间距。
当刻蚀速率高于一预设的阈值时，所述控制模块控制所述第一调节装置和第二调节装置增大下电极与上电极的间距。
当刻蚀速率低于一预设的阈值时，所述控制模块控制所述第一调节装置和第二调节装置减小下电极与上电极的间距。
所述第一调节装置和第二调节装置均通过链条与运动轴连接。
所述运动轴位于下电极的边缘区域。
所述下电极的形状为矩形；所述运动轴的数量为4个，且分布于下电极的四个角。
所述第一调节装置与第二调节装置均为电机。
所述下电极与上电极之间平行设置。
本发明的有益效果：本发明的干刻蚀设备包括腔体、设于所述腔体内并相对间隔设置的上电极和下电极、设于所述腔体外并与下电极连接的多个运动轴以及设于所述腔体外与多个运动轴均连接的第一调节装置；所述运动轴用于控制下电极上下移动；所述第一调节装置用于带动多个运动轴同时运动，使下电极整体上下运动，从而调节所述下电极与上电极的间距，改变下电极与上电极之间的电场强度，进而改变干刻蚀设备的刻蚀效率，改善刻蚀的均匀性，提高生产良率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的干刻蚀设备的结构示意图；
图2为本发明的干刻蚀设备的下电极的仰视图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1及图2，本发明的干刻蚀设备包括：腔体10、设于所述腔体10内并相对间隔设置的上电极20和下电极30、设于所述腔体10外并与下电极30连接的多个运动轴31以及设于所述腔体10外与多个运动轴31均连接的第一调节装置32；
所述运动轴31用于控制下电极30上下移动；
所述第一调节装置32用于带动多个运动轴31同时运动，使下电极30整体上下运动，从而调节所述下电极30与上电极20的间距。
需要说明的是，由于刻蚀气体在腔体10内受到下电极30与上电极20之间的电场作用，使刻蚀气体中的等离子体受到引导及加速，对被刻蚀物的表面进行轰击，达到对被刻蚀物进行刻蚀的目的，因此本发明通过在下电极30上设置多个运动轴31以及与多个运动轴31均连接的第一调节装置32，控制下电极30整体上下移动，从而调节下电极30与上电极20的间距，改变下电极30与上电极20之间的电场强度，进而改变干刻蚀设备的刻蚀效率，改善刻蚀的均匀性，提高生产良率。
具体地，所述干刻蚀设备还包括设于所述腔体10外并与多个运动轴31一一对应连接的多个第二调节装置33，所述第二调节装置33用于带动与其对应的运动轴31上下微小移动，从而控制下电极30对应该运动轴31的区域进行微小移动，微调下电极30与上电极20之间局部区域的距离，进一步改善刻蚀的均匀性。
具体地，所述干刻蚀设备还包括与所述腔体10、第一调节装置32及第二调节装置33均电性连接的控制模块40；所述控制模块40用于获取腔体10内的刻蚀速率，并根据刻蚀速率控制所述第一调节装置32和第二调节装置33调节所述下电极30与上电极20的间距。所述控制模块40可控制第一调节装置32和第二调节装置33共同工作或者两者分别单独工作，当刻蚀速率高于一预设的阈值时，所述控制模块40控制所述第一调节装置32和第二调节装置33增大下电极30与上电极20的间距，以减小下电极30与上电极20之间的电场强度，从而减小刻蚀速率，当刻蚀速率低于一预设的阈值时，所述控制模块40控制所述第一调节装置32和第二调节装置33减小下电极30与上电极20的间距，以增大下电极30与上电极20之间的电场强度，从而增大刻蚀速率。
进一步地，所述控制模块40的工作过程为：控制模块40通过获取腔体10内的刻蚀速率的分布图，通过该刻蚀速率的分布图判断腔体10内刻蚀速率异常的区域，当腔体10内所有区域的刻蚀速率均偏高或偏低时，控制模块40控制第一调节装置32调节下电极30整体向下或向上移动，当腔体10内某一局部区域的刻蚀速率偏高或偏低时，控制模块40控制第二调节装置33调节下电极30对应该局部区域进行局部向下或向上移动，从而改善刻蚀的均匀性。
进一步地，所述第一调节装置32和第二调节装置33均通过链条34与运动轴31连接，提高运动轴31的运动效率。
具体地，所述运动轴31位于下电极30的边缘区域。
优选地，所述下电极30的形状为矩形，所述运动轴31的数量为4个，且分布于下电极30的四个角。
优选地，所述第一调节装置32与第二调节装置33均为电机。
优选地，所述下电极30与上电极20之间平行设置。
综上所述，本发明的干刻蚀设备包括腔体、设于所述腔体内并相对间隔设置的上电极和下电极、设于所述腔体外并与下电极连接的多个运动轴以及设于所述腔体外与多个运动轴均连接的第一调节装置；所述运动轴用于控制下电极上下移动；所述第一调节装置用于带动多个运动轴同时运动，使下电极整体上下运动，从而调节所述下电极与上电极的间距，改变下电极与上电极之间的电场强度，进而改变干刻蚀设备的刻蚀效率，改善刻蚀的均匀性，提高生产良率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种干刻蚀设备，其特征在于，包括腔体(10)、设于所述腔体(10)内并相对间隔设置的上电极(20)和下电极(30)、设于所述腔体(10)外并与下电极(30)连接的多个运动轴(31)以及设于所述腔体(10)外与多个运动轴(31)均连接的第一调节装置(32)；
所述运动轴(31)用于控制下电极(30)上下移动；
所述第一调节装置(32)用于带动多个运动轴(31)同时运动，使下电极(30)整体上下运动，从而调节所述下电极(30)与上电极(20)的间距。
2.如权利要求1所述的干刻蚀设备，其特征在于，还包括设于所述腔体(10)外并与多个运动轴(31)一一对应连接的多个第二调节装置(33)。
3.如权利要求2所述的干刻蚀设备，其特征在于，还包括与所述腔体(10)、第一调节装置(32)及第二调节装置(33)均电性连接的控制模块(40)；所述控制模块(40)用于获取腔体(10)内的刻蚀速率，并根据刻蚀速率控制所述第一调节装置(32)和第二调节装置(33)调节所述下电极(30)与上电极(20)的间距。
4.如权利要求3所述的干刻蚀设备，其特征在于，当刻蚀速率高于一预设的阈值时，所述控制模块(40)控制所述第一调节装置(32)和第二调节装置(33)增大下电极(30)与上电极(20)的间距。
5.如权利要求3所述的干刻蚀设备，其特征在于，当刻蚀速率低于一预设的阈值时，所述控制模块(40)控制所述第一调节装置(32)和第二调节装置(33)减小下电极(30)与上电极(20)的间距。
6.如权利要求2所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述第一调节装置(32)和第二调节装置(33)均通过链条(34)与运动轴(31)连接。
7.如权利要求1所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述运动轴(31)位于下电极(30)的边缘区域。
8.如权利要求7所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述下电极(30)的形状为矩形；所述运动轴(31)的数量为4个，且分布于下电极(30)的四个角。
9.如权利要求1所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述第一调节装置(32)与第二调节装置(33)均为电机。
10.如权利要求1所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述下电极(30)与上电极(20)之间平行设置。
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