CN108538607A - 一种Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极、其制备方法及用途 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 59
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 40
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 17
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 claims description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 5
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 4
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z decaazanium;dioxido(dioxo)tungsten;hydron;trioxotungsten Chemical compound [H+].[H+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z 0.000 claims description 3
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 abstract description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 80
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 80
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 43
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 36
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 12
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 12
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 10
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 8
- WBZKQQHYRPRKNJ-UHFFFAOYSA-L disulfite Chemical compound [O-]S(=O)S([O-])(=O)=O WBZKQQHYRPRKNJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 235000013904 zinc acetate Nutrition 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 6
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical class [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910019408 CoWO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002915 BiVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate Chemical compound [Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001981 cobalt nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003145 α-Fe2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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Abstract
本发明公开了一种Ⅱ型异质结WO3‑ZnWO4薄膜光电阳极，在电极本体上生长有WO3纳米棒阵列，所述WO3纳米棒阵列上包覆有ZnWO4纳米颗粒。本发明还公开了Ⅱ型异质结WO3‑ZnWO4薄膜光电阳极的制备方法及在用于光电化学分解水的用途。
Description
技术领域
本发明属于光电催化领域，具体涉及一种Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极、其制备方法及其在光电催化的应用。
背景技术
近年来，许多金属氧化物材料作为电极材料已经应用于光电化学(PEC)分解水领域，包括TiO2，ZnO，Fe2O3，BiVO4，WO3等。其中，1976年，Hodes等人首次报道WO3作为光电阳极应用于PEC分解水，其禁带宽度为2.5～2.8eV，可见光响应范围达500nm。(Hodes G,etal.Nature,1976,260(5549):312-313)与TiO2半导体材料相比，WO3有较强的可见光响应性能，能够充分利用太阳光能，从而得到广泛关注；价带电位约3V(vs.RHE)，能够氧化水生成O2；同时相对于α-Fe2O3(2～4nm)和TiO2(～104nm)的空穴扩散长度来说WO3的空穴扩散长度比较适中(～150nm)，并且拥有优良的电子传输性能(～12cm2V-1s-1)(Huang J,etal.Journal of Catalysis,2016,333:200-206)。但是WO3本身存在一些不足，例如WO3半导体材料表面氧化水分解动力学缓慢，光生电子-空穴复合速率较高，4电荷氧化反应容易形成过氧化物种，引起光腐蚀，影响其光电化学性能，极大地限制了WO3薄膜在相关领域的应用。为了克服这些不足，研究工作人员以WO3为基底，对其进行改性处理。
Fan等利用水热合成的方法在FTO上原位生长WO3纳米棒，之后用电化学方法沉积NiFe双金属氢氧化物(NiFe-LDH)，得到WO3@NiFe-LDH纳米棒复合材料。测其光电流密度在1.20V(vs.SCE)处约为1.10mA/cm2，稳定性时间为400s，而且其对太阳光的利用效率较低(Fan X,et al.Applied Catalysis A:General,2016,528:52-58.)。
Zhang等将尿素和钨酸溶于水搅拌得到均相溶液，将溶液转移到水热釜中180℃条件下恒温24h，烘干；然后将得到的WO3粉末、硝酸钴和氨水混合搅拌加热蒸发，在空气氛围中300℃焙烧得到2D WO3@CoWO4纳米片异质结粉末体系复合材料。该粉末体系用于光催化分解水产氧反应效果较好，相比于纯WO3纳米片电极的OER反应速率提高了9倍；同时用于PEC分解水测试，WO3@CoWO4复合材料在1.3V处(vs.RHE)最优光电流密度是纯WO3的2倍，但其光电流密度较低，稳定性时间180s左右，稳定性较差。(Zhang H,et al.Journal ofMaterials Chemistry A,2018.)
Xiao等采用水热方法合成WO3纳米片薄膜，自然剥离MoS2粉末获得MoS2量子点，然后通过浸渍焙烧和滴涂-焙烧方法两种方法合成WO3/MoS2复合材料。测试WO3/MoS2电极在1.23V(vs.RHE)处最高光电流密度相比于单一WO3提高了近2倍，但WO3/MoS2复合材料光电流密度较低，其最佳光电流密度仅为0.96mA/cm2，复合材料稳定性较差，而且制备方法较复杂(Xiao Y H,et al..Electrochimica Acta,2017,252:416-423.)。
以上报道的研究内容均为以WO3为主体的催化剂的制备及改性处理，但是存在制备方法复杂、光电流密度低、稳定时间较差等缺点。
发明内容
为了克服上述缺点，本发明成功开发了一种高活性和稳定性的负载在FTO导电玻璃上的薄膜状的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4光电阳极材料，其在1.23V vs.RHE处最高的光电流密度可达1.87mA/cm2(光强为100mW/cm2时)，光电流的稳定性在1000s以上，是其他报道的2～3倍，且制备工艺简单、成本较低。
本发明第一方面公开了一种Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极，在电极本体上生长有WO3纳米棒阵列，所述WO3纳米棒阵列上包覆有ZnWO4纳米颗粒。
优选地，所述WO3纳米棒阵列与包覆的所述ZnWO4纳米颗粒形成核壳结构。
优选地，所述WO3纳米棒的长度为1～2.4μm，其横截面的当量直径为200～800nm。当量直径为用于描述非圆形横截平面的尺寸大小，是指与该纳米棒非圆形横截平面具有相同面积的圆的直径。
优选地，所述WO3占WO3和ZnWO4总质量的89～98％，所述ZnWO4占WO3和ZnWO4总质量的2～11％。
优选地，所述电极本体为FTO导电玻璃。
本发明第二方面公开了所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极的制备方法，其包括如下步骤：
(1)将钨盐溶于水中得到钨盐溶液，将盐酸和双氧水加入到钨盐溶液中得到混合溶液；
(2)将所述电极本体放入到步骤(1)混合溶液中，在80～210℃条件下反应1～12h；
(3)将步骤(2)的电极取出，经水洗涤后，在60～100℃条件下干燥至少12h；
(4)将步骤(3)干燥后的电极本体在200～600℃条件下焙烧1～12h后，得到具有WO3薄膜的电极；
(5)将锌盐溶于醇类物质中得到锌盐醇溶液，将步骤(4)得到的具有WO3薄膜的电极放入锌盐醇溶液中，在80～220℃条件下反应1～24h；
(6)将步骤(5)的电极取出经乙醇洗涤后，并在40～100℃条件下干燥至少12h；
(7)将步骤(6)得到的电极在200～550℃条件下焙烧2～24h后自然降低到室温，即得到所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极。
优选地，步骤(1)所述的钨盐为偏钨酸铵、钨酸钠、氯化钨或仲钨酸铵的一种或几种。
优选地，步骤(5)所述的锌盐为乙酸锌；所述醇类物质为甲醇、乙醇或丙醇中的一种。
优选地，所述电极本体为FTO导电玻璃。
本发明第三方面公开了所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极用于光电化学分解水的用途。
测定得到的所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极的光电流密度。
配置0.5～1.0mol/L的硫酸钠溶液，采用三电极体系测试系统，工作电极、参比电极、对电极分别为所得到的WO3-ZnWO4薄膜电极、银/氯化银电极、铂丝电极。调节入射光强，设置偏压范围，测定样品的光电流密度。
本发明的有益效果
1、本发明首次采用水热法原位生长制备出Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极；所述WO3的形貌为纳米棒阵列结构，所述ZnWO4纳米颗粒包覆在所述WO3阵列上形成核壳结构；所述WO3纳米棒的长度为1～2.4μm；其横截面的当量直径为200～800nm。
2、本发明的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极的制备方法简单，原料价格低廉、来源丰富，制备过程操作简便，制备成本低。
3、本发明的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极相对于可逆氢电极(vs RHE)在电压1.23V时，其光电响应电流密度最高可达1.87mA/cm2，稳定时间在1000s以上，是现有报道的2～3倍。
附图说明
图1为本发明的实施例1的FTO导电玻璃表面上的WO3纳米棒阵列SEM图，插入的图片为其截面SEM照片；
图2为本发明的实施例1的FTO导电玻璃表面上的WO3纳米棒阵列在负载ZnWO4纳米颗粒之后的SEM图；
图3为本发明的实施例1的WO3纳米棒阵列电极及Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极的X射线衍射图；
图4为本发明的实施例1的WO3纳米棒阵列电极及Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极的拉曼光谱图；
图5为本发明的实施例1的WO3纳米棒阵列电极及Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极的固体紫外可见吸收光谱图；
具体实施方式
本发明的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜的具体合成方法如下：
(1)称取适量钨盐(偏钨酸铵、钨酸钠、氯化钨或仲钨酸铵)溶于20～100mL水中，搅拌使其充分溶解；
(2)在上述钨盐溶液中加入1～4mL盐酸和2～4mL双氧水，搅拌1～2h后得到混合溶液。
(3)将步骤(2)的溶液转移至具有聚四氟乙烯水热反应釜的高压釜中，将FTO导电玻璃放入聚四氟乙烯水热反应釜中，之后放入烘箱中80～210℃条件下反应1～12h；
(4)对步骤(3)反应结束后的高压釜采取急冷措施，冷却至室温；
(5)将FTO导电玻璃取出，经水洗涤后，在60～100℃下干燥至少12h；
(6)将步骤(5)干燥后的FTO导电玻璃在200～600℃条件下焙烧1～12h后，得到具有淡黄色WO3薄膜的FTO导电玻璃；
(7)称取适量锌盐(如乙酸锌)，溶于20～60mL醇类(如甲醇、乙醇、丙醇)，搅拌使其充分溶解；
(8)将步骤(7)的溶液转移至具有聚四氟乙烯水热反应釜的高压釜中，将步骤(6)得到的所述具有淡黄色WO3薄膜的FTO导电玻璃放入聚四氟乙烯水热反应釜中，之后放入烘箱中80～220℃条件下反应1～24h；
(9)对步骤(8)反应结束后的高压釜采取急冷措施，冷却至室温；
(10)将FTO导电玻璃取出，经乙醇洗涤后，并在40～100℃条件下干燥至少12h；
(11)将步骤(10)干燥后的FTO导电玻璃在200～550℃条件下焙烧2～24h后，自然降低到室温，得到所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极。
配置0.5～1.0mol/L的硫酸钠溶液，采用三电极体系测试系统，工作电极、参比电极、对电极分别为所得到的WO3-ZnWO4薄膜电极、银/氯化银电极、铂丝电极。调节入射光强，设置偏压范围，测定样品的光电流密度。
以下以部分实例对本发明作进一步的解释说明，但该说明并不对本发明构成限制。
实施例1
利用丙酮、无水乙醇和水超声波清洗FTO导电玻璃，置于空气中晾干；将1.0g偏钨酸铵溶解在100ml超纯水中，搅拌至充分溶解，加入3ml盐酸和2ml双氧水，继续搅拌1h，获得透明均相溶液；然后将所得溶液均分为5等份(20ml溶液)，并将所得20ml溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(导电面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜中放入高压釜壳中，密封后置于恒温烘箱中，于160℃烘箱中反应4h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；高压釜冷却至室温后，将FTO导电玻璃取出，用超纯水进行洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧1h，然后自然冷却降温即得到所述的WO3纳米棒阵列电极。将0.010g乙酸锌和20ml乙醇混合，搅拌均匀获得的均相溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(长有WO3薄膜面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜放入高压釜中，密封后置于恒温烘箱中，于180℃烘箱中反应12h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；待高压釜冷却至室温，将FTO导电玻璃取出，经无水乙醇洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧2h，然后自然冷却降温即得到所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极。
表征结果：图1为FTO导电玻璃表面上的WO3纳米棒阵列样品SEM图，插入的图片为其截面SEM照片，可以看出WO3纳米棒阵列比较均匀，薄膜厚度约为2.4μm；
图2为FTO导电玻璃表面上的WO3纳米棒阵列在负载WO3之后的样品SEM图，可以看出ZnWO4包覆在WO3纳米棒阵列上；
图3为WO3纳米棒阵列电极及Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极的X射线衍射图，表明所述的WO3纳米棒薄膜电极为纯的单斜晶型的WO3，所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极出现了单斜晶相的ZnWO4；
图4为WO3纳米棒阵列电极及Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极的拉曼光谱图，表明所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极中WO3的特征拉曼响应峰为74，136，274，328，718和808cm-1，909cm-1处对应ZnWO4的拉曼响应峰；
图5为WO3纳米棒阵列电极及Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极的固体紫外可见吸收光谱图，表明所述的WO3纳米棒阵列薄膜电极仅响应波长小于450nm的光，而Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极的吸收带边提高到了470nm，对可见及紫外光均有较好的吸收性能。
配置0.5mol/L的硫酸钠溶液，倒入石英池中，采用三电极体系测试系统，工作电极、参比电极、对电极分别为WO3-ZnWO4薄膜电极、银/氯化银电极、铂丝电极。调节入射光强为100mW/cm2，设置偏压范围为-0.6～0.8V，测定样品的光电流密度。
在电压1.23V(vs RHE)时光电流密度为1.87mA/cm2。
本实施例重复实验100次实验，重现性大于95％；重现性好。
实施例2
利用丙酮、无水乙醇和水超声波清洗FTO导电玻璃，置于空气中晾干；将1.0g偏钨酸铵溶解在100ml超纯水中，搅拌至充分溶解，加入3ml盐酸和2ml双氧水，继续搅拌1h，获得透明均相溶液；然后将所得溶液均分为5等份(20ml溶液)，并将所得20ml溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(导电面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜放入高压釜壳中，密封后置于恒温烘箱中，于160℃烘箱中反应4h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；高压釜冷却至室温后，将FTO导电玻璃取出，用超纯水进行洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧1h，然后自然冷却降温即得到所述的WO3纳米棒阵列电极。将0.005g乙酸锌和20ml乙醇混合，搅拌均匀获得的均相溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(长有WO3薄膜面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜中放入高压釜中，密封后置于恒温烘箱中，于180℃烘箱中反应12h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；待高压釜冷却至室温，将FTO导电玻璃取出，经无水乙醇洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧2h，然后自然冷却降温即得到所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极。
配置0.5mol/L的硫酸钠溶液，倒入石英池中，采用三电极体系测试系统，工作电极、参比电极、对电极分别为WO3-ZnWO4薄膜电极、银/氯化银电极、铂丝电极。调节入射光强为100mW/cm2，设置偏压范围为-0.6～0.8V，测定样品的光电流密度。
在电压1.23V(vs RHE)时光电流密度为1.44mA/cm2。
本实施例重复实验100次实验，重现性大于96％；重现性好。
实施例3
利用丙酮、无水乙醇和水超声波清洗FTO导电玻璃，置于空气中晾干；将1.0g偏钨酸铵溶解在100ml超纯水中，搅拌至充分溶解，加入3ml盐酸和2ml双氧水，继续搅拌1h，获得透明均相溶液；然后将所得溶液均分为5等份(20ml溶液)，并将所得20ml溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(导电面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜中放入高压釜壳中，密封后置于恒温烘箱中，于160℃烘箱中反应4h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；高压釜冷却至室温后，将FTO导电玻璃取出，用超纯水进行洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧1h，然后自然冷却降温即得到所述的WO3纳米棒阵列电极。将0.020g乙酸锌和20ml乙醇混合，搅拌均匀获得的均相溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(长有WO3薄膜面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜放入高压釜中，密封后置于恒温烘箱中，于180℃烘箱中反应12h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；待高压釜冷却至室温，将FTO导电玻璃取出，经无水乙醇洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧2h，然后自然冷却降温即得到所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极。
配置0.5mol/L的硫酸钠溶液，倒入石英池中，采用三电极体系测试系统，工作电极、参比电极、对电极分别为WO3-ZnWO4薄膜电极、银/氯化银电极、铂丝电极。调节入射光强为100mW/cm2，设置偏压范围为-0.6～0.8V，测定样品的光电流密度。
在电压1.23V(vs RHE)时光电流密度为1.24mA/cm2。
本实施例重复实验100次实验，重现性大于95％；重现性好。
实施例4
利用丙酮、无水乙醇和水超声波清洗FTO导电玻璃，置于空气中晾干；将1.0g偏钨酸铵溶解在100mL超纯水中，搅拌至充分溶解，加入3ml盐酸和4ml双氧水，继续搅拌1h，获得透明均相溶液；然后将所得溶液均分为5等份(20ml溶液)，并将所得20ml溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(导电面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜放入高压釜壳中，密封后置于恒温烘箱中，于160℃烘箱中反应4h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；高压釜冷却至室温后，将FTO导电玻璃取出，用超纯水进行洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧1h，然后自然冷却降温即得到所述的WO3纳米棒阵列电极。将0.005g乙酸锌和20ml乙醇混合，搅拌均匀获得的均相溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(长有WO3薄膜面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜中放入高压釜中，密封后置于恒温烘箱中，于180℃烘箱中反应12h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；待高压釜冷却至室温，将FTO导电玻璃取出，经无水乙醇洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧2h，然后自然冷却降温即得到所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极。
配置0.5mol/L的硫酸钠溶液，倒入石英池中，采用三电极体系测试系统，工作电极、参比电极、对电极分别为WO3-ZnWO4薄膜电极、银/氯化银电极、铂丝电极。调节入射光强为100mW/cm2，设置偏压范围为-0.6～0.8V，测定样品的光电流密度。
在电压1.23V(vs RHE)时光电流密度为1.32mA/cm2。
本实施例重复实验100次实验，重现性大于93％；重现性好。
实施例5
利用丙酮、无水乙醇和水超声波清洗FTO导电玻璃，置于空气中晾干；将1.0g偏钨酸铵溶解在100mL超纯水中，搅拌至充分溶解，加入3ml盐酸和4ml双氧水，继续搅拌1h，获得透明均相溶液；然后将所得溶液均分为5等份(20ml溶液)，并将所得20ml溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(导电面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜中放入高压釜壳中，密封后置于恒温烘箱中，于160℃烘箱中反应4h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；高压釜冷却至室温后，将FTO导电玻璃取出，用超纯水进行洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧1h，然后自然冷却降温即得到所述的WO3纳米棒阵列电极。将0.010g乙酸锌和20ml乙醇混合，搅拌均匀获得的均相溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(长有WO3薄膜面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜放入高压釜中，密封后置于恒温烘箱中，于180℃烘箱中反应12h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；待高压釜冷却至室温，将FTO导电玻璃取出，经无水乙醇洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧2h，然后自然冷却降温即得到所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极。
配置0.5mol/L的硫酸钠溶液，倒入石英池中，采用三电极体系测试系统，工作电极、参比电极、对电极分别为WO3-ZnWO4薄膜电极、银/氯化银电极、铂丝电极。调节入射光强为100mW/cm2，设置偏压范围为-0.6～0.8V，测定样品的光电流密度。
在电压1.23V(vs RHE)时光电流密度为1.82mA/cm2。
本实施例重复实验100次实验，重现性大于92％；重现性好。
实施例6
利用丙酮、无水乙醇和水超声波清洗FTO导电玻璃，置于空气中晾干；将1.0g偏钨酸铵溶解在100ml超纯水中，搅拌至充分溶解，加入3ml盐酸和4ml双氧水，继续搅拌1h，获得透明均相溶液；然后将所得溶液均分为5等份(20ml溶液)，并将所得20ml溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(导电面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜中放入高压釜壳中，密封后置于恒温烘箱中，于160℃烘箱中反应4h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；高压釜冷却至室温后，将FTO导电玻璃取出，用超纯水进行洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧1h，然后自然冷却降温即得到所述的WO3纳米棒阵列电极。将0.020g乙酸锌和20ml乙醇混合，搅拌均匀获得的均相溶液转移至高压釜聚四氟乙烯水热反应釜中，并将FTO导电玻璃(长有WO3薄膜面朝下)放入聚四氟乙烯水热反应釜中；将聚四氟乙烯水热反应釜放入高压釜中，密封后置于恒温烘箱中，于180℃烘箱中反应12h；反应结束后，对高压釜进行急冷处理；待高压釜冷却至室温，将FTO导电玻璃取出，经无水乙醇洗涤后，60℃条件下干燥12h；将干燥的FTO导电玻璃置于马弗炉中500℃焙烧2h，然后自然冷却降温即得到所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜电极。
配置0.5mol/L的硫酸钠溶液，倒入石英池中，采用三电极体系测试系统，工作电极、参比电极、对电极分别为WO3-ZnWO4薄膜电极、银/氯化银电极、铂丝电极。调节入射光强为100mW/cm2，设置偏压范围为-0.6～0.8V，测定样品的光电流密度。
在电压1.23V(vs RHE)时光电流密度为1.21mA/cm2。
本实施例重复实验100次实验，重现性大于95％；重现性好。
Claims (10)
1.一种Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极，其特征在于，在电极本体上生长有WO3纳米棒阵列，所述WO3纳米棒阵列上包覆有ZnWO4纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极，其特征在于，所述WO3纳米棒阵列与包覆的所述ZnWO4纳米颗粒形成核壳结构。
3.根据权利要求1或2所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极，其特征在于，所述WO3纳米棒的长度为1～2.4μm，其横截面的当量直径为200～800nm。
4.根据权利要求1所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极，其特征在于，所述WO3占WO3和ZnWO4总质量的89～98％，所述ZnWO4占WO3和ZnWO4总质量的2～11％。
5.根据权利要求1所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极，其特征在于，所述电极本体为FTO导电玻璃。
6.一种根据权利要求1所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：
(1)将钨盐溶于水中得到钨盐溶液，将盐酸和双氧水加入到钨盐溶液中得到混合溶液；
(2)将所述电极本体放入到步骤(1)混合溶液中，在80～210℃条件下反应1～12h；
(3)将步骤(2)的电极本体取出，经水洗涤后，在60～100℃条件下干燥至少12h；
(4)将步骤(3)干燥后的电极本体在200～600℃条件下焙烧1～12h后，得到具有WO3薄膜的电极；
(5)将锌盐溶于醇类物质中得到锌盐醇溶液，将步骤(4)得到的具有WO3薄膜的电极放入锌盐醇溶液中，在80～220℃条件下反应1～24h；
(6)将步骤(5)的电极取出经乙醇洗涤后，并在40～100℃条件下干燥至少12h；
(7)将步骤(6)得到的电极在200～550℃条件下焙烧2～24h后自然降低到室温，即得到所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的钨盐为偏钨酸铵、钨酸钠、氯化钨或仲钨酸铵的一种或几种。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)所述的锌盐为乙酸锌；所述醇类物质为甲醇、乙醇或丙醇中的一种。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述电极本体为FTO导电玻璃。
10.一种根据权利要求1所述的Ⅱ型异质结WO3-ZnWO4薄膜光电阳极用于光电化学分解水的用途。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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