CN108535679A - 基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测量方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测量方法,该方法利用曲线拟合的方法,在离线条件下获得不同参数组合条件下的数学插值计算方程,再针对具体的CVT装置,采用人机对话的方式将其铭牌参数(实际参数)输入到谐波校正装置,利用该数学插值计算方程获得任意参数在常温条件下的网络传递函数,即获得针对具体参数下常温时下的CVT幅频曲线和相频曲线;然后,利用温度传感器所测得的CVT运行环境温度,通过在离线条件下获得的因温度变化引起的等效电路参数偏移量的计算,获得CVT幅频曲线和相频曲线随温度变化的修正曲线,实现对CVT谐波含量的精确修正测量。
Description
技术领域
本发明涉及电力系统测量方法领域,更具体地,涉及一种基于插值法的电容 式电压互感器谐波电压精准测量方法。
背景技术
电容式电压互感器(CVT—Capacitor Voltage Transformer)以其独特的优点 在电力系统获得了越来越多的应用。但是,由于其工作原理的特殊性,国家标准 GB/T14549—1993《电能质量公用电网谐波》明确规定CVT不能用于谐波测量, 而随着非线性负荷的日益增加,对于谐波电压的测量已成为电力行业确保安稳运 行所必需的一项要求,形势的发展导致了对谐波电压精准测量的需要。
现有技术中有通过设计一种包括谐波产生、高压产生、准确值输出、被测 CVT输出、数据处理和结果输出等几个主要部分的谐波测量误差修正装置,通 过对各台具体的CVT设备进行谐波传递特性的实验后,利用实测的谐波传变特 性曲线实现对谐波测量的校正。该装置虽然能实现对谐波测量的精确校正,但存 在必须对每台CVT设备分别校正,工作量大的问题,实际应用困难重重,具有 成本高、效率低、速度慢等不足
现有技术中还有在传统的电容式电压互感器的基础之上,在低压端加装电容 分压器作为谐波测量的测量元件的方法实现对谐波电压信号的分析测量。该方法 一个固有缺陷是必须对CVT进行改造,从理论上来说是对CVT测量原理的颠覆 性改变,有些类似于电子式互感器的工作原理,其制造、设计成本将完全不再具 有CVT的特点,并且,由于在CVT的内部增加了新的元器件,其安全性难以评 估和预测,可以说是不适于对现有CVT应用的改造的,存在结构复杂、成本高、 有可靠性隐患等缺陷。
现有技术中还有通过在CVT的内部增加两个电流传感器,利用数据采集卡 分别采集流过CVT高压电容C1、低压电容C2的电流信号;再通过谐波分析程 序对采集到的电流信号进行谐波分析后,利用电流与电压之间的相互关系计算, 从而得到CVT电网侧电压谐波的情况。
现有技术中还有根据预设模型的等效电路元件参数进行拟合,得到变比幅频 响应曲线和相频响应特性曲线,然后对其他型号的不同等效电路元件参数基于拟 合结果采用平移等方式调整曲线,实现校正。该方法对CVT制造时的结构参数 (即:高压电容C1、中压电容C2和分压比k参数)的差异性引起的传变特性变 化(如图1和图2所示)的实际处理的可操作性考虑的较少,而且,对于杂散电 容的影响考虑的不够充分;并且,理论分析和计算机仿真研究表明,CVT的等 效电路元件参数随温度变化的特点虽然对于基波的传递特性影响较小,但对于谐 波信号的传变影响很大,不考虑温度影响的谐波测量校正方法在实际具体应用时 会引起较大的温服附加误差,图3给出了考虑元件参数随温度变化的因素后,部 分次数的谐波的传感变比和相差的变化情况,可见,温度对CVT谐波电压测量 精度的影响极大,谐波次数越高,受影响情况越严重,因此,在CVT谐波电压 精准测量方法的研究中,必须考虑温度对测量结果的影响问题。
发明内容
本发明提供一种精确度较高的基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精 准测量方法。
为了达到上述技术效果,本发明的技术方案如下:
一种基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测量方法,其特征在于, 包括以下步骤:
S1:根据电容式电压互感器的等效电路模型,计算获得不同主电容参数值组 合情况下满足基波测量精准度要求的等效电路结构参数;
S2:由S1中得到的等效电路结构参数,离线计算不同主电容值组合下电容 式电压互感器在常温下的各次谐波的网络传递函数校正系数,即:相对于由二次 侧输出获得的基本幅频响应曲线和相频响应曲线的校正系数;
S3:考虑电容式电压互感器结构参数因制造时参数的差异性,由其铭牌参数 利用二维线性插值的方法得到实际待校正电容式电压互感器在常温下在不同结 构参数组合及不同温度下各次谐波电压的传递特性的校正系数,进而由二次侧输 出信号的快速傅立叶变换结果得到常温下一次侧各次谐波电压信号的校正值;
S4:通过温度的测量,利用一维线性插值的方法实现在不同温度条件下对电 压谐波的精准校正测量。
2.根据权利要求1所述的基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测 量方法,其特征在于,利用该方法计算110kV的电容式电压互感器结构参数, 所述步骤S1的具体过程是:
根据电容式电压互感器生产的规范标准GB/T 4703-2001要求电容分压器应 符合耦合电容器及电容分压器标准JB/T 8169-1999的规定:在电容分压器分压电 容单元的选择时,任何一个串联电容器单元的实测值与标称值之差应不超过标称 值的-5%~+10%,且相串联的任意两电容器单元实测电容值的比值与这两单元的 额定电容之比值之差应不大于后一比值的5%,确定电容式电压互感器的高压电 容C1和中压电容C2的变化范围;并在这个变化范围内将C1和C2分别用等差 数列的形式形成数列,以组合的方式划分成不同的C1和C2的组合;
在保证基波传变精度的前提下,由上述已知的高压电容C1、中压电容C2的 各个组合,利用电容式电压互感器在基波条件下是处于谐振测量状态的原理,计 算得到中间电抗器的理论电感值LS,并考虑到电容式电压互感器的生产制造特 点,将1.005LS设置为补偿电抗器的作为实际电感值参数;杂散电容、阻尼回路 和负载参数均按常规和额定运行参数设置;从而获得在不同具体参数下的电容式 电压互感器的等效电路模型。
3.根据权利要求2所述的基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测 量方法,其特征在于,所述步骤S2的具体过程是:
根据权利要求2所述的C1和C2的组合,通过步骤S1中得到的参数配置, 利用仿真方法离线计算电容式电压互感器不同主电容值参数组合在常温标称参 数条件下,各次谐波传变相对于基本变比-频率响应曲线和相移-频率响应曲线的 校正系数,通过曲线拟合的方法获得各次谐波在不同参数组合条件下的频率响应 校正系数曲面图。
4.根据权利要求3所述的基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测 量方法,其特征在于,步骤S3中考虑电容式电压互感器结构参数因制造时参数 的差异性,得到实际待校正电容式电压互感器在常温下各次谐波电压的传递特性 校正系数的过程是:
1)、根据电容式电压互感器的铭牌参数额定电容CN和实测分压比k,由计 算公式:和C2=kCN,计算出电容式电压互感器的高压电容C1和中 压电容C2。
2)、在给定参数条件下,利用二维线性插值的方法计算获得各次谐波电压的 传变变比值kh和相位偏移值的值。假设C1、C2的实际值落在由(C1(1),C2(1), kh1)、(C1(2),C2(1),kh2)、(C1(1),C2(2),kh3)、(C1(2),C2(2),kh4)构成的计算 空间,其中khi表示第h次谐波在取值范围四个顶点的变比值或相位偏移则任意第h次谐波的实际变比kh或相位偏移的计算公式为:
其中:
其中:
3)、由电容式电压互感器二次侧输出的采样值,利用快速傅里叶变换及其校 正插值算法计算获得一次侧经电容式电压互感器(CVT)传变后的二次侧输出的 各次谐波的幅值Ush和相位值
4)、根据二次侧谐波电压的数值以及得到的谐波传变变比及相位偏移数值, 计算出一次侧的谐波电压在常温情况下的实际校正电压值Uhc和相位值Φhc,其 计算公式为:
5.根据权利要求4所述的基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测 量方法,其特征在于,所述步骤S4中利用数学插值的方法实现对任意温度条件 下电压谐波的精准测量的具体过程是:
1)、根据权利要求4所述的利用二维线性插值的方法可获得任意电容式电压 互感器的高压电容C1和中压电容C2参数组合、常温情况下的各次谐波实际校正 电压值Uhc和相位值Φhc;
2)、通过对温度变化时,等效电路各参数随温度变化后对传递特性的影响的 离线仿真计算得到的各次谐波参数随温度变化曲线,由测得的电容式电压互感器 实际运行温度获得各次谐波电压的传变变比和相位的温度校正系数λhb和λhx;
3)、由常温情况下的实际电压值Uhc和相位值Φhc,利用温度校正系数λhb和λhx数值,计算出一次侧的谐波电压在任意运行温度下的实际电压值Uht和相 位值Φht,其计算公式为:
与现有技术相比,本发明技术方案的有益效果是:
本发明方法利用曲线拟合的方法,在离线条件下获得不同参数组合条件下的 数学插值计算方程,再针对具体的CVT装置,采用人机对话的方式将其铭牌参 数(实际参数)输入到谐波校正装置,利用该数学插值计算方程获得任意参数在 常温条件下的网络传递函数,即获得针对具体参数下常温时下的CVT幅频曲线 和相频曲线;然后,利用温度传感器所测得的CVT运行环境温度,通过在离线 条件下获得的因温度变化引起的等效电路参数偏移量的计算,获得的CVT幅频 曲线和相频曲线随温度变化的修正曲线,实现对CVT谐波含量的精确修正测量。
附图说明
图1为现有技术中一种方法C1和C2在95%~110%的范围内变比的相对变化 曲线;
图2为现有技术中另一种方法C1和C2在95%~110%的范围内相位的相对变 化曲线;
图3为现有技术中一种方法中考虑元件参数随温度变化时谐波传变特性曲线 受影响趋势图;
图4为本发明中CVT等效电路模型;
图5为本发明中CVT简化电路图;
图6为本发明中CVT的基本幅频响应曲线和相频响应曲线;
图7为本发明中CVT在不同主电容参数组合条件下(C1和C2在95%~110%) 各次谐波的基本幅-频响应曲线,其中2、3、4、5、6、7分别代表二次谐波、三 次谐波、四次谐波、五次谐波、六次谐波和七次谐波;
图8为本发明中CVT在不同主电容参数组合条件下(C1和C2在95%~110%) 各次谐波的相-频响应曲线的偏离变化曲线,其中2、3、4、5、6分别代表二次 谐波、三次谐波、四次谐波、五次谐波和六次谐波;
图9为本发明中插值校正方法计算示意图;
图10为本发明中各次谐波变比随温度变化的幅值变化率曲线。
具体实施方式
附图仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;
为了更好说明本实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实 际产品的尺寸;
对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理 解的。
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。
实施例1
由于电容式电压互感器(CVT)的结构参数及环境温度对参数的影响引致的 CVT的谐波传递特性变化较大,本发明提出了一种根据CVT的结构参数,利用 数学插值技术实现对谐波电压精准测量的方法。其基本思想是:首先根据CVT 给出的铭牌参数计算其满足基波测量精准度要求的等效电路结构参数;再由此结 构参数获得其在常温下的网络传递函数,包括其基本幅频响应曲线和相频响应曲 线;然后考虑CVT结构参数因制造时参数的差异性及受温度影响的变化规律, 得到在若干典型结构参数组合及不同温度下各次谐波电压的传递特性,进而通过 温度的测量,利用数学插值的方法实现对电压谐波的精准测量,为CVT在实际 应用中对于谐波电压的测量给出了切实可行的解决方案。
利用电工原理,CVT的工作电路可以用图4的电路模型等效。
图中,Up表示原方一次侧被测电压,Us表示在CVT二次侧测得的二次侧输 出电压;C1和C2表示高压和中压电容;LS为补偿电抗器电感;RS为补偿电抗器 等效电阻;CC表示补偿电抗器等效杂散电容;Rm、Lm表示中压变压器T的励磁 电阻、励磁电感;RT1、LT1表示中压变压器一次侧的绕组电阻和绕组漏感;RT2、 LT2表示中压变压器二次侧的绕组电阻和绕组漏感;Cp1表示一次侧绕组对地杂散 电容;Cp2表示二次侧绕组对地杂散电容;Cp12表示一次侧与二次侧绕组间耦合 电容;LZ、RZ为阻尼器等效电感和电阻;Lb、Rb为折算至一次侧的负载电感和 电阻。
利用Y-Δ变换对图2的电路进行等效,获得简化电路如图5所示。
图中:C=C1+C2;
为一次测电压经电容分压后的电压值。
由此,可获得CVT的网络传递函数为:
理论上,在获知式(1)中的各项参数以后,就可以获得在不同频率下的一 次侧电压与二次输出侧电压的变比和相位移关系。但实际应用中,由于这个计算 过程的计算量太大,如果运用公式(1)进行实时计算,将会使计算量很大,编 程软件规模较大,不适于微处理器方式信号处理系统的实现,且数据输出的时延 很大,对于系统运行状态的检测、评估、分析和控制意义不大,因此,需要找到 一种简洁快速的算法实现对CVT传变特性的分析计算。
本发明所提出的方法是通过对一些CVT结构参数组合的传输特性的离线计 算,利用曲线拟合的方法,在离线条件下获得不同参数组合条件下的数学插值计 算方程,再针对具体的CVT装置,采用人机对话的方式将其铭牌参数(实际参数) 输入到谐波校正装置,利用该数学插值计算方程获得任意参数在常温条件下的网 络传递函数,即获得针对具体参数下常温时下的CVT幅频曲线和相频曲线;然后, 利用温度传感器所测得的CVT运行环境温度,通过在离线条件下获得的因温度变 化引起的等效电路参数偏移量的计算,获得的CVT幅频曲线和相频曲线随温度变 化的修正曲线,实现对CVT谐波含量的精确修正测量。以下是以110kV的CVT结 构参数为例叙述说明的具体实现步骤及过程:
1)根据CVT的结构,构造如图4的等效电路。基本元件参数的确定方法是, 在保证基波传变精度的前提下,由标称的高压电容C1、中压电容C2和分压比k参 数,再利用CVT在基波条件下是处于谐振测量状态的原理,计算得到中间电抗器 的理论电感值LS,并考虑到CVT的生产制造特点,将1.005LS作为图4中的实际电 感值参数,设置补偿电抗器;杂散电容、阻尼回路和负载参数等均按常规和额定 运行参数设置;
2)按照步骤(1)的参数配置,利用仿真方法可以获得CVT在标称参数条件 下,谐波传变的基本变比-频率响应曲线和相移-频率响应曲线,如图6所示;
3)根据电容式电压互感器生产的规范标准GB/T 4703-2001要求电容分压器 应符合耦合电容器及电容分压器标准JB/T 8169-1999的规定,即:在电容分压器 分压电容单元的选择时,任何一个串联电容器单元的实测值与标称值(额定值) 之差应不超过标称值的-5%~+10%,且相串联的任意两电容器单元(Ci、Cj)实测 电容值的比值与这两单元的额定电容(CiN、CjN)之比值之差应不大于后一比值的 5%,确定CVT的主电容C1和C2的可能的变化范围;
4)选择若干组(至少10组以上,组数越多插值计算精度越高)的C1和C2的 组合,按照步骤(2)的方法,获得如图7和图8所示的CVT在不同主电容参数组 合条件下的相对于基本幅-频响应曲线和相-频响应曲线的偏离变化曲线;
5)根据CVT的铭牌参数额定电容CN和实测分压比k,由计算公式: 和C2=kCN可以计算出CVT的高压电容C1和中压电容C2;
6)由CVT二次侧输出的采样值,利用快速傅里叶变换及其校正插值算法计 算获得一次侧经CVT传变后的二次侧输出的各次谐波的幅值Ush和相位值(由 于谐波传变的传递函数特性不同于基波,由该值不能获得一次侧谐波电压的实际 值,必须通过以下各步骤才能获得一次侧的谐波电压。
7)由获得的该实际参数,根据图6的基本曲线,结合图7和图8,利用线性插 值的方法即可获得任意CVT的高压电容C1和中压电容C2参数组合、常温情况下的 谐波传变变比及相位偏差校正数值。
具体实现过程是:
(a)根据输入的CVT铭牌参数,由步骤(5)计算的结果,利用区间搜索查 表的方法在图7和图8中可以找到一个如图9的计算区间。由图9可以知道在给定参 数条件下,各次谐波电压的传变变比值kh和相位偏移值的取值范围。
(b)假设C1、C2的实际值落在由(C1(1),C2(1),kh1)、(C1(2),C2(1),kh2)、(C1(1), C2(2),kh3)、(C1(2),C2(2),kh4)构成的计算空间,其中khi表示第h次谐波在取值范围 四个顶点的变比值(或相位偏移)。则任意第h次谐波的变比kh(或相位偏移) 的计算公式为:
其中:
其中:
8)由步骤(6)获得的二次侧谐波电压的数值,利用步骤(7)得到的谐波 传变变比及相位偏移数值,即可计算出一次侧的谐波电压在常温情况下的实际电 压值Uhc和相位值Φhc,其计算公式为:
9)由于在不同温度情况下,CVT的等效参数会发生变化,在离线情况下, 通过对温度变化时,等效电路各参数随温度变化后对传递特性的影响的仿真计 算,获得了如图10所示的谐波参数随温度变化曲线,由此,可以获得不同谐波次 数的变比幅值和相位的温度校正系数λhb和λhx,进而获得任意温度下各次谐波的 实际电压值Uht和相位值Φht。具体处理方法和实现过程如下:
(a)由仿真曲线可以看出,温度对传变精度的影响近似为线性的,因此, 对各个不同次数的谐波参数而言,采用线性函数求斜率的方法可以获得各次谐波 的变比幅值和相位随温度变化的斜率(校正系数)λhb和λhx。如:以5次谐波的校 正系数的计算为例,在-30℃时,传变变比产生5.2×10-3的温度附加误差,则由 斜率计算公式可以计算获得传变变比校正系数λhb为1.04×10-4/℃;在-30℃时,产 生约-0.435°的温度附加误差,则由斜率计算公式可以计算获得相移的温度校正 系数λhx为-8.7×10-3/℃。
(b)对温度影响进行校正。校正计算公式为:
式中:T为CVT运行的现场温度,单位:℃。
通过步骤(1)-步骤(9),即可实现对不同电压等级CVT的谐波电压测量的 校正计算。需要强调说明的是,上述介绍中的幅频特性曲线和相频特性曲线都是 根据110kV电压等级的CVT参数计算获得的,不同电压等级的幅频特性曲线和相 频特性曲线会有一定的差异,必须分别离线绘制出其幅频特性曲线和相频特性曲 线,再利用此方法之步骤(1)-步骤(9)实现不同电压等级CVT的谐波电压测 量的校正计算。
相同或相似的标号对应相同或相似的部件;
附图中描述位置关系的用于仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限 制;
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非 是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明 的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施 方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进 等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:根据电容式电压互感器的等效电路模型,计算获得不同主电容参数值组合情况下满足基波测量精准度要求的等效电路结构参数;
S2:由S1中得到的等效电路结构参数,离线计算不同主电容值组合下电容式电压互感器在常温下的各次谐波的网络传递函数校正系数,即:相对于由二次侧输出获得的基本幅频响应曲线和相频响应曲线的校正系数;
S3:考虑电容式电压互感器结构参数因制造时参数的差异性,由其铭牌参数利用二维线性插值的方法得到实际待校正电容式电压互感器在常温下在不同结构参数组合及不同温度下各次谐波电压的传递特性的校正系数,进而由二次侧输出信号的快速傅立叶变换结果得到常温下一次侧各次谐波电压信号的校正值;
S4:通过温度的测量,利用一维线性插值的方法实现在不同温度条件下对电压谐波的精准校正测量。
2.根据权利要求1所述的基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测量方法,其特征在于,利用该方法计算110kV的电容式电压互感器结构参数,所述步骤S1的具体过程是:
根据电容式电压互感器生产的规范标准GB/T 4703-2001要求电容分压器应符合耦合电容器及电容分压器标准JB/T 8169-1999的规定:在电容分压器分压电容单元的选择时,任何一个串联电容器单元的实测值与标称值之差应不超过标称值的-5%~+10%,且相串联的任意两电容器单元实测电容值的比值与这两单元的额定电容之比值之差应不大于后一比值的5%,确定电容式电压互感器的高压电容C1和中压电容C2的变化范围;并在这个变化范围内将C1和C2分别用等差数列的形式形成数列,以组合的方式划分成不同的C1和C2的组合;
在保证基波传变精度的前提下,由上述已知的高压电容C1、中压电容C2的各个组合,利用电容式电压互感器在基波条件下是处于谐振测量状态的原理,计算得到中间电抗器的理论电感值LS,并考虑到电容式电压互感器的生产制造特点,将1.005LS设置为补偿电抗器的作为实际电感值参数;杂散电容、阻尼回路和负载参数均按常规和额定运行参数设置;从而获得在不同具体参数下的电容式电压互感器的等效电路模型。
3.根据权利要求2所述的基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测量方法,其特征在于,所述步骤S2的具体过程是:
根据权利要求2所述的C1和C2的组合,通过步骤S1中得到的参数配置,利用仿真方法离线计算电容式电压互感器不同主电容值参数组合在常温标称参数条件下,各次谐波传变相对于基本变比-频率响应曲线和相移-频率响应曲线的校正系数,通过曲线拟合的方法获得各次谐波在不同参数组合条件下的频率响应校正系数曲面图。
4.根据权利要求3所述的基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测量方法,其特征在于,步骤S3中考虑电容式电压互感器结构参数因制造时参数的差异性,得到实际待校正电容式电压互感器在常温下各次谐波电压的传递特性校正系数的过程是:
1)、根据电容式电压互感器的铭牌参数额定电容CN和实测分压比k,由计算公式:和C2=kCN,计算出电容式电压互感器的高压电容C1和中压电容C2。
2)、在给定参数条件下,利用二维线性插值的方法计算获得各次谐波电压的传变变比值kh和相位偏移值的值。假设C1、C2的实际值落在由(C1(1),C2(1),kh1)、(C1(2),C2(1),kh2)、(C1(1),C2(2),kh3)、(C1(2),C2(2),kh4)构成的计算空间,其中khi表示第h次谐波在取值范围四个顶点的变比值或相位偏移则任意第h次谐波的实际变比kh或相位偏移的计算公式为:
其中:
其中:
3)、由电容式电压互感器二次侧输出的采样值,利用快速傅里叶变换及其校正插值算法计算获得一次侧经电容式电压互感器(CVT)传变后的二次侧输出的各次谐波的幅值Ush和相位值
4)、根据二次侧谐波电压的数值以及得到的谐波传变变比及相位偏移数值,计算出一次侧的谐波电压在常温情况下的实际校正电压值Uhc和相位值Φhc,其计算公式为:
5.根据权利要求4所述的基于插值法的电容式电压互感器谐波电压精准测量方法,其特征在于,所述步骤S4中利用数学插值的方法实现对任意温度条件下电压谐波的精准测量的具体过程是:
1)、根据权利要求4所述的利用二维线性插值的方法可获得任意电容式电压互感器的高压电容C1和中压电容C2参数组合、常温情况下的各次谐波实际校正电压值Uhc和相位值Φhc;
2)、通过对温度变化时,等效电路各参数随温度变化后对传递特性的影响的离线仿真计算得到的各次谐波参数随温度变化曲线,由测得的电容式电压互感器实际运行温度获得各次谐波电压的传变变比和相位的温度校正系数λhb和λhx;
3)、由常温情况下的实际电压值Uhc和相位值Φhc,利用温度校正系数λhb和λhx数值,计算出一次侧的谐波电压在任意运行温度下的实际电压值Uht和相位值Φht,其计算公式为:
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