CN108493320A - 纳米复合缓冲镀层mcob封装氮化铝基板及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 47
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 claims abstract description 23
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，包括氮化铝基板及其制备方法，氮化铝基板上设有线路电极，其特征在于，所述氮化铝基板表面涂覆有金属纳米复合缓冲镀层，在金属纳米复合缓冲镀层上贴合带光学碗杯的光学碗杯复合板，在光学碗杯复合板上设有与金属纳米复合缓冲镀层贴合接触的纳米Ag反光层，该纳米Ag反光层封装LED芯片，形成带有光学碗杯的分立式集成LED光源。本发明封装效率高，提高了LED光源的出光效率、导热性能和热稳定性。
Description
技术领域
本发明属于铝基板制备领域，具体地说是一种纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板及其制备方法。
背景技术
目前集成式COB LED光源封装生产效率偏低，生产直通良品率偏低、光源光色度一致性控制有难度，其散热性能和良品率有待提高的问题。一般地集成式多芯片LED光源封装的光效比独立MCOB封装的光效要低；一次光学透镜的多次折射造成的出光效率和热能增加缺陷。
目前集成式LED封装光源大多使用金属基板作为材料，金属基板因为电子线路绝缘层热阻大，可靠性不高，容易出现光衰、死灯现象严重。
氮化铝陶瓷基板是一种脆性材料，与氮化铝陶瓷基板的热膨胀系数不匹配的金属电镀层，金属电镀层与氮化铝陶瓷基板的结合力和剥离强度较低，同时容易使氮化铝陶瓷LED封装基板开裂导致电子线路失效。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，提高了LED光源的出光效率、导热性能和热稳定性。
为了解决上述技术问题，本发明采取以下技术方案：
一种纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，包括氮化铝基板，氮化铝基板上设有线路电极，所述氮化铝基板表面涂覆有金属纳米复合缓冲镀层，在金属纳米复合缓冲镀层上贴合带光学碗杯的光学碗杯复合板，在光学碗杯复合板上设有与金属纳米复合缓冲镀层贴合接触的纳米Ag反光层，该纳米Ag反光层封装LED芯片，形成带有光学碗杯的分立式集成LED光源。
所述氮化铝基板上还设有定位孔。
所述光学碗杯复合板上设有至少两个间隔设置的光学碗杯。
所述光学碗杯一体成型在光学碗杯复合板上。
一种纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：
在氮化铝基板表面涂布一层热膨胀系数与氮化铝基板匹配的金属纳米复合缓冲镀层；
对氮化铝基板采用烧结或电镀工艺，使金属纳米复合缓冲镀层形成紧密结合的复合层；
在金属纳米复合缓冲镀层上电镀一层用以提高LED光源的光量子出光效率的纳米Ag反光层；
将氮化铝基板的复合缓冲镀层电镀和纳米Ag反光层进行电子线路蚀刻，形成LED电子封装基板；
氮化铝基板的复合缓冲镀层电镀和纳米Ag反光层上粘合或覆盖已经进行光学碗杯处理的光学碗杯复合板；
在氮化铝基板上进行分离式MCOB光源封装，完成制备。
本发明采用了氮化铝陶瓷热膨胀系数匹配的金属纳米复合缓冲镀层工艺，提高了金属电镀层与氮化铝陶瓷基板的结合力和剥离强度，同时在金属纳米复合缓冲镀层电镀一层纳米Ag反光层和粘合已经进行光学碗杯处理的光学碗杯复合板，因此大大提高了LED光源的出光效率、导热性能和热稳定性。
附图说明
附图1为本发明氮化铝基板的俯视示意图；
附图2为附图1中的A-A向剖面示意图。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
如附图1和2所示，本发明揭示了一种纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，包括氮化铝基板1，氮化铝基板1上设有线路电极3，所述氮化铝基板1表面涂覆有金属纳米复合缓冲镀层2，在金属纳米复合缓冲镀层2上贴合带光学碗杯5的光学碗杯复合板4，在光学碗杯复合板4上设有与金属纳米复合缓冲镀层2贴合接触的纳米Ag反光层6，该纳米Ag反光层6封装LED芯片，形成带有光学碗杯的分立式集成LED光源。线路电极具有正极和负极，通常对称设置在光学碗杯复合板的两侧，便于线路连接。封装后的LED芯片呈阵列式分布。
所述氮化铝基板1上还设有定位孔7，较佳的设置位置是在氮化铝基板的边角区域，在各个边角区域设置一个定位孔，从而便于氮化铝基板的定位安装，不易偏离，保证安装的稳定性。
所述光学碗杯一体成型在光学碗杯复合板上，光学碗杯的形状可根据需要灵活设置。
另外，本发明还揭示了一种纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：
在氮化铝基板表面涂布一层热膨胀系数与氮化铝基板匹配的金属纳米复合缓冲镀层。需要保证在氮化铝基板的整个表面都均匀的涂布一层金属纳米复合缓冲镀层。
对氮化铝基板采用烧结或电镀工艺，使金属纳米复合缓冲镀层形成紧密结合的复合层，确保金属纳米复合缓冲镀层紧密的结合在氮化铝基板上，同时该金属纳米复合缓冲镀层也具有相应的结合力，增加剥离强度。
在金属纳米复合缓冲镀层上电镀一层用以提高LED光源的光量子出光效率的纳米Ag反光层。
将氮化铝基板的复合缓冲镀层电镀和纳米Ag反光层进行电子线路蚀刻，形成LED电子封装基板。
氮化铝基板的复合缓冲镀层电镀和纳米Ag反光层上粘合或覆盖已经进行光学碗杯处理的光学碗杯复合板。
在氮化铝基板上进行分离式MCOB光源封装，完成制备。
需要说明的是，以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，但是凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，包括氮化铝基板，氮化铝基板上设有线路电极，其特征在于，所述氮化铝基板表面涂覆有金属纳米复合缓冲镀层，在金属纳米复合缓冲镀层上贴合带光学碗杯的光学碗杯复合板，在光学碗杯复合板上设有与金属纳米复合缓冲镀层贴合接触的纳米Ag反光层，该纳米Ag反光层封装LED芯片，形成带有光学碗杯的分立式集成LED光源。
2.根据权利要求1所的纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，其特征在于，所述氮化铝基板上还设有定位孔。
3.根据权利要求2所的纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，其特征在于，所述光学碗杯复合板上设有至少两个间隔设置的光学碗杯。
4.根据权利要求3所的纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，其特征在于，所述光学碗杯一体成型在光学碗杯复合板上。
5.一种根据权利要求1所的纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在氮化铝基板表面涂布一层热膨胀系数与氮化铝基板匹配的金属纳米复合缓冲镀层；
对氮化铝基板采用烧结或电镀工艺，使金属纳米复合缓冲镀层形成紧密结合的复合层；
在金属纳米复合缓冲镀层上电镀一层用以提高LED光源的光量子出光效率的纳米Ag反光层；
将氮化铝基板的复合缓冲镀层电镀和纳米Ag反光层进行电子线路蚀刻，形成LED电子封装基板；
氮化铝基板的复合缓冲镀层电镀和纳米Ag反光层上粘合或覆盖已经进行光学碗杯处理的光学碗杯复合板；
在氮化铝基板上进行分离式MCOB光源封装，完成制备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810443848.XA CN108493320B (zh) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | 纳米复合缓冲镀层mcob封装氮化铝基板及其制备方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810443848.XA CN108493320B (zh) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | 纳米复合缓冲镀层mcob封装氮化铝基板及其制备方法 |
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| CN108493320A true CN108493320A (zh) | 2018-09-04 |
| CN108493320B CN108493320B (zh) | 2020-04-28 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810443848.XA Active CN108493320B (zh) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | 纳米复合缓冲镀层mcob封装氮化铝基板及其制备方法 |
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