CN108493010A - 电容器制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的电容器制造方法,涉及电容器制造技术领域。电容器制造方法包括:将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包,该芯包由正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔通过卷绕机的卷针卷绕形成且体积为预设体积;将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,以得到具有单体和氧化剂的芯包;对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使单体和氧化剂在芯包内进行聚合反应,以形成高分子导电层;将具有高分子导电层的芯包安装于铝壳,以得到电容器。其中,预设体积和卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与铝壳的体积的比值为89%‑97%。通过上述方法,可以改善通过现有技术制造的电容器存在耐热性能较差的问题。
Description
技术领域
本发明涉及电容器制造技术领域,具体而言,涉及一种电容器制造方法。
背景技术
固体电解电容器相较普通的液体电解电容器,具有等效串联电阻低、耐纹波电流高、使用寿命长以及性能稳定等优点,因而被广泛的关注与应用。经发明人研究发现,在现有的固体电解电容器制造技术中存在着制造的电容器耐热性能较差的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种电容器制造方法,以改善通过现有技术制造的电容器存在耐热性能较差的问题。
为实现上述目的,本发明实施例采用如下技术方案:
一种电容器制造方法,包括:
将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包,其中,该芯包由正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔通过卷绕机的卷针卷绕形成且体积为预设体积;
将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,以得到具有单体和氧化剂的芯包;
对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行聚合反应,以形成高分子导电层;
将具有高分子导电层的芯包安装于铝壳,以得到电容器,其中,所述预设体积和所述卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与所述铝壳的体积的比值为89%-97%。
在本发明实施例较佳的选择中,在上述电容器制造方法中,所述将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包的步骤包括:
将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,其中,浸置时间为30-90s;
从所述酒精溶液中取出该芯包,并置于烘箱中进行干燥,其中,烘箱的干燥温度为40-60℃、换气率为4-15%。
在本发明实施例较佳的选择中,在上述电容器制造方法中,所述将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,以得到具有单体和氧化剂的芯包的步骤包括:
a,在常压下将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,并在所述氧化剂进入该芯包后从所述液体中取出该芯包;
b,对从所述液体中取出的芯包进行抽真空处理,并将处于真空状态的芯包再次浸于所述液体中,以使所述液体中的氧化剂再次进入该芯包;
c,再次从所述液体中取出该芯包,并对该芯包进行破真空处理,以得到具有单体和氧化剂的芯包;
其中,步骤a、步骤b和步骤c重复依次交替执行至少一次。
在本发明实施例较佳的选择中,在上述电容器制造方法中,所述对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行聚合反应的步骤包括:
对具有单体和氧化剂的芯包按照第一预设温度和第一预设时长进行第一加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行第一阶段的聚合反应;
对经过第一加热处理的芯包按照第二预设温度和第二预设时长进行第二加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行第二阶段的聚合反应;
其中,所述第一预设温度小于所述第二预设温度。
在本发明实施例较佳的选择中,在上述电容器制造方法中,所述第一预设温度为35-45℃,所述第二预设温度为135-170℃。
在本发明实施例较佳的选择中,在上述电容器制造方法中,所述对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行聚合反应的步骤还包括:
对经过第一加热处理的芯包进行过渡加热处理,以使对芯包的加热温度从第一预设温度线性增加至第二预设温度。
在本发明实施例较佳的选择中,在上述电容器制造方法中,所述第一预设时长为2-6h,所述第二预设时长为1-3h,所述过渡加热处理的时长为2-5h。
在本发明实施例较佳的选择中,在上述电容器制造方法中,所述将具有高分子导电层的芯包安装于铝壳,以得到电容器的步骤包括:
将具有高分子导电层的芯包进行热除杂处理,其中,该热除杂处理的温度为260-270℃、时间为15-25min;
将经过热除杂处理的芯包安装于铝壳,以得到电容器。
在本发明实施例较佳的选择中,在上述电容器制造方法中,在执行将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包的步骤之前,所述方法还包括:
获取正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔,并通过卷绕机的卷针对所述正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔进行卷绕处理以形成预设体积的芯包;
通过化成机将芯包浸于化成液中,并对该芯包施加化成电压以进行化成处理,以在所述正极箔和所述负极箔形成氧化膜。
本发明实施例还提供了另一种电容器制造方法,包括:
将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包,其中,该芯包由正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔通过卷绕机的卷针卷绕形成且体积为预设体积;
将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,以得到具有单体和氧化剂的芯包;
对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行聚合反应,以形成高分子导电层;
将具有高分子导电层的芯包安装于铝壳并进行坐板安装,以得到片式的电容器,其中,所述预设体积和所述卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与所述铝壳的体积的比值为89%-97%。
本发明提供的电容器制造方法,通过控制芯包的体积、卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积以及铝壳的体积,以使芯包的体积和卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与铝壳的体积的比值为89%-97%,以提高制造的电容器的耐热性能,从而改善通过现有技术制造的电容器存在耐热性能较差的问题。
进一步地,通过将从酒精溶液中取出的芯包置于烘箱中进行干燥,并且干燥温度为40-60℃、换气率围4-15%,可以进一步提高制造得到的电容器的性能。在对芯包进行氧化剂的浸入操作时通过进行抽真空处理,可以提高芯包中浸入的氧化剂含量,进而提高制造的电容器的性能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明实施例提供的电容器制造方法的流程示意图。
图2为图1中步骤S110的流程示意图。
图3为图1中步骤S120的流程示意图。
图4为图1中步骤S130的流程示意图。
图5为图1中步骤S140的流程示意图。
图6为本发明实施例提供的电容器制造方法的另一流程示意图。
图7为本发明实施例提供的电容器制造方法的另一流程示意图。
图8为本发明实施例提供的进行回流焊试验的温度变化示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例只是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围,而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为只是或暗示相对重要性。
如图1所示,本发明实施例提供了一种电容器制造方法,该方法可以用于制造固体电解质铝电解电容器。其中,所述电容器制造方法包括步骤S110、步骤S120、步骤S130和步骤S140。下面将对图1所示的各步骤的具体流程进行详细阐述。
步骤S110,将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包。
步骤S120,将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,以得到具有单体和氧化剂的芯包。
步骤S130,对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行聚合反应,以形成高分子导电层。
步骤S140,将具有高分子导电层的芯包安装于铝壳,以得到电容器。
可选地,执行步骤S110以得到具有单体的芯包的方式不受限制,可以根据实际应用需求进行设置,例如,根据制造的电容器的性能需求不同,芯包的浸置时间可以有不同的选择。在本实施例中,结合图2,步骤S110可以包括步骤S111和步骤S113。
步骤S111,将芯包浸于具有单体的酒精溶液中。
步骤S113,从所述酒精溶液中取出该芯包,并置于烘箱中进行干燥。
在本实施例中,将芯包浸于酒精溶液中的浸置时间可以为30-90s。在烘箱中的干燥温度可以为40-60℃、换气率可以为4-15%。并且,所述酒精溶液的各组份的含量比不受限制,可以根据实际应用需求进行设置,例如,单体的重量占比可以是22-27%。
可选地,执行步骤S120以将氧化剂浸入芯包的方式不受限制,可以根据实际应用需求进行设置,例如,根据制造的电容器的性能需求不同,芯包的浸置时间和方式可以有不同的选择。在本实施例中,结合图3,步骤S120可以包括步骤S121、步骤S123以及步骤S125。
步骤S121,在常压下将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,并在所述氧化剂进入该芯包后从所述液体中取出该芯包。
步骤S123,对从所述液体中取出的芯包进行抽真空处理,并将处于真空状态的芯包再次浸于所述液体中,以使所述液体中的氧化剂再次进入该芯包。
步骤S125,再次从所述液体中取出该芯包,并对该芯包进行破真空处理,以得到具有单体和氧化剂的芯包。
在本实施例中,通过分别在常压和真空状态下将芯包浸于具有氧化剂的液体中,可以极大地提高进入芯包内的氧化剂的数量,进而保证通过执行步骤S130以形成的高分子导电层具有较高的稳定性,以提高制造的电容器的性能。
并且,通过抽真空处理可以通过外部大气压将氧化剂压入芯包内,进而避免由于氧化剂位于芯包的外部并在通过执行步骤S130后在芯包的外部形成聚合物而造成在执行步骤S140时存在的安装不便的问题,极大地提高了电容器制造的效率。
其中,根据实际需求不同,例如,可以在对形成的高分子导电层的稳定性的要求越高时,通过重复依次交替执行步骤S121、步骤S123和步骤S125多次,以提高进入芯包内的氧化剂的数量。
可选地,根据对制造的电容器的性能需求不同,执行步骤S130的方式可以有不同的选择。在本实施例中,结合图4,步骤S130可以包括步骤S131和步骤S133,以完成两个阶段的加热处理。
步骤S131,对具有单体和氧化剂的芯包按照第一预设温度和第一预设时长进行第一加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行第一阶段的聚合反应。
步骤S133,对经过第一加热处理的芯包按照第二预设温度和第二预设时长进行第二加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行第二阶段的聚合反应。
在本实施例中,所述第一预设温度小于所述第二预设温度,以使在保证单体和氧化剂的聚合反应有效、稳定的进行的同时,还能减少聚合反应的时间,进而提高电容器制造的效率。
可选地,所述第一预设温度和所述第二预温度的具体数值不受限制,可以根据实际应用需求进行设置。在本实施例中,优选地,所述第一预设温度可以为35-45℃,所述第二预设温度可以为135-170℃。
可选地,所述第一预设时长和所述第二预设时长的具体数值不受限制,可以根据实际应用需求进行设置,例如,可以根据生产效率需求以及对应的聚合温度进行设置。在本实施例中,优选地,所述第一预设时长可以为2-6h,所述第二预设时长可以为1-3h。
进一步地,为保证第一加热处理和第二加热处理的有效衔接并结合加热装置的性能,在本实施例中,步骤S130还可以包括以下步骤:对经过第一加热处理的芯包进行过渡加热处理,以使对芯包的加热温度从第一预设温度线性增加至第二预设温度,以进入第二加热处理对应的阶段。
其中,综合考虑加热装置的升温效率以及电容器的制造效率,所述过渡加热处理的时长可以为2-5h。
可选地,根据对制造的电容器的性能要求不同,执行步骤S140以得到电容器的具体方式可以不同。在本实施例中,结合图5,步骤S140可以包括步骤S141和步骤S143。
步骤S141,将具有高分子导电层的芯包进行热除杂处理。
步骤S143,将经过热除杂处理的芯包安装于铝壳,以得到电容器。
在本实施例中,通过对芯包进行热除杂处理可以使芯包内的杂质在高温环境下气化后挥发至芯包的外部,进而实现芯包内的除杂目的。
其中,进行热除杂的温度和时间不受限制,可以根据对除杂的效果要求进行设置。在本实施例中,优选地,所述热除杂处理的温度可以为260-270℃、时间可以为15-25min。
进一步地,在本实施例中,为便于获取执行步骤S140得到的电容器的性能,进而对该电容器按照一定的技术需求进行分类,在执行步骤S130后,所述电容器制造方法还可以包括以下步骤:对得到的电容器进行老化处理,并根据老化处理的结果对该电容器进行性能定位。
其中,可以分别依次以制造的电容器的额定电压的0.3倍、0.7倍、1倍以及1.15倍对电容器施加电压以进行不同的老化处理。并且,老化处理的环境温度和时间不受限制,可以根据实际应用需求进行设置。在本实施例中,优选地,老化处理的环境温度可以为85-150℃,老化处理的时间可以为1-2h。
进一步地,在本实施例中,结合图6,在执行步骤S110之前,所述方法还可以包括步骤S150和步骤S160,以制造形成步骤S110中的芯包。
步骤S150,获取正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔,并通过卷绕机的卷针对所述正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔进行卷绕处理以形成预设体积的芯包。
在本实施例中,可以将所述正极导针铆接于所述正极箔,将所述负极导针铆接于所述负极箔,并将电解纸设置于所述正极箔和负极箔之间,以避免正极箔和负极箔的直接接触,然后通过卷绕机将依次设置的正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔进行绕卷处理,以得到圆柱状的芯包。
并且,所述正极箔的选择可以根据需要制造的电容器的体积和比容确定。并根据该电容器的体积可以确定正极箔的长度与宽度,进而根据正极箔的长度与宽度可以确定电解纸和负极箔的长度与宽度。
其中,在确定正极箔、电解纸和负极箔的长度与宽度后,可以通过分切机对初始的正极箔、电解纸和负极箔进行分切,以得到需求的正极箔、电解纸和负极箔。
可选地,所述预设体积的具体大小不受限制,可以根据实际应用需求进行设置。在本实施例中,所述预设体积和所述卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与该芯包需要安装的铝壳的体积的比值为89%-97%,以使所述铝壳内的空隙率小于11%且大于3%。
其中,为得到耐温性能更佳的电容器,所述预设体积和所述卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与该芯包需要安装的铝壳的体积的比值还可以为91%-95%,以使所述铝壳内的空隙率小于9%且大于5%。
可选地,所述预设体积和所述卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与该芯包需要安装的铝壳的体积的比值还可以为92%-94%,以使所述铝壳内的空隙率小于8%且大于6%。
并且,为便于所述芯包在结构上的稳定性,可以通过高温胶带对得到的芯包进行缠绕以固定。
步骤S160,通过化成机将芯包浸于化成液中,并对该芯包施加化成电压以进行化成处理,以在所述正极箔和所述负极箔形成氧化膜。
在本实施例中,在通过步骤S150后,可以将得到的芯包浸于化成液中,并在将正极导针连接电源的正极、负极导针连接化成液的金属化成槽上,以通过电源施加的化成电压在所述正极箔和负极箔形成氧化铝膜,进而避免因为在分切正极箔和负极箔时造成正极箔和负极箔在分切部分氧化铝膜被破坏的问题。
进一步地,为得到片式的电容器以提高电容器安装的便利性,在本实施例中,结合图7,所述电容器制造方法还可以包括步骤S170,以对通过步骤S140得到的引线型的电容器进行处理。
步骤S170,对所述引线型的电容器进行坐板安装处理,以得到片式的电容器。
进一步地,考虑到进行坐板安装处理会对电容器的性能造成影响,为避免因使用性能过低的电容器而造成设备的损坏或事故等问题,在本实施例中,所述电容器制造方法还可以包括步骤S180,以进行参数测试。
步骤S180,对所述片式的电容器进行参数测试,以获取该电容器的容量、损耗、等效串联电阻以及漏电流。
在本实施例中,通过进行参数测试可以将不满足预设容量、损耗、等效串联电阻以及漏电流的电容器进行淘汰处理或重新制造,以避免该电容器被应用于各电路中而造成电路中其它设备损坏的问题。
进一步地,为避免通过上述方法制造得到的电容器在实验过程中出现变形或爆炸的问题,还可以对电容器进行回流焊试验。并且,针对不同参数的电容,可以得到不同的数据。
其中,针对额定电压为6.3V、额定电容为470μF、体积为6.3*8mm、空隙率为6.24%的电容器进行测试,可以得到一下测试数据:
针对额定电压为10V、额定电容为1000μF、体积为10*12mm、空隙率为4.51%的电容器进行测试,可以得到一下测试数据:
针对额定电压为16V、额定电容为100μF、体积为6.3*8mm、空隙率为8.57%的电容器进行测试,可以得到一下测试数据:
通过分析上述三组数据,可以得到在空隙率小于11%且大于3%时,制造的电容器的参数均满足性能要求,并且在回流焊试验中电容器不存在异常变形或爆炸的问题。为进一步地说明,本发明实施例还对孔隙率大于11%的电容器进行了测试,具体地,该电容器的额定电压为6.3V、额定电容为470μF、体积为6.3*8mm、空隙率为25.93%,得到的测试数据如下:
通过将上述数据与额定电压为6.3V、额定电容为470μF、体积为6.3*8mm、空隙率为6.24%的电容器的测试数据进行对比,可以得知,孔隙率为6.24%的电容器的性能明显优于空隙率为25.93%的电容器。
在上述测试过程中,寿命试验条件为:在105℃施加额定工作电压2000小时后,恢复到20℃进行测试。回流焊试验的条件可以参照图8或下表。
综上所述,本发明提供的电容器制造方法,通过控制芯包的体积、卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积以及铝壳的体积,以使芯包的体积和卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与铝壳的体积的比值为89%-97%,以提高制造的电容器的耐热性能,从而改善通过现有技术制造的电容器存在耐热性能较差的问题。其次,在对芯包进行氧化剂的浸入操作时通过进行抽真空处理,可以提高芯包中浸入的氧化剂含量,进而提高制造的电容器的性能。最后,通过将从酒精溶液中取出的芯包置于烘箱中进行干燥,并且干燥温度为40-60℃、换气率围4-15%,可以进一步提高制造得到的电容器的性能。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电容器制造方法,其特征在于,包括:
将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包,其中,该芯包由正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔通过卷绕机的卷针卷绕形成且体积为预设体积;
将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,以得到具有单体和氧化剂的芯包;
对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行聚合反应,以形成高分子导电层;
将具有高分子导电层的芯包安装于铝壳,以得到电容器,其中,所述预设体积和所述卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与所述铝壳的体积的比值为89%-97%。
2.根据权利要求1所述的电容器制造方法,其特征在于,所述将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包的步骤包括:
将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,其中,浸置时间为30-90s;
从所述酒精溶液中取出该芯包,并置于烘箱中进行干燥,其中,烘箱的干燥温度为40-60℃、换气率为4-15%。
3.根据权利要求1或2所述的电容器制造方法,其特征在于,所述将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,以得到具有单体和氧化剂的芯包的步骤包括:
a,在常压下将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,并在所述氧化剂进入该芯包后从所述液体中取出该芯包;
b,对从所述液体中取出的芯包进行抽真空处理,并将处于真空状态的芯包再次浸于所述液体中,以使所述液体中的氧化剂再次进入该芯包;
c,再次从所述液体中取出该芯包,并对该芯包进行破真空处理,以得到具有单体和氧化剂的芯包;
其中,步骤a、步骤b和步骤c重复依次交替执行至少一次。
4.根据权利要求1或2所述的电容器制造方法,其特征在于,所述对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行聚合反应的步骤包括:
对具有单体和氧化剂的芯包按照第一预设温度和第一预设时长进行第一加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行第一阶段的聚合反应;
对经过第一加热处理的芯包按照第二预设温度和第二预设时长进行第二加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行第二阶段的聚合反应;
其中,所述第一预设温度小于所述第二预设温度。
5.根据权利要求4所述的电容器制造方法,其特征在于,所述第一预设温度为35-45℃,所述第二预设温度为135-170℃。
6.根据权利要求5所述的电容器制造方法,其特征在于,所述对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行聚合反应的步骤还包括:
对经过第一加热处理的芯包进行过渡加热处理,以使对芯包的加热温度从第一预设温度线性增加至第二预设温度。
7.根据权利要求6所述的电容器制造方法,其特征在于,所述第一预设时长为2-6h,所述第二预设时长为1-3h,所述过渡加热处理的时长为2-5h。
8.根据权利要求1或2所述的电容器制造方法,其特征在于,所述将具有高分子导电层的芯包安装于铝壳,以得到电容器的步骤包括:
将具有高分子导电层的芯包进行热除杂处理,其中,该热除杂处理的温度为260-270℃、时间为15-25min;
将经过热除杂处理的芯包安装于铝壳,以得到电容器。
9.根据权利要求1或2所述的电容器制造方法,其特征在于,在执行将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包的步骤之前,所述方法还包括:
获取正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔,并通过卷绕机的卷针对所述正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔进行卷绕处理以形成预设体积的芯包;
通过化成机将芯包浸于化成液中,并对该芯包施加化成电压以进行化成处理,以在所述正极箔和所述负极箔形成氧化膜。
10.一种电容器制造方法,其特征在于,包括:
将芯包浸于具有单体的酒精溶液中,以得到具有单体的芯包,其中,该芯包由正极导针、正极箔、电解纸、负极导针和负极箔通过卷绕机的卷针卷绕形成且体积为预设体积;
将具有单体的芯包浸于具有氧化剂的液体中,以得到具有单体和氧化剂的芯包;
对具有单体和氧化剂的芯包进行加热处理,以使所述单体和氧化剂在所述芯包内进行聚合反应,以形成高分子导电层;
将具有高分子导电层的芯包安装于铝壳并进行坐板安装,以得到片式的电容器,其中,所述预设体积和所述卷针在卷绕处理过程中被覆盖部分的体积之间的体积差值与所述铝壳的体积的比值为89%-97%。
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