CN108474112A - 膜形成设备 - Google Patents

Abstract

描述一种用于处理基板上的薄膜的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室包括外壳、后壁和可移除闭合板；处理滚筒，所述处理滚筒在真空腔室内布置在后壁与可移除闭合板之间，所述处理滚筒至少部分地被处理区域包围；第一工艺分隔壁部分，所述第一工艺分隔壁部分附接到可移除闭合板；以及第二工艺分隔壁部分，所述第二工艺分隔壁部分附接到外壳或后壁；其中在可移除闭合板的闭合位置中，第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分共同提供工艺分隔壁，所述工艺分隔壁将处理区域分成相邻的处理区段。

Description

膜形成设备

技术领域

本公开内容的实施方式涉及一种薄膜处理设备，特别是涉及沉积系统，更特别是涉及卷对卷(roll-to-roll，R2R)沉积系统和用于维护薄膜处理设备的方法。本公开内容的实施方式特别涉及卷对卷沉积系统中的气体分隔(gas separation)和向卷对卷(roll-to-roll)沉积系统提供维护通路的方法，特别是涉及用于在柔性基板上涂覆薄膜的设备和用于在沉积设备的相邻的处理区段之间提供气密工艺分隔壁的方法。

背景技术

对柔性基板(例如，塑料膜或箔)的处理在封装工业(packaging industry)、半导体工业、太阳光防护窗膜工业(solar protecting window film industries)和其他工业中有大量需求。处理可包括用材料涂覆柔性基板，材料例如是金属，特别是银、铝、钛、铌或锌和上述材料的介电化合物，诸如铝掺杂的氧化锌。执行此任务的系统一般包括处理滚筒(processing drum)，处理滚筒耦接到处理系统以传输基板，并且基板的至少一部分在处理滚筒上进行处理，处理滚筒例如是圆柱形辊。卷对卷沉积系统可提供高产量系统。

典型地，可利用蒸发工艺(例如，热蒸发工艺)来沉积金属薄层，金属薄层可金属化到柔性基板上进行。然而，卷对卷沉积系统在显示器工业和光伏(photovoltaic,PV)工业中也面临需求大量增加的情况。例如，触控面板元件、柔性显示器、滤光片和柔性PV模块造成对在卷对卷涂布机(coater)中沉积合适的层或层堆叠结构(layer stacks)的需求增加，特别是具有低制造成本的在卷对卷涂布机(coater)中沉积合适的层或层堆叠结构。然而，此类装置典型地具有若干层，这些层通常例如溅射工艺的PVD)工艺或以CVD工艺(例如，PECVD工艺)制造。用于此类复杂应用的卷对卷沉积系统包括在相邻的隔室中的若干处理区段。

多年以来，卷对卷沉积系统中的层已经发展成多个层，其中每个层提供不同的功能。将多个层沉积在柔性基板上可在卷对卷沉积系统的多个处理区段中执行。卷对卷沉积系统的高正常运行时间和减少的停机时间降低生产成本。在沉积的层或层堆叠结构有高质量水平的情况下，总拥有成本可进一步降低。因此，提供确保高沉积质量和最小化的生产停机时间(例如，用于维护目的)的用于处理柔性基板的有效的方法和设备是经济上关注的问题。

发明内容

鉴于上述，提供一种用于处理基板上的薄膜的设备，特别是用于处理柔性基板的设备，以及一种用于在真空腔室中的相邻的处理区段之间提供气密工艺分隔壁的方法。另外方面、优点和特征公开内容从从属权利要求、说明书和附图清楚。

根据一个实施方式，提供一种用于处理基板上的薄膜的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室包括外壳、后壁和可移除闭合板；处理滚筒，所述处理滚筒在真空腔室内布置在后壁与可移除闭合板之间，所述处理滚筒至少部分地被处理区域包围；第一工艺分隔壁部分，所述第一工艺分隔壁部分附接到可移除闭合板；以及第二工艺分隔壁部分，所述第二工艺分隔壁部分附接到外壳或后壁；其中在可移除闭合板的闭合位置中，第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分共同提供工艺分隔壁，所述工艺分隔壁将处理区域分成相邻的处理区段。

根据另一实施方式，提供一种用于处理基板上的薄膜的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室包括外壳、后壁和可移除闭合板；处理滚筒，所述处理滚筒在真空腔室内布置在后壁与可移除闭合板之间，所述处理滚筒至少部分地被处理区域包围；一个或多个第一工艺分隔壁部分，所述一个或多个第一工艺分隔壁部分附接到可移除闭合板；一个或多个第二工艺分隔壁部分，所述一个或多个第二工艺分隔壁部分附接到外壳或后壁；和至少一个处理单元，所述至少一个处理单元附接到可移除闭合板，其中两个相邻的第一工艺分隔壁部分与增强元件机械连接，并且其中一个或多个第一工艺分隔壁部分和一个或多个第二工艺分隔壁部分共同提供一个或多个工艺分隔壁，所述一个或多个工艺分隔壁将处理区域分成至少两个相邻的处理区段。

根据另一实施方式，提供一种用于在真空腔室中的相邻的处理区段之间提供气密工艺分隔壁的方法。所述方法包括通过用可移除闭合板将真空腔室闭合，使第一工艺分隔壁部分移动到真空腔室中；和激活在第一工艺分隔壁部分与第二工艺分隔壁部分之间的气密密封件。

附图说明

为了可详细地理解本公开内容上述特征的方式，在上文简要地概述的本公开内容的概述的更特定的描述可参照实施方式来进行。附图涉及本公开内容的实施方式并且描述如下：

图1示出根据本文所述的实施方式的用于沉积薄膜并具有气体分隔壁的卷对卷沉积设备的示意性侧视图；

图2A和图2B示出根据本文所述的实施方式的卷对卷沉积设备的工艺分隔壁的横截面图；

图3A和图3B示出根据本文所述的实施方式的用于卷对卷沉积设备的闭合板的示意性3D视图；

图4示出根据本文所述的实施方式的处理腔室和处理滚筒的3D视图；

图5示出根据本文所述的实施方式的描述用于在真空腔室中的相邻的处理区段之间提供气密工艺分隔壁的方法的流程图。

具体实施方式

现将详细参照本公开内容的各种实施方式，本公开内容的各种实施方式中的一个或多个示例示出于附图中。在以下的附图说明中，相同的参考数字表示相同的部件。一般来说，仅说明有关于个别实施方式的不同之处。各示例是以对本公开内容进行解释的方式而提供的，并非意指为本公开内容的限制。此外，作为一个实施方式的部分而说明或描述的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式结合，以产生再其他的实施方式。说明意欲包括此类调整和变化。

在此，应注意，在本文所述的实施方式中使用的柔性基板或卷材(web)的特征可典型地在于柔性基板是可弯折的。术语“卷材”可与术语“条状物(strip)”、术语“带状物(tape)”或术语“柔性基板”以同义地使用。例如，本文所述的实施方式中的卷材可以是箔(foil)或另一柔性基板。然而，如同以下更详细说明的，本文所述的实施方式的优点也可提供给其他连续式沉积系统(inline-deposition systems)的非柔性基板或载体。然而，可理解的是，特定的优点可在用于柔性基板和用于在柔性基板上制造装置的应用上使用。

卷对卷沉积设备可包括退卷(unwinding)腔室、处理腔室和/或复卷(re-winding)腔室。在一些卷对卷沉积设备中，柔性基板的退卷和复卷可在共同的卷绕腔室中执行。处理腔室可包括基板传输辊或基板传输滚筒(drum)。基板传输辊或滚筒可作为柔性基板的支撑件。基板支撑件可使柔性基板移动穿过处理区域，基板支撑件例如是处理滚筒。处理滚筒可以是鼓状物、圆柱状物或辊，例如是涂覆辊(coating roller)或涂覆滚筒(coating drum)。处理区域可布置在处理滚筒的至少一部分的周围。在处理区域中，可执行不同的工艺。工艺可以在隔室的内部中执行。不同的工艺可以在不同的相邻的隔室中执行。隔室可以是处理区域的部分。隔室可通过工艺分隔壁而与相邻的隔室分隔，或与处理腔室或沉积设备的其他区域分隔。隔室可包括处理腔室外壳的壁和工艺分隔壁的部分。隔室的壁限定处理区段的空间。为了执行工艺，可在处理区段或隔室中提供一个或多个处理单元。

在隔室中，可以设置不同工艺和/或不同处理技术。针对不同工艺和/或不同处理技术，可使用不同的处理气体。若干CVD和/或PVD源的组合与不同的气体混合物和/或不同工作压力一起使用面临改善工艺气体分隔的需求，以避免后续工艺中的交叉污染的影响，并确保长期的工艺稳定性。并且，改善的工艺气体分隔水平为沉积边界明确的层材料化合物提供技术条件。复杂的薄膜层结构的沉积可以在卷对卷涂布机的后续、不同的处理区段或隔室中进行。如上所述，不同隔室可以通过工艺分隔壁而分隔。工艺分隔壁的部分可以是气体分隔单元的壁。气体分隔单元可包括在处理分隔壁中。在一些卷对卷镀膜机(coatingmachine)中，例如溅射隔室的隔室可由顺着处理滚筒的曲率(curvature)的狭缝或间隙分隔。气体分隔取决于处理滚筒和气体分隔单元的壁之间的距离。处理滚筒和气体分隔单元的壁之间的距离限定狭缝或间隙的宽度。为了对涂覆宽度提供恒定的气体分离因子，气体分隔单元在处理滚筒的宽度上以恒定的距离布置。针对气体分隔单元和处理滚筒之间恒定的距离，气体分隔单元的壁可平行于处理滚筒的旋转轴布置。此外，气体分隔取决于狭缝或间隙在气流的方向中的长度。气流的方向可对应于基板传输的方向。

出于维护目的，操作员需要到卷对卷沉积设备的外壳内的若干部件的通路。为了维护的通路，卷对卷沉积设备的部件可以从外壳移除。此类部件可以是处理单元，例如蒸发机布置或溅射阴极。

此外，部分的卷绕系统也可被移除。卷绕系统可以将柔性基板从退卷辊通过处理区域传输到收卷(winding-up)辊。卷绕系统可进一步包括偏转辊和/或导辊。

在处理区域中，柔性基板由基板支撑件支撑，基板支撑件例如是处理滚筒。卷绕系统的辊和处理滚筒可布置在辊框架中。

在卷对卷沉积设备中保持卷绕系统和处理滚筒静止可以是有益的。在卷对卷沉积设备中保持卷绕系统和处理滚筒静止允许维护期间在系统内具有柔性基板。卷绕系统和处理滚筒可被调节以提供柔性基板的方向稳定性或中心感(on-center feel)。在卷对卷沉积设备中保持气体分隔单元的壁或至少部分壁静止更可以是有益的。根据本文所述的实施方式，提供用于处理基板上的薄膜的设备。所述设备包括真空腔室、处理滚筒、第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分，真空腔室包括外壳、后壁和可移除闭合板，处理滚筒布置在真空腔室内的后壁和可移除闭合板之间，处理滚筒至少部分地被处理区域包围，第一工艺分隔壁部分附接到可移除闭合板，第二工艺分隔壁部分附接到外壳或后壁。其中在可移除闭合板的闭合位置中，第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分共同提供工艺分隔壁，所述工艺分隔壁将处理区域分成相邻的处理区段。

根据本文所述的公开内容的一些实施方式，可提供卷对卷沉积设备，所述卷对卷沉积设备包括静态卷绕系统、静态处理滚筒和静态气体分隔单元，并且进一步提供用于进出卷对卷沉积设备的外壳的空间。根据本文所述的实施方式，可避免或减少处理辊和工艺分隔单元的壁或部分壁之间的相对运动。此类相对运动可能导致气体分隔单元的壁和处理滚筒的接触，其中处理滚筒与气体分隔单元近距离地隔开。接触可能在处理滚筒表面上造成刮痕，其中处理滚筒在严格公差的监测条件下制造。处理滚筒上的刮痕导致生产过程中昂贵且主要的维修和停机。

根据如本文所述的实施方式，工艺分隔壁(例如两部分(two-part)工艺分隔壁)对于向隔室提供用于维修通路的空间具有有益的效果。两部分的设计使工艺分隔壁是可分割的。工艺分隔壁可包括第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分。工艺分隔壁的新设计使得能够保持不改变气体分隔单元的壁的调整。根据另一实施方式，卷对卷涂布机的容器(vessel)或外壳的设计进一步扩大操作员为了维修而进出隔室的空间。真空腔室或卷对卷涂布机的外壳的矩形横截面形状提供用于进出处理区段或隔室的空间。工艺分隔壁的第一工艺分隔壁部分可从真空腔室或卷对卷涂布机的外壳移出。工艺分隔壁的第二工艺分隔壁部分仍旧留在真空腔室或卷对卷涂布机的外壳中。工艺分隔壁的第二工艺分隔壁部分留在面向处理滚筒的狭窄距离内。所述狭窄距离限定用于气体分隔的间隙。

根据如本文所述的实施方式，隔室分隔可通过附接到凸缘板或闭合板的机械结构来达成。所述机械结构可包括工艺分隔壁的若干第一工艺分隔壁部分。第一工艺分隔壁部分可附接到凸缘板或闭合板。第一工艺分隔壁部分可以是机械结构的部分。出于维护的目的，闭合板可从处理腔室或卷对卷沉积设备的外壳移除。闭合板可从处理腔室移动到打开位置。通过从处理腔室移除闭合板，第一工艺分隔壁部分可从处理腔室或卷对卷沉积设备的外壳移除。第二工艺分隔壁部分可以是工艺分隔壁的第二部分。在维护期间，第二工艺分隔壁部分留在处理腔室或卷对卷沉积设备的外壳中。

通过闭合具有凸缘板或闭合板的卷对卷沉积设备，第一工艺分隔壁部分可移动到处理腔室的外壳内。闭合板可被带到闭合位置。在闭合位置中，闭合板可以真空密闭的方式密封卷对卷沉积设备的真空腔室。工艺分隔壁的第一工艺分隔壁部分可以似叶片(blade)的形状提供。例如，似叶片的形状可以是基本上矩形的。基本上矩形的形状的至少一侧可附接到闭合板。

根据本文所述的实施方式，第一工艺分隔壁部分的至少另一侧可具有密封件，特别地，第一工艺分隔壁部分的另外两侧可具有密封件，更特别地，第一工艺分隔壁部分的另外三侧可具有密封件。附接到第一工艺分隔壁部分的三侧的密封件可被视为至少部分地周向的密封件。附接到所述另一侧的密封件可面向卷对卷沉积设备的容器外壳壁。附接到另外第二侧的密封件可面向卷对卷沉积设备的容器外壳的后壁。附接到第一工艺分隔壁部分的另外第三侧的密封件可面向第二工艺分隔壁部分。第二工艺分隔壁部分可具有静态肋。附接到第一工艺分隔壁部分的第三侧的密封件可面向第二工艺分隔壁部分的静态肋。所述静态肋可以示第二工艺分隔壁部分的部件。

密封件可实现为可充气垫片(gasket)。垫片可用空气、加压空气或处理气体充气。通过加压可充气垫片，工艺分隔壁的第一部分和第二部分和/或容器的外壳壁之间的剩余间隙可以气密的方式闭合。在加压状态下，可以达成若干相邻的处理区段的基本气密分隔。可以沿着真空腔室的壁进行密封。可进一步沿着固定于处理区域中的静态肋进行密封。根据本文所述的实施方式，可实现大于1600mm的涂覆宽度，甚至可实现大于2000mm的涂覆宽度，或甚至可实现大于3000mm的涂覆宽度。从处理腔室内的维护通路是可能的。一旦腔室打开，第一工艺分隔壁部分便移除，因此操作员可更容易地进入处理腔室。此外，静态的第二工艺分隔壁部分允许具有相对处理滚筒的小的间隙，而不会有处理滚筒损坏的风险。

图1示出用于处理基板上的薄膜的设备100。设备100可以是真空处理设备，特别是真空沉积设备，更特别地是卷对卷真空沉积设备。沉积设备包括处理腔室110。处理腔室110可以是真空腔室。各种真空处理技术，特别是真空沉积技术可用于处理基板，或用于在基板上沉积薄膜。如图1所示，设备100是卷对卷沉积设备，其中柔性基板105系被导引并且处理。然而，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，本文所述的可分割的工艺分隔壁的方面、细节和特征也可应用于其他沉积设备，其中处理玻璃基板、晶片、或也可以是非柔性或于非柔性载体中提供的另一基板。

如图1所示，特别是针对卷对卷沉积设备而言，处理腔室110中的基板支撑件可以是处理滚筒130。柔性基板105可从退卷辊140经过若干导辊150而导引至处理腔室110中。退卷辊140可布置在退卷腔室120中。柔性基板可经由若干辊而导向至基板支撑处理滚筒130，基板支撑处理滚筒130经构造而用于在处理和/或沉积期间支撑基板。柔性基板105可从处理滚筒130经过若干导辊150而导引至复卷辊140’，复卷辊140’布置在复卷腔室120’中。用于将柔性基板传输通过卷对卷沉积设备的卷绕系统包括若干辊，例如退卷辊140、复卷辊140’、处理滚筒130、展延辊(spreader roller)、导辊150和/或偏转辊。卷绕系统的辊和处理滚筒水平地布置。为了提供柔性基板通过设备100的方向稳定性或中心感，辊可平行于彼此调整。退卷腔室120和复卷腔室120’可侧向地附接到处理腔室110，使沉积设备具有平坦的顶壁。侧向地附接卷绕腔室而非附接到处理区域上方，防止在退卷腔室120和复卷腔室120’中产生的碎屑颗粒向下落入至处理腔室110中。此外，侧向附接的卷绕腔室降低设备100的总高度。降低设备100的总高度提供为操作员提供减少的工作高度。平坦的顶壁向操作员提供至卷绕区域的安全通路，其中卷绕区域布置在处理滚筒130上方的处理腔室110中。

根据实施方式，平坦的顶壁进一步包括凹槽(recess)165。顶壁中的凹槽可用于防止部件从顶壁大大地突出。例如，像是真空计或其他装置的敏感部件可布置在凹槽165中。此外，用于抽空处理腔室110的上部的至少一个真空泵160可布置在凹槽中。任何从平坦顶壁突出的机械部件都可能造成操作员在平坦顶壁上移动或作业上的安全性威胁。可布置沉积设备另外的真空泵160，使这些真空泵位于外壳较低的部分。根据另一实施方式，真空泵160可布置在退卷腔室120和复卷腔室120’和/或处理腔室110的底侧的悬挂位置中。这个在底下的位置进一步使平坦的顶壁不具有真空泵。由于泵不从设备100侧向突出到服务区域中，真空泵在底下的位置降低损坏泵的危险。经由所述服务区域，操作员可拥有进出沉积设备的通道。

为了将柔性基板105从退卷腔室120导引至处理腔室110中，并且进一步从处理腔室110导引至复卷腔室120’中，个别的腔室壁具有转移狭缝。所述狭缝可由闸阀以真空密闭的方式闭合，其中闸阀并未明确地示出于图1中。出于退卷腔室120和/或复卷腔室120’的维护目的，所述闸阀可以真空密闭的方式闭合。当处理腔室110可维持于真空条件下的同时，所述卷绕腔室可通风(vent)。柔性基板105可被夹持于闸阀中，并留在处理腔室110中。柔性基板的端部可延伸至退卷和/或复卷腔室中。于退卷和/或复卷腔室的维护之后，新的捆包(bale)或空的卷绕轴可附接到于退卷和/或复卷腔室中终止的剩余柔性基板。

图1中所示出的实施方式包括十二个处理单元170，处理单元170布置在六间隔室中。每间隔室限定处理区段180。应理解，所提到的处理单元和隔室的数量仅为举例之用。例如，沉积设备可包括八间或十间隔室。根据另一实施方式，沉积设备可包括两间或四间隔室。另外，应理解，根据可与本文所述的其他实施方式结合的另一实施方式，可于隔室中提供一个或多个处理单元170。在不同隔室中的处理单元数量可以是相同的。在不同隔室中的处理单元数量可以是不同的。在不同隔室中的处理单元数量可根据想要执行的工艺而调整。在隔室中提供一个或多个处理单元，以于处理区段180中执行工艺，其中处理由处理辊支撑的基板。处理区段可由工艺分隔壁与相邻的处理区段分隔，或与处理腔室110中的其他区域分隔。

根据本文所述的实施方式，不同的处理区段180一般由工艺分隔壁190、190’而彼此分隔。工艺分隔壁190、190’避免一个处理区段的气体进入相邻的区域中，相邻的区域例如是相邻的处理区段。如以下更详细描述的内容，工艺分隔壁190可包括第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分。第一工艺分隔壁部分附接到可移除闭合板。第二工艺分隔壁部分附接到设备100的外壳或后壁。第一工艺分隔壁部分可具有密封件230。在图1中，仅描绘出面对沉积设备的外壳壁的密封件。

处理区域上游的最后工艺分隔壁195和/或处理区域下游的最后工艺分隔壁195可设为刚性地(rigidly)附接到外壳和/或后壁的单件，或可以是真空处理腔室110的外壳的部分。以单件形式提供的刚性附接的最后工艺分隔壁195为操作员提供在处理腔室110的卷绕区域中进行维修的可能性。处理腔室110的卷绕区域可布置在处理区域上方的区域中。根据实施方式，刚性附接的最后工艺分隔壁195可布置在处理滚筒130之上。

根据可与其他实施方式结合的另一实施方式，第一工艺分隔壁部分和另外的第一工艺分隔壁部分可与增强元件200机械连接。所述另外的第一工艺分隔壁部分可以是相邻的第一工艺分隔壁部分。增强元件可附接到两个或更多个第一工艺分隔壁部分。所述第一工艺分隔壁部分可与增强元件200机械连接。如以下更详细描述的内容，包括第一工艺分隔壁部分和增强元件的结构可附接到设备100的可移除闭合板。在可移除闭合板的打开位置中，第一工艺分隔壁部分和增强元件可放置在设备100的真空腔室外。可移除闭合板270并未示出于图1中。增强元件可包括孔，所述孔为真空泵160提供抽空开口。真空泵160可布置在孔的后面，用于抽空隔室或处理区段180。于增强元件200的竖直侧部或柄部之间的间隔或空间可包括处理滚筒130、隔室或处理区段180、处理单元170和/或第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分。

根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，于处理滚筒130下方的工艺分隔壁190’可刚性地附接到沉积设备100的外壳壁或后壁。根据此实施方式，工艺分隔壁190’设为刚性附接到外壳和/或后壁的单件。

根据图1中所示的实施方式，增强元件200可具有L形的横截面。两个L形的增强元件200可面对于彼此的水平侧或柄部。L形增强元件的竖直侧转而远离处理腔室110的侧向壁。L形的增强元件可附接到闭合板，使L形的增强元件布置在工艺分隔壁190’的两侧上，其中工艺分隔壁190’设于处理滚筒130之下。L形的增强元件的两个水平侧或柄部可以平行于工艺分隔壁190’布置。L形的增强元件的水平侧或柄部的端部可远离工艺分隔壁190’布置。L形的增强元件可刚性地附接到闭合板或与闭合板机械连接(未示出于图1)。L形的增强元件可刚性地附接到第一工艺分隔壁部分。附接到第一工艺分隔壁部分的L形增强元件可一同附接到闭合板或闭合凸缘(未示出于图1)。L形的增强元件和第一工艺分隔壁部分可结合成为一个结构。所述结构可作为悬臂构造而附接到闭合板。

应理解，增强元件200并不限于L形的横截面。根据另一实施方式，增强元件200可具有例如是直角的U形横截面。直角U形的增强元件可刚性地附接到闭合板。直角U形的增强元件可进一步刚性附接到第一工艺分隔壁部分。根据此实施方式，工艺分隔壁190’包括第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分。工艺分隔壁190’的第一工艺分隔壁部分可附接到直角U形增强元件的底部。根据下面更详细描述的另一实施方式，增强元件200可设为板。此板状增强元件可刚性附接到两个相邻的第一工艺分隔壁部分。板状增强元件可布置使得板状增强元件连接两个相邻的第一工艺分隔壁部分。板状增强元件可包括孔，来为真空泵160提供抽空开口。真空泵160可布置在这些孔的后面，用于抽空隔室或处理区段180。U形或板状的增强元件与第一工艺分隔壁部分可结合成为一个结构。所述结构可作为悬臂构造而附接到闭合板。

图2A和图2B示出于可移除闭合板(见例如是图3A中的可移除闭合板270)的闭合位置中，图1的沉积设备100的部分。例如是涂覆源的处理单元170可面向处理滚筒130布置。在处理单元170背对处理滚筒130的后面，可布置屏蔽物260，以避免涂层材料沉积于周围的表面上，处理单元170例如是沉积单元。另外的屏蔽物260可附接到第二工艺分隔壁部分220。屏蔽物260避免沉积设备内的元件被来自沉积源的层沉积材料涂覆，或者可以减少沉积设备中的元件的涂覆，所述元件例如是第二工艺分隔壁部分220。在隔室或处理区段180’、180”中，处理单元170可布置而用于沉积材料至柔性基板105上。处理单元170可例如是溅射阴极、具有靶管(target tube)的可旋转阴极、蒸发机、或CVD源(像例如是PECVD源)、微波天线(micro-wave antenna)、或甚至是蚀刻工具。

第一工艺分隔壁部分210可具有增强元件200，增强元件200具有孔250。在增强元件200和孔250的后面，可布置真空泵160，以抽空处理区段180”，例如是选择性地抽空。真空泵160可附接到处理腔室110的外壳壁。具有对应的处理区段180’的相邻隔室可由另外的真空泵排气，另外的真空泵并未示出于图2A和图2B中。处理区段可各以一个或多个真空泵抽空。增加真空泵的数量增强用于抽空处理区段的泵送能力。增强的泵送能力可有助于具有用于较宽基板的增加的涂覆宽度的沉积设备。

根据本文所述的实施方式，工艺分隔壁可分别提供于两隔室之间或于处理区域的相邻处理区段之间。如图2A所示，这些区段可以是处理区段180’和180”。工艺分隔壁由第一工艺分隔壁部分210和第二工艺分隔壁部分220提供。例如在设备的操作时，例如在可移除闭合板的闭合位置中，第一工艺分隔壁部分210和第二工艺分隔壁部分220可与彼此接合。

处理区域的两个相邻区段通过密封件而彼此分隔。可于第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分之间提供密封件。此外，可于第一工艺分隔壁部分和设备100的外壳壁之间提供密封件。设备100的外壳壁可以是处理腔室110的外壳壁。设备100的外壳壁可包括侧向壁和后壁。

图2A示出横截面图，其中于第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分之间提供密封件230，并且于第一工艺分隔壁部分210和处理腔室110的外壳壁之间提供密封件230。密封件230可以是可激活的可充气密封件或垫片。通过对可充气密封件或垫片加压来执行密封件的激活。可充气密封件或垫片可用加压空气或工艺气体充气。将可充气密封件或垫片的内管连接到环境空气可以是足够的。大力压力，即大气压力与抽空的沉积设备内部的工艺压力的压力差可足以对可充气密封件或垫片加压。通过激活密封件或垫片，可以缩小第一工艺分隔壁部分和真空沉积设备的外壳壁之间的剩余距离。为了停用密封件，使可充气密封件或垫片减压。

图2A所示的密封件的部分可以是一个密封件(例如是可充气密封件)的部分，所述一个密封件的部分至少部分地围绕第一工艺分隔壁部分。为了密封第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分之间和/或第一工艺分隔壁部分和设备的外壳之间的接合部分，可加压可充气密封件。有益地，密封件可围绕至少部分的第一工艺分隔壁部分210。因此，在可充气密封件充气时，即加压可充气密封件时，第一工艺分隔壁部分与第二工艺分隔壁部分之间、和于第一工艺分隔壁部分与设备的外壳之间的接合部分被密封。

于第一工艺分隔壁部分和设备的外壳壁之间提供密封件可包括于第一工艺分隔壁部分和处理腔室110的侧向外壳壁与后壁两者之间的密封件。如图3B所示，第一工艺分隔壁部分210可具有沿着两纵向侧的密封件230。第一工艺分隔壁部分210的前面或前侧可具有另外的密封件230。密封件230可设置为至少部分地周向的可充气垫片，所述垫片围绕第一工艺分隔壁部分。密封件230可设置为一个单一的可充气密封件，沿着两纵向侧和前侧至少部分地围绕第一工艺分隔壁部分。可充气密封件230的一端可附接到真空穿通装置340，以将可充气密封件通过密封板传导到大气侧。真空穿通装置340可附接到可移除闭合板270。

如上所述，第一工艺分隔壁部分附接到闭合板。第二工艺分隔壁部分附接到真空腔室的后壁或真空腔室的外壳。因此，即使真空腔室的闭合板处于打开位置，第二工艺分隔壁部分仍留在腔室内。

返回参照图2A，示出第二工艺分隔壁部分220可相对处理滚筒130布置。第二工艺分隔壁部分220可附接到沉积设备100的外壳和/或后壁。第二工艺分隔壁部分可提供以包括T形部分。T形第二工艺分隔壁部分220的第一侧可平行于处理滚筒130定向。T形第二工艺分隔壁部分220和处理滚筒130的曲率可以调整而适于彼此，使曲率限定狭缝或间隙240。T形第二工艺分隔壁部分220的曲率可提供凹表面。处理滚筒的曲率可提供凸表面。T形第二工艺分隔壁部分220和处理滚筒130的曲率可经调整，使曲率具有恒定的距离。于处理滚筒130和第二工艺分隔壁部分220之间的距离限定狭缝或间隙240。狭缝或间隙240可经构造以于相邻之处理区段之间提供1:50之气体分离因子，特别是1:70之气体分离因子，更特别是1:100或甚至更好的气体分离因子。为了达到这样的气体分离因子，间隙240的宽度可调整至4mm或以下，特别是至0.5mm到3mm，更特别是至约2mm。

T形第二工艺分隔壁部分220的第一侧可平行于处理滚筒130定向。T形第二工艺分隔壁部分220的第二侧可以在相应于处理滚筒的旋转轴的径向方向中对准。T形第二工艺分隔壁部分220的第二侧的末端可以是径向地远离处理滚筒130的卷材或肋件。卷材或肋件的端部可提供以包括密封表面。密封表面可具有适于与密封件互相配合的形状，所述密封件提供在第一工艺分隔表面处。此形状可具有U形横截面。U形截面可以是铣出的(milled)槽(groove)或沟(gutter)、伸长的沟槽(furrow)或凹槽(recess)，例如是凹口(notch)。第一工艺分隔壁部分210和第二工艺分隔壁部分220两者的端部可面向彼此。第二工艺分隔壁部分220的U形端部和具有密封件或垫片的第一工艺分隔壁部分210的端部可如同例如是榫槽(tongue and groove)的方式与彼此接合。

图2A进一步示出根据本文所述的实施方式的第一工艺分隔壁部分210。第一工艺分隔壁部分210可布置在第二工艺分隔壁部分220和处理腔室110的外壳壁之间的空间内。第一工艺分隔壁部分210可布置成使得第一工艺分隔壁部分的纵轴平行于处理滚筒130的旋转轴。第一工艺分隔壁部分210可设为直板或平板。根据替代的实施方式，第一工艺分隔壁部分210可设为弯曲或弧形板，具有平行于处理滚筒130的旋转轴的弯曲轴线。通过赋予第一工艺分隔壁部分横截面的形状，可简化接合的第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分之间的相互配合。横截面的形状可适于工艺分隔壁相对于处理滚筒的位置而调整。工艺分隔壁相对于处理滚筒的方位角位置可以极坐标描述。如果水平位置的方位角角度是例如0°或90°，第一工艺分隔壁部分可以是直板或平板。同样适用于竖直位置的方位角的角度为180°或270°的情况。如果位置与方位角角度0°、90°、180°或270°不同，那么调整第一工艺分隔壁部分的横截面可以是有利的。与第二工艺分隔壁部分相互配合的第一端可以在相应于处理滚筒的旋转轴的径向方向中对准。面向处理腔室110的外壳壁的第二端可与水平方向成角度。

在可移除闭合板的闭合位置中，第一工艺分隔壁部分210和第二工艺分隔壁部分220共同提供工艺分隔壁190，工艺分隔壁190将处理区域分成相邻的处理区段180’、180”。利用加压的垫片或密封件230，第一工艺分隔壁部分210和第二工艺分隔壁部分220共同提供工艺分隔壁190，工艺分隔壁190在相邻隔室或处理区段180’、180”之间形成紧密的密封。在隔室内执行的工艺可以是真空处理工艺或涂覆工艺。隔室内的环境气氛可具有例如10^{- 1}mbar以下的低压，特别是10^-2mbar以下的低压，更特别是低于10^-3mbar以下或甚至更低的低压。即使在相邻的隔室中提供不同、不一样的工艺压力水平，所产生的压力差也是如上所述的数量级。

图2A和图2B示出两个替代的实施方式，示出如何连接增强元件200和第一工艺分隔壁部分210。如图2A中所示，两个增强元件200可附接到第一工艺分隔壁部分210。第一增强元件附接到第一工艺分隔壁部分的上侧。第二增强元件附接到第一工艺分隔壁部分的底侧。第一工艺分隔壁部分210的密封件230面向处理腔室110的侧向外壳壁。或者，如图2B所示，单一的增强元件200可附接到第一工艺分隔壁部分210。第一工艺分隔壁部分210的末端止于增强元件200的侧向表面。可于增强元件200和处理腔室110的外壳壁之间提供具有密封件230的单独密封元件235。单独的密封元件235可包括密封支撑件。密封支撑件可具有U形横截面，其中U的开口侧面向处理腔室110的外壳壁。U形横截面可以是槽或沟、伸长的沟槽或凹槽，例如是凹口。此沟槽或凹槽可带有密封件230，例如可充气密封件或可充气垫片。包括密封件230的单独密封元件235可布置在第一工艺分隔壁部分210的延伸方向上。附加地或替代地，单独的密封元件235可具有竖直的偏移。图2B示出密封元件235和具有竖直偏移的密封元件235’两者。

图3A示出根据本文所述的实施方式的包括可移除闭合板270的沉积设备的部分的三维视图。可移除闭合版270可附接到支架(rack)上，以确保安全的移动。带有支架的可移除闭合版270可放置在轨道310上，以使可移除闭合从闭合位置移动到打开位置。可移除闭合版270可具有密封表面，密封表面在可移除闭合板的外边缘处围绕可移除闭合板。在可移除闭合板270的闭合位置，当可移除闭合板压靠着附接到处理腔室110的外壳的密封环时，周围的密封表面提供真空密闭的密封。所示的可移除闭合板270处于从设备100移除的打开位置中。可移除闭合板270可包括处理单元170，第一工艺分隔壁部分210、密封件230和增强元件200，和用于操作真空沉积设备的另外的部件。图3A中所示的结构在打开位置中可在轨道310上移出沉积设备的外壳之外。在打开位置中，若干附接到可移除闭合板的部件是易取得而用于维护的。这些部件可以是处理单元170、第一工艺分隔壁部分210和/或附接到可移除闭合板的另外的部件。

可移除闭合板270具有用于提供处理单元170的开口。开口可由凸缘以真空密闭的方式闭合。用于闭合开口的凸缘可经调整而适于提供于处理区段180中的处理单元170的数量。凸缘可经调整而适于处理单元170的数量和/或种类。可使用用于一个处理单元的合适的凸缘。或者，如图3A所示，可使用用于两个处理单元的另一凸缘。凸缘可进一步经调整而适于处理单元170的种类，即，适于在特定隔室或处理区段中执行的工艺。凸缘可适用于PVD工艺(例如是溅射)的使用、微波CVD沉积工艺或RF CVD沉积工艺的使用，以及适用于蚀刻工艺。可以提供通用的可使用的凸缘，经构造以支撑不同种类的处理单元。应理解，本文所述的沉积设备中执行的工艺可以是层沉积工艺，以及蚀刻工艺和/或热处理工艺。蚀刻工艺可以是对基板和/或已沉积的层有利的前处理或后处理。若干例如是沉积源的处理单元170可附接到可移除闭合板270。所描绘的处理单元的数量是举例性的。本文所述的实施方式不限于所示的处理单元的数量。如果在特定隔室中没有预定的工艺，可移除闭合板270中的个别的开口可由无孔凸缘(blank flange)闭合。通过提供不同的凸缘和/或不同种类的处理单元，沉积设备可灵活地使用于不同的处理应用。

根据可与本文所述的其他实施方式结合的另外的实施方式，第二可移除闭合板可提供于可移除闭合板270的相对侧，以在相对侧上闭合沉积设备的外壳。第二可移除闭合板并未绘制于图中。根据此实施方式，可移除闭合板270包括第一工艺分隔壁部分210。第二可移除闭合板包括用于闭合开口的凸缘。或者，第二可移除闭合板可经构造而作为一个共用的凸缘以闭合所有的开口。处理单元可附接到可移除闭合板中的一个。第一工艺分隔壁部分可附接到可移除闭合板中的另一个。包括第一工艺分隔壁部分210和增强元件200的可移除闭合板270可从处理腔室110移除至第一侧。包括处理单元170的第二可移除闭合板可从处理腔室移除至第二侧。

如图3A所示，第一工艺分隔壁部分210可附接到可移除闭合板270。第一工艺分隔壁部分210的端部分经构造以与第二工艺分隔壁部分220接合，其中第二工艺分隔壁部分220并未绘制于图3A中。第一工艺分隔壁部分210的端部分可经构造以指向径向延伸至处理滚筒的方向。如上所述，第一工艺分隔壁部分210的形状不限于特定的形状。第一工艺分隔壁部分210可设为沿着第一工艺分隔壁的纵向方向具有曲率的板。垂直于第一工艺分隔壁部分210的纵向方向的形状可调整而适于真空腔室内的机械目的或需求。

图3A进一步示出第一工艺分隔壁部分210可附接到增强元件200。增强元件200可经构造以连接两个或更多个第一工艺分隔壁部分210。增强元件200可附接到可移除闭合板270。增强元件和一个或多个第一工艺分隔壁部分可作为一个结构机械地附接在一起。所述结构可提供刚性(stiff)或非柔性(inflexible)的构造。所述刚性或非柔性的构造可附接到可移除闭合板。所述刚性或非柔性的构造可作为悬臂构造而附接到可移除闭合板270。图3A中所示的实施方式示出具有水平和竖直部分的两个增强元件200。于增强元件的竖直部分和水平部分之间的角可进一步通过增强元件(stiffener)280来增强。通过机械附接方式，例如是螺钉附接、铆接或焊接，包括第一工艺分隔壁部分210和增强元件200的结构可提供刚性或非柔性的构造。

包括第一工艺分隔壁部分210和增强元件200的刚性或非柔性的构造可设计成使得刚性或非柔性的构造足够坚固，以进一步支撑处理单元170的第二端。如以上所述，处理单元170的第一端可由凸缘支撑，凸缘可附接到可移除闭合板270。轴承可附接到凸缘，用于支撑处理单元170的第一端。如图3A所示，处理单元170可以是悬臂式安装的处理单元。处理单元可例如是可旋转阴极、微波天线或其他伸长的沉积源。随着悬臂式安装的处理单元的长度增加，增加的弯曲力作用在附接到处理单元170的第一端的轴承上。长度增加的处理单元170可在第二端具有轴承。处理单元的第二端远离闭合板270。为了吸收更长的悬臂式安装的处理单元170的弯曲力，第二端可由轴承支撑，例如是外置轴承330。处理单元170的此类外置轴承330可由轴承板300支撑，轴承板300在图3A中以轴承板的轮廓来绘制。

增强元件200可具有若干孔250，用于抽空具有相应处理区段的个别隔室。孔250的数量不限于图3A的数量；孔的数量可和沉积设备100的长度和/或用于个别处理区段的真空泵的数量相关。孔250可设置于增强元件200的侧向或竖直部分，以及可设于水平底板处。

图3B示出具有附接部件的可移除闭合板270的三维视图。可移除闭合板270可附接到支架325，以确保安全的移动。具有支架325的可移除闭合板270可放置于轨道310上，以使可移除闭合板从闭合位置移动到打开位置。用于操作沉积设备和/或处理单元的介质供应器可放置在如可移除闭合板后面的电缆载体320中。图3B进一步示出真空穿通装置340，用于向可充气密封件或可充气垫片供应压缩空气或气体。至少部分地布置为圆形的另一密封件230’与图4的圆形气体分隔单元350相互配合，以下将更详细地描述圆形气体分隔单元350。另一密封件径向向外延伸的部分与处于可移除闭合板的闭合位置的第二工艺分隔壁部分相互配合。径向布置的密封件和/或至少部分地布置为圆形的另一密封件230’可提供而作为密封唇缘(sealing lips)。密封唇缘通过将密封表面压在密封唇缘上而提供紧密的密封。径向布置的密封件和/或至少部分地布置为圆形的另一密封件230’可提供而作为可充气密封件或可充气垫片。

如上所述，增强元件200的形状不限于图3A所示的L形板。根据图3B所示的实施方式，增强元件200可提供而作为布置在两个相邻的第一工艺分隔壁部分210之间的板。一个第一工艺分隔壁部分和另外的第一工艺分隔壁部分可与增强元件机械连接。包括第一工艺分隔壁部分210和增强元件200之结构可机械地附接在一起，以得到刚性或非柔性的构造。

根据可与本文所述的其他实施方式结合的另一实施方式，包括第一工艺分隔壁部分210和增强元件200的结构可进一步通过额外的增强板290来机械地增强或增强。额外的增强板290可附接到第一工艺分隔壁部分210和增强元件200的前侧。此结构的前侧远离可移除闭合板270。额外的增强板290可以是实心板。额外的增强板290可以是具有孔的板，或可以是如图3B所示的框架状的元件。

额外的增强板290可具有用于支撑轴承的轴承板300。轴承板300可以是额外的增强板290的部分。轴承板300可以是额外的增强板290的区段。轴承板300可作为单独的元件附接到额外的增强板290。根据可与其他实施方式结合的又一实施方式，轴承板300可作为单独的元件而直接附接到第一工艺分隔壁部分210。构造为单独元件的轴承板可以单件形式单侧地附接到第一工艺分隔壁部分210。单件式的轴承板可在悬挂位置中悬臂式安装、直立式固定或附接。

图4示出处理腔室110在沉积设备的打开位置中的三维视图。在可移除闭合板270的打开位置，卷绕系统，尤其是处理滚筒130留在处理腔室110的外壳中。此外，第二工艺分隔壁部分220留在处理腔室110的外壳中。在打开位置中，处理单元和第一工艺分隔壁部分位于处理腔室110的外壳之外。移除处理单元和第一工艺分隔壁部分为操作员提供用于维修通路的空间。

处理腔室110的卷绕区段可布置在处理滚筒130之上的区段中。卷绕系统可包括展延辊、导辊或偏转辊。根据实施方式，处理区域上游和/或处理区域下游的刚性附接的最后一个工艺分隔壁195可布置在处理滚筒130之上。处理区域上游和/或处理区域下游的最后一个工艺分隔壁195可设为单件，所述单件刚性附接到外壳和/或后壁。处理区域上游和/或处理区域下游的最后一个工艺分隔壁可设为单件，所述进一步刚性附接到处理腔室外壳的框架状部分。处理腔室外壳的框架状部分在闭合位置中与可移除闭合板接触。设为单件的刚性附接的最后一个工艺分隔壁为操作员提供在处理腔室110的卷绕区段中进行维护的可能性。

远离后壁390的辊的轴承可由支撑板360支撑。支撑板360可附接到与后壁390相对布置的处理腔室110的框架状的外壳壁。在卷绕系统下方，可布置涂覆辊或处理滚筒130。远离后壁390的处理滚筒130的轴承可由支撑单元380支撑。支撑单元380和支撑板360可以通过连接件370机械连接。支撑单元380可进一步由处理滚筒130下方的工艺分隔壁190’支撑。面向后壁390的辊和涂覆鼓的轴承可附接到后壁。有鉴于上述，辊并且特别是处理滚筒的两端可由外壳的地板或地面支撑，并且特别是通过使用工艺分隔壁190’而由外壳的地板或地面支撑。

根据本文所述的公开内容的替代实施方式，支撑板360、连接件370和支撑单元380可设为一个单件。根据又一实施方式，伸长的支撑单元380可附接到处理腔室110的底壁，并由处理腔室110的底壁支撑。工艺分隔壁190’可附接到此伸长的支撑单元380。在伸长的支撑单元380和工艺分隔壁190’之间，可提供气密密封。

卷对卷沉积设备的处理滚筒绕着轴旋转，以传输柔性基板。在基板传输方向中，气体的分隔由第二工艺分隔壁部分和涂覆滚筒之间的狭缝或间隙提供。由于处理滚筒正在旋转，并且沉积设备面向处理滚筒前侧的腔室壁是静止的，故可于处理滚筒的两端提供另外的气体分隔单元。另外的气体分隔单元防止气体在相邻的处理区段之间的处理滚筒前侧处流动。另外的气体分隔单元分别于旋转的处理滚筒和静止的闭合壁和后壁之间提供密封。另外的气体分隔单元可在处理滚筒的两端处设为圆形气体分隔单元350。提供于处理滚筒130的一端的圆形气体分隔单元350可附接到后壁390。提供于处理滚筒130的相对端的圆形气体分隔单元350可附接到处理滚筒130下方的工艺分隔壁190’。提供于相对端的圆形气体分隔单元350可进一步附接到处理区域上游的最后工艺分隔壁195和/或处理区域下游的最后工艺分隔壁195。圆形气体分隔单元350包括具有曲率的片(sheet)。片的曲率可经调整以适于处理滚筒130的曲率。圆形气体分隔单元350可以布置在接近处理滚筒130的距离处。所述距离限定狭缝或间隙，以于相邻的处理区段之间提供工艺气体气氛的分隔。狭缝或间隙可经构造以于相邻处理区段之间提供1:100或甚至更好的气体分离因子。为了达到这样的气体分离因子，间隙的宽度可调整到1mm到3mm。圆形气体分隔单元350可以附接到或连接到第二工艺分隔壁部分220。

圆形气体分隔单元350在闭合位置中面向可移除闭合板270的边缘提供气密密封，所述气密密封与至少部分地布置成圆形(如图3B所示)的另一密封件230’接触。在可移除闭合板270的闭合位置中，圆形气体分隔单元350的边缘与另一密封件230’接触。此外，第二工艺分隔壁部分方裂口状(rip-like)部分的边缘与径向向外延伸的密封件(如图3B所示)接触。圆形气体分隔单元可静态地布置。第二工艺分隔壁部分的裂口状部分可静态地布置。静态布置的部件在闭合位置中提供与可移除闭合板270接触的密封。圆形气体分隔单元350面向处理滚筒，圆形气体分隔单元与处理滚筒之间具有狭缝或间隙。圆形气体分隔单元350提供相邻处理区段的处理气体气氛的动态分隔。

图5示出根据本文所述实施方式的方法700的流程图，所述方法用于在真空腔室中相邻处理区段之间提供气密工艺分隔壁。气密工艺分隔壁可布置在沉积设备中，用于制造涂覆有包括金属或金属的介电化合物的薄膜或层或层堆叠结构的柔性基板。

根据本公开内容的方面，方法700包括在方框710中，通过以可移除闭合板闭合真空腔室，使第一工艺分隔壁部分移动到真空腔室中。根据本文所述的实施方式，所述方法700进一步包括在方框720中，激活于第一工艺分隔壁部分、第二工艺分隔壁部分和真空腔室的外壳之间的气密密封件。根据实施方式，激活气密密封件通过对可充气垫片加压来执行。

虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设计本公开内容的其他和进一步的实施方式，本公开内容的范围由随附的权利要求书确定。

Claims (16)

1.一种用于处理基板上的薄膜的设备，包括：

真空腔室，包括外壳、后壁和可移除闭合板；

处理滚筒，在所述真空腔室内布置在所述后壁与所述可移除闭合板之间，所述处理滚筒至少部分地被处理区域包围；

第一工艺分隔壁部分，附接到所述可移除闭合板；和

第二工艺分隔壁部分，附接到所述外壳或所述后壁，其中于所述可移除闭合板的闭合位置中，所述第一工艺分隔壁部分和所述第二工艺分隔壁部分共同提供工艺分隔壁，所述工艺分隔壁将所述处理区域分成相邻的处理区段。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述第一工艺分隔壁部分包括密封件，特别是可充气密封件，更特别是至少部分地周向的可充气垫片。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述密封件在所述第一工艺分隔壁部分和所述第二工艺分隔壁部分之间提供密封，特别是其中所述密封件在所述第一工艺分隔壁部分和所述第二工艺分隔壁部分之间和在所述第一工艺分隔壁部分和所述外壳之间提供密封。

4.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第二工艺分隔壁部分与所述处理滚筒保持了预选距离，其中所述第二工艺分隔壁部分距所述处理滚筒的所述距离限定间隙。

5.如权利要求4所述的设备，其中所述间隙经构造以提供相邻处理区段之间的1:100或更好的气体分离因子。

6.如前述权利要求中任一项所述的设备，进一步包括：

至少一个处理单元，其中所述至少一个处理单元附接到所述可移除闭合板。

7.如前述权利要求中任一项所述的设备，进一步包括：

至少一个导辊，其中所述至少一个导辊和所述处理滚筒的面向所述可移除闭合板的端部通过轴承而附接到支撑板，所述支撑板连接到所述外壳。

8.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述真空腔室的所述外壳具有顶壁，所述顶壁具有凹槽，其中在凹槽内提供至少一个真空泵。

9.如前述权利要求中任一项所述的设备，进一步包括另一第一工艺分隔壁部分，其中所述第一工艺分隔壁部分和所述另一第一工艺分隔壁部分与增强元件机械连接。

10.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第一工艺分隔壁部分设有轴承板，所述轴承板支撑所述至少一个处理单元的端部。

11.如前述权利要求中任一项所述的设备，进一步包括：

另一工艺分隔壁，设为刚性地附接到所述外壳或所述后壁的单件。

12.如权利要求11所述的设备，其中所述另一工艺分隔壁是所述处理区域上游的最后一个工艺分隔壁、所述处理区域下游的另一最后一个工艺分隔壁、或支撑所述处理滚筒的工艺分隔壁中的一个。

13.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中在打开位置中，所述可移除闭合板和所述第一工艺分隔壁部分一起移位。

14.一种用于处理基板上的薄膜的设备，包括：

真空腔室，包括外壳、后壁和可移除闭合板；

处理滚筒，在所述真空腔室内布置在所述后壁与所述可移除闭合板之间，所述处理滚筒至少部分地被处理区域包围；

一个或多个第一工艺分隔壁部分，附接到所述可移除闭合板；

一个或多个第二工艺分隔壁部分，附接到所述外壳或所述后壁；和

至少一个处理单元，附接到所述可移除闭合板，其中两个相邻的第一工艺分隔壁部分与增强元件机械连接，并且其中所述一个或多个第一工艺分隔壁部分和所述一个或多个第二工艺分隔壁部分共同提供一个或多个工艺分隔壁，所述一个或多个工艺分隔壁将所述处理区域分成至少两个相邻的处理区段。

15.一种用于在真空腔室中的相邻的处理区段之间提供气密工艺分隔壁的方法，包括：

通过用可移除闭合板将所述真空腔室闭合，使第一工艺分隔壁部分移动到所述真空腔室中；和

激活在所述第一工艺分隔壁部分和第二工艺分隔壁部分之间的气密密封件。

16.根据权利要求15所述的方法，其中激活所述气密密封件通过对可充气垫片加压来执行。