CN108459180A - 用于可磁致动器件的探针卡和包括探针卡的测试系统 - Google Patents

Abstract

一种探针卡装配在用于测试微机电器件的系统中，该微机电器件具有对磁场敏感的元件。探针卡由PCB形成，PCB具有贯通开口以及探针尖端，用于电接触微机电器件。壳体结构被容纳在贯通开口内。壳体结构包括平面外围区域，该平面外围区域包围至少部分地突出且延伸到贯通开口中的座。磁性元件被布置在座中，其中磁性元件被布置以生成测试磁场，该测试磁场用于微机电器件的测试操作。

Description

用于可磁致动器件的探针卡和包括探针卡的测试系统

优先权声明

本申请要求于2017年2月21日提交的专利号102017000019437的意大利申请的优先权，其公开内容在法律允许的最大程度上通过整体引用并入于此。

技术领域

本公开涉及一种用于可磁致动或可电磁致动器件的探针卡，特别是包括可磁致动的振荡元件的MEMS(微机电系统)器件。MEMS器件可以是微镜。本公开还涉及包括探针卡的测试机器或系统。

背景技术

具有使用半导体材料技术制造的微镜结构的微机械器件在本领域中是已知的。

这种微机械器件用于便携式器件，诸如便携式计算机、笔记本电脑、笔记本(包括超薄笔记本电脑)、PDA、平板电脑、智能手机，以及用于光学应用，特别是引导使用所需方法的、由光源生成的辐射光束。

凭借小尺寸，通过这种器件在面积和深度方面可以满足空间占用的严格要求。

微镜器件通常包括悬挂在腔上方的镜元件，并且由半导体材料体制成，以便例如通过滚动和倾斜移动可移动。

镜元件的旋转借助于目前为静电、电磁或压电类型的致动系统来控制。

认识到对这些MEMS器件的操作执行测试的需要；然而，目前已知用于测试磁或电磁致动的MEMS器件的系统受到用于测试的磁场发生器和测试机的电子电路(晶片探测器和测试仪)之间的电磁干扰现象的限制。此外，由于难以在这种系统内集成磁场发生器，在制造可用于这种系统中的探针卡中也遇到了问题。

因此，本领域需要一种用于可磁致动或可电磁致动器件的探针卡，以及包括适于克服上述困难和限制的探针卡的测试系统。

发明内容

在一个实施例中，适于装配在用于测试可磁致动器件的系统中的探针卡包括：集成电路板，具有在该探针卡的探头尖端处的第一贯通开口；壳体结构，包括平面区域，该平面区域包围一个或多个座，该一个或多个座从平面区域突出并且至少部分地延伸通过第一贯通开口；以及被布置在壳体结构的相应座中的一个或多个磁性元件，该一个或多个磁性元件被配置为生成测试磁场，该测试磁场被配置为在器件的测试阶段期间磁性地致动该器件。

在一个实施例中，测试系统包括：卡盘，用于支撑半导体材料的晶片，该卡盘包括可磁致动器件，如前段所讨论的探针卡；晶片探测器，被机械地耦合到探针卡，被配置以移动卡盘，以便使该器件的选定部分与探针卡的相应探针尖端电耦合；以及数据处理电路，被电耦合到探针卡，被配置以借助于探针卡将电测试信号馈送到器件，并且对在设备的磁致动期间、从器件经由探针卡处理接收到的响应信号进行处理。

附图说明

为了更好地理解本发明，现在参考附图，仅通过非限制性示例来描述本发明的优选实施例，其中：

图1是具有磁致动的MEMS器件，特别是微镜的俯视示意图；

图2和图3分别是从包括图1的微镜器件的系统的侧视图和俯视图；

图4A和图4B是图1的MEMS器件的测试系统的相应实施例；

图5A至图5D示出了用于容纳磁体的相应结构，该磁体适于生成测试磁场并且可以用于图4A或图4B的测试系统中；

图6示出了根据本公开的一个实施例的图5A至图5D所示的用于壳体结构的支撑和容纳模块；

图7A和图7B分别是图6的支撑和容纳模块的俯视图和侧视截面图；

图8示出了包括图6的支撑和容纳模块的探针卡的分解透视图；

图9示出了根据本公开的另一实施例的图5A至图5D所示的用于壳体结构的支撑和容纳模块；以及

图10A和图10B示出了根据本公开的另一实施例的磁体壳体结构。

具体实施方式

图1示出了微机电系统(MEMS)器件10，在这种情况下为微镜，该器件10包括固定结构41和悬挂结构42。悬挂结构42延伸到腔43的内部，该腔43在外部由固定结构41界定。固定结构41包括在腔43和悬挂结构42下方延伸的衬底(不可见)。以未示出的并且与MEMS结构共同的方式，使用已知的半导体处理技术(例如挖掘、生长、沉积和/或选择性去除)，以本身已知的方式从半导体材料(例如硅)的裸片44中获得固定结构41、悬挂结构42和腔43。

悬挂结构42包括可定向结构45，该可定向结构45经由第一对臂或扭转弹簧46由可围绕可定向结构45的框架48承载并悬挂。就此而言，框架48经由第二对臂或扭转弹簧49由固定结构41承载。

第一臂46具有直线形状，它们沿着第一旋转轴线A延伸，并且它们被配置为以便允许可定向结构45围绕该第一旋转轴线A旋转。

第二臂49具有卷绕形状并且被配置为以便允许框架48主要围绕第二旋转轴线B旋转。

第二臂49各自具有第一端49A和第二端49B，该第一端49A被连接到框架48，该第二端49B被锚定到固定结构41并且被电耦合到接触垫25。第二臂49的第一端和第二端相对于第二轴线B偏移。详细地，第二臂49的第一端49A被布置在第二旋转轴线B的相同的第一侧，并且第二臂49的第二端49B被布置在第二旋转轴线B的相同的第二侧。另外，第二臂49相对于相同的第二轴线B被布置成整体平衡的方式，使得悬挂结构42的质心至少与第一轴线A和第二轴线B之间的交点近似重合。MEMS器件10也相对于第一旋转轴线A整体对称。

在所示的实施例中，可定向结构45的移动通过电磁致动，经由致动结构47发生，该致动结构47包括线圈65(为简单起见，图1中仅示出了初始部分65A和末端部分65B)和磁性结构。特别地，在所示的示例中，框架48具有环形形状，一般地为成对地与旋转轴线A、B平行地限定四个侧面的矩形。线圈65在框架48的上方延伸，其中线圈65在初始部分65A和末端部分65B之间形成至少一个转弯，优选地为多个转弯。磁性结构可以由磁性元件组成，例如在裸片44的外部。特别地，磁性元件和裸片44之间的相互布置诸如生成相对于轴线A、B大约成45°的倾斜的磁场，以便能够在轴线A、B上进行致动。

例如，图2和图3示出了可能的布置，其中磁性元件80表现出第一磁极81和第二磁极82，第一磁极81和第二磁极82相互间隔并且由支撑件83(例如具有铁磁或非磁性材料)保持。图1的裸片44由相同的支撑件83保持在磁极81、82之间，并且被布置成相对于由磁性元件80生成的磁场B的方向成45°，特别是在图3中可以看出。

通过所描述的解决方案，通过以预设频率提供交变电流，可以实现可定向结构围绕两个轴线A、B的旋转。特别地，通过同时向线圈65提供适当振幅和不同频率的两个电流，这两个电流中的一个电流的频率接近共振频率，通过感应来生成磁场，该磁场使框架48围绕第二轴线B旋转并且使可定向结构45围绕第一轴线A旋转。

详细地，通过以第一频率f1(例如，诸如60Hz的低频)和第一振幅(例如100mA)向线圈65提供交变电流，这使框架48与可定向结构45(“滚动”移动)同相位地以期望值(和频率f1)围绕第二旋转轴线旋转。通过同时以高于第一频率并且接近共振频率(例如，20kHz)的第二频率f2并且以第二振幅向线圈65提供例如100mA的交变电流，该电流使框架48围绕第一旋转轴线A的微小旋转；这样的微小旋转通过可定向结构45的共振而被放大，并且还由于第一弹簧46的特性，实现可定向结构45围绕第一旋转轴线A以期望值和频率f2旋转(可定向结构45的“共振移动”，也称为悬挂结构42的“倾斜”移动)。

借助于适当的传感器(例如压敏电阻型)，利用由第二臂49上的每个旋转引起的各种应力，来检测和区分框架48围绕旋转轴线A、B的旋转。

在一个实施例中，上述传感器各自包括两个压敏电阻器，这两个压敏电阻器彼此耦合以形成相应的第一惠斯通半桥结构和第二惠斯通半桥结构。特别地，每个半桥的两个压敏电阻器被布置成相对于第二旋转轴线B成±45°。压敏电阻器例如被制造成硅层内部的注入或扩散区域(例如，N型区域)，该硅层形成悬浮结构42和固定结构41的顶部。

接触衬垫30a和30b形成用于偏置第一半桥的电接入点，并且接触衬垫30c形成用于第一半桥的输出信号的拾取点(相对于地或地面、参考，这也可经由相应的衬垫进行访问)。

接触衬垫31a和31b形成用于偏置第二半桥的电接入点，并且接触衬垫31c形成用于第二半桥的输出信号的拾取点(相对于地或地面、参考，这也可经由相应的衬垫进行访问)。

可以通过对来自每个半桥的输出信号的分析来确定滚动和倾斜移动(这不是本发明的目的)。

认识到为了检查MEMS器件10在预定操作条件下的行为而需要实施用于测试MEMS器件10的步骤。通常，测试在中间制造阶段期间被执行，特别是在裸片44的切割或“分割”步骤之前。因此，在这种情况下，多个MEMS器件10被彼此相邻地布置在晶片上，使得以类似于图2和图3所示的方式(涉及在MEMS器件的使用期间施加的配置)使用提供用于部分地包围被测MEMS器件的磁性元件的测试配置是不切实际的。

图4A示出了用于测试晶片90中的MEMS器件10的系统100的示意性侧视截面图。

以本身已知的方式，将晶片90布置在测试机104(包括示意性示出的晶片探针104a以及控制和读取电子器件104b)的保持器件102(称为“卡盘”)上。对于这里描述的应用，卡盘102具有非磁性材料是合适的。

测试机104，特别是晶片探测器104a，实现了晶片90的加载特征及其移动特征，以便对准MEMS器件10，该MEMS器件10期望使用测试仪器或探针卡106来测试，该探针卡106设置有适于电接触晶片90上的相应导电衬垫的探针尖端108。为此，测试机器104配备有自动对准系统(例如，具有光学类型)，该自动对准系统被配置为以足够的精度对准晶片90以确保探针尖端108与晶片90上的导电枕垫之间的期望的电耦合。对准系统具有本身已知的类型而不是本公开的主题，在此不再赘述。

探针卡106在测试机104和晶片90之间形成接口。通常，探针卡106被机械耦合到晶片探测器104a并且被电耦合到控制和读取电子器件104b。探针卡106的功能是在测试系统和晶片90上的电路(接触衬垫)之间提供电路径。通常，探针卡106包括集成电路板(PCB)112，该集成电路板(PCB)112借助于承载结构113来承载探针尖端108。

根据本公开的一个方面，集成电路板112具有开口，特别是贯通开口114。至少部分地在贯通开口114中布置有设置有壳体116，该壳体116设置有一个或多个座118，该一个或多个座118适于容纳至少一个磁性元件120，该磁性元件120适于在被测MEMS器件10处生成具有场线的磁场B_test，该磁场B_test与被测MEMS器件10的线圈65所在的平面共面。特别地，磁性元件120是带有北极(输出磁场)和南极(进入磁场)的永磁体。

因此，在被测试的MEMS器件10处，可以模拟存在类似于由图2的磁性元件80生成的磁场B的磁场。盖122在壳体116的上方延伸，其目的是鼓励磁体120被保持在相应的座118的内部的相应位置。在一个实施例中，盖122由非磁性材料制成，或者优选地由适合于约束探针卡处的磁场B_test的铁磁材料制成。另一“μ-金属”(也称为“mu金属”)的层，即具有高磁导率的金属合金(例如镍-铁合金)，可选地在盖122上方延伸，特别是当后者具有塑料或非磁性材料时。

备选地，在另一实施例中，盖122本身由具有高磁导率的金属合金(例如镍-铁合金)或“μ-金属”制成。

根据图4B所示的实施例，壳体116具有至少三个座或者其中插入有三个相应的磁体120a-120c的壳体118；磁体120a-120c根据海尔贝克(Halbach)配置、或者以空间结构而被相互布置，使得磁场B_test在被测试的MEMS器件10处具有更高的强度，而在控制和读取电子器件104b处具有较低的强度。因此，由磁体120a-120c生成的磁场不会显著干扰控制和读取电子器件104b的电路。

海尔贝克矢量或矩阵在现有技术中是已知的，并且可以包括三个或更多磁体。图5A至图5D以三轴参考系X、Y、Z的透视图示出了相应的壳体116各自包括安置相应磁体的多个座118。

如图中可以看到的，每个壳体116都呈现包围座118的框架部分116a；座椅118从框架部分116a突出或延伸。总体来看，每个壳体116的座118都具有矢量或矩阵形式。

因此，以矢量/矩阵组织的磁体被定向成以便以本身已知的方式形成相应的海尔贝克矢量/矩阵。具体地，参照图5A，矢量124A被形成为包括第一磁体120a，该第一磁体120a的北极被定向成在Z轴线的正方向上；在第一磁体120a旁边的第二磁体120b，该第二磁体120b的被定向成在与Z轴线正交的X轴线的正方向上；以及在第二磁体120b旁边的第三磁体，该第三磁体的北极被定向成在Z轴的负方向上。

由此生成的磁场B_test沿矢量124A的一个面125'(图中的底侧)被加强，并且同时通过相对面125”(图中的顶侧)处的相消干涉而被抵消(或更确切地说，强度被降低)。

根据另一实施例，可以如图5B所示形成矢量124B(使用相同的参考标记来标识与图5A中的那些元件相同的元件)，其中四个磁体120a-120d被彼此相邻地布置在X方向上。第一磁体120a被定向成其北极在Z轴线的正方向(图中向上)上；矢量中最后的磁体120c被定向成其北极在Z轴线的负方向(图中向下)上；被布置在磁体120a和磁体120c之间的磁体120b、120d，磁体120b、120d的北极被定向在与Z轴线正交的X轴线的正方向上。

通常，可以在磁体120a和磁体120c之间布置任何数目的磁体，这些磁体被定向成与磁体120b和120d相同。

图5C示出了设置有形成矩阵124C的十六个座118的壳体116，每个座安置相应的磁体；壳体116的座118被组织成4×4矩阵，设置相应的磁体，以便沿X轴线复制图5B所示的配置。

备选地，在图5D中，图5C的矩阵的磁体可以根据马蹄形形状配置来布置，其中这些磁体的极性交替倒置。

在不脱离本公开的范围情况下，包括与图5A、图5D所示不同的多个座118或者不同的磁体布置的其他配置是可能的。特别地，如前所述，通过可以提供单个磁体120(图4A)的使用来放弃海尔贝克配置。

发明人已经证实，将设置有至少一个磁体120的壳体116布置在PCB 112的贯通开口114内部，或者类似地将壳体116布置在PCB 112的贯通开口114内部，然后插入至少一个磁体120，这是需要精度并且也不实用的复杂操作。

因此，根据本公开的一个方面，提供了用于之前描述的壳体116中的一个壳体116(例如，图4A至图4B所示的壳体116)，或者，根据相应实施例，用于图5A至图5D所示的壳体中的一个壳体的支撑模块。

图6以分解试图的方式图示出了根据本公开的一个方面的支撑模块150，该支撑模块150可以用以支撑和/或容纳壳体116。为此，支撑模块150包括框架结构152，这里的框架结构152是四边形形状，特别是矩形，具有底面152a、侧壁152b和另一侧壁152c，该侧壁152b垂直于底面152a，彼此相对地在底面152a的侧上延伸，该另一侧壁152c垂直于底面152a，在底面152a的第三侧处延伸，该另一侧壁152c连接侧壁152b。因此，侧壁152b、152c在三侧包围底面152a。侧壁152b表现出相应的轨道或引导件154，其中滑动件156运行用作框架结构152的盖。引导件154特别地由侧壁152b中的凹部形成。

滑动件156设置有锥形的外围区域，其被配置为插入引导件154的凹部中并在该凹部中滑动。因此，滑动件156可在两个极限位置(即，完全关闭位置和完全打开位置)之间移动。在完全关闭位置，滑动件156抵靠侧壁152c(行程结束位置)。

框架结构152通过底面152a呈现贯通开口158，该贯通开口158被配置成允许壳体116的座118穿过。壳体116的框架部分116a形成壳体116的承载区域，该承载区域相对于贯通开口158横向地置于底面152a上，而座118延伸通过贯通开口158。

在使用时，使滑动件156完全打开位置；然后如前所述，壳体116被定位在框架结构152的内部；然后将磁铁插入相应的座椅118中；最后，使滑动件156进入完全关闭位置。因此，获得图7的结构。注意到，插入磁体120并且关闭滑动件156可以被实施，使得滑动件逐渐覆盖被插入座118中的磁体，以便防止已经插入座118中的磁体由于相互排斥而从中脱出。

磁体被布置在支撑模块150内部的安全位置，这防止它们脱出。然后，支撑模块150可被机械耦合到探针卡106，以这样的方式，使得座118被插入到集成电路板112的贯通开口114内部。为了确保探针卡和支撑模块150之间的可靠耦合，可以提供各种类型的附接装置，诸如例如螺钉，螺钉可以通过被设置在框架结构152中的贯通开口159而被拧到PCB。

图7A在俯视图中示出了支撑模块150，该支撑模块150具有被插入的壳体116、被布置在每个相应的座118内部的磁体120以及处于完全关闭位置的滑动件156。图7B是沿着图7A的截面线VII-VII截取的支撑模块150的垂直截面。

仅通过示例和以本公开的非限制性方式，现在提供了图7A和图7B的支撑模块150和壳体116的几个尺寸。

特别地，框架结构152的较长侧152b的长度d1在约6cm和10cm之间；框架结构152的较短顶侧152c的长度d2在3cm和6cm之间；由四个座118(具有小于或等于贯通开口158和114的值)形成的矩阵的长度d3在约2和3cm之间。在这种情况下，四边形形状的每个座118具有在4.2-5.2mm之间的底面，以安置具有4mm和5mm之间的底面的立方体磁体。参考图7B，支撑模块150的深度t1在5和10cm之间，而座118从壳体116的框架部分116a突出4和5mm之间的值t2。

支撑模块150、壳体116和滑动件156由非磁性材料制成，例如塑料材料。取决于使用它们的环境，可以选择最适当的材料，例如根据这种材料如何耐受高温。

图8是分解图，其示出了借助于螺钉162与探针卡106机械耦合期间的图7A的支撑模块150。如图8所示，探针卡106在其顶面106'的一面呈现先前描述的贯通开口114，该贯通开口114适于允许由先前描述的支撑模块150承载的壳体116的座118的插入。在图8中以俯视图示出了探针卡106；探针尖端108处于探针卡106的底部(图中不可见)。

根据本公开的一个实施例，探针卡106、壳体116和支撑模块150在它们之间被耦合成使得安置在座118中的磁体在被测试的MEMS器件10(在该特定情况下，为图1中的微镜)处生成磁场，该磁场相对于轴线A、B以大约45°倾斜，以使得在两个轴线A、B上都可以进行致动。因此，生成的测试磁场B_test完全类似于当在使用时由图2和图3中的磁性元件80生成的磁场B。

很清楚，对于各种类型的测试器件，测试磁场B_test的定向以及探针卡106、壳体116和支撑模块150的相互空间布置可以不同并且可以根据需要来选择。

图6的实施例提供了支撑模块150的使用，该支撑模块设置有底面152a，该底面152a的厚度有助于增大磁体120和被测试的器件10之间的距离，从而减小在被测试的器件10的水平面处存在的磁场的强度。

为了克服这个可能的不足，支撑模块可以没有底面，如图9所示。图9的支撑模块151类似于支撑模块150(共同的元件用相同的参考标记标识，并且不再赘述)。然而，支撑模块151没有底面，并且因此在壳体116被插入之前，该支撑模块151被安装并固定在探针卡106上。因此，壳体116直接承载在探针卡106的面106'上。这种没有底面的支撑模块151具有支撑和将滑动件156保持在适当位置的功能，如已经解释的那样，滑动件156用作磁体120的防护盖，防止它们从相应的座中脱出。

然而，支撑模块151没有底面的事实意味着必须在磁体120被插入之前并且在滑动件156被完全关闭之前将支撑模块151安装在探针卡106上。这可能产生缺点，或者在用不同类型的壳体116(例如，具有不同数量的座椅118的壳体)来替换壳体116的阶段期间是不切实际的。实际上，为了防止磁体120从它们的座中脱出并落入其中装配有探针卡的测试机中，申请人已经证实，优选地，仅拆卸整个探针卡以改变壳体116。因此，壳体116的替换可以在安全的环境中进行，在该环境中磁体不会丢失。然而，这种操作会导致时间的流失，这并不是不相关的。

为了克服上述不足，根据本公开提出了用于磁体120的支撑模块和壳体的另一实施例。

特别地，图10A示出了设置有类似于参考壳体116所描述的座118的壳体170，并且因此由相同的参考标记标识。特别地，座118可以根据前述配置中的任一中配置来组织，例如参考图5A至图5D，或根据其他模式和布局来组织。

由于存在在壳体170的相对侧上延伸的引导件172，并且限定了用于插入类似于先前描述的滑动件156的滑动件174(图10B所示)的路径，壳体170与壳体116不同。引导件172以与先前描述的引导件154类似的方式模制，并且限定用于滑动件174的稳定的座，使得当使用时，该滑动件174不会从引导件172脱出。

图10B示出了设置有滑动件174的壳体170。滑动件174的插入和移除是通过在引导件172中分别沿一个方向和沿相反方向滑动后者而进行的。

如图10B所示，在一个实施例中，滑动件174具有四边形形状，其中两个较长的侧174a、174b彼此平行，适于被插入引导件172中并且限定用于滑动件174的相应的座；以及与相对侧174d不平行的一个较短的侧174c。特别地，通过使侧174a具有比侧174b更短的长度来获得该配置。侧174c是滑动件174首先插入引导件172的座中的一侧。因此，当磁体120被插入到座118中时，同时使滑动件174在引导件172中滑动，即使在被定向成如图10A、图10B中的矩阵配置的情况下，即，以生成相对于被测试的微镜的轴线A、B倾斜45°的场，也一次一个相继地覆盖座118(根据前述的各实施例)。

可选地，为了促进滑动件174的滑动，对于由操作者手动执行其打开和关闭的情况，可以以图中未示出的方式，在滑动件174上产生适当的凹槽/凹陷/凸块。

因此，装配有滑动件174的壳体170可以在没有底面的情况下，被插入前述的支撑模块151中(即，在借助于滑动件156从顶部关闭的框架结构152中)，并且被机械地耦合到探针卡106。

由于具有滑动件174的壳体170形成单独的模块化元件，所以即使当支撑模块151被装配在探针卡106上时，也可以根据需要将壳体170插入支撑模块151或者从支撑模块151中去除。特别地，在该情况下，因为通过滑动件174的存在防止了磁铁120脱出，所以不需要预先去除探针卡106。

显而易见的是，如果需要，具有滑动件174的壳体170也可以被插入图6的支撑模块150中。

最后，显而易见的是，在不脱离本发明的保护范围的情况下，可以对本文所描述和示出的本发明进行修改和改变，该范围在所附权利要求中限定。

例如，根据各种实施例描述的磁体(例如，磁体120或磁体120a-120d等)可以借助于一层胶水或被形成在各个座118中的另一粘合剂材料而被固定在相应的壳体中。因此，克服了涉及当滑动件156正被从框架结构152中去除或正被插入框架结构152中时磁体的无序移位的不足。

此外，显而易见的是，可以根据需要并以本身显而易见的方式对参考支撑模块150、滑动件156、壳体116和座118所描述的形状和尺寸进行修改。类似地，甚至可以通过修改壳体170和/或滑动件174的形状，以明显的方式修改壳体170的实施例。

此外，以矢量或矩阵组织的座椅118的数目可以不同于图5A至图5D所示的数目；例如，他们可以被组织以形成3×3矩阵(总共9个座118)或5×5矩阵(总共25个座118)等等。

在各种实施例中，上述本发明也可应用于与微镜不同的MEMS器件，例如设置有可电磁操作的悬挂结构的通用MEMS器件。此外，根据本公开的本发明可以用于没有悬挂结构、但是在测试阶段期间需要磁场的测试器件(例如，在磁力计的情况下)。

Claims (15)

1.一种在用于测试可磁致动器件的系统中使用的探针卡，包括：

集成电路板，具有在所述探针卡的探针尖端处的第一贯通开口；

壳体结构，包括平面区域，所述平面区域包围至少一个座，所述至少一个座从所述平面区域突出并且至少部分地延伸通过所述第一贯通开口；以及

磁性元件，被布置在所述壳体结构的每个座中，所包括的所述磁性元件被配置成生成测试磁场，所述测试磁场用于在可磁致动器件的测试阶段期间磁致动所述可磁致动器件。

2.根据权利要求1所述的探针卡，其中所述至少一个座包括至少三个座，其中所述至少三个座彼此相邻地延伸，并且其中每个座安置相应的磁性元件，所包括的所述磁性元件被相互布置以便生成磁场，所述磁场在所述可磁致动器件的方向上具有第一强度，并在相反方向上具有低于所述第一强度的第二强度。

3.根据权利要求2所述的探针卡，其中所包括的所述磁性元件被相互布置以形成海尔贝克阵列。

4.根据权利要求1所述的探针卡，还包括铁磁材料的盖，所述铁磁材料的盖被布置在所述至少一个座上以及在所述至少一个座内的所述磁性元件上。

5.根据权利要求1所述的探针卡，还包括：

非磁性材料的盖，被布置在所述至少一个座上以及在所述至少一个座内的所述磁性元件上；以及

μ-金属的屏蔽层，在所述盖的上方延伸。

6.根据权利要求1所述的探针卡，还包括：

支撑结构，展示出第二贯通开口和至少部分包围所述第二贯通开口的侧壁，所述侧壁被设置有相应的第一引导件；以及

第一滑动件，被配置为在所述第一引导件中滑动，

其中所述一个或多个座延伸通过所述第二贯通开口。

7.根据权利要求6所述的探针卡，其中所述支撑结构具有被所述侧壁包围的底侧，并且其中所述壳体结构的所述平面区域在所述底侧和所述第一滑动件之间延伸，所述第二贯通孔延伸通过所述底侧。

8.根据权利要求6所述的探针卡，其中所述第一引导件由所述侧壁中的相应的凹部形成，所述第一滑动件具有锥形的外围区域，所述外围区域被配置为在所述凹部中滑动。

9.根据权利要求1所述的探针卡，其中所述壳体结构包括：

第二引导件，沿与所述至少一个座延伸的方向相反的方向从所述平面区域突出，

第二滑动件，被配置为在所述第二引导件中滑动，以便覆盖以及备选地不覆盖所述至少一个座。

10.根据权利要求9所述的探针卡，其中所述至少一个座包括至少九个座，所述至少九个座被彼此相邻地相互布置以形成3x3矩阵结构，所述第二滑动件在所述关闭操作期间、以每次覆盖所述至少九个座中的一个座的方式而被模制。

11.根据权利要求1所述的探针卡，其中所述可磁致动器件包括磁致动悬挂结构，所述磁致动悬挂结构可围绕第一旋转轴线和第二旋转轴线移动，并且其中所述至少一个座是多个座，

所述可磁致动器件、所述集成电路板和所述壳体结构被相互布置成，使所述测试磁场被定向成相对于所述可磁致动器件的所述悬挂结构的所述第一旋转轴线和所述第二旋转轴线成大约45°。

12.一种测试系统，包括：

卡盘，被布置成支撑半导体材料的晶片，所述晶片包括可磁致动器件；

探针卡；

晶片探针，被机械地耦合到所述探针卡，所述晶片探针被配置为移动所述卡盘，以使所述可磁致动器件的选定部分与所述探针卡的相应探针尖端电耦合；以及

数据处理电路，被电耦合到所述探针卡，所述数据处理电路被配置为借助于所述探针卡来将电测试信号馈送到所述可磁致动器件，并且对在所述可磁致动器件的磁致动期间、经由所述探针卡而从所述可磁致动器件接收的响应信号进行处理；

其中所述探针卡包括：

集成电路板，具有在所述探针卡的探针尖端处的第一贯通开口；

壳体结构，包括平面区域，所述平面区域包围至少一个座，所述至少一个座从所述平面区域突出并且至少部分地延伸通过所述第一贯通开口；以及

磁性元件，被包括在每个座内，所包括的所述磁性元件被配置为生成测试磁场，所述测试磁场用于在所述可磁致动器件的测试阶段期间磁致动所述可磁致动器件。

13.根据权利要求12所述的测试系统，其中所述探针卡在空间上被布置在所述晶片和所述数据处理电路之间。

14.一种在用于测试可磁致动器件的系统中使用的探针卡，包括：

集成电路板，具有在第一表面和第二表面之间延伸的贯通开口；

探针尖端，从所述集成电路板的第一表面延伸并且被配置为与所述可磁致动器件的衬垫进行电连接；

壳体结构，包括从所述第二表面插入所述贯通开口的部分，所述壳体结构的所述部分包括多个座；以及

多个磁性元件，每个磁性元件被布置在所述壳体结构的相应的座中，所述多个磁性元件在所述座中被定向以生成磁场，所述磁场在所述可磁致动器件的方向上具有第一强度，并在相反方向上具有低于所述第一强度的第二强度，所述磁场被配置成在所述可磁致动器件的测试阶段期间磁致动所述可磁致动器件。

15.根据权利要求14所述的探针卡，其中所述多个磁性元件被相互布置以形成海尔贝克阵列。