CN108450291A - 一种兜兰培植基质及其制备方法和应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种兜兰培植基质，所述基质包括以下重量份原料：蛭石9～13份、干燥松树皮2～6份、硼肥3～6份、NPK混合肥8～15份、腐殖土25～35份、干燥松树锯末8～15份、碳酸钙粉5～7份、蔗糖3～7份、硫酸铝1～3份。本发明还公开了该种培植基质的制备方法及采用此基质的兜兰分株繁殖方法和播种繁殖方法，两种繁殖方法与栽培基质相得益彰，有效提高兜兰的栽培存活率和平均长势，兜兰分株繁殖的培植周期缩短13％，存活率提高8％；兜兰播种繁殖的培植周期缩短11％，存活率提高6.9％。

Description

一种兜兰培植基质及其制备方法和应用

技术领域

本发明涉及兜兰花卉培植技术领域，具体涉及一种兜兰培植基质及其制备方法和应用。

背景技术

兜兰，又称拖鞋兰，兰科多年生草本。多数为地生种，杂交品种较多。是栽培最普及的洋兰之一。主要分布亚洲热带和亚热带林下，茎甚短；叶片带形或长圆状披针形，绿色或带有红褐色斑纹。花十分奇特，唇瓣呈口袋形；背萼极发达，有各种艳丽的花纹；两片侧萼合生在一起；花瓣较厚，花期较长，有的可开放6周以上，并且四季都有开花的种类。

兜兰科植被喜温暖、湿润和半阴的环境，怕强光暴晒。绿叶品种生长适温为12～18℃，斑叶品种生长适温为15～25℃，能忍受的最高温度约30℃，越冬温度应在10～5℃左右为宜。

兜兰的大多数种为地生植物，少数附生于岩石或树木上，植株矮小而花大奇特，最适宜盆栽，是世界上栽培最早最普及的兰花之一。兜兰是生长在热带及亚热带林下的多年生草本植物，生于腐殖土上，少数为附生种。

现有的兜兰栽培技术主要包括播种繁殖、分株繁殖、无菌繁殖。但兜兰长势不均，周期太长，死亡率高。

发明内容

为了解决上述问题，提高兜兰的种植存活率，缩短栽培周期，提升兜兰的整体长势，本发明提供了一种兜兰培植基质及其制备方法及应用。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种兜兰培植基质，包括以下重量份原料：

蛭石9～13份、干燥松树皮2～6份、硼肥3～6份、NPK混合肥8～15份、腐殖土25～35份、干燥松树锯末8～15份、碳酸钙粉5～7份、蔗糖3～7份、硫酸铝1～3份。

优选的，包括以下重量份原料：

蛭石10～13份、干燥松树皮4～6份、硼肥4～6份、NPK混合肥11～15份、腐殖土30～35份、干燥松树锯末12～15份、碳酸钙粉5～7份、蔗糖3～5份、硫酸铝1～3份。

优选的，包括以下重量份原料：

蛭石13份、干燥松树皮6份、硼肥6份、NPK混合肥15份、腐殖土35份、干燥松树锯末15份、碳酸钙粉7份、蔗糖5份、硫酸铝3份。

优选的，所述NPK混合肥的混合比例为5:4:1。

一种兜兰培植基质的制备方法，包括以下步骤：

a、除去硫酸铝外，分别称取所需份的原料，无菌实验室中采用800～1000倍的多菌灵稀释液分别喷洒各原料，喷洒程度为原料表面湿润为止，喷洒结束后置于无菌实验室中保存备用；所述干燥松树皮在喷洒多菌灵稀释液之前切割成5×3cm的片状；

b、称取所需重量份的NPK混合肥、硼肥溶于无菌水中，配制成1000～1500倍的NPK混合肥稀释液，稀释液中加入所需重量份的硫酸铝搅拌溶解，制得混合液I备用；

c、称取所需重量份的蔗糖、腐殖土、腐殖质、草木灰、1/2的蛭石、干燥松树锯末置于搅拌机中，搅拌速度1350～1650r/min，搅拌均匀后在无菌环境下加入上述备用混合液I继续混合搅拌25～30min，制得混合培养基H备用；所述搅拌机在使用前先用800～1000倍的多菌灵稀释液喷洒，密封消毒5min；

d、在花盆底部放置剩余的1/2蛭石，上方放置1/3的干燥松树皮，松树皮上放置1/3的混合培养基H；再放置1/3的干燥松树皮，松树皮上放置1/3的混合培养基H；最后放置剩余的1/3的干燥松树皮，松树皮颗粒上放置剩余的1/3的混合培养基H，制得培植基质G备用；

e、将上述备用培植基质置于空气畅通的温室中预处理24～36h，所述温室温度为15～20℃，湿度80～85％。

优选的，所述培植基质G在温室预处理前采用800～1000倍的多菌灵稀释液喷洒消毒一次。

优选的，在培植基质G上采用分株繁殖的方式培植兜兰的方法如下：

将培植基质G中部轻轻采挖出，挖至看到第二层干燥松树皮为止，将兜兰植株陪栽在基质中，将挖出基质覆盖兜兰植株根部，并将基质连同兜兰植株置于温度15～20℃，湿度80～85％的空气畅通的温室中培育20～25d。

优选的，在培植基质G上采用播种繁殖的方式培植兜兰的方法如下：

将培植基质G中部轻轻采挖出，挖至看到第一层干燥松树皮为止，移开第一层干燥松树皮，将兜兰胚胎种芽移植到第二层基质表层，将挖出基质轻轻压盖种芽根部，多余基质摊放四周，并将基质连同兜兰种芽置于温度15～18℃，湿度80～85％的空气畅通的温室中培育45～60d。

优选的，其特征在于，所述培植过程在温度15～20℃的无菌温室下进行，并在温室培育过程中设置两层遮阳网，每层遮阳网遮挡40％的阳光。

在本发明提供的技术方案中：所述培植基质的盛装花盆包括陶瓷广口花盆或塑料广口花盆或木质广口花盆，花盆在盛装培植基质前采用800～1000倍的多菌灵稀释液喷洒消毒，密封保存5min，无菌环境下通风10min。

在本发明提供的技术方案中，所述遮阳方法如下：早春或晚秋保持室内半阴；盛夏保持室内早晚见光，中午前后拉上两层遮阳网；冬季保持室内光线充足。

本发明的有益效果是：

1、本发明提供了一种兜兰培植基质及其制备方法和应用，所述基质可用于兜兰的分株栽培或播种栽培，有效提高兜兰的栽培存活率和平均长势，兜兰分株繁殖的培植周期缩短13％，存活率提高8％；兜兰播种繁殖的培植周期缩短11％，存活率提高6.9％；

2、本发明还提供了培植基质的使用方法，高效的培植基质加上相应的栽培方法，有效促进兜兰植被的健康生长、绿色生长，同时兜兰培植基质原料实惠易得，加工成本低。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明进一步作详细的说明：

实施例1

一种兜兰培植基质，包括以下重量份原料：

蛭石13份、干燥松树皮6份、硼肥6份、NPK混合肥15份、腐殖土35份、干燥松树锯末15份、碳酸钙粉7份、蔗糖5份、硫酸铝3份。

在本实施例中，所述1份原料代表1m³培植基质中含各原料1kg。

所述蛭石的1/2用于垫在花盆底部，保证盆内空气畅通和水分流通；剩余1/2用于制备培植基质G，让兜兰根部伸展式可附在蛭石上，为兜兰提供了适宜生长环境，符合兜兰的生长习性；

所述腐殖土、硼肥、NPK混合肥、碳酸钙粉、干燥松树锯末、1/2蛭石用于制备“类似土”，为兜兰生长提供碳水化合物和有机质，提供兜兰适宜的生长环境；

所述干燥松树皮用于增大培植基质H间的空隙，保持培植基质的松软、透水、透风；

所述蔗糖用于为兜兰生长提供碳原，促进兜兰的生长；

所述硫酸铝溶于水后，溶液中离子可运输到兜兰植株茎部、叶部、花朵部，有效提高兜兰植株的病原体抵抗力，消灭兜兰植株生长过程中受到的细菌侵害；

本实施例还提供了一种兜兰培植基质的制备方法，包括以下步骤：

a、除去硫酸铝外，分别称取所需份的原料，无菌实验室中采用800～1000倍的多菌灵稀释液分别喷洒各原料，喷洒程度为原料表面湿润为止，喷洒结束后置于无菌实验室中保存备用；所述干燥松树皮在喷洒多菌灵稀释液之前切割成5×3cm的片状；

b、称取所需重量份的NPK混合肥、硼肥溶于无菌水中，配制成1000倍的NPK混合肥稀释液，稀释液中加入所需重量份的硫酸铝搅拌溶解，制得混合液I备用；

c、称取所需重量份的蔗糖、腐殖土、腐殖质、草木灰、1/2的蛭石、干燥松树锯末置于搅拌机中，搅拌速度1650r/min，搅拌均匀后在无菌环境下加入上述备用混合液I继续混合搅拌250min，制得混合培养基H备用；所述搅拌机在使用前先用1000倍的多菌灵稀释液喷洒，密封消毒5min；

d、在花盆底部放置剩余的1/2蛭石，上方放置1/3的干燥松树皮，松树皮上放置1/3的混合培养基H；再放置1/3的干燥松树皮，松树皮上放置1/3的混合培养基H；最后放置剩余的1/3的干燥松树皮，松树皮颗粒上放置剩余的1/3的混合培养基H，制得培植基质G备用；

e、将上述备用培植基质置于空气畅通的温室中预处理24h，所述温室温度为20℃，湿度80％。

在本实施例中，将干燥松树皮拼凑成“井”字形；所述培植基质G在温室预处理前采用1000倍的多菌灵稀释液喷洒消毒一次。

在本实施例中，优先采用本发明提供的培植基质G培植兜兰植株，即采用分株繁殖的方式种植兜兰植被。

在本实施例中，所述培植基质G的兜兰科植株培植方法如下：

将培植基质G中部轻轻采挖出，挖至看到中间层干燥松树皮为止，将兜兰植株移栽至中间层基质中，将挖出基质覆盖兜兰植株根部，并将基质连同兜兰植株置于温度16℃左右，湿度80％左右的空气畅通的温室中培育25d，待兜兰植株成活且生长健壮后将花盆连同植株转移至大棚培养室中，保持大棚内空气畅通，温度18℃左右，湿度80％左右。

本实施例还提供了一种兜兰种子繁殖的种植方法，所述培植基质G的兜兰科植物种子培植方法如下：

将培植基质G中部轻轻采挖出，挖至看到最上层干燥松树皮为止，移开最上层干燥松树皮，将兜兰胚胎种芽移植到第二层基质中，将挖出基质轻轻压盖种芽根部，多余基质摊放四周，并将基质连同兜兰种芽置于温度18℃左右，湿度85％左右的空气畅通的温室中培育60d，待兜兰胚芽成活且生长健壮后将花盆连同幼苗转移至大棚培养室中，保持大棚内空气畅通，温度18℃左右，湿度80％左右。

在本实施例中，采用本发明提供的培植基质G培植兜兰植被时，无论兜兰分株繁殖或播种繁殖，均保证大棚或温室内阳光微弱，避免阳光直接照射兜兰植被。

本实施例提供的兜兰植被种植方法和常规兜兰植被种植方法相比，采用植株繁殖的方式，兜兰植株栽培的培植周期缩短13％，存活率提高8％，植株生长更加茂盛，花色更加鲜艳；采用播种繁殖的方式，兜兰播种栽培的培植周期缩短11％，存活率提高6.9％，植株生长更加茂盛，花色更加鲜艳。

本实施例提供的培植基质G包含碳源、有机质、无机肥、杀菌剂，为兜兰植株的全过程生长提供养分和杀菌作用，有效促进兜兰植株的健康生长，同时配合本实施例提供的兜兰植株培植方法，高效提高兜兰植株的生长速率，缩短开花周期，提高种植成活率。

实施例2

采用与实施例1相同的基质原料和基质制备方法及兜兰栽培方法，仅改变基质原料的组成含量，所述基质原料含量如下：

蛭石10份、干燥松树皮4份、硼肥4份、NPK混合肥11份、腐殖土30份、干燥松树锯末12份、碳酸钙粉5份、蔗糖3份、硫酸铝1份。

在本实施例中，采用植株繁殖的方式栽培兜兰植被，与常规兜兰分株繁殖种植方式相比，兜兰植株栽培的培植周期缩短13.1％，存活率提高7.87％，植株生长更加茂盛，花色更加鲜艳。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，任何未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (9)

1.一种兜兰培植基质，其特征在于，包括以下重量份原料：

蛭石9～13份、干燥松树皮2～6份、硼肥3～6份、NPK混合肥8～15份、腐殖土25～35份、干燥松树锯末8～15份、碳酸钙粉5～7份、蔗糖3～7份、硫酸铝1～3份。

2.根据权利要求1所述的一种兜兰培植基质，其特征在于，包括以下重量份原料：

蛭石10～13份、干燥松树皮4～6份、硼肥4～6份、NPK混合肥11～15份、腐殖土30～35份、干燥松树锯末12～15份、碳酸钙粉5～7份、蔗糖3～5份、硫酸铝1～3份。

3.根据权利要求1～2任意一项所述的一种兜兰培植基质，其特征在于，包括以下重量份原料：

蛭石13份、干燥松树皮6份、硼肥6份、NPK混合肥15份、腐殖土35份、干燥松树锯末15份、碳酸钙粉7份、蔗糖5份、硫酸铝3份。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的一种兜兰培植基质，其特征在于，所述NPK混合肥的混合比例为5:4:1。

5.一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、除去硫酸铝外，分别称取所需份的原料，无菌实验室中采用800～1000倍的多菌灵稀释液分别喷洒各原料，喷洒程度为原料表面湿润为止，喷洒结束后置于无菌实验室中保存备用；所述干燥松树皮在喷洒多菌灵稀释液之前切割成5×3cm的片状；

b、称取所需重量份的NPK混合肥、硼肥溶于无菌水中，配制成1000～1500倍的NPK混合肥稀释液，稀释液中加入所需重量份的硫酸铝搅拌溶解，制得混合液I备用；

c、称取所需重量份的蔗糖、腐殖土、腐殖质、草木灰、1/2的蛭石、干燥松树锯末置于搅拌机中，搅拌速度1350～1650r/min，搅拌均匀后在无菌环境下加入上述备用混合液I继续混合搅拌25～30min，制得混合培养基H备用；所述搅拌机在使用前先用800～1000倍的多菌灵稀释液喷洒，密封消毒5min；

d、在花盆底部放置剩余的1/2蛭石，上方放置1/3的干燥松树皮，松树皮上放置1/3的混合培养基H；再放置1/3的干燥松树皮，松树皮上放置1/3的混合培养基H；最后放置剩余的1/3的干燥松树皮，松树皮颗粒上放置剩余的1/3的混合培养基H，制得培植基质G备用；

e、将上述备用培植基质置于空气畅通的温室中预处理24～36h，所述温室温度为15～20℃，湿度80～85％。

6.根据权利要求4所述的一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，所述培植基质G在温室预处理前采用800～1000倍的多菌灵稀释液喷洒消毒一次。

7.根据权利要求4所述的一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，在培植基质G上采用分株繁殖的方式培植兜兰的方法如下：

将培植基质G中部轻轻采挖出，挖至看到第二层干燥松树皮为止，将兜兰植株陪栽在基质中，将挖出基质覆盖兜兰植株根部，并将基质连同兜兰植株置于温度15～20℃，湿度80～85％的空气畅通的温室中培育20～25d。

8.根据权利要求4所述的一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，在培植基质G上采用播种繁殖的方式培植兜兰的方法如下：

将培植基质G中部轻轻采挖出，挖至看到第一层干燥松树皮为止，移开第一层干燥松树皮，将兜兰胚胎种芽移植到第二层基质表层，将挖出基质轻轻压盖种芽根部，多余基质摊放四周，并将基质连同兜兰种芽置于温度15～18℃，湿度80～85％的空气畅通的温室中培育45～60d。

9.根据权利要求7～8任意一项所述的一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，所述培植过程在温度15～20℃的无菌温室下进行，并在温室培育过程中设置两层遮阳网，每层遮阳网遮挡40％的阳光。