CN108444927B - 一种光谱分析芯片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。

Description

一种光谱分析芯片及其制备方法
技术领域
本发明属于光电探测技术领域，更具体地，涉及一种光谱分析芯片及其制备方法，该芯片包含集成有光学天线的量子点光敏薄膜。
背景技术
光谱分析是通过检测分子和原子的特征吸收或发射光谱，对物质的种类、成分和其他化学组成及相对含量的物质检测手段，在军事和国民经济的众多领域发挥着重要作用。传统光谱分析采用预设范围的全谱探测器，需要对光源进行分光，极大的限制了设备小型化。近年来，手持光谱分析检测设备正普及到光谱分析的各个领域，但光源与探测器依然限制了光谱仪的小型化和低成本。专利CN102207459A公开了一种基于集成光技术的傅里叶变换芯片光谱仪，经光纤传输耦合的导波光穿过敏感窗口区间进入光探测器经傅里叶变换处理得到入射光谱。该光谱仪灵敏度高，抗干扰能力强,适合现场快速定量检测，但存在信噪比高，受光纤质量影响大的局限。专利CN104931479A公开了一种采用激光拉曼光谱技术的集成度高、具有成像功能的便携式分析仪器。该发明体积与重量设计上做了大量的优化,实现了小型化、便携化，但光路精度要求较高、整体系统比较复杂。
专利CN105222895A涉及一种集成了阵列波导光栅和光电探测器的光谱仪芯片,输入光信号经过阵列波导光栅得到输出波导,经微反射镜阵列传导到光电探测器阵列上转化为电信号，表征输入光信号的光谱信息,从而实现光谱仪的功能。该发明单片集成了原有的光栅、透镜和CCD的功能,体积、重量小,可用微电子制造技术批量生产,成本低。但光栅光谱仪的性能受到光栅刻线密度的影响，难以使用在需要高分辨率的应用。专利CN201510233081.4涉及一种复合纳米天线结构制备的拉曼光谱探测芯片，通过纳米天线替代滤波片对传统探测芯片提供小型化方案。探测模块采用传统的热电材料，不仅响应速度慢，探测灵敏度和波长调谐能力也不足。CN107037017A公开了一种在生物医学装置中使用的量子点光谱仪，利用燃料敏化量子点发光与表面可调的特性，结合微流控技术，通过检测染料敏化量子点荧光猝灭对目标物进行光谱分析，但探测方法仍是利用传统的光电探测器接收量子点光发射出的光信号，不具备高灵敏、窄通带和可调谐的特征，光谱分析能力受限。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明的目的在于提供一种光谱分析芯片及其制备方法，其中通过对该芯片整体设计、及各个层结构的具体参数设置(如所使用的材料种类、形状参数等)、以及相应制备方法的整体流程工艺设计及各个关键步骤的参数条件设置等进行改进，利用金属纳米结构与高灵敏量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片，通过对不同波长光的窄带光电响应，实现光谱探测的功能；并且，本发明中的芯片其制备方法简单，获得的光谱分析芯片具有小型化、便携式的特点。
为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种光谱分析芯片，其特征在于，从下至上包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，所述光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列，任意一个所述金属纳米结构其在所述硅衬底层表面上的投影的粒径满足10nm～10μm，任意一个所述金属纳米结构的高度不超过100nm；
该光谱分析芯片还包括至少一对金属电极，这一对金属电极分别位于所述光学天线相对的两侧，且均与所述量子点光敏薄膜相接触，用于构成光电探测器。
作为本发明的进一步优选，所述光学天线为立方体阵列、三角体阵列、圆柱体阵列、十字体阵列、空心圆柱体阵列、以及扇形体对的阵列中的任意一种；其中，所述扇形体对的阵列中任意一个扇形体对包括两个相互分离的扇形体。
作为本发明的进一步优选，所述金属纳米结构所使用的材料为金、银或铝；所述量子点光敏薄膜优选是由胶体量子点构成的量子点薄膜；所述量子点优选为硫化铅量子点、硒化铅量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、氧化锌量子点和钙钛矿量子点中的至少一种；所述钙钛矿量子点优选为PbCsX3量子点，其中X为Cl、Br或I；
对于紫外光的目标探测波长，所述量子点采用氧化锌量子点；优选的，当光学天线为圆柱体阵列时，圆柱体阵列中任意一个圆柱体金属纳米结构在所述硅衬底层表面上的投影的直径小于100nm；
对于可见光的目标探测波长，所述量子点采用硫化镉量子点、硒化镉量子点或钙钛矿量子点，所述光学天线中任意一个所述金属纳米结构其在所述硅衬底层表面上的投影的粒径为100-500nm；
对于波长为800-2000nm的近红外光目标探测波长，所述量子点采用硫化铅量子点或硒化铅量子点，所述光学天线中任意一个所述金属纳米结构其在所述硅衬底层表面上的投影的粒径为800nm-2μm。
按照本发明的另一方面，本发明提供了一种光谱分析芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
光学天线的制备步骤：选取空白硅衬底，然后在该空白硅衬底上旋涂光刻胶；接着，定义对应于光学天线的掩膜，并对该光刻胶进行曝光形成光刻胶图形；然后向该硅衬底上蒸镀金属，利用所述光刻胶图形形成光学天线；接着，向形成有所述光学天线的所述硅衬底上旋涂光刻胶并固化形成光刻胶层，然后剥离该光刻胶层，使得所述光学天线附着在该光刻胶层上；
量子点光敏薄膜的制备步骤：在硅衬底上通过纳米印刷工艺制备量子点薄膜形成量子点光敏薄膜，该硅衬底为空白硅衬底或预先沉积有金属电极的硅衬底；
组合步骤：将所述光学天线的制备步骤得到的带有光学天线的光刻胶层转移到所述量子点光敏薄膜的制备步骤得到的具有量子点薄膜的硅衬底上，即可得到光谱分析芯片。
作为本发明的进一步优选，所述量子点光敏薄膜的制备步骤中，制得的量子点薄膜具体为条形或圆形，该量子点薄膜在所述硅衬底层表面上的投影的尺寸最小可达到0.5mm。
作为本发明的进一步优选，所述光学天线的制备步骤中，所述向硅衬底上蒸镀金属得到的金属厚度为50至100nm；所述剥离光刻胶层是利用化学法，优选是利用湿化学法进行的。
作为本发明的进一步优选，所述量子点薄膜为胶体量子点薄膜，所述量子点优选为硫化铅量子点、硒化铅量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、氧化锌量子点和钙钛矿量子点中的至少一种；所述钙钛矿量子点优选为PbCsX3量子点，其中X为Cl、Br或I。
作为本发明的进一步优选，在所述量子点光敏薄膜的制备步骤中，当所述硅衬底为预先沉积有金属电极的硅衬底时，该预先沉积有金属电极的硅衬底是利用物理掩膜版，并通过蒸镀工艺在硅衬底上制备金属电极得到的；
在所述量子点光敏薄膜的制备步骤中，当所述硅衬底为空白硅衬底时，则在所述组合步骤中还包括金属电极的制备，该金属电极是利用掩膜版蒸镀工艺制备得到的；
所述金属电极包括至少一对金属电极，这一对金属电极分别对应于所述光学天线相对的两侧，且用于与所述量子点光敏薄膜相接触。
作为本发明的进一步优选，所述组合步骤得到的所述光谱分析芯片上还包括与所述金属电极相连的金属引线，相应的所述组合步骤还包括金属引线的制备，该金属引线是利用掩膜版蒸镀工艺制备得到的。
作为本发明的进一步优选，所述蒸镀具体为电子束蒸发或磁控溅射。
本发明中的光谱分析芯片，是一种量子点集成光谱芯片，本发明利用量子点光敏薄膜与光学天线的协同配合，利用纳米天线的滤波和光场增强功能，对量子点光电响应进行波长调制和增敏，由此实现量子点集成光谱分析芯片。本发明中，纳米天线结构尺寸可调，通过调整不同的微结构阵列周期与占空比(由于天线是一个周期性结构，占空比即指天线尺寸对比周期尺寸的占空比)即可实现不同波段的光电增强；量子点由于具有三个维度的限域效应，电子能量在三个维度都具有量子化特性，因此具有与尺寸相关的能量带隙，吸收波长可调谐，本发明通过选取合适的量子点材料体系以及改变量子点合成时间、温度等条件，调控量子点的峰值吸收波长位置，实现不同波段下的光电响应增强；本发明正是利用量子点光敏薄膜与光学天线的协同配合，可实现对不同波长光的光电响应，实现探测。当目标探测波长为紫外光时，量子点采用氧化锌量子点(优选的，光学天线可以为圆柱体阵列，圆柱体阵列中任意一个圆柱体金属纳米结构在硅衬底层表面上的投影的直径小于100nm)；当目标探测波长为可见光时，量子点采用硫化镉量子点、硒化镉量子点或钙钛矿量子点，光学天线中任意一个金属纳米结构其在硅衬底层表面上的投影的粒径为100-500nm；当目标探测波长为近红外光(如波长为800-3000nm)时，量子点采用硫化铅量子点或硒化铅量子点，光学天线中任意一个金属纳米结构其在硅衬底层表面上的投影的粒径为500nm-2μm。量子点合成通过温度可以调控粒径大小与吸收峰，实现与目标探测波长之间的匹配，浓度和厚度的影响较小(量子点光敏薄膜的厚度为在几百纳米，如200nm～500nm，吸收波长从紫外300nm覆盖到近红外1500nm)。量子点薄膜具体为可根据需要以及电极设计制备条形、圆形或其他所需图形(如可以有折角、空缺、孔位等避开不需要部分的异形图案)，尺寸在厘米至百微米级(例如，量子点薄膜在硅衬底层表面上的投影的尺寸最小为0.5mm)。
本发明通过选取合适的金属和量子点材料体系，调节金属微结构阵列的结构设计与量子点尺寸(光电波共振波长可以通过调节光学天线的形状和周期性结构来控制，光电转换特性可以由调节的量子点薄膜吸收峰来进行增强)，通过芯片的结构分布设计与组合实现高灵敏、可调谐针对不同使用功能的量子点光谱分析芯片，该制备方法响应快，灵敏度高，集成度高便于与各种设备结合，具有广泛的应用前景。
由于量子点表面活性可调的特性，半导体工艺中的有机溶剂对量子点薄膜特性会产生很大的影响，导致微纳结构很难与量子点工艺相结合。本发明采用转移工艺，将半导体工艺制备纳米天线的过程与量子点薄膜的制备分开，通过微纳图形的转移得到所需的器件结构，有效保证了量子点薄膜的特性、微纳结构的完整性与两者之间的结合。本发明中的光学天线，是先进行掩膜版图案化，然后进行蒸镀，制备得到的宏观上金属纳米结构周期性排列的阵列；任意一个金属纳米结构其粒径满足10nm～10μm，高度不超过100nm；光学天线可以为立方体阵列、三角体阵列、圆柱体阵列、十字体阵列、空心圆柱体阵列、以及扇形体对的阵列，相应的，其中的金属纳米结构可以为立方体、三角体、圆柱体、十字体、空心圆柱体、以及扇形体(对于阵列为扇形体对阵列的情况，金属纳米结构其粒径满足10nm～10μm，高度不超过100nm均针对一对扇形体对整体)。
本发明采用量子点光谱分析芯片采用纳米天线增强量子点吸收峰的结构，利用纳米天线窄带吸收可调谐与量子点在一定波长范围内可调谐的特性，通过不同量子点吸收峰的调节与对应吸收峰的纳米天线结构的复合实现紫外-可见-红外覆盖性光谱分析。本发明是利用纳米级微尺寸的金属纳米结构周期性排列得到的阵列作为纳米天线，该微结构阵列的材料(即金属纳米结构的材料)为金、银、铝，光学天线的厚度优选为50至100nm。
本发明中的量子点优选采用胶体量子点，胶体量子点采用胶体化学法制备，与普通纳米材料相比，具有尺寸可控且均匀性好、活性高、物化特性可控、易于表面修饰、可室温成膜等特点。本发明在量子点制备时，是通过制备得到量子点纳米墨水，并通过纳米喷印或者纳米压印等技术手段实现量子点图形化成膜，便于与现有集成工艺结合。本发明中光学天线的制备步骤、量子点光敏薄膜的制备步骤两者的前后顺序可以互换。
综上，本发明利用纳米天线的窄带滤波和光场增强可调谐功能，对量子点的紫外-可见-近红外光电响应进行波长调制。测量量子点薄膜对不同波长的光电响应。本发明通过选取一系列的纳米天线结构和量子点材料体系，进行针对不同需求波长的光谱探测，实现小型化便于集成、瞬时分析、宽谱覆盖、光分析的波长和数量可调的光谱分析芯片。
附图说明
图1是芯片结构示意图。
图2是探测单元俯视示意图。
图3是芯片探测单元剖面示意图。
图4是纳米天线结构示意图。
在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中：1为硅衬底、2为探测单元、3为金属电极、4为量子点薄膜、5为纳米天线图形。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
金属表面等离子体共振和入射光相互耦合，对特定波长的光电波实现共振，利于增强量子点薄膜的光吸收。光电波共振波长通过调节光学天线(即，纳米天线阵列)的形状和周期性结构来控制，光电转换特性由调节的量子点薄膜吸收峰来进行增强，如图4所示。
本发明提出的这种量子点材料的微结构光电探测器制作方法包括如下步骤：
首先，选取空白硅衬底1，本实施中选取普通商用的高纯硅。第一步用丙酮溶液超声波清洁3分钟；第二步用无水乙醇溶液超声波清洁3分钟；最后在去离子水中用超声波清洁2分钟，将表面清洗干净以便于后续蒸镀。先在衬底上均匀涂抹一层PMMA曝光胶，涂抹时间90秒，匀胶机转速6000转/分钟，涂抹厚度约300nm。接着，在170℃下烘烤2分钟。设计一定周期性结构的微结构阵列，并制成版图。再使用电子束曝光设备将版图的图案转移至已经旋涂PMMA曝光胶的衬底上，曝光电流10nA。用电子束蒸发镀膜机在洁净的衬底表面蒸镀80nm厚的金属。通过湿化学方法去掉PMMA胶与附着在胶上的金属，此时样片表面形成微结构阵列。重新均匀涂抹一层光刻胶，烘烤固化。通过是化学法剥离光刻胶层和纳米天线层备用。
以氧化铅(PbO)作为铅源，双三甲基硅硫烷(TMS)作为硫源，采用胶体化学法反应制备PbS胶体量子点溶液。具体地，可以在氮气环境下将0.9g(4mmol)PbO溶解到20ml油酸(OA)并加热至90℃制备油酸铅的前驱物，作为铅源；抽真空达到8小时后，将该前驱物温度升至150℃；将420ul(1mmol)TMS溶解到10ml ODE中，作为硫源；在150℃下将硫源注入铅源中，待反应体系颜色完全变黑后(大约30s)降至室温；向冷却后的溶液中加入丙酮，离心搅拌后去除上清液，继而经过甲苯分散、丙酮离心多次循环直至上清液纯白；将最终所得产物烘干成粉末并分散在正辛烷中得到50mg/ml的硫化铅量子点溶液。
以醋酸铅(PbOAc)作为铅源，TOP硒作为硒源，采用胶体化学法反应制备PbSe胶体量子点溶液。具体地，可以在氮气环境下将0.65g PbOAc溶解到10ml三辛基膦并加热至85℃制备铅的前驱物，作为铅源；抽真空达到8小时后，将该前驱物温度升至180℃；将1.7mL浓度为1M的TOPSe溶液在180℃下注入铅源中，反应1到10分钟降至室温；向冷却后的溶液中加入甲醇，离心搅拌后去除上清液将最终所得产物烘干成粉末并分散在甲苯中得到50mg/ml的硒化铅量子点溶液。
以氧化镉(CdO)作为镉源，TOP硒作为硒源，采用胶体化学法反应制备CdSe胶体量子点溶液。具体地，可以在氮气环境下将0.05g CdO溶解到4gTOPO中并加热至320℃制备前驱物，作为镉源，将该前驱物温度降至270℃；将0.25mL浓度为1M的TOPSe溶液稀释4mLTOP之后在270℃下注入镉源中，反应之后离心，离心搅拌后去除上清液将最终所得产物分散在甲苯中得到50mg/ml的硒化镉量子点溶液。
以乙酸镉作为镉源，硫化钠作为硫源，采用化学法反应制备CdS胶体量子点溶液。具体地，可以在氮气环境下将2.66g乙酸镉溶解到100ml去离子水中并加热至80℃，作为镉源；将等摩尔比的硫化钠溶液中，反应后降至室温；向冷却后的溶液中加入丙酮，离心搅拌后去除上清液将最终所得产物烘干成粉末并分散得到50mg/ml的硫化镉量子点溶液。
以PbX2(PbCl2、PbBr2和PbI2)和CsCO3为原料制备PbCsX3(PbCsCl3、PbCsBr3和PbCsI3)钙钛矿量子点。具体的，可以在氩气环境中0.02mmol的PbX2溶解在5mL的ODE、0.5mL的OA和0.5mL的OLA混合溶液中,120℃下真空处理1h。2.5mmol的CsCO3溶解在40mL的ODE中，加入2.5mL的OA后130℃加热30分钟，制备Cs-油酸混合溶液。之前的PbX2溶液加热到150℃，注入0.4mL的Cs-油酸混合溶液，反应一段时间。冷却，离心清洗，将量子点分散在环己烷中。特别的，钙钛矿量子点不仅是PbCsX3量子点，还包括其他具有钙钛矿结构的胶体量子点。
将制备的量子点溶液通过相转移配体置换技术制备量子点墨水，通过纳米喷印、纳米印刷等技术在硅衬底上制备图形化的量子点薄膜。将之前制备的纳米天线-光刻胶层转移到器件上。制备完成的芯片电路，制成芯片。
一般光谱分析芯片采用的是通用探测器和滤波片的结构，量子点光谱分析芯片采用纳米天线增强量子点吸收峰的结构。利用纳米天线窄带吸收可调谐与量子点在一定波长范围内可调谐的特性，通过不同量子点吸收峰的调节与对应吸收峰的纳米天线结构的复合实现紫外-可见-红外覆盖性光谱分析。其中，50nm尺寸纳米天线颗粒对应氧化锌量子点370nm波段的紫外吸收；100nm尺寸纳米天线颗粒对应硫化镉、硒化镉和钙钛矿量子点450nm波段的蓝光(可见光)吸收；150nm尺寸纳米天线颗粒对应硫化镉、硒化镉和钙钛矿量子点700nm波段的红光(可见光)吸收；600nm尺寸纳米天线颗粒对应硫化铅、硒化铅量子点1300nm波段的红外吸收。
如图3所示，该光谱分析芯片包括至少一对与量子点光电探测层(即，量子点光敏薄膜)接触的金属电极，该金属电极必须与量子点光电探测层相接触。本发明中的光谱分析芯片在制备方法的组合步骤过程中，还可蒸镀金属引线形成完整电极，完成器件制备。如图1所示，除了芯片探测单元外，该芯片上还可包括其他电路，例如分别与正、负电极相连接的引线等。
当然，除了上述实施例中所使用的具体胶体化学法反应参数外，胶体量子点溶液的制备也可采用现有技术中的其他方法。本发明中所使用的相转移配体置换技术，可参考现有技术，如2012年Ning等人采用相转移配体置换技术制备PbS太阳能电池。本发明中所采用的纳米印刷工艺(如，纳米喷印或者纳米压印等)，均可参考现有技术，如2011年DebashisChanda等人采用纳米印刷工艺制备大面积柔性三维结构。
本发明中的纳米天线图形可以为各种立体形状，如立方体阵列、三角体阵列、圆柱体阵列、十字体阵列、空心圆柱体阵列、以及扇形体对的阵列等(如图4所示，图4所示为各种不同形状的纳米天线图形，且图中示出的图形均为俯视图状态下的投影图形，受掩膜及蒸镀的制备工艺限制，相应的纳米天线必然为立体形状)。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种光谱分析芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
光学天线的制备步骤：选取空白硅衬底，然后在该空白硅衬底上旋涂光刻胶；接着，定义对应于光学天线的掩膜，并对该光刻胶进行曝光形成光刻胶图形；然后向该硅衬底上蒸镀金属，利用所述光刻胶图形形成光学天线；接着，向形成有所述光学天线的所述硅衬底上旋涂光刻胶并固化形成光刻胶层，然后剥离该光刻胶层，使得所述光学天线附着在该光刻胶层上；
量子点光敏薄膜的制备步骤：在硅衬底上通过纳米印刷工艺制备量子点薄膜形成量子点光敏薄膜，该硅衬底为空白硅衬底或预先沉积有金属电极的硅衬底；
组合步骤：将所述光学天线的制备步骤得到的带有光学天线的光刻胶层转移到所述量子点光敏薄膜的制备步骤得到的具有量子点薄膜的硅衬底上，即可得到光谱分析芯片。
2.如权利要求1所述光谱分析芯片的制备方法，其特征在于，所述量子点光敏薄膜的制备步骤中，制得的量子点薄膜具体为条形或圆形，该量子点薄膜在所述硅衬底层表面上的投影的尺寸最小为0.5mm。
3.如权利要求1所述光谱分析芯片的制备方法，其特征在于，所述光学天线的制备步骤中，所述向硅衬底上蒸镀金属得到的金属厚度为50至100nm；所述剥离光刻胶层是利用化学法进行的。
4.如权利要求3所述光谱分析芯片的制备方法，其特征在于，所述剥离光刻胶层是利用湿化学法进行的。
5.如权利要求1所述光谱分析芯片的制备方法，其特征在于，所述量子点薄膜为胶体量子点薄膜，所述量子点为硫化铅量子点、硒化铅量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、氧化锌量子点和钙钛矿量子点中的至少一种；所述钙钛矿量子点为PbCsX3量子点，其中X为Cl、Br或I。
6.如权利要求1所述光谱分析芯片的制备方法，其特征在于，在所述量子点光敏薄膜的制备步骤中，当所述硅衬底为预先沉积有金属电极的硅衬底时，该预先沉积有金属电极的硅衬底是利用物理掩膜版，并通过蒸镀工艺在硅衬底上制备金属电极得到的；
在所述量子点光敏薄膜的制备步骤中，当所述硅衬底为空白硅衬底时，则在所述组合步骤中还包括金属电极的制备，该金属电极是利用掩膜版蒸镀工艺制备得到的；
所述金属电极包括至少一对金属电极，这一对金属电极分别对应于所述光学天线相对的两侧，且用于与所述量子点光敏薄膜相接触。
7.如权利要求1所述光谱分析芯片的制备方法，其特征在于，所述组合步骤得到的所述光谱分析芯片上还包括与所述金属电极相连的金属引线，相应的所述组合步骤还包括金属引线的制备，该金属引线是利用掩膜版蒸镀工艺制备得到的。
8.如权利要求1所述光谱分析芯片的制备方法，其特征在于，所述蒸镀具体为电子束蒸发或磁控溅射。
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