CN108432069B - 离散波长可调谐激光器 - Google Patents

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Abstract

一种多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS‑DBR）包括：沿着波导布置的P数量的多个数字超模布拉格反射器（DS‑DBR）光栅段；其中每个DS‑DBR光栅段被配置成通过或反射给定光谱区域上的光，该给定光谱区域与其他DS‑DBR光栅段的光谱区域不同；其中每个DS‑DBR光栅段包括M数量的多个光栅子区域，每个子区域对应于DS‑DBR光栅段的光谱区域内的光谱子带，以及其中每个光栅子区域包括正电触点和负电触点；所述光栅子区域被配置成当在其正电触点与负电触点之间提供电偏置时，通过或反射其光谱子带的光。

Description

离散波长可调谐激光器
技术领域
本发明涉及分布式布拉格反射器（DBR），以及特别地涉及多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS-DBR）和包括MSDS-DBR的离散波长可调谐激光器。
背景技术
连续可调谐的激光器在电信应用中已被广泛接受并且是普遍的。虽然电信激光器操作于固定电网（例如，ITU电网），但是可以针对各种各样的应用设立可调谐激光器，以及波长可调谐性对于允许在激光器老化时校正波长漂移是合期望的。令人遗憾的是，对全范围和连续可调谐性的要求导致了昂贵且高能耗的电子电路，最特别地是由于对数字模拟转换（DAC）芯片的要求。
其中将光栅构建到增益介质中的分布式反馈（DFB）激光器正被分布式布拉格反射器（DBR）激光器所代替，特别地在需要可调谐性的情况下。对于大范围的可调谐性而言，通常使用采样光栅（SG）DBR激光器，其中多个波导光栅与周期性空白区域级联，以及这些光栅被称为梳形光栅。因此创建了可以被调谐成所需激射波长的反射峰。
在可调谐激光器的替换设计中，可以利用数字超模DBR（DS-DBR）。DS-DBR设计相比SG-DBR具有的优点在于不需要DAC。然而，完全在半导体芯片上制成的相关领域的可调谐激光器可以包括具有DAC的光栅以用于控制。因此，存在对于下述可调谐激光器的需要，该可调谐激光器基于DS-DBR设计原理但是具有更便宜且更低功耗的控制电子器件，特别是不需要DAC。
例如可以通过将电极结合到片上加热器来对光栅进行热调谐。然而，对于操作速度而言，可以例如通过偏置p-i-n或p-n二极管结来使用通过电流注入而进行的调谐。
在相关领域III-V族半导体材料系统中的可调谐激光器的光栅可以具有拥有公共接地或负电极的垂直p-i-n二极管结。在这些激光器中，多光栅子区域（诸如DS-DBR中的那些区域）需要单独的驱动触点，但是必须共享公共接地。
发明内容
因此，本发明的目的是通过提供根据第一方面的多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS-DBR）来解决上述问题，该多段数字超模分布式布拉格反射器包括：沿着波导布置的P数量的多个数字超模布拉格反射器（DS-DBR）光栅段；其中每个DS-DBR光栅段被配置成通过或反射给定光谱区域上的光，该给定光谱区域与其他DS-DBR光栅段的光谱区域不同；其中每个DS-DBR光栅段包括M数量的多个光栅子区域，每个子区域对应于在DS-DBR的光谱区域内的光谱子带，以及其中每个光栅子区域包括正电触点和负电触点；所述光栅子区域被配置成当在其正电触点与负电触点之间提供电偏置时，通过或反射其光谱子带的光。如本文中所使用的，“P数量的多个”元件意指P个元件，P是正整数。
在本发明的一些实施例中，每个DS-DBR光栅段将包括诸如二极管区域之类的光电区域。例如，在每个DS-DBR子区域包括p-i-n二极管结的情况下，DS-DBR子区域的电连接提供用于跨p-i-n结施加电偏置的机制来控制光电属性以及因此控制M个光谱子带中的每个的透射比或反射比。
p-i-n二极管结可以是水平p-i-n结。该结被视为是水平的，因为它们由处于波导的一个侧壁处（和/或延伸到该侧壁中）的第一掺杂区域和处于波导的相对侧壁处（和/或延伸到该相对侧壁中）的第二掺杂区域所形成。半导体结的掺杂区域中全部或至少大部分因此处于沿着水平面的状态。
水平结使得能够实现在设计和制造两个方面增加的灵活性，因为掺杂区域在波导的任一侧处而不是波导的上方或下方的位置在将多个结区域进行驱动和连接起来、驱动方案的复杂性、便于连接、大小和形状方面引起更大的自由度。在具有与本发明的特定关联性的情况下，可以提供水平p-i-n二极管结，其中正电极和负电极都可以被离散化成多个触点来简化驱动电路，以及甚至减少光栅的数量并且允许更短的激光腔体。这对于共享公共接地的典型的垂直p-i-n激光器而言将是不可能的，因为仅可以将垂直设计激光器的正触点离散化成多个段。
在一些实施例中，多段数字超模分布式布拉格反射器包括在MSDS-DBR的多个DS-DBR光栅段中的两个或更多个之间共享的公共电极结构；其中公共电极结构包括至少一个或多个公共电极，该至少一个或多个公共电极中的每个连接到DS-DBR光栅段中的两个或更多个上的电触点，以将电偏置同时提供给两个或更多个DS-DBR光栅段中的每个上的光栅子区域中的相应一个。
以这种方式，当经由公共电极施加偏置时，偏置将被同时施加到两个或更多个DS-DBR光栅段中的每个上的光栅子区域。可以将接触正电触点的公共电极布置为使得它们仅连接到用于每个DS-DBR光栅段内的一个子区域的电触点。然而，在这样的系统中，单个公共电极可以连接所有负电触点作为公共回路。
在一些实施例中，公共电极结构包括M数量的多个公共电极，M个公共电极中的每个连接到DS-DBR光栅段中的每个上的电触点，以将电偏置同时提供给DS-DBR光栅段中的每个的M个光栅子区域中的相应一个。
以这种方式，当将偏置施加到M个公共电极中的给定一个时，该电极将选择P数量的多个DS-DBR光栅段中的每个内的对应子区域。
公共电极可以被布置成将偏置施加到每个DBR中的特定光栅子区域。例如，第一公共电极可以被配置成将偏置施加到P个DS-DBR光栅段中的每个中的第一光栅子区域（即，最靠近波导入口的光栅子区域）。第二公共电极可以被布置成将偏置施加到P数量的多个DS-DBR光栅段中的每个中的第二光栅子区域（即，第二靠近波导入口的光栅子区域）。第三公共电极可以被布置成将偏置施加到P数量的多个DS-DBR中的每个中的第三光栅子区域。这种模式可以一直持续到第M个公共电极为止，该第M个公共电极可以被配置成将偏置施加到P数量的多个DS-DBR中的每一个的第M个（即，最后的）光栅子区域。
每个光栅子区域将具有一对电触点，其包括诸如接触垫之类的两个物理电触点，用于连接到正电极的正触点（共享的或以其他方式）和用于连接到负电极的负触点（共享的或以其他方式）。
光栅段可以被布置成在极性上进行交替。以这种方式，每个光栅子区域以相反方向面对其两个最靠近的邻区。
可选地，所有M个公共电极都是正电极。
在一些实施例中，不论正公共电极的数量如何，单个公共负电极都可以连接到用于所有DS-DBR的每个光栅子区域的电触点。以这种方式，借助于施加到相应正电极的偏置来实现对期望光栅子区域的选择。
在其他实施例中，多段数字超模分布式布拉格反射器可以包括P数量的多个公共负电极，其中P个公共负电极中的每个被配置成将负偏置施加到P数量的多个DS-DBR中的给定一个内的所有光栅子区域。以这种方式，可以通过将负偏置施加到与期望对其做出选择的DS-DBR相对应的公共负电极来实现MSDS-DBR的粗略选择；以及可以通过将正偏置施加到将电触点提供给期望光栅子区域的公共正电极来实现MSDS-DBR的精细选择。
可选地，DS-DBR中的每个是透射式DS-DBR。
替换地，DS-DBR中的每个是反射式DS-DBR。
M和P至少是2以及具有由实际制造以及电接触和驱动约束所限制的最大值。可选地，MSDS-DBR中的DS-DBR的数量P大于或等于4。每个DS-DBR内的光栅子区域的数量M也可以大于或等于4。如果P=4且M=4，则MSDS-DBR将提供用于选择16个不同光谱子带（对应于16个光栅子区域）中的一个的机制。在替换的实施例中，P和/或M可以大于或等于7。
根据本发明的实施例的第二方面，提供了一种离散波长可调谐激光器，其包括：半导体光学放大器（SOA）和根据第一方面的多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS-DBR）。
在MSDS-DBR包括多个正公共电极和仅单个负电极的情况下，波长可调谐激光器将还包括具有P数量的多个光谱通带的粗光谱滤波器。以这种方式，粗光谱滤波器使得能够实现对P个不同光谱通带中的一个的选择，P个不同光谱通带中的每个落入激光器的SOA的总带宽内。多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS-DBR）然后提供精细调谐来选择P个通带中的每个内的光谱子区域。通过粗略选择所挑选的光谱区域与通过精细选择所挑选的光谱区域的光谱重叠提供了激光器的激射模式。由本发明提供的波长可调谐激光器有利地因此不依赖于DAC来进行主控制。
可选地，粗光谱滤波器可以是透射DS-DBR（TDS-DBR），该TDS-DBR具有P数量的多个透射通带，P个通带中的每个对应于多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS-DBR）的DS-DBR中的相应一个的给定光谱区域。
根据本发明的实施例的第三方面，提供了一种离散波长可调谐激光器，其包括：SOA；用于粗略调谐的粗光谱滤波器，该粗光谱滤波器被配置成在SOA的增益带宽内通过P个单独的光谱通带；以及根据实施例的第一方面或第二方面中的任一项的用于精细调谐的多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS-DBR）；其中粗光谱滤波器的P个通带中的每个对应于多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS-DBR）的DS-DBR中的一个的给定光谱区域。
可选地，粗光谱滤波器是透射DS-DBR（TDS-DBR），该TDS-DBR具有P数量的多个透射通带，P个通带中的每个对应于多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS-DBR）的DS-DBR中的一个的给定光谱区域。
以这种方式，TDS-DBR被配置成在应用偏置电流时通过P个光谱通带中的任意一个，所有P个光谱通带都处于SOA的增益带宽内。每个DS-DBR光栅段被配置成通过或反射TDS-DBR的P个通带中的一个通带内的光谱的M个子区域。
用于MSDS-DBR光栅中的P个DS-DBR光栅中的每个中的一个光谱子区域M的电触点可以与公共控制电极相连接；
可选地，SOA是反射式半导体光学放大器（RSOA）。以这种方式，增益介质的后小平面是完全反射表面。激光腔体的输出位于腔体对于RSOA的对端。当MSDS-DBR是透射式的时，宽带反射镜形成激光腔体的输出反射镜。当MSDS-DBR是反射式的时，MSDS-DBR自身形成激光腔体的输出反射镜。
根据本发明的实施例的第三方面，提供了一种离散波长可调谐激光器，其包括：SOA；具有N个光栅子区域的单个反射式DS-DBR光栅，每个子区域对应于DS-DBR的光谱区域内的光谱子带，其中：每个光栅子区域具有正电触点和负电触点；以及其中：单个控制电路提供要跨N个光栅子区域中的每个的正电触点和负电触点所施加的电偏置，以便控制所述光栅子区域中的每个是透射还是反射它们的相应光谱子带的光。
通过将离散的预定电流同时施加到触点中的一个或多个，将导致某个固定子带的反射率增强。在一个实施例中，单个DS-DBR具有N=16个段（即，16个光栅子区域）。在一个实施例中，单个DS-DBR具有N=49个段（即，49个光栅子区域）。
对于本文中所公开的任意反射式MSDS-DBR，反射率可以被修整以计及SOA的光谱输出的非均匀性。例如，对于SOA的增益带宽中输出功率较低的部分，与那些波长相对应的光栅子区域可以相对于MSDS-DBR内的其他光栅子区域而言展现增强的反射率。
类似地，对于任意透射式MSDS-DBR而言，光栅子区域的相对透射值可以被更改以补偿来自SOA的依赖波长的增益变化。
一个或多个DS-DBR中的每个可以是相位可调谐分布式布拉格反射器，其优选地包括相位调谐区域，该相位调谐区域的载流子密度可以通过施加电流或电压偏置来操纵。取决于所选择的相位调谐区域的属性，偏置可以是正向偏置或反向偏置。调节偏置将进而调节DS-DBR的该区域的反射比光谱或透射比光谱的频率空间中的相位和位置。该相位调谐区域可以是DS-DBR的一部分或者全部。
可选地，相位调谐区域包括p-n结器件。以这种方式，p-n结器件提供电可调谐相位调谐区域，据此可以通过施加变化的反向偏置而经由载流子耗尽来调节DBR的反射比光谱的相位。该p-n结可以可选地为p+-p-n-n+或p++-p+-p-n-n+-n++结构。
MSDS-DBR可以是反射式的。如果是这种情况，则不需要输出反射镜。
替换地，MSDS-DBR可以是透射式的。如果是这种情况，则可以借助于光学宽带反射镜来提供输出反射镜。这样的反射镜可以具有5-50%以及通常大于10%或甚至大于20%的反射率。
可选地，对于上述方面中的任一项，离散波长可调谐激光器可以进一步包括用于精细调谐激光器波长的一个或多个相位调谐器。
该相位调谐器将与可以形成DS-DBR的部分的任意相位调谐器分离。精细调谐相位调谐器可以被用来计及由于温度或其他环境因素所导致的漂移。
在Si光子波导中，通过例如沿着波导的全宽在波导的顶部中蚀刻具有一定深度（通常200-500 nm）的齿形来产生光栅。对于本发明的实施例中的任一个而言，包括激光器和/或MSDS-DBR的波导平台的硅覆盖层厚度可以大于或等于1 μm并且小于或等于4 μm。甚至更优选地，波导平台的硅覆盖层厚度大于或等于2.5 μm并且小于或等于3.2 μm。优选地，波导平台的一个或多个波导的脊部宽度大于或等于1 μm并且优选地小于或等于4 μm。甚至更优选地，波导平台的一个或多个波导的脊部宽度大于或等于2.5 μm并且小于或等于3.2μm。
遍及本申请，对“光”的引用应当被理解成包括红外和紫外波长的电磁辐射以及可见光谱。激光器的输出波长中的范围将取决于所使用的半导体增益介质，其可以落入0.4-20 μm的范围内。考虑到绝缘体上硅式SOI平台，可调谐SOI激光器的波长范围可以是1.1-1.7 μm。
下文阐述了本发明的实施例的另外的可选特征。
附图说明
将参照说明书、权利要求书和所附附图来领会和理解本发明的这些以及其他特征和优点，其中：
图1A示出了包括透射式MSDS-DBR的离散波长可调谐激光器的示意性示图；
图1B示出了包括反射式MSDS-DBR的替换的离散波长可调谐激光器的示意性示图；
图2示出了解释图1A或图1B的离散波长可调谐激光器的模式选择的示意性示图；
图3示出了替换的离散波长可调谐激光器的示意性示图；以及
图4示出了另外替换的离散波长可调谐激光器的示意性示图。
具体实施方式
结合所附附图以下所阐述的详细描述意图作为对根据本发明所提供的离散波长可调谐激光器的示例性实施例的描述，而并不意图表示可以构建或利用本发明所采用的仅有形式。该描述结合图示的实施例阐述了本发明的特征。然而要理解的是，可以由不同实施例实现相同的或等价的功能和结构，该不同实施例也意图被涵盖在本发明的精神和范围内。如在本文中的别处所表示的，相同的要素标号意图指示相同的要素或特征。
图1A描绘了根据本发明的离散波长可调谐激光器100。
在该方面，光学腔体由以下各项构成：RSOA 601；透射数字超模分布式布拉格反射器（TDS-DBR）605，其具有P个段以及被配置成当施加偏置电流时通过RSOA的增益带宽内的宽度W的P个对应光谱区域或“粗光谱区域”中的一个；以及多段数字超模分布式布拉格反射器（MSDS-DBR）606，该MSDS-DBR包括：P数量的多个DS-DBR光栅段、或“多个DS-DBR”，每个DS-DBR被配置成通过（透射）或反射给定光谱区域上的光，给定光谱区域与其他DS-DBR的光谱区域不同。
每个DS-DBR包括M数量的多个光栅子区域，以及针对光栅子区域中的每个的M数量的多个相应电触点对。每对电触点包括：用于连接到正电极结构的‘正电触点’和用于连接到负电极结构的‘负电触点’，以使得DS-DBR被配置成当电偏置跨越M对电触点中的相应一对时，通过或反射DS-DBR的给定光谱区域内的M个不同光谱子带中的任意一个。
MSDS-DBR光栅可以是线性调频脉冲（chirped）布拉格反射器。当MSDS-DBR未偏置时，MSDS-DBR的每个光栅段的每个子区域可以反射光谱子带内的波长，以使得MSDS-DBR在总光谱范围上是反射性的，该总光谱范围是光谱子带的并集。当将偏置施加到MSDS-DBR的第一子区域（被配置成当未偏置时反射第一光谱子带）时，子区域的折射率可以偏移，以及子区域在其上为反射性的波长范围可以相应地偏移，以覆盖第二（例如，相邻的）光谱子带。这可能导致第一光谱子带中在反射率上的减小（即，透射率上的增加），以及第二光谱子带中在反射率上的增加。例如，MSDS-DBR可以具有1527.6-1572.4 nm的总光谱范围，由每个为6.4 nm宽的7个光谱区域组成，其中的每个进而由每个为0.8 nm宽的8个光谱子带组成。
TDS-DBR可以具有类似的总光谱范围，以及可以以类似方式进行操作。其可以由可以不被进一步划分成子区域的P个段组成，作为其结果，可以在相对粗的光谱区域上控制TDS-DBR的反射率和透射率，该相对粗的光谱区域可以比MSDS-DBR的光谱子带更宽。例如，TDS-DBR可以具有每个为6.4 nm宽的7个光谱区域，以及每个光谱区域与MSDS-DBR的对应光谱区域重叠。
MSDS-DBR 606包括由M数量的多个公共正电极606-1、606-2、……606-7和单个公共负电极所组成的公共电极结构。
该M个公共正电极中的每个连接到DS-DBR中的每个上的电触点，以将电偏置同时提供给DS-DBR中的每个的M个光栅子区域中的相应一个。例如，可以从图1A看出的是，第一公共电极606-1连接到第一DS-DBR中的第一光栅子区域、第二DS-DBR中的第一光栅子区域，以及该模式一直持续到第P个DS-DBR为止。
以这种方式，当将偏置施加到M个公共电极中的给定一个（即第一公共正电极606-1）时，公共电极将会将偏置同时施加到MSDS-DBR的每个DS-DBR中的第一光栅子区域，由此选择P数量的多个DS-DBR中的每个内的对应光谱子带。
这可以导致DS-DBR中的P个所选光谱子带的梳形，如在图2的下部中示出的，每个所选光谱子带是对应DS-DBR的M个光谱子带s1、s2、……sM中的一个。
选择TDS-DBR 605和MSDS-DBR 606的光谱轮廓，以使得由MSDS-DBR产生的梳形的周期等于TDS-DBR的P个区域中的每个的光谱宽度。通过透射DS-DBR的所选光谱通带与MSDS-DBR中的所选梳形中的光谱带中的一个的重叠来选择离散波长可调谐激光器的激射模式。
以这种方式，如在图2中示出的，通过在第一TDS-DBR的控制电极605-1、605-2、……605-P中的一个上施加选择偏置以及在MSDS-DBR的公共控制电极中的一个上施加选择偏置，以数字方式选择RSOA的增益光谱中的M×P个模式之一。因此，与M×P个电极中的一个相对照的是，可能足以控制M+P个控制电极中的两个，从而简化数字控制的数量以及减少与数字驱动电路的连接的数量，与仅使用常规SG-DBR和/或DS-DBR的数字方案所需要的数字驱动电路相比简化了数字驱动电路。
此外，通过使用用于粗略选择的TDS-DBR而不是诸如阵列化波导光栅（AWG）之类的无源光学部件，激光腔体的总体大小可以被显著地减小。经组合的TDS-DBR和MSDS-DBR光栅的长度可以小于AWG的长度。
在图2的实施例中，示出了当向第一控制垫施加偏置时与TDS-DBR的P个段中的特定一个相对应的透射光谱，其中控制垫被限定为金属区域，其接触硅中的p掺杂或n掺杂区域以在电极与掺杂硅之间创建电触点。MSDS-DBR的反射比（或透射比）光谱被示为在TDS-DBR的透射光谱下面。如可以看到的，被施加到第5公共控制垫的电偏置导致重复P次的透射或反射光谱。TDS的透射光谱与MSDS-DBR的透射光谱的对齐导致了（M×P个模式中的）第5模式的激射。
在图1A中示出的实施例中，构成MSDS-DBR的DS-DBR全部是透射式DS-DBR，意味着当将偏置施加到光栅子区域来“选择”光栅子区域时，其导致特定光谱子带透射通过DS-DBR。激光器因此可以具有宽带输出反射镜610，诸如宽带反射镜光栅，以使激光腔体完整。对于透射式MSDS-DBR而言，由宽带反射镜光栅610所设定的腔体长度被设定为使得在激光器的总光谱区域内存在N个或更多个可能的腔体模式，以使得该N个或更多个腔体模式中的至少一个与P个粗光谱区域中的每个的光谱子带M中的每个重叠。在光谱的所有区域中，宽带反射镜具有比透射式MSDS-DBR更高的反射率。
将腔体模式与光谱子带中的最佳位置精确对齐可以由附加的单独相位调谐部分（603）来实现或者通过对DS-DBR的电极上的偏置进行附加的精细调谐来实现。
由于高反射率宽带反射镜（HR-BBM）所导致的驻波模式的波长可以在设计MSDS-DBR结构时被考虑在内。
BBM反射率可以被调节成产生期望的激光器斜率效率和输出功率以及稳定性，以及可以是较低的（例如，大约5-10%），以具有更小的FP（法布里-珀罗）峰以及得到更高的光学输出功率，或者可以高达50-70%，以具有增加的稳定性，但具有更低的输出斜率效率和功率。可以将SOA设计成在TDS-DBR以及MSDS-DBR的总光谱范围外的波长下具有足够低的增益，其中对于这样的波长，往返增益小于1。TDS-DBR的总光谱范围还可以被选择为比MSDS-DBR的总光谱范围更大，以使得其在一端或两端上包括光栅区域（其可以是无源的，即，不被配置成受到电控制），该光栅区域不对应于MSDS-DBR的光谱区域，以及可以防止在不处于MSDS-DBR的总光谱范围内的波长下进行激射。
激光器可以然后以在组合的TDS-DBR所选通带和MSDS-DBR所选子带的透射窗口内的模式进行激射。可以通过下述方式来避免在该透射窗口外的波长下进行激射：选择TDS-DBR光栅、MSDS-DBR光栅以及BBM的特性和位置，以使得在这样的波长下，从由TDS-DBR光栅、MSDS-DBR光栅以及BBM所形成的复合反射镜往回反射的电场的幅值小于在透射窗口内往回反射的场的幅值。例如，对于这样的波长而言，来自TDS-DBR光栅、MSDS-DBR光栅以及BBM的反射可能不是同相的，并且可能部分抵消。
所有光栅（MSDS-DBR、TDS-DBR和宽带反射器）的光栅长度（光栅长度是从第一槽口的前端到最末槽口的末端的长度）起到重要作用。总光栅长度可以是尽可能短的（例如，总共<500 μm），但是长度可以在<100 μm直到2 mm的范围内。
光栅可以被蚀刻到SOI波导的顶部、侧壁和/或平板中。
MSDS-DBR 606的光栅被制造在单个波导中，以及酌情将电极沿波导相互交叉，以在尽可能短的波导长度中给出所需数量的DS-DBR光栅。
在图1A中，仅示出三个DS-DBR光栅，但是本领域技术人员将理解的是，可以在波导中制造多个DS-DBR光栅来产生用于激光腔体的波长可选择前反射器。例如，在具有每个都拥有7个状态的7个DBR光栅的情况下，49个反射子带将是可能的。DS-DBR 605给出透射波长选择，如图2中示出的。
如在图1A中示出的，M个子区域具有交替的极性，以使得每个子区域对于在其任一侧上的两个区域而言具有相反的极性。然而设想的是，在替换的实施例（未示出）中，所有子区域可以具有相同的极性。如果所有子区域具有相同的极性，则所有正电极将处于光栅的一侧上，以及所有公共连接的负电极将一起处于光栅的相对侧上。
每个DS-DBR由具有随着光栅长度而增加的光栅间距的线性调频脉冲光栅子区域组成。
每个DS-DBR光栅段可以由连续的子区域形成。每个子区域可以包括p和n掺杂区域，以及相关联的正和负电极，其被电连接（经由诸如接触垫之类的电触点）到p和n掺杂区域以形成二极管。每个二极管与邻近二极管之间的电隔离是通过沿着光栅传播方向的相邻电极的物理分离来实现的。该分离（即，相邻电极之间的间隙）可以足够大，使得跨一个二极管经由其电极施加来改变其反射比或透射比的偏置将不会引起在邻近二极管处生成偏置。与相邻电极的物理分离一样，相邻二极管的p掺杂区域和n掺杂区域也可以被彼此物理分离，以沿着光栅传播方向在任意给定二极管与其邻近二极管之间提供进一步的电隔离。
每个DS-DBR将具有稍微不同的光栅周期，对应于与每个光栅子区域相对应的不同光谱子带。可以利用更长周期的光栅来构建覆盖更长波长光谱区域的DS-DBR。
相邻DS-DBR之间的间隔可以很小或者几乎为零，以最小化任意两个DS-DBR之间的间隙。可以将间隙制成仅足够大到用于电隔离。
当将电流注入到一个电极中时，电流将不散布到相邻区域中。通过触点隔离来分离电极。在一些实施例中，在隔离间隙中不存在p+掺杂/金属化。
图1B中示出了替换的离散波长可调谐激光器200。图1B的激光器与图1A的激光器的不同之处在于其包括反射式MSDS-DBR而不是透射式MSDS-DBR。另外的宽带反射镜可以不存在于激光器中，因为反射式MSDS-DBR本身形成激光腔体的输出反射镜。在反射式MSDS-DBR结构中，腔体长度可以更短。再者，TDS-DBR 605给出了如图2中示出的透射波长选择。TDS-DBR可以被设计为使得在被偏置时其最大反射率小于MSDS-DBR的最大反射率，以使得针对从TDS-DBR反射的光的往返增益小于一。
图1A和图1B中示出的实施例可以具有相对小的物理大小，因为它们可以仅包括DS-DBR光栅，以及没有DAC可以被用于切换。在一些实施例中，包括慢DAC以用于控制相位部分603，以便响应于随着年限或环境的漂移而修整总体波长。
图3中示出了离散波长可调谐激光器300的另一实施例。图3的激光器与图1B中的激光器的不同之处在于移除了TDS-DBR，以及通过使负电极分离且可选择来将已经由图1A和1B中的TDS-DBR实行的粗略选择功能集成到MSDS-DBR中。存在用于P数量的多个DS-DBR中的每个的公共负电极。
在这种情况下，通过将正电压施加到公共控制电极f1、f2、……fM（其中，在图3中，M=7）中的所选一个来选择用于激射的通道，所选择的控制电极与对应于要被选择的通道的子带相关联，如在早先的实施例中那样；然后将足够大的负电压施加到负电极中的仅一个，以便开启仅在与包含被选择通道的粗光谱区域相对应的DS-DBR中的二极管。
施加到其他P-1负电极的负电压可以为使得由将正电压施加到公共控制电极所导致的跨其他DS-DBR光栅上的相同子带的二极管的压降是在二极管的开启电压以下。
一些实施例与图3的实施例的不同之处在于MSDS-DBR采用具有粗负电极的反射式MSDS-DBR的形式。
参照图4，在一个实施例中，具有N个对应正电极e1、e2、……eN的单个反射式N段DS-DBR光栅被用来创建相同数量的用于可调谐激光器的离散波长状态。在一个实施例中，N=49；在其他实施例中，N可以比49更大或更小。
在该实施例中，可以使用控制M×P个控制电极中的一个控制电极的一个控制电路。光栅设计是简单的，以及控制电路是更简单的，以及激光腔体长度可以被制成短的。然而，与用于图1A、1B和3的实施例的M+P个相比，控制电极的数量可以更大，例如M×P个。更大数量的电极对于控制电路与其连接以及进行管理而言可能是更加困难的，特别地当所需要的激光器模式的数量N扩展到比包括49个光栅子区域的所示出的实施例高得多的数量时。
虽然已经在本文中具体描述和图示了离散波长可调谐激光器的示例性实施例，但许多修改和变化将对于本领域技术人员是显而易见的。因此，要理解的是，根据本发明的原理而构建的离散波长可调谐激光器可以以不同于在本文中具体描述的方式来体现。本发明也在所附权利要求及其等价方式中进行限定。

Claims (22)

1.一种多段数字超模分布式布拉格反射器MSDS-DBR，包括：
沿着波导布置的多个数字超模布拉格反射器DS-DBR光栅段；其中
每个DS-DBR光栅段被配置成通过或反射给定光谱区域上的光，所述给定光谱区域与其他DS-DBR光栅段的光谱区域不同；
其中每个DS-DBR光栅段包括多个光栅子区域，每个光栅子区域对应于所述DS-DBR光栅段的光谱区域内的光谱子带，以及
其中每个光栅子区域包括正电触点和负电触点；以使得所述光栅子区域被配置成当在其正电触点与负电触点之间提供电偏置时，通过或反射其光谱子带的光。
2.根据权利要求1所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，包括在所述多个数字超模布拉格反射器DS-DBR光栅段中的两个或更多个之间共享的公共电极结构；
其中所述公共电极结构包括公共电极，所述公共电极被连接到所述DS-DBR光栅段中的两个或更多个上的电触点，以将电偏置同时提供给两个或更多个DS-DBR光栅段中的每个上的光栅子区域中的相应一个。
3.根据权利要求2所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，其中：
所述公共电极结构包括多个公共电极，公共电极的数量对应于每个DS-DBR上的光栅子区域的数量；
其中所述公共电极中的每个被连接到所述DS-DBR光栅段中的每个上的相应电触点，以将电偏置同时提供给所述DS-DBR光栅段中的每个的光栅子区域中的相应一个，以使得施加到所述公共电极中的任一个的电偏置将使所述DS-DBR光栅段中的每个中的相应光栅子区域通过或反射其光谱子带的光。
4.根据权利要求2所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，其中所述公共电极是正电极。
5.根据权利要求4所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，其中单个公共负电极被布置成与所有所述DS-DBR光栅段中的每个光栅子区域相连接。
6.根据权利要求4所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，包括多个公共负电极，其中
所述公共负电极中的每个被配置成将负偏置施加到所述多个数字超模布拉格反射器DS-DBR光栅段中的相应一个内的所有光栅子区域；以使得：
可以通过将负偏置施加到与期望对其进行选择的DS-DBR光栅段相对应的公共负电极来实现所述MSDS-DBR的粗略选择；以及
可以通过将正偏置施加到将电触点提供给期望对其进行选择的光栅子区域的公共正电极来实现所述MSDS-DBR的精细选择。
7.一种离散波长可调谐激光器，包括：
半导体光学放大器SOA；
根据权利要求6所述的多段数字超模分布式布拉格反射器MSDS-DBR。
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，其中所述DS-DBR光栅段中的每个是透射式DS-DBR。
9.根据权利要求1至6中的任一项所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，其中所述DS-DBR光栅段中的每个是反射式DS-DBR。
10.根据权利要求8所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，其中每个DS-DBR光栅段包括4个光栅子区域。
11.根据权利要求8所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，包括4个DS-DBR光栅段。
12.根据权利要求1至6中的任一项所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，其中每个光栅子区域包括p-i-n二极管结，所述正电触点和负电触点分别位于p-i-n结的p掺杂区域和n掺杂区域处，以用于提供跨所述p-i-n结的电偏置来控制所述光谱子带中的每个的透过比或反射比。
13.根据权利要求12所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，其中所述p-i-n二极管结是水平p-i-n结。
14.一种离散波长可调谐激光器，包括：
半导体光学放大器SOA；
根据权利要求1所述的多段数字超模分布式布拉格反射器MSDS-DBR；以及
具有P数量的多个光谱通带的粗光谱滤波器；
其中所述粗光谱滤波器的P个光谱通带中的每个对应于所述MSDS-DBR的DS-DBR光栅段中的一个的光谱区域。
15.根据权利要求14所述的离散波长可调谐激光器，其中所述MSDS-DBR包括在所述多个数字超模布拉格反射器DS-DBR光栅段中的两个或更多个之间共享的公共电极结构，其中：
所述公共电极结构包括多个公共电极，公共电极的数量对应于每个DS-DBR上的光栅子区域的数量；以及
其中所述公共电极中的每个被连接到所述DS-DBR光栅段中的每个上的相应电触点，以将电偏置同时提供给所述DS-DBR光栅段中的每个的光栅子区域中的相应一个，以使得施加到所述公共电极中的任一个的电偏置将使所述DS-DBR光栅段中的每个中的相应光栅子区域通过或反射其光谱子带的光。
16.根据权利要求14或权利要求15所述的离散波长可调谐激光器，其中所述SOA是反射式半导体光学放大器RSOA。
17.根据权利要求14或权利要求15所述的离散波长可调谐激光器，其中所述波导是硅光子波导。
18.根据权利要求14或权利要求15所述的离散波长可调谐激光器，其中所述粗光谱滤波器是透射式数字超模布拉格反射器TDS-DBR，所述TDS-DBR具有多个透射通带，所述通带中的每个对应于所述MSDS-DBR的DS-DBR光栅段中的相应一个的光谱区域。
19.根据权利要求1至6中的任一项所述的多段数字超模分布式布拉格反射器，其中所述波导是硅光子波导。
20.一种离散波长可调谐激光器，包括：
半导体光学放大器SOA；
具有N个光栅子区域的反射式DS-DBR光栅，N是正整数，每个光栅子区域对应于所述DS-DBR光栅的光谱区域内的光谱子带，
其中：
每个光栅子区域具有正电触点和负电触点；以及
控制电路提供要跨所述N个光栅子区域中的每个的正电触点和负电触点所施加的相应电偏置，以便控制所述光栅子区域中的每个是透射还是反射其相应光谱子带的光。
21.根据权利要求20所述的离散波长可调谐激光器，其中所述DS-DBR的N个光栅子区域中的每个包括p-i-n结，所述正电触点和负电触点分别位于所述p-i-n结的p掺杂区域和n掺杂区域处，以用于控制对应光谱子带的透射比或反射比。
22.根据权利要求20所述的离散波长可调谐激光器，其中每个p-i-n结是水平p-i-n结。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2547467A (en) 2016-02-19 2017-08-23 Rockley Photonics Ltd Tunable laser
US11699892B2 (en) 2016-02-19 2023-07-11 Rockley Photonics Limited Discrete wavelength tunable laser
GB2547466B (en) * 2016-02-19 2021-09-01 Rockley Photonics Ltd Discrete wavelength tunable laser
US10439720B2 (en) 2017-05-19 2019-10-08 Adolite Inc. FPC-based optical interconnect module on glass interposer
JP7322646B2 (ja) * 2019-10-01 2023-08-08 住友電気工業株式会社 波長可変レーザ素子およびその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838714A (en) * 1995-08-18 1998-11-17 France Telecom Tunable wavelength laser emission components
GB2373632A (en) * 2001-03-19 2002-09-25 Marconi Caswell Ltd tuneable Laser
CN1561566A (zh) * 2001-07-30 2005-01-05 布克哈姆技术公共有限公司 可调谐激光器
US20090161717A1 (en) * 2005-12-08 2009-06-25 Douglas Charles John Reid Bragg reflector grating
CN103858294A (zh) * 2011-08-26 2014-06-11 奥兰若技术有限公司 单片集成的可调谐半导体激光器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4896325A (en) 1988-08-23 1990-01-23 The Regents Of The University Of California Multi-section tunable laser with differing multi-element mirrors
US5379318A (en) * 1994-01-31 1995-01-03 Telefonaktiebolaget L M Ericsson Alternating grating tunable DBR laser
GB2371920A (en) 2001-02-02 2002-08-07 Marconi Caswell Ltd Sampled Gating Distribiuted Reflector Laser
GB2381123B (en) 2001-10-17 2005-02-23 Marconi Optical Components Ltd Tuneable laser
GB2385979B (en) 2002-02-28 2005-10-12 Bookham Technology Plc Control for a tunable laser
JP2009043840A (ja) 2007-08-07 2009-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ発振波長を変更可能な発光装置
JP5625459B2 (ja) 2009-05-21 2014-11-19 住友電気工業株式会社 半導体レーザ素子及びその作製方法
JP5499903B2 (ja) 2010-05-27 2014-05-21 住友電気工業株式会社 半導体レーザ
GB2493989A (en) 2011-08-26 2013-02-27 Oclaro Technology Ltd Tunable multi-mode laser
US9209601B2 (en) * 2011-08-26 2015-12-08 Oclaro Technology Ltd Monolithically integrated tunable semiconductor laser
JP6020601B2 (ja) 2013-01-28 2016-11-02 富士通株式会社 レーザ装置、光変調装置及び光半導体素子
JP6273701B2 (ja) 2013-06-27 2018-02-07 住友電気工業株式会社 光半導体素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838714A (en) * 1995-08-18 1998-11-17 France Telecom Tunable wavelength laser emission components
GB2373632A (en) * 2001-03-19 2002-09-25 Marconi Caswell Ltd tuneable Laser
CN1561566A (zh) * 2001-07-30 2005-01-05 布克哈姆技术公共有限公司 可调谐激光器
US20090161717A1 (en) * 2005-12-08 2009-06-25 Douglas Charles John Reid Bragg reflector grating
CN103858294A (zh) * 2011-08-26 2014-06-11 奥兰若技术有限公司 单片集成的可调谐半导体激光器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"A widely tunable Digital Supermode DBR laser with high SMSR";G Busico 等;《Tunable and Multiwavelenght Lasers》;20020910;第1页第1-6段，图1 *
"Demonstration of a widely tunable digital supermode distributed Bragg reflector laser as a versatile source for near-infrared spectroscopy";L. Ciaffoni 等;《Applied Physics B》;20120114;第140页第2-5段，第141页第1-2段，图1 *

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Publication number Publication date
WO2017072522A1 (en) 2017-05-04
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GB2543861B (en) 2020-12-02
CN108432069A (zh) 2018-08-21
GB2543861A (en) 2017-05-03
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GB201522542D0 (en) 2016-02-03

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