CN108432036A - 移相器和天线 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种移相器，包括馈电单元、耦合元件和第一移相段，所述馈电单元与所述耦合元件电连接，所述耦合元件与所述第一移相段电连接。所述第一移相段包括基板和两层慢波微带线，所述两层慢波微带线结构相同，且呈镜相对称分布于所述基板的正面和反面，所述两层慢波微带线之间通过多个金属过孔电连接，所述耦合元件相对所述第一移相段之所述两层慢波微带线移动，以改变流经所述移相器的信号的相位。本申请还提供一种天线。本申请提供的移相器具有小尺寸、易扩展、成本低且装配简单的优势。

Description

移相器和天线 技术领域

本申请涉及天线领域，特别涉及，可应用于天线中的具有滤波元件的移相器和天线。

背景技术

移相器是电调基站天线的核心组成部分，它对天线的方向图的电调节起主要作用。移相器通过改变到达天线单元的相位实现天线方向图的电调节，达到在不同情况下对网络覆盖区域远程控制调节的目的。目前的基站天线移相器不仅需要有精确改变相位的功能，还要具有功率分配功能，移相器设计的好坏直接影响基站天线的方向图、增益、外形尺寸等整机性能，同时也影响了基站天线的总体成本。因此，如何设计一种小尺寸、易扩展、成本低且装配简单的移相器为业界所研究的课题。

发明内容

本申请实施例提供了一种移相器和一种天线，具有小尺寸、易扩展、成本低且装配简单的优势。

一方面，本申请提供一种移相器，包括馈电单元、耦合元件和第一移相段，所述馈电单元与所述耦合元件电连接，所述耦合元件与所述第一移相段电连接，所述第一移相段包括基板和两层慢波微带线，所述两层慢波微带线结构相同，且呈镜相对称分布于所述基板的正面和反面，所述两层慢波微带线之间通过多个金属过孔电连接，所述耦合元件相对所述第一移相段之所述两层慢波微带线移动，以改变流经所述移相器的信号的相位。

结合第一方面，在第一种可能的实施方式中，所述移相器还包括转轴，所述第一移相段呈带状弧形，所述耦合元件绕所述转轴旋转，以实现所述耦合元件相对所述第一移相段的移动。

结合第一方面之第一种可能的实施方式，在第二种可能的实施方式中，所述移相器还包括第二移相段，所述第二移相段亦呈带状弧形，所述第二移相段位于所述转轴与所述第一移相段之间，所述耦合元件与所述第二移相段电连 接，所述耦合元件绕所述转轴旋转的过程中，同时相对所述第二移相段移动，以改变流经所述移相器的信号的相位。

结合第一方面之第二种可能的实施方式，在第三种可能的实施方式中，所述耦合元件包括依次相连的连接段、第一传输段、第一耦合段、第二传输段和第二耦合段，所述连接段与所述转轴连接，部分所述馈电单元与所述连接段层叠相对设置以实现电连接，所述第一耦合段与所述第二移相段层叠相对设置以实现耦合电连接，所述第二耦合段与所述第一移相段层叠相对设置以实现耦合电连接。

结合第一方面之第三种可能的实施方式，在第四种可能的实施方式中，所述第二耦合段呈平板状结构，位于所述第一移相段的一侧。

结合第一方面之第三种可能的实施方式，在第五种可能的实施方式中，所述第二耦合段呈“匚”形结构，所述第二耦合段包括上耦合片、下耦合片及连接于所述上耦合片和所述下耦合片之间的连接片，所述上耦合片和所述下耦合片分别层叠设于所述第一移相段的两侧。

结合第一方面之第五种可能的实施方式，在第六种可能的实施方式中，所述第一移相段、所述第二移相段和所述馈电单元设于同一个基板上，所述基板设有与所述第一移相段延伸方向相通的通孔，所述通孔设于所述第一移相段与所述第二移相段之间，所述第二耦合段通过所述通孔半包围所述第一移相段，所述连接片收容在所述通孔中。

结合第一方面之第三种可能的实施方式，在第七种可能的实施方式中，所述馈电单元与所述连接段之间、所述第一耦合段与所述第二移相段之间及所述第二耦合段与所述第一移相段之间均设置绝缘层。

结合第一方面之第七种可能的实施方式，在第八种可能的实施方式中，所述移相器包括设于所述馈电单元上的输入端、分别设于所述第一移相段的两端的第一输出端和第二输出端、分别设于所述第二移相段的两端的第三输出端和第四输出端、及第五输出端，所述第五输出端连接至所述馈电单元，且所述第一输出端和所述输入端分别位于所述转轴的两侧。

结合第一方面，在第九种可能的实施方式中，每层所述慢波微带线均包括多个第一单元和多个第二单元，所述多个第一单元依次并排排列呈第一带状结构，相邻的两个所述第一单元之间均设有第一间隙，所述多个第二单元依次并 排排列呈第二带状结构，相邻的两个所述第二单元之间均设有第二间隙，所述第一带状结构和所述第二带状结构部分重合，所述多个第二间隙分别伸入所述多个第一单元内，所述多个第一间隙分别伸入所述多个第二单元内，使得每个所述第一单元均连接在相邻的两个所述第二单元之间，形成连续蜿蜒的微带线结构。

结合第一方面之第九种可能的实施方式，在第十种可能的实施方式中，每个所述第一单元和每个所述第二单元内均设有一个所述金属过孔。

结合第一方面之第十种可能的实施方式，在第十一种可能的实施方式中，所述第一间隙和所述第二间隙均呈直形条状，每个所述第一单元内的所述金属过孔均位于所述第二间隙的延长线上，每个所述第二单元内的所述金属过孔均位于所述第一间隙的延长线上。

结合第一方面之第九种可能的实施方式，在第十二种可能的实施方式中，所述第一带状结构和所述第二带状结构分别在两个同心圆的轨迹上呈弧形延伸，所述第一带状结构位于所述第二带状结构的外圈，所有的所述第一间隙和所述第二间隙的延伸方向均为所述同心圆的半径方向。

结合第一方面之第十二种可能的实施方式，在第十三种可能的实施方式中，所述第一间隙和所述第二间隙在所述半径方向上的延伸长度相同，且值为D1，所述慢波微带线在所述半径方向上的宽度为所述第一移相段的电路宽度，所述电路宽度的值为D2，所述D1和所述D2的比值范围在0.3-0.8之间。

结合第一方面之第九种可能的实施方式，在第十四种可能的实施方式中，所述移相器还包括中空的壳体，所述壳体包括相对设置的顶壁和底壁，所述馈电单元、所述耦合元件、所述第一移相段及所述第二移相段设于所述顶壁和所述底壁之间，所述顶壁和所述底壁为所述移相器的地。

第二方面，本申请提供一种天线，所述天线包括第一方面任意一种实施试所述的移相器和天线单元，所述移相器通过输出电缆连接至所述天线单元。

第三方面，本申请提供一种移相器，所述移相器包括转轴、馈电单元、耦合元件及至少两个移相段，所述至少两个移相段均以所述转轴为中心呈带状弧形延伸，且沿着同一半径方向层叠分布，每个所述移相段均包括基板和两层慢波微带线，所述两层慢波微带线结构相同，且呈镜相对称分布于所述基板的正面和反面，所述两层慢波微带线之间通过多个金属过孔电连接，所述馈电单元 与所述耦合元件电连接，所述耦合元件与所述至少两个移相段电连接，所述耦合元件绕所述转轴旋转，以实现所述耦合元件相对所述至少两个移相段的移动，以改变流经所述移相器的信号的相位。

结合第三方面，在第一种可能的实施方式中，所述耦合元件包括连接段、至少两个传输段和第少两个耦合段，所述连接段与所述转轴连接，部分所述馈电单元与所述连接段层叠相对设置以实现电连接，所述至少两个耦合段分别与所述至少两个移相段层叠相对设置以实现耦合电连接，所述耦合段与所述连接段之间及相邻的两个所述耦合段之间均通过所述传输段连接。

结合第三方面之第一种可能的实施方式，在第二种可能的实施方式中，所述至少两个耦合段均呈平板状结构，且位于所述至少两个移相段的一侧。

结合第三方面之第一种可能的实施方式，在第三种可能的实施方式中，所述至少两个耦合段均呈“匚”形结构，每个所述耦合段包括上耦合片、下耦合片及连接于所述上耦合片和所述下耦合片之间的连接片，所述上耦合片和所述下耦合片分别层叠设于所述移相段的两侧。

结合第三方面之第一种可能的实施方式，在第四种可能的实施方式中，所述馈电单元与所述连接段之间、所述耦合段与所述移相段之间均设置绝缘层。

相较于现有技术，本申请提供的移相器之移相段(第一方面的技术方案中称为第一移相段、第二移相段；在第三方面称为移相段)包括基板和设置在基板两面的两层慢波微带线，通过将所述两层慢波微带线结构相同，且呈镜相对称分布于所述基板的正面和反面，所述两层慢波微带线之间通过多个金属过孔电连接。由于两层慢波微带线结构相同，镜相分布在基板的两面，使得基板在工作温度范围内，能保证良好的平面度，因为两面的慢波微带线结构相同，工作温度范围内，基板两面的微带线变形程度相同，使得基板不管在温度在怎样的变化情况下，都能保持良好的平面度，不会发生翘曲现象。而且基板的正、反两面都有慢波微带线，且通过金属过孔实现两层慢波微带线的电连接，耦合元件与移相段耦合的过程中，可以同时实现双面耦合，能够有效保证电容量及电气设计稳定性，在相同的移相量下，本申请提供的方案能够明显减小移相器的尺寸。而且慢波微带线与基板一体化加工，加工更加容易，成本可以降低。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一种实施方式提供的移相器的平面示意图。

图2是图1所示的移相器的侧视图。

图3为本申请另一种实施方式提供的移相器的平面示意图。

图4是图3所示的移相器的侧视图。

图5是图3所示的移相器另一方向的剖面图。

图6是本申请又一种实施方式提供的移相器的平面示意图。

图7是本申请一种实施方式提供的移相器之第一移相段的立体示意图。

图8是图7所示的第一移相段的部分放大视图。

图9是图7所示的第一移相段中的慢波微带线之局部平面示意图。

图10是本申请所述的移相器应用环境示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请以下实施例中所采用的序数限定词，第一、第二等仅是为了清楚地说明本申请中相似的特征的区别性的用语，不代表相应的特征的排列顺序或者使用顺序。

请参阅图1，移相器100包括馈电单元10、耦合元件20和第一移相段PS1，所述馈电单元10与所述耦合元件20电连接，所述耦合元件20与所述第一移相段PS1电连接。馈电单元10用于输入信号，并将信号传输至耦合元件20，再通过耦合元件20与第一移相段PS1的耦合电连接将信号传输至第一移相段PS1。本申请实施例中，馈电单元10、耦合元件20和第一移相段PS1可以集成在一块基板上，也可以分别设置在独立的基板上。

请参阅图1和图2，所述第一移相段PS1包括基板30和两层慢波微带线 32，所述两层慢波微带线32结构相同，且呈镜相对称分布于所述基板30的正面和反面，所述两层慢波微带线32之间通过多个金属过孔40电连接。所述耦合元件20相对所述第一移相段PS1之所述两层慢波微带线32移动，以改变流经所述移相器100的信号的相位。

所述耦合元件20相对所述第一移相段PS1移动的方式可以通过为直线移动，也可以为转动的方式。耦合元件20可以通过一个驱动装置(未图示)来驱动，若要实现直线移动，可以通过电机带动推杆的往复直线移动来带动耦合元件20的移动；若要实现转动，可以在移相器内设置转轴，通过电机输出轴带动转轴转动，进一步实现耦合元件20以转轴为中心的转轴。本实施方式中，所述移相器100还包括转轴50，所述第一移相段PS1呈带状弧形，所述耦合元件20绕所述转轴50旋转，以实现所述耦合元件20相对所述第一移相段PS1的移动。相较直线移动的方式，耦合元件20绕转轴50旋转的设计可以占用较小的空间。第一移相段PS1以所述转轴50为中心延伸的带状弧形结构，耦合元件20在第一移相段PS1的半径方向上延伸，进一步地，耦合元件20的一端与转轴50连接，耦合元件20的另一端与第一移相段PS1耦合。如图1所示，馈电单元10和耦合元件20在转轴50处交汇连接。

本实施方式中，所述移相器100还包括第二移相段PS2，所述第二移相段PS2亦呈带状弧形，所述第二移相段PS2位于所述转轴50与所述第一移相段PS1之间，所述耦合元件20与所述第二移相段PS2电连接，所述耦合元件20绕所述转轴50旋转的过程中，同时相对所述第二移相段PS2移动，以改变流经所述移相器100的信号的相位。本实施方式中，第二移相段PS2与第一移相段PS1为同心带状圆弧，二者具有共同的旋转中心(即所述转轴50)，第二移相段PS2的半径小于第一移相段PS1的半径，优选的设计为：第一移相段PS1的半径为第二移相段PS2的半径的二倍。

第一移相段PS1是通过设置在基板30上的两层慢波微带线32作为电路架构与耦合元件20相耦合。第二移相段PS2上亦设置与耦合元件20相耦合的电路架构，具体的电路架构可以与第一移相段PS1的电路架构相同，也可以不同，可以依据具体的产品设计需求设计不同的电路架构，本申请不再描述其它不同电路架构的细节，可采用现有技术中的移相电路。

本实施方式中，耦合元件20为金属材质，且呈金属薄片形式的摆臂结构。 所述耦合元件20包括依次相连的连接段21、第一传输段22、第一耦合段23、第二传输段24和第二耦合段25。所述连接段21与所述转轴50连接，本实施方式中，连接段21位于耦合元件20的一端，连接段21可以采用导体材料(例如：金属、导电塑料、导电陶瓷等)制成，这样连接段21可以直接与馈电单元10电连接，以使得耦合元件20与馈电单元10之间建立信号传输通道。本实施方式中，部分所述馈电单元10与所述连接段21层叠相对设置以实现电连接，馈电单元10可以为金属微带线结构，可以为金属片结构，也可以为金属导线结构。所述第一耦合段23与所述第二移相段PS2层叠相对设置以实现耦合电连接，所述第二耦合段25与所述第一移相段PS1层叠相对设置以实现耦合电连接。

第二耦合段25用于与第一移相段PS1耦合电连接，本实施方式中，请参阅图2，所述第二耦合段25呈平板状结构，位于所述第一移相段PS1的一侧。图2所示的实施例中，第一移相段PS1、第二移相段PS2和馈电单元10位于同个基板30上，基板30固定于移相器100的腔体内，具体而言，如图2、图4和图5所示，所述移相器100还包括中空的壳体101，所述壳体101包括相对设置的顶壁102和底壁103，所述馈电单元10、所述耦合元件20、所述第一移相段PS1及所述第二移相段PS2设于所述顶壁102和所述底壁103之间，基板30固定于壳体101，壳体101通常为金属材质，所述顶壁和所述底壁为所述移相器的地，移相器内部的电子元件(例如第一移相段PS1、第二移相段PS2和馈电单元10)通过壳体101接地。

另一种实施方式中，请参阅图3、图4和图5，所述第二耦合段25呈“匚”形结构，所述第二耦合段25包括上耦合片252、下耦合片254及连接于所述上耦合片252和所述下耦合片254之间的连接片253，所述上耦合片252和所述下耦合片254分别层叠设于所述第一移相段PS1的两侧。

一种实施方式中，请参阅图3，所述第一移相段PS1、所述第二移相段PS2和所述馈电单元10设于同一个基板30上，所述基板30设有与所述第一移相段PS1延伸方向相通的通孔35，也就是说，通孔35的形状亦为以转轴50为中心的带状弧形结构，所述通孔35设于所述第一移相段PS1与所述第二移相段PS2之间，所述第二耦合段25通过所述通孔35半包围所述第一移相段PS1，所述连接片253收容在所述通孔35中，即连接片253贯穿通孔35，使得上耦 合片252位于第一移相段PS1的一侧，下耦合片254位于第一移相段PS1的另一侧。耦合元件20以转轴50为中心转动的过程中，连接片253在通孔35中移动。本实施方式中，通孔35靠近第一移相段PS1设计，这样可以将上耦合片252和下耦合片254的尺寸设计的尽量小。同样，如图3和图4所示，第二移相段PS2与转轴50之间也设有通孔37，相应地，第一耦合段23的结构与第二耦合段25的结构相似，也通过互连呈“匚”形结构的上耦合片232、连接片233和下耦合片244形成。

耦合元件20之第一传输段22和第二传输段24均呈金属平板结构，第一传输段22连接在第一耦合段23之上耦合片252与耦合元件20的连接段21之间，第二传输段24连接于第二耦合段25之上耦合片252与耦合元件20之连接段21之间。其它实施方式中，第一传输段22和第二传输段24也可以设计呈导线的形式或者微带线结构。

请参阅图2和图4，所述馈电单元10与所述连接段21之间、所述第一耦合段23与所述第二移相段PS2之间及所述第二耦合段25与所述第一移相段PS1之间均设置绝缘层70。所述绝缘层70可以是塑料薄片或者涂覆在馈电单元10和/或述连接段21、第一耦合段23和/或第二移相段PS2、第二耦合段25和/或第一移相段PS1上的绝缘涂层。

所述移相器100包括设于所述馈电单元10上的输入端Pin、分别设于所述第一移相段PS1的两端的第一输出端Port1和第二输出端Port2、分别设于所述第二移相段PS2的两端的第三输出端Port3和第四输出端Port4、及第五输出端Port5，所述第五输出端Port5连接至所述馈电单元10，且所述第一输出端和所述输入端分别位于所述转轴50的两侧。本申请的移相器为一个输入端、五个输出端的移相装置，五个输出端分别和阵列天线200的不同单元201或者单元组连接，如图10所示，从输入端的高频电流经过移相器输出需要的功率和相位至阵列天线200的不同的单元201或单元组上。

另一种实施方式中，请参阅图6，第一移相段PS1、第二移相段PS2和馈电单元10分别设置在三个不同的基板301、302、303上，通过塑料支架(未图示)把这三个独立的基板301、302、303固定在移相器100的壳体101内。这种设计虽然装配性较差，但有利于整体尺寸的减小，成本亦会降低。

本申请通过在第一移相段PS1和第二移相段PS2(当然也可以只包括第一 移相段PS1，或者包括两个以上的移相段)的基板30上设置两层慢波微带线32，且两层慢波微带线32镜相分布在基板30的两面，使得移相器100在工作温度范围内，能保证良好的平面度，移相器100工作过程中，由于基板30两面的慢波微带线32结构相同，温度变化的情况下，基板30两面同步变化，因此，基板30不会因为温度变化发生翘曲现象。而且两层慢波微带线32形成双面耦合结构，双面耦合结构可以有效保证电容量，对移相器100的电气设计的稳定性具有明显的优势。

所述慢波微带线结构具体描述如下。

请参阅图7、图8和图9，每层所述慢波微带线32均包括多个第一单元321和多个第二单元322，所述多个第一单元321依次并排排列呈第一带状结构B1，相邻的两个所述第一单元321之间均设有第一间隙323，所述多个第二单元322依次并排排列呈第二带状结构B2，相邻的两个所述第二单元322之间均设有第二间隙324，所述第一带状结构B1和所述第二带状结构B2部分重合，所述多个第二间隙324分别伸入所述多个第一单元321内，所述多个第一间隙323分别伸入所述多个第二单元322内，使得每个所述第一单元321均连接在相邻的两个所述第二单元322之间，形成连续蜿蜒的微带线结构。

具体而言，慢波微带线32整体呈弧形带状结构，所述弧形带状结构包括内侧边326和外侧边325，内侧边326和外侧边325为包括共同的半径曲率的弧形，多个第一间隙323从外侧边325沿着半径方向且朝向内侧边326延伸，多个第二间隙324从内侧边326沿着半径方向且朝向外侧边325延伸。在圆周方向上，每个第二间隙324排列在相邻的两个第一间隙323之间，且第二间隙324部分伸入相邻的两个第一间隙323之间的区域，这样，多个第一间隙323和多个第二间隙324交错设置将所述弧形带状结构切割形成连续蜿蜒的微带线结构。

一种实施方式中，每个所述第一单元321和每个所述第二单元322内均设有一个所述金属过孔40。本实施方式中，所述第一间隙323和所述第二间隙324均呈直形条状，每个所述第一单元321内的所述金属过孔40均位于所述第二间隙324的延长线上，每个所述第二单元322内的所述金属过孔40均位于所述第一间隙323的延长线上。

优选的设计为：所述第一带状结构B1和所述第二带状结构B2分别在两个同心圆的轨迹上呈弧形延伸，所述第一带状结构B1位于所述第二带状结构B2的外圈，所有的所述第一间隙323和所述第二间隙324的延伸方向均为所述同心圆的半径方向。

请参阅图8和图9，所述第一间隙323和所述第二间隙324在所述半径方向上的延伸长度相同，且值为D1，所述慢波微带线在所述半径方向上的宽度为所述第一移相段PS1的电路宽度，所述电路宽度的值为D2，所述D1和所述D2的比值范围在0.3-0.8之间。

本申请还提供一种天线，如图10所示，所述天线200包括所述的移相器100和天线单元201，所述移相器100通过输出电缆连接至所述天线单元201。本申请的移相器100为一个输入端、五个输出端的移相装置，五个输出端分别和阵列天线200的不同单元201或者单元组连接，从输入端的高频电流经过移相器输出需要的功率和相位至阵列天线的不同的单元201或单元组上。

以上对本申请实施例所提供的移相器和天线进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (21)

1. 一种移相器，包括馈电单元、耦合元件和第一移相段，所述馈电单元与所述耦合元件电连接，所述耦合元件与所述第一移相段电连接，其特征在于，所述第一移相段包括基板和两层慢波微带线，所述两层慢波微带线结构相同，且呈镜相对称分布于所述基板的正面和反面，所述两层慢波微带线之间通过多个金属过孔电连接，所述耦合元件相对所述第一移相段之所述两层慢波微带线移动，以改变流经所述移相器的信号的相位。
2. 如权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述移相器还包括转轴，所述第一移相段呈带状弧形，所述耦合元件绕所述转轴旋转，以实现所述耦合元件相对所述第一移相段的移动。
3. 如权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述移相器还包括第二移相段，所述第二移相段亦呈带状弧形，所述第二移相段位于所述转轴与所述第一移相段之间，所述耦合元件与所述第二移相段电连接，所述耦合元件绕所述转轴旋转的过程中，同时相对所述第二移相段移动，以改变流经所述移相器的信号的相位。
4. 如权利要求3所述的移相器，其特征在于，所述耦合元件包括依次相连的连接段、第一传输段、第一耦合段、第二传输段和第二耦合段，所述连接段与所述转轴连接，部分所述馈电单元与所述连接段层叠相对设置以实现电连接，所述第一耦合段与所述第二移相段层叠相对设置以实现耦合电连接，所述第二耦合段与所述第一移相段层叠相对设置以实现耦合电连接。
5. 如权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述第二耦合段呈平板状结构，位于所述第一移相段的一侧。
6. 如权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述第二耦合段呈“匚”形结构，所述第二耦合段包括上耦合片、下耦合片及连接于所述上耦合片和所述下耦合片之间的连接片，所述上耦合片和所述下耦合片分别层叠设于所述第一移相段的两侧。
7. 如权利要求6所述的移相器，其特征在于，所述第一移相段、所述第二移相段和所述馈电单元设于同一个基板上，所述基板设有与所述第一移相段延伸方向相通的通孔，所述通孔设于所述第一移相段与所述第二移相段之间， 所述第二耦合段通过所述通孔半包围所述第一移相段，所述连接片收容在所述通孔中。
8. 如权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述馈电单元与所述连接段之间、所述第一耦合段与所述第二移相段之间及所述第二耦合段与所述第一移相段之间均设置绝缘层。
9. 如权利要求8所述的移相器，其特征在于，所述移相器包括设于所述馈电单元上的输入端、分别设于所述第一移相段的两端的第一输出端和第二输出端、分别设于所述第二移相段的两端的第三输出端和第四输出端、及第五输出端，所述第五输出端连接至所述馈电单元，且所述第一输出端和所述输入端分别位于所述转轴的两侧。
10. 如权利要求1-9任意一项所述的移相器，其特征在于，每层所述慢波微带线均包括多个第一单元和多个第二单元，所述多个第一单元依次并排排列呈第一带状结构，相邻的两个所述第一单元之间均设有第一间隙，所述多个第二单元依次并排排列呈第二带状结构，相邻的两个所述第二单元之间均设有第二间隙，所述第一带状结构和所述第二带状结构部分重合，所述多个第二间隙分别伸入所述多个第一单元内，所述多个第一间隙分别伸入所述多个第二单元内，使得每个所述第一单元均连接在相邻的两个所述第二单元之间，形成连续蜿蜒的微带线结构。
11. 如权利要求10所述的移相器，其特征在于，每个所述第一单元和每个所述第二单元内均设有一个所述金属过孔。
12. 如权利要求11所述的移相器，其特征在于，所述第一间隙和所述第二间隙均呈直形条状，每个所述第一单元内的所述金属过孔均位于所述第二间隙的延长线上，每个所述第二单元内的所述金属过孔均位于所述第一间隙的延长线上。
13. 如权利要求10所述的移相器，其特征在于，所述第一带状结构和所述第二带状结构分别在两个同心圆的轨迹上呈弧形延伸，所述第一带状结构位于所述第二带状结构的外圈，所有的所述第一间隙和所述第二间隙的延伸方向均为所述同心圆的半径方向。
14. 如权利要求13所述的移相器，其特征在于，所述第一间隙和所述第二间隙在所述半径方向上的延伸长度相同，且值为D1，所述慢波微带线在所 述半径方向上的宽度为所述第一移相段的电路宽度，所述电路宽度的值为D2，所述D1和所述D2的比值范围在0.3-0.8之间。
15. 如权利要求10所述的移相器，其特征在于，所述移相器还包括中空的壳体，所述壳体包括相对设置的顶壁和底壁，所述馈电单元、所述耦合元件、所述第一移相段及所述第二移相段设于所述顶壁和所述底壁之间，所述顶壁和所述底壁为所述移相器的地。
16. 一种天线，其特征在于，所述天线包括如权利要求1至权利要求15任意一项所述的移相器和天线单元，所述移相器通过输出电缆连接至所述天线单元。
17. 一种移相器，其特征在于，包括转轴、馈电单元、耦合元件及至少两个移相段，所述至少两个移相段均以所述转轴为中心呈带状弧形延伸，且沿着同一半径方向层叠分布，每个所述移相段均包括基板和两层慢波微带线，所述两层慢波微带线结构相同，且呈镜相对称分布于所述基板的正面和反面，所述两层慢波微带线之间通过多个金属过孔电连接，所述馈电单元与所述耦合元件电连接，所述耦合元件与所述至少两个移相段电连接，所述耦合元件绕所述转轴旋转，以实现所述耦合元件相对所述至少两个移相段的移动，以改变流经所述移相器的信号的相位。
18. 如权利要求17所述的移相器，其特征在于，所述耦合元件包括连接段、至少两个传输段和第少两个耦合段，所述连接段与所述转轴连接，部分所述馈电单元与所述连接段层叠相对设置以实现电连接，所述至少两个耦合段分别与所述至少两个移相段层叠相对设置以实现耦合电连接，所述耦合段与所述连接段之间及相邻的两个所述耦合段之间均通过所述传输段连接。
19. 如权利要求18所述的移相器，其特征在于，所述至少两个耦合段均呈平板状结构，且位于所述至少两个移相段的一侧。
20. 如权利要求18所述的移相器，其特征在于，所述至少两个耦合段均呈“匚”形结构，每个所述耦合段包括上耦合片、下耦合片及连接于所述上耦合片和所述下耦合片之间的连接片，所述上耦合片和所述下耦合片分别层叠设于所述移相段的两侧。
21. 如权利要求18-20任意一项所述的移相器，其特征在于，所述馈电单元与所述连接段之间、所述耦合段与所述移相段之间均设置绝缘层。