CN108415602A - 一种触控结构的制备方法、oled触控显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种触控结构的制备方法及OLED触控显示装置，该方法包括提供一显示面板；在小于或等于100℃的温度下，在显示面板上形成第一导电图案层；在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖第一导电图案层的绝缘层，绝缘层设有连通第一导电图案层的过孔；在小于或等于100℃的温度下，在绝缘层上形成第二导电图案层；其中，第一导电图案层与第二导电图案层中通过过孔连接。通过上述方法，本发明在小于或等于100℃的温度下制备触控结构，防止温度过高导致触控结构的品质下降，提高产品的良品率。

Description

一种触控结构的制备方法、OLED触控显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种触控结构的制备方法、OLED触控显示装置。
背景技术
现有技术中，OLED(有机发光二极管)触控显示装置的耐受温度较低，因此在柔性OLED上制备触控层时，过高的温度会导致制备而成的触控层质量较低，降低产品的良品率。
发明内容
本发明主要是提供一种触控结构的制备方法、OLED触控显示装置，旨在解决过高的温度导致制备而成的触控结构质量较低、降低产品良品率的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种触控结构的制备方法，该方法包括：提供一显示面板；在小于或等于100℃的温度下，在所述显示面板上形成第一导电图案层；在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层，所述绝缘层设有连通所述第一导电图案层的过孔；在小于或等于100℃的温度下，在所述绝缘层上形成第二导电图案层；其中，所述第一导电图案层与所述第二导电图案层中通过所述过孔连接。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种OLED触控显示装置，包括OLED显示面板以及设置于所述OLED显示面板上的触控结构，其中，所述触控结构由上述的方法制备而成的。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过提供一显示面板；在小于或等于100℃的温度下，在所述显示面板上形成第一导电图案层；在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层，所述绝缘层设有连通所述第一导电图案层的过孔；在小于或等于100℃的温度下，在所述绝缘层上形成第二导电图案层；其中，所述第一导电图案层与所述第二导电图案层中通过所述过孔连接的方法，在小于或等于100℃的温度下制备触控结构，防止温度过高导致触控结构的品质下降，提高产品的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本发明提供的触控结构的制备方法第一实施例的具体流程图；
图2是本发明提供的OLED触控显示装置第一实施例的结构示意图；
图3是图1中步骤S12的具体流程示意图；
图4是图3中步骤S122的具体流程示意图；
图5是图1中步骤S13的一实施例的具体流程示意图；
图6是图1中步骤S13的另一实施例的具体流程示意图；
图7是图1中步骤S13的又一实施例的具体流程示意图；
图8是图1中步骤S14的具体流程示意图；
图9是图8中步骤S142的具体流程示意图；
图10是图2中第一导电图案层与第二导电图案层的连接示意图；
图11是图2中OLED触控显示装置的另一结构示意图；
图12是本发明提供的触控结构的制备方法第二实施例的具体流程图；
图13是本发明提供的OLED触控显示装置第二实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
共同参阅图1及图2，图1是本发明提供的触控结构20的制备方法第一实施例的具体流程示意图，本实施例的制备方法包括：
S11：提供一显示面板；
如图2所示，该显示面板10包括基板101及显示单元102，基板101为柔性基板，可通过如聚酰亚胺的有机材料制备而成，显示单元102包括薄膜晶体管1021及OLED器件层1022。
其中，薄膜晶体管1021可以是非晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管。
S12：在小于或等于100℃的环境中，在显示面板上形成第一导电图案层；
参阅图3，该步骤S12可具体包括：
S121：采用小于或等于100℃的镀膜温度，在显示面板上形成第一导电层；
具体的，通过物理气相沉积法在OLED器件层1022上沉积导电材料以形成第一导电层，在物理气相沉积的过程中，控制镀膜温度小于或等于100℃。
可选的，导电材料可以为氧化铟锡或铝、铜、银、钛、钼及其合金中的一种或多种，在此不做限制。
S122：在小于或等于100℃的温度下，对第一导电层进行图案化处理。
参阅图4，该步骤S122可具体包括：
S1221：采用小于或等于100℃的固化温度，依次对第一导电层进行光阻涂布、曝光及显影；
具体的，可使用光阻涂布设备通过旋转涂布法，利用旋转产生的离心力，将滴于第一导电层上的光阻剂甩开，在光阻剂表面张力以及旋转离心力的共同作用下，形成光阻膜，在形成光阻膜之后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对光阻膜进行烘烤固化，形成干燥的光阻膜，即为光阻层。
其中，光阻剂是主要由树脂、感光剂及溶剂混合而成的感光材料。
进一步的，在形成光阻层后，通过掩膜板对光阻层进行曝光处理，并通过显影液对曝光后的光阻层进行显影处理，显影之后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对光阻层进行烘烤固化，使得在显影过程中，软化、膨胀的光阻层与第一导电层的粘附性更强，提高光阻层的抗蚀能力。
S1222：对第一导电层进行蚀刻。
其中，该步骤S1222中对第一导电层进行蚀刻，可通过使用蚀刻液进行湿法蚀刻，以形成第一导电图案层201，也可以在小于或等于100℃的蚀刻温度下，对第一导电层进行干法蚀刻，以形成第一导电图案层201。
S13：在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖第一导电图案层的绝缘层；
参阅图5，该步骤S13可具体包括：
S131：通过小于或等于100℃的化学气相沉积法，沉积无机绝缘材料以形成覆盖第一导电图案层的绝缘材料层；
可选的，该绝缘材料为氮化硅或氧化硅中的至少一种。
S132：采用小于或等于100℃的固化温度，依次对绝缘材料层进行光阻涂布、曝光及显影；
具体的，可使用光阻涂布设备通过旋转涂布法，利用旋转产生的离心力，将滴于绝缘材料层上的光阻剂甩开，在光阻剂表面张力以及旋转离心力的共同作用下，形成光阻膜，在形成光阻膜之后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对光阻膜进行烘烤固化，形成干燥的光阻膜，即为光阻层。
其中，光阻剂是主要由树脂、感光剂及溶剂混合而成的感光材料。
进一步的，在形成光阻层后，通过掩膜板对光阻层进行曝光处理，并通过显影液对曝光后的光阻层进行显影处理，显影之后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对光阻层进行烘烤固化，使得在显影过程中，软化、膨胀的光阻层与绝缘材料层的粘附性更强，提高光阻层的抗蚀能力。
S133：对绝缘材料层进行蚀刻，以形成连通第一导电图案层的过孔。
其中，该步骤S133中对绝缘材料层进行蚀刻，可通过使用蚀刻液进行湿法蚀刻，以形成设有过孔2021的绝缘层202，也可以在小于或等于100℃的蚀刻温度下，对绝缘材料层进行干法蚀刻，以形成设有过孔2021的绝缘层202。
参阅图6，在另一实施例中，该步骤S13还可以具体包括：
S231：采用小于或等于100℃的固化温度，涂布绝缘光阻材料以形成覆盖第一导电图案层的绝缘光阻层；
具体的，可使用光阻涂布设备通过旋转涂布法，涂布绝缘光阻材料形成覆盖第一导电图案层201的绝缘光阻膜，在形成绝缘光阻膜之后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对绝缘光阻膜进行烘烤固化，形成干燥的绝缘光阻膜，即为绝缘光阻层。
S232：采用小于或等于100℃的固化温度，对绝缘光阻层进行曝光及显影；
具体的，在形成绝缘光阻层后，通过掩膜板对绝缘光阻层进行曝光处理，并通过显影液对曝光后的绝缘光阻层进行显影处理，显影之后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对绝缘光阻层进行烘烤固化，使得在显影过程中，软化、膨胀的绝缘光阻层的粘附性更强，提高光阻层的抗蚀能力。
S233：对绝缘光阻层进行蚀刻，以形成连通第一导电图案层的过孔。
其中，该步骤S233中对绝缘光阻层进行蚀刻，可通过使用蚀刻液进行湿法蚀刻，以形成设有过孔2021的绝缘层202，也可以在小于或等于100℃的蚀刻温度下，对绝缘光阻层进行干法蚀刻，以形成设有过孔2021的绝缘层202。
在步骤S231～S233中，直接通过涂布绝缘光阻材料，再进行曝光、显影及蚀刻形成绝缘层202，相比于先沉积无机绝缘材料，在进行光阻涂布、曝光、显影及蚀刻形成绝缘层202，省去了沉积无机绝缘材料的工艺步骤，节省了工艺成本。
参阅图7，在又一实施例中，步骤S13还可以具体包括：
S331：采用喷墨打印技术形成覆盖第一导电图案层的绝缘层；
具体的，可直接通过喷墨打印技术将有机绝缘材料打印出覆盖第一导电图案层201，且有连通第一导电图案层201的过孔2021的绝缘层202，省去了沉积、光阻涂布、曝光、显影及蚀刻的工艺步骤，节省了工艺成本。
S332：采用小于或等于100℃的固化温度固化绝缘层。
具体的，在直接打印出绝缘层202后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对绝缘层202进行烘烤固化，也可以采用小于或等于100℃的光固化温度对绝缘层202进行光固化。
S14：在小于或等于100℃的温度下，在绝缘层上形成第二导电图案层。
参阅图8，该步骤S14可具体包括：
S141：采用小于或等于100℃的镀膜温度，在绝缘层上形成第二导电层；
具体的，通过物理气相沉积法在绝缘层202上沉积导电材料以形成第二导电层，在物理气相沉积的过程中，控制镀膜温度小于或等于100℃。
可选的，导电材料可以为氧化铟锡或铝、铜、银、钛、钼及其合金中的一种或多种，在此不做限制。
S142：在小于或等于100℃的温度下，对第二导电层进行图案化处理。
参阅图9，该步骤S142可具体包括：
S1421：采用小于或等于100℃的固化温度，依次对第二导电层进行光阻涂布、曝光及显影；
具体的，可使用光阻涂布设备通过旋转涂布法，利用旋转产生的离心力，将滴于第二导电层上的光阻剂甩开，在光阻剂表面张力以及旋转离心力的共同作用下，形成光阻膜，在形成光阻膜之后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对光阻膜进行烘烤固化，形成干燥的光阻膜，即为光阻层。
其中，光阻剂是主要由树脂、感光剂及溶剂混合而成的感光材料。
进一步的，在形成光阻层后，通过掩膜板对光阻层进行曝光处理，并通过显影液对曝光后的光阻层进行显影处理，显影之后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对光阻层进行烘烤固化，使得在显影过程中，软化、膨胀的光阻层与第二导电层的粘附性更强，提高光阻层的抗蚀能力。
S1422：对第二导电层进行蚀刻。
其中，该步骤S1422中对第二导电层进行蚀刻，可通过使用蚀刻液进行湿法蚀刻，以形成第二导电图案层203，也可以在小于或等于100℃的蚀刻温度下，对第二导电层进行干法蚀刻，以形成第二导电图案层203。
进一步的，第二导电图案层203与第一导电图案层201通过绝缘层203上的过孔2021连接。
共同参阅图2、图10，在步骤S1422中对第二导电层进行蚀刻，形成的第二导电图案层203包括在第一方向行列设置的多个第一子导电图案层2031、第二方向上行列设置的多个第二子导电图案层2032以及连接图案层2033，在本实施例图10中，即为在X方向行列设置的多个第一子导电图案层2021及Y方向行列设置的多个第二子导电图案层2022。
其中，第一导电图案层201通过过孔2031连接第一方向上的多个第一子导电图案层2031及第二方向上的多个第二子导电图案层2032中的一个，连接图案层2033连接第一方向上的多个第一子导电图案层2031及第二方向上的多个第二子导电图案层2032中的另一个，在本实施例图示中，第一导电图案层201连接Y方向上的多个第二子导电图案层2032，连接图案层2033连接X方向上的多个第一子导电图案层2031。
参阅图11，在其他实施例中，步骤S14与步骤S12的先后顺序可调换，也即先在显示面板10上形成第二导电图案层203，然后再在绝缘层202上形成与第二导电图案层203连接的第一导电图案层201，具体制备方法与原理与上述实施例相同，在此不再赘述。
进一步的，本实施例的制备方法还包括：
S15：采用小于或等于100℃的固化温度，在第二导电图案层上形成保护层。
具体的，采用小于或等于100℃的固化温度，依次在第二导电图案层202上进行光阻涂布、曝光及显影的黄光工艺以形成保护层204，可选的，该保护层204为有机保护层。
在其他实施例中，也可以使用喷墨打印技术在第二导电图案层203上打印形成保护层204，在打印完成之后，采用小于或等于100℃的烘烤温度，对保护层204进行烘烤固化，也可以采用小于或等于100℃的光固化温度对保护层204进行光固化。
共同参阅图12及图13，图12是本发明提供的触控结构30的制备方法第二实施例的具体流程示意图，本实施例中的步骤S21、S22、S23、S24及S25分别与上述第一实施例中的步骤S11、S12、S13、S14及S15相同，在此不再赘述，本实施例的制备方法在步骤S21之后进一步包括：
S20：在小于或等于100℃的温度下，在显示面板上形成平坦层。
如图13所示，可通过物理气相沉积法在显示面板10上形成平坦层305，在物理气相沉积的过程中，控制镀膜温度小于或等于100℃。
可选的，平坦层305可是氮化硅或氧化硅的无机平坦层，也可以是有机平坦层。
进一步参阅图2或图13，本发明还提供了一种OLED触控显示装置，该装置包括OLED显示面板10以及设置于OLED显示面板10上的触控结构。
其中，该触控结构为上述任一实施例中的方法制备而成的触控结构20或触控结构30，具体描述可参阅上述任一制备方法实施例，在此不再赘述。
区别于现有技术，本发明通过提供一显示面板；在小于或等于100℃的温度下，在所述显示面板上形成第一导电图案层；在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层，所述绝缘层设有连通所述第一导电图案层的过孔；在小于或等于100℃的温度下，在所述绝缘层上形成第二导电图案层；其中，所述第一导电图案层与所述第二导电图案层中通过所述过孔连接的方法，在小于或等于100℃的温度下制备触控结构，防止温度过高导致触控结构的品质下降，提高产品的良品率。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种触控结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一显示面板；
在小于或等于100℃的温度下，在所述显示面板上形成第一导电图案层；
在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层，所述绝缘层设有连通所述第一导电图案层的过孔；
在小于或等于100℃的温度下，在所述绝缘层上形成第二导电图案层；其中，所述第一导电图案层与所述第二导电图案层中通过所述过孔连接。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，在所述显示面板上形成第一导电图案层的步骤包括：
采用小于或等于100℃的镀膜温度，在所述显示面板上形成第一导电层；
在小于或等于100℃的温度下，对所述第一导电层进行图案化处理。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，对所述第一导电层进行图案化处理的步骤包括：
采用小于或等于100℃的固化温度，依次对所述第一导电层进行光阻涂布、曝光及显影；
对所述第一导电层进行蚀刻；
其中，所述对所述第一导电层进行蚀刻的步骤包括：
在小于或等于100℃的蚀刻温度中，对所述第一导电层进行干法蚀刻；或
对所述第一导电层进行湿法蚀刻。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层的步骤包括：
通过小于或等于100℃的化学气相沉积法，沉积无机绝缘材料以形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘材料层；
采用小于或等于100℃的固化温度，依次对所述绝缘材料层进行光阻涂布、曝光及显影；
对所述绝缘材料层进行蚀刻，以形成连通所述第一导电图案层的过孔；
其中，所述对所述绝缘材料层进行蚀刻的步骤包括：
在小于或等于100℃的蚀刻温度中，对所述绝缘材料层进行干法蚀刻；或
对所述绝缘材料层进行湿法蚀刻。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层的步骤包括：
采用小于或等于100℃的固化温度，涂布绝缘光阻材料以形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘光阻层；
采用小于或等于100℃的固化温度，对所述绝缘光阻层进行曝光及显影；
对所述绝缘光阻层进行蚀刻，以形成连通所述第一导电图案层的过孔；
其中，所述对所述绝缘光阻层进行蚀刻的步骤包括：
在小于或等于100℃的蚀刻温度中，对所述绝缘光阻层进行干法蚀刻；或
对所述绝缘光阻层进行湿法蚀刻。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层的步骤包括：
采用喷墨打印技术形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层；
采用小于或等于100℃的固化温度固化所述绝缘层。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，在所述绝缘层上形成第二导电图案层的步骤包括：
采用小于或等于100℃的镀膜温度，在所述绝缘层上形成第二导电层；
在小于或等于100℃的温度下，对所述第二导电层进行图案化处理，且使得所述所述第二导电图案层与所述第一导电图案层通过所述绝缘层上的过孔连接。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，对所述第二导电层进行图案化处理的步骤包括：
采用小于或等于100℃的固化温度，依次对所述第二导电层进行光阻涂布、曝光及显影；
对所述第二导电层进行蚀刻；
其中，所述对所述第二导电层进行蚀刻的步骤包括：
在小于或等于100℃的蚀刻温度中，对所述第二导电层进行干法蚀刻；或
对所述第二导电层进行湿法蚀刻。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
采用小于或等于100℃的固化温度，在所述第二导电图案层上形成保护层。
10.一种OLED触控显示装置，其特征在于，包括OLED显示面板以及设置于所述OLED显示面板上的触控结构，其中，所述触控结构由权利要求1-9任一项所述的方法制备而成的。
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