CN108415219A - 功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108415219A
CN108415219A CN201810187650.XA CN201810187650A CN108415219A CN 108415219 A CN108415219 A CN 108415219A CN 201810187650 A CN201810187650 A CN 201810187650A CN 108415219 A CN108415219 A CN 108415219A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
functional film
precision
coining
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810187650.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN108415219B (zh
Inventor
关峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810187650.XA priority Critical patent/CN108415219B/zh
Publication of CN108415219A publication Critical patent/CN108415219A/zh
Priority to US16/141,935 priority patent/US20190278168A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN108415219B publication Critical patent/CN108415219B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking

Abstract

本发明提供了一种功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。功能膜层图形的制作方法包括：利用压印工艺制备所述功能膜层图形的第一子图形；利用光刻工艺制备所述功能膜层图形的第二子图形，所述第二子图形的线宽精度与所述第一子图形的线宽精度不同。本发明的技术方案能够实现不同线宽精度的功能膜层图形的制作。

Description

功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
显示器件通常通过阵列电路对应驱动阵列排布的像素进行显示，阵列电路通常包括信号线、晶体管、周边驱动电路等等，显示器件单位面积的像素越多，即分辨率越高，人眼看到的画面越细腻。
随着显示技术的发展，显示器件向大面积化、高分辨率、高性能的方向发展，在现有的显示器件制备领域，在制作显示基板时，不仅需要制作线宽精度为纳米级的功能膜层图形，还需要制作线宽精度为微米级的功能膜层图形，如何实现不同线宽精度的功能膜层图形的制作，成为本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置，能够实现不同线宽精度的功能膜层图形的制作。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种功能膜层图形的制作方法，包括：
利用压印工艺制备所述功能膜层图形的第一子图形；
利用光刻工艺制备所述功能膜层图形的第二子图形，所述第二子图形的线宽精度与所述第一子图形的线宽精度不同。
进一步地，制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
形成具有光致抗蚀性的功能膜层材料层；
提供一掩模板，所述掩模板包括透光基底和位于透光基底上的压印图形和掩模图形，所述压印图形的线宽精度为第一精度，所述掩模图形的线宽精度为第二精度，所述第一精度高于第二精度；
利用所述掩模板的压印图形对所述功能膜层材料层进行压印，并对被压印的所述功能膜层材料层固化后，形成线宽精度为第一精度的所述第一子图形；
利用所述掩模板的掩模图形对所述功能膜层材料层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的所述第二子图形。
进一步地，所述功能膜层材料层采用负性光刻胶材料；
所述掩模图形包括不透光图形，所述不透光图形在所述透光基底上的正投影与所述压印图形在所述透光基底上的正投影不交叠；
其中，通过所述曝光所使用的光线透过所述掩模板对所述被压印的所述功能膜层材料层进行固化。
进一步地，所述功能膜层材料层采用正性光刻胶材料；
所述掩模图形包括不透光图形，所述压印图形在所述透光基底上的正投影落入所述不透光图形在所述透光基底上的正投影内；
其中，所述对被压印的所述功能膜层材料层固化为采用热固化。
进一步地，制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
形成功能膜层材料层；
在所述功能膜层材料层上形成具有光致抗蚀性的压印胶层；
提供一掩模板，所述掩模板包括透光基底和位于透光基底上的压印图形和掩模图形，所述压印图形的线宽精度为第一精度，所述掩模图形的线宽精度为第二精度，所述第一精度高于第二精度；
利用所述掩模板的压印图形对所述压印胶层进行压印，并对被压印的所述压印胶层固化后，形成线宽精度为第一精度的第一压印胶图形；
利用所述掩模板的掩模图形对所述压印胶层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的第二压印胶图形；
对未被所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形覆盖的功能膜层材料层进行刻蚀，形成所述功能膜层图形，所述功能膜层图形包括线宽精度为第一精度的所述第一子图形和线宽精度为第二精度的所述第二子图形；
剥离所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形。
进一步地，所述压印胶层采用负性光刻胶材料；
所述掩模图形包括不透光图形，所述不透光图形在所述透光基底上的正投影与所述压印图形在所述透光基底上的正投影不交叠；
其中，通过所述曝光所使用的光线透过所述掩模板对所述第一压印胶图形进行固化。
进一步地，所述压印胶层采用正性光刻胶材料；
所述掩模图形包括不透光图形，所述压印图形在所述透光基底上的正投影落入所述不透光图形在所述透光基底上的正投影内；
其中，所述对被压印的所述压印胶层固化为采用热固化。
进一步地，相邻所述第一压印胶图形之间的压印胶完全去除区域残留有压印胶层，在对未被所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形覆盖的功能膜层材料层进行刻蚀之前，所述方法还包括：
去除残留的压印胶层，暴露出压印胶完全去除区域的功能膜层材料层。
进一步地，所述压印图形和所述掩模图形位于所述掩模板的不同表面。
进一步地，所述第一精度为纳米级，所述第二精度为微米级。
本发明实施例还提供了一种功能膜层图形，采用如上所述的制作方法制作得到。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，采用如上所述的方法在衬底基板上制作功能膜层图形。
本发明实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，利用压印工艺制备所述功能膜层图形的第一子图形，利用光刻工艺制备所述功能膜层图形的第二子图形，所述第二子图形的线宽精度与所述第一子图形的线宽精度不同，从而实现不同线宽精度的功能膜层图形的制作。并且由于压印图形的精度较高，因此可以利用压印工艺制备精度较高的第一子图形，另外通过光刻工艺制备精度较低的第二子图形，避免利用压印工艺同时制作不同线宽精度的功能膜层图形，降低了压印工艺的难度并减少了缺陷数量，同时还实现了较高线宽精度的功能膜层图形的制作。
附图说明
图1-图5为利用本发明实施例制作功能膜层图形的示意图。
附图标记
14 压印胶层
15 功能膜层材料层
16 衬底基板
21 本发明的掩模板
22 压印图形
23 掩模图形
24 紫外光
25 透光基底
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
随着显示技术的发展，显示器件向大面积化、高分辨率、高性能的方向发展。在现有的显示器件制备领域，曝光精度通常控制在微米级。显示器件的高分辨化受到现有曝光设备精度的限制，已经成为各研发单位及其生产单位关注的热点之一。
纳米压印技术采用图形化的模板与压印胶作用，制作出的图形的精度完全取决于模板，可以制作精度达到纳米级的图形。但是在制作显示基板时，不仅需要制作线宽精度为纳米级的功能膜层图形，还需要制作线宽精度为微米级的功能膜层图形，其中，线宽精度为功能膜层图形在垂直于自身延伸方向的方向上的宽度的数量级，或者，线宽精度为功能膜层图形在垂直于自身延伸方向上的截面内，沿靠近基板向远离基板方向上，宽度数值的线性程度。为了实现不同线宽精度的功能膜层图形的制作，现有纳米压印模板上同时设置有精度为微米级的压印图形和精度为纳米级的压印图形，在采用该纳米压印模板通过纳米压印技术制作显示基板上不同线宽精度的功能膜层图形时，在压印过程中，线宽精度从纳米级跳跃到微米级将给整个压印工艺造成较大的难度，将导致缺陷数量增加，压力难以控制等问题。
本发明的实施例针对上述问题，提供一种功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置，能够实现不同线宽精度的功能膜层图形的制作。
本发明的实施例提供一种功能膜层图形的制作方法，包括：
利用压印工艺制备所述功能膜层图形的第一子图形；
利用光刻工艺制备所述功能膜层图形的第二子图形，所述第二子图形的线宽精度与所述第一子图形的线宽精度不同。
本实施例中，利用压印工艺制备所述功能膜层图形的第一子图形，利用光刻工艺制备所述功能膜层图形的第二子图形，所述第二子图形的线宽精度与所述第一子图形的线宽精度不同，从而实现不同线宽精度的功能膜层图形的制作。并且由于压印图形的精度较高，因此可以利用压印工艺制备精度较高的第一子图形，另外通过光刻工艺制备精度较低的第二子图形，避免利用压印工艺同时制作不同线宽精度的功能膜层图形，降低了压印工艺的难度并减少了缺陷数量，同时还实现了较高线宽精度的功能膜层图形的制作。
采用本实施例的技术方案制作的功能膜层图形可以应用在显示基板上也可以应用在光学元件中，具体地，本实施例制作的功能膜层图形可以为微流控芯片的PDMS(聚二甲基硅氧烷)层，光学微透镜的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)层等。
其中，利用压印工艺制备所述功能膜层图形的第一子图形包括直接对功能膜层材料进行压印形成第一子图形，也包括先在功能膜层材料上涂覆一层压印胶，对压印胶进行压印形成压印胶图形之后，以压印胶图形为掩膜对功能膜层材料进行刻蚀形成第一子图形。
另外，还可以利用压印工艺和光刻工艺分别制备不同结构的图形，比如利用光刻工艺很难制作球形结构的图形，而利用压印工艺可以制备球形结构的图形。因此，可以利用压印工艺制备在垂直于衬底基板方向上的截面为球形的第一子图形，再利用光刻工艺制备在垂直于衬底基板方向上的截面为梯形、矩形或三角形等等的第二子图形。
其中，上述压印工艺所使用的压印模板与上述光刻工艺所使用的掩模板可以为同一部件，也可以为不同部件。在上述压印工艺所使用的压印模板与上述光刻工艺所使用的掩模板为同一部件时，可以利用特定的掩模板来实现功能膜层图形的制作。
一具体实施例中，在功能膜层材料层本身即具有光致抗蚀性时，制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
形成具有光致抗蚀性的功能膜层材料层；
提供一掩模板，所述掩模板包括透光基底和位于透光基底上的压印图形和掩模图形，所述压印图形的线宽精度为第一精度，所述掩模图形的线宽精度为第二精度，所述第一精度高于第二精度；
利用所述掩模板的压印图形对所述功能膜层材料层进行压印，并对被压印的所述功能膜层材料层固化后，形成线宽精度为第一精度的所述第一子图形；
利用所述掩模板的掩模图形对所述功能膜层材料层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的所述第二子图形。
上述实施例使用的掩模板的透光基底的表面设置有线宽精度为第一精度的压印图形，透光基底的表面还设置有线宽精度为第二精度的掩模图形，其中，掩模图形和压印图形可以位于同一表面上，也可以位于不同表面上，这样在衬底基板上制备功能膜层图形时，可以利用掩模板表面的压印图形通过压印工艺制备功能膜层图形的线宽精度为第一精度的第一子图形，利用掩模板表面的掩模图形通过光刻工艺制备功能膜层图形的线宽精度为第二精度的第二子图形，由于压印图形的精度较高，因此可以利用压印工艺制备精度较高的第一子图形，另外通过光刻工艺制备精度较低的第二子图形，避免利用压印工艺同时制作不同线宽精度的功能膜层图形，降低了压印工艺的难度并减少了缺陷数量，同时还实现了较高线宽精度的功能膜层图形的制作。另外本实施例在压印工艺和光刻工艺中使用同一掩模板，不用更换掩模板，可以节省生产时间，提高显示基板的生产效率，降低显示基板的生产成本。
其中，在对被压印的功能膜层材料层固化后，第一子图形之间的功能膜层材料完全去除区域还可能残留有功能膜层材料，因此，在曝光显影形成第二子图形之后，可以采用灰化工艺对第一子图形和第二子图形进行整体减薄以去除功能膜层材料完全去除区域的功能膜层材料。
其中，图1所示的21即本实施例的掩模板，其中A为压印图形，B为掩膜图形，压印图形是用以制备第一子图形的，压印图形包括位于掩模板21上的凸起以及凸起之间的间隙，利用压印工艺可以将掩模板21上的压印图形21转移至功能膜层材料层上形成第一子图形。
具体地，第一精度为纳米级，第二精度为微米级。这样利用本发明的掩模板可以同时制备线宽精度为纳米级的功能膜层图形和线宽精度为微米级的功能膜层图形，在功能膜层图形应用于显示装置时，可以实现显示装置的高分辨率。当然，第一精度并不局限于为纳米级，第二精度并不局限于微米级，还可以为其他级别的精度。
一具体实施例中，所述功能膜层材料层采用负性光刻胶材料，使用的掩模板的掩模图形包括不透光图形，不透光图形在透光基底上的正投影与压印图形在透光基底上的正投影不交叠，这样在利用压印工艺将压印图形转印到功能膜层材料层上形成线宽精度为第一精度的第一子图形后，可以先不对第一子图形进行固化，在利用掩模板表面的掩模图形进行曝光时，通过透过掩模板的曝光所使用的光线可以对被压印的所述功能膜层材料层进行固化，这样在进行曝光的同时就完成了对压印胶的固化，能够节省生产时间。其中，曝光包括但不限于紫外光曝光、可见光曝光、电子束曝光。
在所述掩模图形包括不透光图形，所述不透光图形在所述透光基底上的正投影与所述压印图形在所述透光基底上的正投影不交叠，所述功能膜层材料层采用负性光刻胶材料时，制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
利用所述掩模板的压印图形对所述功能膜层材料层进行压印，形成线宽精度为第一精度的所述第一子图形；
利用所述掩模板的掩模图形对所述功能膜层材料层进行曝光，同时曝光所使用的紫外光透过所述掩模板对所述第一子图形进行固化；
显影后形成线宽精度为第二精度的所述第二子图形。
另一具体实施例中，所述功能膜层材料层采用正性光刻胶材料，使用的掩模板的掩模图形包括不透光图形，压印图形在透光基底上的正投影落入不透光图形在透光基底上的正投影内。这样在利用压印工艺将压印图形转印到压印胶上形成线宽精度为第一精度的第一子图形后，还需要先对第一子图形进行固化，之后利用掩模板表面的掩模图形对功能膜层材料层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的第二子图形，具体地，可以采用热固化对第一子图形进行固化。
在所述掩模图形包括不透光图形，所述压印图形在所述透光基底上的正投影落入所述不透光图形在所述透光基底上的正投影内时，制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
利用所述掩模板的压印图形对所述功能膜层材料层进行压印，形成线宽精度为第一精度的所述第一子图形；
对所述第一子图形进行固化；
利用所述掩模板的掩模图形对所述功能膜层材料层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的所述第二子图形。
另一具体实施例中，在功能膜层材料层本身不具有光致抗蚀性时，制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
形成功能膜层材料层；
在所述功能膜层材料层上形成具有光致抗蚀性的压印胶层；
提供一掩模板，所述掩模板包括透光基底和位于透光基底上的压印图形和掩模图形，所述压印图形的线宽精度为第一精度，所述掩模图形的线宽精度为第二精度，所述第一精度高于第二精度；
利用所述掩模板的压印图形对所述压印胶层进行压印，并对被压印的所述压印胶层固化后，形成线宽精度为第一精度的第一压印胶图形；
利用所述掩模板的掩模图形对所述压印胶层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的第二压印胶图形；
对未被所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形覆盖的功能膜层材料层进行刻蚀，形成所述功能膜层图形，所述功能膜层图形包括线宽精度为第一精度的所述第一子图形和线宽精度为第二精度的所述第二子图形；
剥离所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形。
上述实施例使用的掩模板的透光基底的表面设置有线宽精度为第一精度的压印图形，透光基底的表面还设置有线宽精度为第二精度的掩模图形，其中，掩模图形和压印图形可以位于同一表面上，也可以位于不同表面上，这样在衬底基板上制备功能膜层图形时，可以利用掩模板表面的压印图形通过压印工艺制备功能膜层图形的线宽精度为第一精度的第一子图形，利用掩模板表面的掩模图形通过光刻工艺制备功能膜层图形的线宽精度为第二精度的第二子图形，由于压印图形的精度较高，因此可以利用压印工艺制备精度较高的第一子图形，另外通过光刻工艺制备精度较低的第二子图形，避免利用压印工艺同时制作不同线宽精度的功能膜层图形，降低了压印工艺的难度并减少了缺陷数量，同时还实现了较高线宽精度的功能膜层图形的制作。另外本实施例在压印工艺和光刻工艺中使用同一掩模板，不用更换掩模板，可以节省生产时间，提高显示基板的生产效率，降低显示基板的生产成本。
其中，图1所示的21即本实施例的掩模板，其中A为压印图形，B为掩膜图形，压印图形是用以制备第一子图形的，压印图形包括位于掩模板21上的凸起以及凸起之间的间隙，利用压印工艺可以将掩模板21上的压印图形21转移至压印胶层上形成第一压印胶图形。
具体地，第一精度为纳米级，第二精度为微米级。这样利用本发明的掩模板可以同时制备线宽精度为纳米级的功能膜层图形和线宽精度为微米级的功能膜层图形，在功能膜层图形应用于显示装置中时，可以实现显示装置的高分辨率。当然，第一精度并不局限于为纳米级，第二精度并不局限于微米级，还可以为其他级别的精度。
一具体实施例中，所述压印胶层采用负性光刻胶材料，使用的掩模板的掩模图形包括不透光图形，不透光图形在透光基底上的正投影与压印图形在透光基底上的正投影不交叠，这样在利用压印工艺将压印图形转印到压印胶上形成线宽精度为第一精度的压印胶图形后，可以先不对压印胶进行固化，在利用掩模板表面的掩模图形进行曝光时，通过透过掩模板的曝光所使用的光线可以对压印形成的压印胶图形进行固化，这样在进行曝光的同时就完成了对压印胶的固化，能够节省生产时间。其中，曝光包括但不限于紫外光曝光、可见光曝光、电子束曝光。
在使用的掩模板的掩模图形包括不透光图形，不透光图形在透光基底上的正投影与压印图形在透光基底上的正投影不交叠，所述压印胶层采用负性光刻胶材料时，所述制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
利用如上所述的掩模板的表面的压印图形对所述压印胶层进行压印，形成线宽精度为第一精度的第一压印胶图形；
利用如上所述的掩模板的表面的掩模图形对所述压印胶层进行曝光，同时曝光所使用的紫外光透过所述掩模板对所述第一压印胶图形进行固化；
显影后形成线宽精度为第二精度的第二压印胶图形；
对未被所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形覆盖的功能膜层材料层进行刻蚀，形成所述功能膜层图形，所述功能膜层图形包括线宽精度为第一精度的第一子图形和线宽精度为第二精度的第二子图形。
另一具体实施例中，所述压印胶层采用正性性光刻胶材料，使用的掩模板的掩模图形包括不透光图形，压印图形在透光基底上的正投影落入不透光图形在透光基底上的正投影内。这样在利用压印工艺将压印图形转印到压印胶上形成线宽精度为第一精度的第一压印胶图形后，还需要先对压印胶进行固化，之后利用掩模板表面的掩模图形对压印胶层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的第二压印胶图形。具体地，可以通过热固化对第一压印胶图形进行固化。
在使用的掩模板的掩模图形包括不透光图形，压印图形在透光基底上的正投影落入不透光图形在透光基底上的正投影内时，所述制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
利用如上所述的掩模板的表面的压印图形对所述压印胶层进行压印，形成线宽精度为第一精度的第一压印胶图形；
对所述第一压印胶图形进行固化；
利用如上所述的掩模板的表面的掩模图形对所述压印胶层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的第二压印胶图形；
对未被所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形覆盖的功能膜层材料层进行刻蚀，形成所述功能膜层图形，所述功能膜层图形包括线宽精度为第一精度的第一子图形和线宽精度为第二精度的第二子图形。
上述实施例中利用紫外光对压印胶图形进行固化，但对压印胶图形进行固化并不局限为紫外光，还可为其他波长的光线。
进一步地，相邻所述第一压印胶图形之间的压印胶完全去除区域残留有压印胶层，在对未被所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形覆盖的功能膜层材料层进行刻蚀之前，所述方法还包括：
去除残留的压印胶层，暴露出压印胶完全去除区域的功能膜层材料层。
具体地，可以通过灰化工艺来去除残留的压印胶层。
下面结合附图对本发明的功能膜层图形的制作方法进行详细介绍，如图1-图5所示，在衬底基板上制备功能膜层图形具体包括以下步骤：
步骤1、如图1所示，在衬底基板16上形成功能膜层材料层15，在功能膜层材料层15上涂覆具有光致抗蚀性的压印胶层14，并提供一掩模板21；
其中，功能膜层材料层15的材质根据需要制成的功能膜层图形的材质来决定，比如待制成的功能膜层图形为信号线，则功能膜层材料层15采用金属材料或透明导电材料，如果待制成的功能膜层图形为绝缘层，则功能膜层材料层15采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物等等。
压印胶层14可以采用正性光刻胶或负性光刻胶，本实施例以压印胶层14为负性光刻胶进行说明。
本实施例的掩模板21包括透光基底25、位于透光基底25表面的压印图形22以及位于透光基底25表面的掩模图形23，压印图形22的线宽精度为纳米级；掩模图形23的线宽精度为微米级，掩模图形23为不透光图形，由图1可以看出，掩模图形23与压印图形22位于透光基底25的不同表面，掩模图形23在透光基底25上的正投影与压印图形22在透光基底25上的正投影不交叠。
步骤2、如图2所示，利用掩模板21的表面的压印图形22对压印胶层14进行压印，可以形成线宽精度为纳米级的第一压印胶图形；
步骤3、如图3所示，利用掩模板21的表面的掩模图形24对压印胶层14进行曝光，其中，24为紫外光，由于压印胶层14为负性光刻胶，在显影后可以形成线宽精度为微米级的第二压印胶图形，第二压印胶图形包括压印胶保留区域和压印胶去除区域，同时线宽精度为纳米级的第一压印胶图形经紫外光24照射得到固化；其中，在第一压印胶图形完成固化之前，由于压印胶图形未定型，掩模板21不能与压印胶层14分离；
步骤4、在完成固化，撤走掩模板21之后，形成如图4所示的结构。可以看出，在相邻的第一压印胶图形之间的压印胶完全去除区域底部还残留有一定厚度的压印胶层，压印胶完全去除区域的压印胶本应被完全去除，残留的压印胶层是为了在上述工艺中对功能膜层材料层进行保护，所以在对功能膜层材料层进行刻蚀之前，还需要采用灰化工艺对第一压印胶图形和第二压印胶图形进行整体减薄以去除该残留的压印胶层，如图5所示，在灰化工艺之后功能膜层材料层15上仅剩下第一压印胶图形和第二压印胶图形，压印胶完全去除区域的功能膜层材料层15能够被暴露出来，之后对未被第一压印胶图形和第二压印胶图形覆盖的功能膜层材料层15进行刻蚀，形成功能膜层图形，制备的功能膜层图形包括线宽精度为纳米级的第一子图形和线宽精度为微米级的第二子图形；
步骤5、剥离第一压印胶图形和第二压印胶图形。
通过上述步骤1-5可实现线宽精度为微米级的第二子图形和线宽精度为纳米级的第一子图形的制作，能够实现显示装置的高分辨率。另外本实施例在压印工艺和光刻工艺中使用同一掩模板21，不用更换掩模板，可以节省生产时间，提高显示基板的生产效率，降低显示基板的生产成本。
本发明实施例还提供了一种功能膜层图形，采用如上所述的制作方法制作得到。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，采用如上所述的方法在衬底基板上制作功能膜层图形。
本发明实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
本实施例显示基板上具有两种不同线宽精度的功能膜层图形。
具体地，第一子图形的线宽精度为第一精度，第二子图形的线宽精度为地热精度，第一精度可以为纳米级，第二精度可以为微米级。这样显示基板上包括有线宽精度为纳米级的功能膜层图形和线宽精度为微米级的功能膜层图形，实现显示装置的高分辨率。当然，第一精度并不局限于为纳米级，第二精度并不局限于微米级，还可以为其他级别的精度。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种功能膜层图形的制作方法，其特征在于，包括：
利用压印工艺制备所述功能膜层图形的第一子图形；
利用光刻工艺制备所述功能膜层图形的第二子图形，所述第二子图形的线宽精度与所述第一子图形的线宽精度不同。
2.根据权利要求1所述的功能膜层图形的制作方法，其特征在于，制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
形成具有光致抗蚀性的功能膜层材料层；
提供一掩模板，所述掩模板包括透光基底和位于透光基底上的压印图形和掩模图形，所述压印图形的线宽精度为第一精度，所述掩模图形的线宽精度为第二精度，所述第一精度高于第二精度；
利用所述掩模板的压印图形对所述功能膜层材料层进行压印，并对被压印的所述功能膜层材料层固化后，形成线宽精度为第一精度的所述第一子图形；
利用所述掩模板的掩模图形对所述功能膜层材料层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的所述第二子图形。
3.根据权利要求2所述的功能膜层图形的制作方法，其特征在于，所述功能膜层材料层采用负性光刻胶材料；
所述掩模图形包括不透光图形，所述不透光图形在所述透光基底上的正投影与所述压印图形在所述透光基底上的正投影不交叠；
其中，通过所述曝光所使用的光线透过所述掩模板对所述被压印的所述功能膜层材料层进行固化。
4.根据权利要求2所述的功能膜层图形的制作方法，其特征在于，所述功能膜层材料层采用正性光刻胶材料；
所述掩模图形包括不透光图形，所述压印图形在所述透光基底上的正投影落入所述不透光图形在所述透光基底上的正投影内；
其中，所述对被压印的所述功能膜层材料层固化为采用热固化。
5.根据权利要求1所述的功能膜层图形的制作方法，其特征在于，制备所述功能膜层图形的步骤具体包括：
形成功能膜层材料层；
在所述功能膜层材料层上形成具有光致抗蚀性的压印胶层；
提供一掩模板，所述掩模板包括透光基底和位于透光基底上的压印图形和掩模图形，所述压印图形的线宽精度为第一精度，所述掩模图形的线宽精度为第二精度，所述第一精度高于第二精度；
利用所述掩模板的压印图形对所述压印胶层进行压印，并对被压印的所述压印胶层固化后，形成线宽精度为第一精度的第一压印胶图形；
利用所述掩模板的掩模图形对所述压印胶层进行曝光，显影后形成线宽精度为第二精度的第二压印胶图形；
对未被所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形覆盖的功能膜层材料层进行刻蚀，形成所述功能膜层图形，所述功能膜层图形包括线宽精度为第一精度的所述第一子图形和线宽精度为第二精度的所述第二子图形。
6.根据权利要求5所述的功能膜层图形的制作方法，其特征在于，所述压印胶层采用负性光刻胶材料；
所述掩模图形包括不透光图形，所述不透光图形在所述透光基底上的正投影与所述压印图形在所述透光基底上的正投影不交叠；
其中，通过所述曝光所使用的光线透过所述掩模板对所述第一压印胶图形进行固化。
7.根据权利要求5所述的功能膜层图形的制作方法，其特征在于，所述压印胶层采用正性光刻胶材料；
所述掩模图形包括不透光图形，所述压印图形在所述透光基底上的正投影落入所述不透光图形在所述透光基底上的正投影内；
其中，所述对被压印的所述压印胶层固化为采用热固化。
8.根据权利要求5所述的功能膜层图形的制作方法，其特征在于，相邻所述第一压印胶图形之间的压印胶完全去除区域残留有压印胶层，在对未被所述第一压印胶图形和所述第二压印胶图形覆盖的功能膜层材料层进行刻蚀之前，所述方法还包括：
去除残留的压印胶层，暴露出压印胶完全去除区域的功能膜层材料层。
9.根据权利要求2或5所述的功能膜层图形的制作方法，其特征在于，所述压印图形和所述掩模图形位于所述掩模板的不同表面。
10.根据权利要求2或5所述的功能膜层图形的制作方法，其特征在于，所述第一精度为纳米级，所述第二精度为微米级。
11.一种功能膜层图形，其特征在于，采用如权利要求1-10中任一项所述的制作方法制作得到。
12.一种显示基板的制作方法，其特征在于，采用如权利要求1-10中任一项所述的方法在衬底基板上制作功能膜层图形。
13.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求12所述的制作方法制作得到。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的显示基板。
CN201810187650.XA 2018-03-07 2018-03-07 功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置 Active CN108415219B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810187650.XA CN108415219B (zh) 2018-03-07 2018-03-07 功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置
US16/141,935 US20190278168A1 (en) 2018-03-07 2018-09-25 Functional film layer pattern, display substrate, method for manufacturing display substrate, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810187650.XA CN108415219B (zh) 2018-03-07 2018-03-07 功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108415219A true CN108415219A (zh) 2018-08-17
CN108415219B CN108415219B (zh) 2021-05-18

Family

ID=63130439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810187650.XA Active CN108415219B (zh) 2018-03-07 2018-03-07 功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20190278168A1 (zh)
CN (1) CN108415219B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111254061A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 山东大学 一种探针分子印刷芯片及其制造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111025842B (zh) * 2019-12-26 2023-06-20 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板、拼接曝光方法及基板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1890606A (zh) * 2003-10-07 2007-01-03 英特尔公司 用于图形化宽度显著不同的线的复合光学光刻方法
CN1898609A (zh) * 2003-10-24 2007-01-17 英特尔公司 用于图形化不同宽度的线的复合光学光刻方法
CN102466969A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双重图形化方法
CN102478764A (zh) * 2010-11-30 2012-05-30 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 双重图形化方法
US20160118249A1 (en) * 2014-10-23 2016-04-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanoshape patterning techniques that allow high-speed and low-cost fabrication of nanoshape structures
JP2017152650A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 旭硝子株式会社 インプリントモールド用ガラス板、インプリントモールド用積層板、およびインプリントモールド
CN107578987A (zh) * 2017-08-16 2018-01-12 上海华力微电子有限公司 一种栅极双重曝光图案化方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1890606A (zh) * 2003-10-07 2007-01-03 英特尔公司 用于图形化宽度显著不同的线的复合光学光刻方法
CN1898609A (zh) * 2003-10-24 2007-01-17 英特尔公司 用于图形化不同宽度的线的复合光学光刻方法
CN102466969A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双重图形化方法
CN102478764A (zh) * 2010-11-30 2012-05-30 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 双重图形化方法
US20160118249A1 (en) * 2014-10-23 2016-04-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanoshape patterning techniques that allow high-speed and low-cost fabrication of nanoshape structures
JP2017152650A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 旭硝子株式会社 インプリントモールド用ガラス板、インプリントモールド用積層板、およびインプリントモールド
CN107578987A (zh) * 2017-08-16 2018-01-12 上海华力微电子有限公司 一种栅极双重曝光图案化方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111254061A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 山东大学 一种探针分子印刷芯片及其制造方法
CN111254061B (zh) * 2018-11-30 2023-06-16 山东大学 一种探针分子印刷芯片及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190278168A1 (en) 2019-09-12
CN108415219B (zh) 2021-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI717692B (zh) 無接縫之大面積壓印光刻方法和設備
US7922960B2 (en) Fine resist pattern forming method and nanoimprint mold structure
US8492072B2 (en) Method for marking objects
CN101801652B (zh) 微光学器件的批量制造、相应的工具、以及最终结构
KR101171190B1 (ko) 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드
US8962081B2 (en) Template forming method
JP2007323059A (ja) レジスト組成物、これを利用したレジストパターン形成方法、これを利用したアレイ基板の製造方法、及び、これを利用して製造されたアレイ基板
CN101581884A (zh) 凹版印刷板及其制造方法、电子基板和显示设备制造方法
CN108287383B (zh) 一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置
CN107121890A (zh) 一种纳米压印模板及其制备方法
KR102591120B1 (ko) 나노임프린트 리소그래피를 이용한 패턴 형성 방법
CN109541885A (zh) 纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法
CN103376946A (zh) 触控面板及其制造方法
CN108415219A (zh) 功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置
US8480936B2 (en) Method of fabricating a mold
JP2008006819A (ja) ソフトモールド製造方法及びそれを用いた薄膜パターン形成方法
JP2013148618A (ja) ディスプレイ保護板製造方法
KR20080110709A (ko) 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법 및 이를이용한 전자소자의 제조방법
US8236464B1 (en) Method for fabricating a mask
JP2004200664A (ja) サブ波長構造体の製造
KR20090047146A (ko) 임프린트용 스탬프 및 이의 제조방법
CN108681138A (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
CN209478943U (zh) 一种uv胶压印模具
JP6446836B2 (ja) テンプレートの異物除去方法、およびテンプレートの製造方法
CN101661218A (zh) 透明光掩模的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant