CN108365091A - 一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为Zn10Sb90Ox，其中x代表不同的掺氧量标记，x＝0.5、1、1.2、1.5；还公开了该掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法。本发明的掺氧的Zn10Sb90Ox纳米薄膜材具有较高的晶化温度，能够大大提高PCRAM的热稳定性以及十年数据保持温度；同时具有较高的晶态电阻，从而能够减少PCRAM的功耗。
Description
技术领域
本发明属一种微电子技术领域的半导体材料，具体涉及一种用于 高稳定性、低功耗的相变存储器的Zn10Sb90相变存储材料。
背景技术
近年来相变存储器(PCRAM)发展比较迅速，在大容量、高密 度、高速、低功耗、低成本等方面显示出明显的优势。PCRAM存储 单元在被证实在5nm技术节点之前不存在任何物理限制；海力士给 出工程化样片，表明了PCRAM在16nm技术节点及4F2存储密度下， 在物理，存储性能与可制造方面都是可行的，更为重要是采用金属栅、 高k介质的新型CMOS工艺兼容，可进一步随着CMOS新技术节点 发展下去
用于相变存储器中的相变材料，必须满足多个条件：(1)晶化时 间短；(2)熔点低；(3)SET态和RESET态的电阻率差异大；(4) 材料的非晶态在常温下要非常稳定；(5)晶态和非晶态可逆转换操作 次数多；(6)相变前后的体积变化小；(7)在纳米尺寸保持良好的性能。很明显，很多材料不能完全满足上面的多项要求，而目前研究最 多的相变材料是Ge2Sb2Te5，Ge2Sb2Te5材料虽然具有较好的综合性能， 但是其热稳定性不高，晶化温度只有160℃左右，只能在85℃环境下 将数据保持10年。此外，由于Ge2Sb2Te5材料的结晶机制是形核为主 型，相变速度较慢，无法满足未来高速PCRAM的设计要求。为此， 开发具有更高热稳定性、更快转变速度的相变材料成为业内的主要目 标。
发明内容
为解决现有技术中研究最多的相变材料是Ge2Sb2Te5热稳定性不 高，相变速度较慢的缺陷，本发明提供一种掺氧的Zn10Sb90纳米相 变薄膜材料及其制备方法。
一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为 Zn10Sb90Ox，其中x代表不同的掺氧量标记，x＝0.5、1、1.2、1.5； 优选的所述x为1.2。经EDS测定，x＝0.5、1、1.2、1.5分别对应掺 入的氧原子百分比为93.3％，93.9％，94.9％，96.9％。当x＝0.5、1、1.2、1.5时均表现出明显的非晶态-晶态的相变过程，而且其稳定性随 x的增加呈单调增加趋势。而当x>1.5时，由于过量的氧掺杂，使得 材料失去明显的相变过程，无法应用于相变存储器。
材料的厚度为45～65nm，优选为50nm。
一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法，衬底采用 SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Zn10Sb90，通过在射频溅射沉积 Zn10Sb90薄膜的过程中同时通入氩气和氧气，并在纳米量级制备而 成；其中氩气和氧气的总流量为30sccm，如果氧气流量为a sccm，则相应的氩气流量为(30-a)sccm。
进一步的，Zn10Sb90靶材的纯度原子百分比在99.999％以上， 本底真空度不大于1×10-4Pa。
进一步的，Zn10Sb90靶材采用射频电源，溅射功率为25-35W， 优选为30W。
进一步的，所述Ar气的纯度体积百分比在99.999％以上，溅射 气压为0.3～0.5Pa；氧气的溅射气压为0.4Pa。
发明所述的Zn10Sb90Ox纳米相变薄膜的厚度可以通过溅射时间 来调控，具体如下：
1)清洗SiO2/Si(100)基片；
2)安装好溅射靶材；设定溅射功率，设定溅射Ar气和O2气 的气体流量及溅射气压；
3)将空基托旋转到Zn10Sb90靶位，打开Zn10Sb90靶上的射 频电源，设定的溅射时间150～250s，开始对Zn10Sb90靶材表面进 行溅射，清洁Zn10Sb90靶位表面；
4)关闭Zn10Sb90靶位上所施加的射频电源，将待溅射的基 片旋转到Zn10Sb90靶位，打开Zn10Sb90靶位上的射频电源，依照 设定的溅射时间，开始溅射Zn10Sb90Ox薄膜；溅射完毕后获得所述 的掺氧Zn10Sb90纳米相变薄膜材料；
5)重复步骤2)-4)，改变Ar气和O2气的流量比例，在 SiO2/Si(100)基片上分别制备出Zn10Sb90Ox(x＝0.5、1、1.2、1.5)纳 米相变薄膜材料。
本发明上述的掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料，可由制备方 法中的Ar气与O2气的气体流量比来控制所获得的掺氧的Zn10Sb90 纳米相变薄膜材料中的O原子的含量。
在相变材料中掺入适量的O原子，通过形成稳定性较高的氧化 物非晶颗粒，分布在相变材料周围，一方面可以阻止相变材料的晶化， 提高相变材料整体的热稳定性；另一方面，通过减小晶粒尺寸，增加 晶界数量，从而提高晶态电阻，可以降低器件在RESET过程中的功 率消耗。Zn10Sb90材料由于其热稳定性较差，通过磁控溅射方法沉 积的Zn10Sb90材料即为晶态，因此无法满足相变存储器的技术要求。 但是，Zn10Sb90材料晶化速度较快，这受益于富Sb其生长为主的晶 化机制，这使得其对于加快PCRAM的信息存取速度是非常有利的。
本发明的掺氧的Zn10Sb90Ox纳米薄膜材料能够应用于相变存储 器，与传统的相变薄膜材料相比具有如下优点：首先，Zn10Sb90Ox 纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度，能够大大提高PCRAM的热 稳定性以及十年数据保持温度；其次，Zn10Sb90Ox纳米相变薄膜材 料具有较高的晶态电阻，从而能够减少PCRAM的功耗。
附图说明
图1为本发明的Zn10Sb90Ox(x＝0.5、1、1.2、1.5)纳米相变薄 膜材料及用于对比例1的Zn10Sb90薄膜相变材料的原位电阻与温度 的关系曲线；
图2为本发明的Zn10Sb90Ox(x＝1.2、1.5)纳米相变薄膜材料及 用于比较的GST相变薄膜材料的十年数据保持力图线；
图3a用于比较的GST相变薄膜材料的激光皮秒测试反射率图像；
图3b为本发明的Zn10Sb90O1.2纳米相变薄膜材料的激光皮秒测 试反射率图像。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人 员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。 本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明 书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精 神下进行各种修饰或改变。
实施例
首先制备Zn10Sb90O2纳米薄膜，制备包括如下步骤：
1清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机 和无机杂质；
a)在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗；
b)在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；
c)在120℃烘箱内烘干水汽，约20分钟。
2.采用射频溅射方法制备Zn10Sb90O2薄膜前准备：
a)装好Zn10Sb90溅射靶材，靶材的纯度均达到99.999％(原子 百分比)，并将本底真空抽至1×10-4Pa；
b)设定溅射功率30W；
c)使用高纯Ar和高纯O2作为溅射气体(体积百分比均达到 99.999％)，设定Ar气流量为28sccm，O2流量为2sccm，并将溅射气 压调节至0.4Pa。
3.采用磁控溅射方法制备Zn10Sb90O2纳米相变薄膜材料：
a)将空基托旋转到Zn10Sb90靶位，打开Zn10Sb90靶上所施加 的射频电源，依照设定的溅射时间(100s)，开始对Zn10Sb90靶材进 行溅射，清洁Zn10Sb90靶材表面；
b)Zn10Sb90靶材表面清洁完成后，关闭Zn10Sb90靶上所施加 的射频电源，将待溅射基片旋转到Zn10Sb90靶位，开启Zn10Sb90 靶位射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射掺氧Zn10Sb90薄膜。
最终获得的Zn10Sb90O2薄膜厚度为50nm，薄膜厚度通过溅射时 间来控制(125s)，Zn10Sb90O2的溅射速率为2.5s/nm(薄膜厚度＝溅 射速率×溅射时间)。
制备上述方法制备Zn10Sb90O0.5，Zn10Sb90O1，Zn10Sb90O1.2和Zn10Sb90O1.5纳米相变薄膜材料，材料的厚度均为45-65nm；其中， 设定Ar气流量为29.5sccm，O2流量为0.5sccm，制备SbN0.5纳米相 变薄膜材料；设定的Ar气流量为29sccm，O2流量为1sccm，制备Zn10Sb90O1纳米相变薄膜材料；设定的Ar气流量为28.8sccm，O2流量为1.2sccm，制备Zn10Sb90O1.2纳米相变薄膜材料；设定Ar气 流量为28.5sccm，O2流量为1.5sccm，制备Zn10Sb90O1.5纳米相变薄 膜材料。
对比例1
制备单层Zn10Sb90相变薄膜材料，结构表示为Zn10Sb90，厚度 50nm。
制备步骤为：
1.清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有 机和无机杂质；
a)在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗；
b)在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；
c)在120℃烘箱内烘干水汽，约20分钟。
2.采用射频溅射方法制备Zn10Sb90薄膜前准备：
a)装好Zn10Sb90溅射靶材，靶材的纯度均达到99.999％(原子 百分比)，并将本底真空抽至1×10-4Pa；
b)设定溅射功率30W；
c)使用高纯Ar气作为溅射气体(体积百分比达到99.999％)， 设定Ar气流量为30sccm，并将溅射气压调节至0.4Pa。
3.采用磁控溅射方法制备Zn10Sb90纳米相变薄膜材料：
a)将空基托旋转到Zn10Sb90靶位，打开Zn10Sb90靶上所施加 的射频电源，依照设定的溅射时间(100s)，开始对Zn10Sb90靶材进 行溅射，清洁Zn10Sb90靶材表面；
b)Zn10Sb90靶材表面清洁完成后，关闭Zn10Sb90靶上所施加 的射频电源，将代溅射基片旋转到Zn10Sb90靶位，开启Zn10Sb90 靶位射频电源，依照设定的溅射时间(125s)，开始溅射Zn10Sb90 薄膜。
对比例2
本对比例中制备单层GST相变薄膜材料，结构表示为GST，厚 度50nm。
制备步骤为：
1.清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有 机和无机杂质；
a)在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗；
b)在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；
c)在120℃烘箱内烘干水汽，约20分钟。
2.采用射频溅射方法制备GST薄膜前准备：
a)装好GST溅射靶材，靶材的纯度均达到99.999％(原子百分 比)，并将本底真空抽至1×10-4Pa；
b)设定溅射功率30W；
c)使用高纯Ar气作为溅射气体(体积百分比达到99.999％)， 设定Ar气流量为30sccm，并将溅射气压调节至0.4Pa。
3.采用磁控溅射方法制备GST相变薄膜材料：
a)将空基托旋转到GST靶位，打开GST靶上所施加的射频电源， 依照设定的溅射时间(100s)，开始对GST靶材进行溅射，清洁GST 靶材表面；
b)GST靶材表面清洁完成后，关闭GST靶上所施加的射频电源， 将代溅射基片旋转到GST靶位，开启GST靶位射频电源，依照设定 的溅射时间(125s)，开始溅射GST薄膜。
实验方法及结果
图1为本发明的Zn10Sb90Ox(x＝0.5、1、1.2、1.5)纳米相变薄 膜材料及用于对比例1的Zn10Sb90薄膜相变材料的原位电阻与温度 的关系曲线，测试过程中的升温速率为20℃/min。结果显示，在低温 下，所有薄膜材料处于非晶高阻态，随着温度的不断升高，薄膜电阻 缓慢降低，当达到其相变温度时，薄膜电阻迅速降低，到达某一值后 基本保持该电阻不变，表明薄膜发生了由非晶态到晶态的转变。测试 结果表明，随掺氧量的增加，薄膜的晶化温度逐渐提高，Zn10Sb90O0.5， Zn10Sb90O1，Zn10Sb90O1.2和Zn10Sb90O1.5的晶化温度分别提升至 为155℃，182℃，218℃和240℃，表明相变薄膜材料的热稳定性有 了较大的提高，而对于Zn10Sb90O2纳米相变薄膜材料来说，由于氧 含量掺入过多，导致几乎不发生相变。相变薄膜材料的晶态电阻由未 掺氧时的505Ω增加到了Zn10Sb90O1.2的13585Ω，从而有助于降低 RESET过程的功耗。同时，Zn10Sb90O0.5，Zn10Sb90O1，Zn10Sb90O1.2和Zn10Sb90O1.5四种纳米相变薄膜材料的非晶态电阻与晶态电阻之 间至少存在两个数量级以上的差异，有利于相变存储器更加高效的存 读取数据。
为本发明的Zn10Sb90Ox(x＝1.2、1.5)相变薄膜材料及用于对比 例2的GST薄膜相变材料的十年数据保持力图像。根据业内的统一 评判标准之一，利用相变材料将数据保持10年时对应的温度来评判 材料的数据保持能力。可以看出，本发明的掺氧Zn10Sb90薄膜随着 掺氧量的提高，数据保持力有了显著增加，即Zn10Sb90O1.2和 Zn10Sb90O1.5相变薄膜将数据保持10年的温度分别为141℃和 201℃。也就是说，本发明的Zn10Sb90Ox具有比GST薄膜材料优异 的数据保持能力。
为了验证本发明的相变材料的实用性，通过测试 Zn10Sb90Ox的反射率，综合功耗、热稳定性考虑选择 Zn10Sb90O1.2与GST进行比较。图3a、图3b结果表明，GST相变 薄膜材料发生相变在单位面积能量为11.2mJ/cm2,其时间为39ns， Zn10Sb90O1.2相变薄膜材料发生相变在单位面积能量为1.56 mJ/cm2,其时间为4.26ns,Zn10Sb90O1.2相变薄膜材料在发生相变在 单位面积能量为1.86mJ/cm2,其时间为3.9ns。通过对比我们发现， 通过掺氧1.2的Zn10Sb90相变薄膜材料，其无论是功耗，还是其发 生相变的速度都优于GST相变薄膜材料。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制 本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下， 对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常 知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等 效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (6)
1.一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料，其特征在于，其化学组成通式为Zn10Sb90Ox，其中x代表不同的掺氧量标记，x＝0.5、1、1.2、1.5。
2.如权利要求1所述的掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料，其特征在于，材料的厚度为45-65nm。
3.一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，
衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Zn10Sb90，通过在射频溅射沉积Zn10Sb90薄膜的过程中同时通入氩气和氧气，并在纳米量级制备而成；其中氩气和氧气的总流量为30sccm。
4.如权利要求3所述的掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，Zn10Sb90靶材的纯度原子百分比在99.999％以上，本底真空度不大于1×10-4Pa。
5.如权利要求3所述的掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，Zn10Sb90靶材采用射频电源，溅射功率为25-35W。
6.如权利要求3所述的掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，
具体包括以下步骤：
1)清洗SiO2/Si(100)基片；
2)安装好溅射靶材；设定溅射功率，设定溅射Ar气和O2气的气体流量及溅射气压；
3)将空基托旋转到Zn10Sb90靶位，打开Zn10Sb90靶上的射频电源，设定的溅射时间150～250s，开始对Zn10Sb90靶材表面进行溅射，清洁Zn10Sb90靶位表面；
4)关闭Zn10Sb90靶位上所施加的射频电源，将待溅射的基片旋转到Zn10Sb90靶位，打开Zn10Sb90靶位上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Zn10Sb90Ox薄膜；溅射完毕后获得所述的掺氧Zn10Sb90纳米相变薄膜材料；
5)重复步骤2)-4)，改变Ar气和O2气的流量比例，在SiO2/Si(100)基片上分别制备出Zn10Sb90Ox(x＝0.5、1、1.2、1.5)纳米相变薄膜材料。
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|---|---|---|---|---|
| CN109817807A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-28 | 江苏理工学院 | 一种类超晶格ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料及其制备方法 |
| CN113072915A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-06 | 华中科技大学 | 基于氧掺杂的Sb2Te3相变材料、相变存储器及制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050265072A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-01 | Hart Mark W | Indirect switching and sensing of phase change memory cells |
| CN103762309A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-04-30 | 宁波大学 | 一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料及其制备方法 |
| CN103887430A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-06-25 | 江苏理工学院 | 掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 |
-
2018
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050265072A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-01 | Hart Mark W | Indirect switching and sensing of phase change memory cells |
| CN103762309A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-04-30 | 宁波大学 | 一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料及其制备方法 |
| CN103887430A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-06-25 | 江苏理工学院 | 掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109817807A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-28 | 江苏理工学院 | 一种类超晶格ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料及其制备方法 |
| CN113072915A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-06 | 华中科技大学 | 基于氧掺杂的Sb2Te3相变材料、相变存储器及制备方法 |
| CN113072915B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-03-11 | 华中科技大学 | 基于氧掺杂的Sb2Te3相变材料、相变存储器及制备方法 |
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